202101 三安光電系列2：新能源汽車推動碳化硅黃金十年

業(yè)級流通股(%)業(yè)級流通股(%)股票信息 79.34股價走勢80%64%48%32%16% 0%-16%-32%滬深3002020-012020-052020-092021-01作者分析師鄭震湘分析師佘凌星分析師陳永亮相關(guān)研究283、《三安光電(600703.SH)：化合物半導(dǎo)體龍頭崛起，MiniLED助力主業(yè)增長》2020-05-08請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明證券研究報告|公司深度發(fā)展趨勢是晶圓尺寸增加(目前4-6英寸過渡，領(lǐng)先廠商擴(kuò)產(chǎn)8英寸)、主流產(chǎn)汽車電子驅(qū)動SiC需求，我們測算中期汽車逆變器需求彈性中樞可帶來70~80億美元市場！SiC功率器件已經(jīng)歷從PFC電源到光伏的應(yīng)用發(fā)展，未來十年新能源汽車、充電設(shè)施、軌道交通等將是主要推動力。根據(jù)Yole，到2025年新能源汽車用SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)到15.5億美元，2019-2025年CAGR38%，充電樁增速更是高達(dá)90%。特斯拉Model3和國內(nèi)比亞迪漢已率先在電機(jī)控制器中應(yīng)用SiC模塊。我們對新能源車用SiC需求規(guī)模彈性進(jìn)行測算，預(yù)計中期僅逆變器對SiC需求就有望打造70~80億美元市場，車用SiC黃金十年即將開啟！全球龍頭科銳戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型聚焦第三代化合物半導(dǎo)體?？其J近兩年先后剝離照明及LED產(chǎn)品業(yè)務(wù)，未來五年10億美元擴(kuò)產(chǎn)SiC等三代半核心業(yè)務(wù)。科銳具備SiC垂SiC8英寸SiC晶圓量產(chǎn)。科銳具有1)專利優(yōu)勢；2)規(guī)模優(yōu)勢；3)技術(shù)優(yōu)勢；4)車規(guī)級產(chǎn)品認(rèn)證壁壘，并且科銳全產(chǎn)業(yè)鏈模式有利于加快研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，加速擴(kuò)產(chǎn)、把握品控、提升交貨力，鞏固市場地位。SiC源車企業(yè)，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。三安光電SiCSBD/MPS量產(chǎn)器件已較為成熟，SiCMOSFET也已推出，產(chǎn)品線逐漸鋪全。公司與美的達(dá)成戰(zhàn)略合作，并成立聯(lián)合實(shí)三安光電作為化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，MiniLED放量在即。在砷化鎵、氮化鎵、碳化硅及濾波器等半導(dǎo)體業(yè)務(wù)深度布局，各產(chǎn)品線取得明顯進(jìn)展。我們認(rèn)為三安大力加快SiC垂直產(chǎn)業(yè)鏈布局，具備技術(shù)、資金優(yōu)勢，產(chǎn)品具備國際競爭力，未來將受益于新能源汽車等需求爆發(fā)。我們預(yù)計公司2020E/2021E/2022E年將實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤13.50/22.13/34.09億元，對應(yīng)2020E/2021E/2022E年P(guān)E為66.4x/40.5x/26.3x，維持“買入”評級。風(fēng)險提示：化合物半導(dǎo)體進(jìn)展不及預(yù)期，下游需求不達(dá)預(yù)期，行業(yè)競爭加劇風(fēng)險。財務(wù)指標(biāo)2018A2019A2020E2021E2022E營業(yè)收入(百萬元)8,3647,4608,32810,95013,950增長率yoy(%)-0.3-10.811.631.527.4歸母凈利潤(百萬元)2,8301,2981,3502,2133,409增長率yoy(%)-10.6-54.14.063.954.1EPS最新攤薄(元/股)0.690.320.330.540.84凈資產(chǎn)收益率(%)13.36.05.99.212.7P/E(倍)31.669.066.440.526.3P/B(倍)4.24.13.93.73.3P.2請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明tpwwwnxnycom 財務(wù)報表和主要財務(wù)比率元)會計年度金66應(yīng)收票據(jù)及應(yīng)收賬款5收款預(yù)付賬款存貨07動資產(chǎn)685流動資產(chǎn)734期借款應(yīng)付票據(jù)及應(yīng)付賬款負(fù)債0流動負(fù)債008888873會計年度現(xiàn)金流705折舊攤銷9投資損失-12262營現(xiàn)金流-1-1投資活動現(xiàn)金流571839資現(xiàn)金流500918籌資活動現(xiàn)金流486短期借款9874182-10普通股增加0000021000資現(xiàn)金流559559074108現(xiàn)金凈增加額會計年度5研發(fā)費(fèi)用9175益公允價值變動收益00000投資凈收益911110588735756187019EPS(元)財務(wù)比率會計年度能力利能力7償債能力97速動比率應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)率應(yīng)付賬款周轉(zhuǎn)率每股指標(biāo)(元)每股收益(最新攤薄)每股經(jīng)營現(xiàn)金流(最新攤薄)每股凈資產(chǎn)(最新攤薄)估值比率5P.3請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明tpwwwnxnycom一、三安光電：化合物半導(dǎo)體平臺企業(yè)，深度布局SiC 51.1三安光電：第三代化合物半導(dǎo)體平臺型企業(yè) 51.2戰(zhàn)略合作下游龍頭，加碼化合物半導(dǎo)體布局 6二、汽車電子成SiC功率市場未來十年主要驅(qū)動力 112.1功率器件下游應(yīng)用分布廣泛，需求景氣度抬升 112.2碳化硅：高壓、大功率器件核心材料 13子是SiC器件最重要驅(qū)動力 20三、產(chǎn)業(yè)鏈大力擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對需求爆發(fā)，國內(nèi)企業(yè)有望同步成長 263.1外資廠商主導(dǎo)SiC市場，大力擴(kuò)產(chǎn)迎接需求 273.2國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈較完整，加速向國際水平看齊 36 圖表7：北電新材近期主要財務(wù)數(shù)據(jù)(萬元) 9 SiC、GaN電力電子及射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(億元) 12GaN 018年我國SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場分布 13 ：SiC市場空間(百萬美元) 18P.4請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明tpwwwnxnycom 圖表33：SiC襯底價格(元/cm2) 19 圖表35：SiC外延片價格(元/cm2) 20 SiC80% 21 M 圖表42：特斯拉季度交貨量(按車型，輛) 22圖表43：特斯拉Model3逆變器拆解 23odelPCB 圖表46：SiC模塊是比亞迪電動汽車未來發(fā)展方向 23 圖表48：SiC功率器件市場規(guī)模及預(yù)測(百萬美元) 24 圖表57：科銳各業(yè)務(wù)季度營收情況(百萬美元) 29 Wolfspeed比增長率 29圖表60：Wolfspeed季度ASP及出貨量變動情況(6月為財年末) 29 圖表69：2019年及2020年上半年SiC晶圓市場份額(2018年) 34 SiC 8 P.5請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明tpwwwnxnycom1.1三安光電：第三代化合物半導(dǎo)體平臺型企業(yè)波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。公司2014年成立M穩(wěn)步推進(jìn)砷化鎵PA和氮化鎵電力電子集成芯片國內(nèi)外客戶驗證，進(jìn)一步推進(jìn)光通訊和司產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合布局P.6請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明tpwwwnxnycom延伸到了光通訊器件、射頻與濾波器、功率型半導(dǎo)體三個新領(lǐng)域，基本涵蓋了今后Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體材料應(yīng)用的重要領(lǐng)域，從而打開了更廣闊的的市場空間。V司產(chǎn)業(yè)布局示意圖資料來源：手機(jī)光纖在線，國盛證券研究所圖表3：三安集成全面布局化合物制造工藝平臺資料來源：三安集成官網(wǎng)、國盛證券研究所P.7請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明tpwwwnxnycom務(wù)除擴(kuò)大現(xiàn)有中低速PD/MPD產(chǎn)品的市場領(lǐng)先份額外，高端產(chǎn)品10GAPD/25GPD、格高企、產(chǎn)能有限。三安具備的產(chǎn)業(yè)鏈一體化能力有利于增強(qiáng)品控、提高交貨能力、提升公司盈利能力。圖表4：全球SiC產(chǎn)業(yè)鏈布局情況資料來源：Yole，國盛證券研究所集成已經(jīng)建立完善的質(zhì)量管理體系P.8請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明底裝性用tpwwwnxny底裝性用三安集成實(shí)現(xiàn)國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈一體化具有重要意義。目前國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈在各環(huán)節(jié)仍有一定差距。國外襯底正從6英寸向8英寸轉(zhuǎn)移，國內(nèi)仍處于4英寸至6英寸過渡階段；國SiC熟，但國內(nèi)MOSFET進(jìn)力對于國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展、公司技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品商業(yè)化具有重要意義。圖表6：國內(nèi)外SiC產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)情況對比<12um：20A成品率>85%MOSFET：三代技術(shù)MOSFET：少量實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化料與設(shè)備尚未國產(chǎn)裝結(jié)構(gòu)沿用硅基封裝結(jié)構(gòu)測試經(jīng)驗少，設(shè)備認(rèn)可度不高測試方法尚在摸索中滲透、尚未批量應(yīng)用容量高頻電力電子應(yīng)用預(yù)研開發(fā)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化加速環(huán)節(jié)條塊分割，缺乏垂直產(chǎn)業(yè)鏈布局龍頭企業(yè)資料來源：國盛電子整理，國盛證券研究所包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。長沙投資的具體項目的產(chǎn)品CC關(guān)鍵材料所需原材料粉料合成、長晶和襯底的加工。前期小試線專注于晶體缺陷密度、產(chǎn)品良率等技術(shù)指標(biāo)提升，重點(diǎn)突破晶體生長和加工研制的關(guān)鍵技術(shù)。目前，采用其襯P.9請仔細(xì)閱讀本報告末頁聲明tpwwwnxnycom圖表7：北電新材近期主要財務(wù)數(shù)據(jù)(萬元)4.386C電源轉(zhuǎn)換/反向器中。ET段。SiC過程中，可以不外并聯(lián)二極管，從而有效降低系統(tǒng)成本、減小體積。T的高溫、高壓特性使其能夠更好的應(yīng)用于大功率設(shè)備，相同功率下，SiCMOSFET損耗小，散熱需求低，有利于系統(tǒng)向小型化、輕量化和更高集成度發(fā)展，在新能源汽車車內(nèi)CSiC客戶：綁定家電龍頭企業(yè)，聯(lián)手新能源車企。電領(lǐng)域并探索新的應(yīng)用場景。美的作為家電龍頭，選擇三安光電作為第三代半導(dǎo)體國內(nèi)綜合能力。品應(yīng)用四個產(chǎn)品方向的研發(fā)及生產(chǎn)基地。未來有望應(yīng)用于格力的中央空調(diào)、智能裝備、精密模具、光伏及儲能等領(lǐng)域。與國內(nèi)家電領(lǐng)軍者合作，有利于三安加快推進(jìn)第三代半先發(fā)優(yōu)勢。P.10P.10tpwwwnxnycomC件替代傳統(tǒng)IGBT將帶來新的市場增量需求。三安率先布局第三代化合物半導(dǎo)體垂直產(chǎn)業(yè)鏈，并與家電龍頭合作，提前鎖定優(yōu)質(zhì)客戶資源，未來有望進(jìn)一步提升三安在三代半領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢。圖表8：中國電動客車保有量圖表9：三安集成SiC客戶資料來源：WoodMackenzie，國盛證券研究所收空間增厚。P.11請P.11tpwwwnxnycom1功率器件下游應(yīng)用分布廣泛，需求景氣度抬升LEDPA、不同化合物半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域資料來源：國盛證券研究所根據(jù)三安集成官網(wǎng)整理用中具有巨大的優(yōu)勢，有望受益于新能源汽車?；衔锇雽?dǎo)體材料性能更為優(yōu)異材料SiGaAsGaN高頻性能差好好高溫性能差好好發(fā)展階段成熟發(fā)展中初期制造成本低高很高應(yīng)用領(lǐng)域超大規(guī)模集成電路與器件微薄集成電路與器件大功率器件資料來源：yoledevelopment，國盛證券研究所整理P.12P.12tpwwwnxnycom半導(dǎo)體材料演進(jìn)圖同化合物半導(dǎo)體的優(yōu)勢領(lǐng)域資料來源：yoledevelopment，國盛證券研究所資料來源：英飛凌，國盛證券研究所圖表14：2018年我國SiC、GaN電力電子及射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(億元)圖表15：我國SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場規(guī)模預(yù)估(億元)資料來源：CASA，國盛證券研究所資料來源：CASA，國盛證券研究所第三代半導(dǎo)體材料器件在太陽能光伏、新能源汽車和工業(yè)及商業(yè)應(yīng)用三個領(lǐng)域取得較大進(jìn)展。我國第三代半導(dǎo)體電力電子器件領(lǐng)域主要應(yīng)用于工業(yè)及商業(yè)電源、消費(fèi)類電源PFCUPS)、新能源汽車和工業(yè)電機(jī)等。iCP.13P.13tpwwwnxnycomSiCGaN電力電子器件應(yīng)用市場分布資料來源：CASA、國盛證券研究所2.2碳化硅：高壓、大功率器件核心材料更高雜質(zhì)濃度、更薄漂移層厚度的情況下制作出高耐壓功率器件。從而同時實(shí)現(xiàn)“高耐熱率的材料有利于元器件向更小型化發(fā)展。：半導(dǎo)體材料特性對比H-SiC金剛石~4.96電子遷移率(cm2/Vs)22238電常數(shù)9熱導(dǎo)率(W/cmK)巴利加優(yōu)值(εμEb3)15資料來源：電子發(fā)燒友，國盛證券研究所電阻(低開關(guān)損耗)、高頻等優(yōu)良特性，因此應(yīng)用于汽車電子、光伏、軌道交通、工業(yè)控P.14請P.14tpwwwnxnycom圖表18：SiC應(yīng)用特性和優(yōu)勢資料來源：ROHM，國盛證券研究所圖表19：SiC產(chǎn)業(yè)鏈資料來源：天科合達(dá)招股說明書，國盛證券研究所P.15請P.15tpwwwnxnycomSiC分布資料來源：CASA、國盛證券研究所SiCMOSFETIGBT的小型化。與二極管的恢復(fù)損耗非常小，適用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器圖表21：Si材料與SiC材料功率器件應(yīng)用對比資料來源：電力電子網(wǎng)，國盛證券研究所P.16P.16tpwwwnxnycom圖表22：SiC應(yīng)用領(lǐng)域資料來源：ROHM，國盛證券研究所資料來源：ROHM，國盛證券研究所有20多家汽車廠商已經(jīng)在車載充電機(jī)(OBC)中使用SiCSBD或SiCMOSFET。此外，SiC個采用創(chuàng)新芯片貼裝解決方案的SiCMOSFET，并通過銅基板實(shí)現(xiàn)散熱。目前針對車用圖表24：SiC在MOSFET里占比不斷提升SiCMOSFET資料來源：CASA，國盛證券研究所資料來源：CASA，國盛證券研究所P.17請P.17tpwwwnxnycom電機(jī)控制器逆變裝置中功率模塊的器件材料用量份額趨勢圖表27：DC-DC轉(zhuǎn)換器中功率器件的應(yīng)用趨勢資料來源：CASA，國盛證券研究所資料來源：CASA，國盛證券研究所CP.18P.18tpwwwnxnycom圖表28：SiC市場空間(百萬美元)資料來源：ROHM，國盛證券研究所DieSize和成本是SiC技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的核心變量。我們比較目前市場主流1200V硅基SiCSi能夠大幅減少DieSize圖表30：目前的主流SiC和Si基IGBT產(chǎn)品資料來源：yoledevelopment，國盛證券研究所資料來源：yoledevelopment，國盛證券研究所圖表31：硅基IGBT與SiC基MOSFETwafercost對比資料來源：yoledevelopment，國盛證券研究所P.19P.19tpwwwnxnycom圖表32：SiC襯底尺寸發(fā)展趨勢資料來源：CASA、國盛證券研究所生長成本下降。單晶可用厚度在不斷增加。以直徑100mm單晶迎來相對快速的降低。圖表33：SiC襯底價格(元/cm2)資料來源：CASA、國盛證券研究所P.20P.20tpwwwnxnycom圖表34：SiC外延片成本結(jié)構(gòu)圖表35：SiC外延片價格(元/cm2)資料來源：CASA、國盛證券研究所資料來源：CASA、國盛證券研究所CC圖表36：SiC功率器件應(yīng)用發(fā)展路徑圖表37：2019年-2025年SiC功率市場規(guī)模按應(yīng)用劃分資料來源：Yole，國盛證券研究所資料來源：Yole，國盛證券研究所新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到SiC應(yīng)用的系統(tǒng)主要有電機(jī)驅(qū)動器、車載充電器(OBC)導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，整個功率器件具有高溫、高效和高頻特性，能夠提高能P.21P.21tpwwwnxnycom圖表38：SiC器件在新能源汽車中的優(yōu)勢應(yīng)用資料來源：英飛凌，國盛證券研究所頻率，減少開關(guān)損耗以及簡化電路散熱系統(tǒng)，從而降低成本、大小，改善功率密度。豐圖表39：豐田的SiC控制器體積縮小80%電源轉(zhuǎn)換：車載DC/DC變換器的作用是將動力電池輸出的高壓直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流SiC并實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化，從而減P.22P.22tpwwwnxnycomCBCC圖表40：電動汽車電池系統(tǒng)圖表41：電動汽車充電機(jī)系統(tǒng)層面BOM物料清單成本對比資料來源：ROHM，國盛證券研究所資料來源：Wolfspeed，國盛證券研究所圖表42：特斯拉季度交貨量(按車型，輛)0002012Q32013Q22014Q12014Q42015Q32016Q22017Q12017Q42018Q32019Q22020Q12020Q4資料來源：特斯拉，國盛證券研究所P.23P.23tpwwwnxnycom圖表43：特斯拉Model3逆變器拆解圖表44：特斯拉Model3逆變器PCB資料來源：Munro&Asociatesteardown，國盛證券研究所資料來源：Ingineerix，知乎，國盛證券研究所大陸電動車龍頭廠比亞迪漢四驅(qū)版是國內(nèi)首款在電機(jī)控制器中使用自主研發(fā)SiC模塊的圖表45：比亞迪自主研發(fā)SiCMOSFET模塊圖表46：SiC模塊是比亞迪電動汽車未來發(fā)展方向資料來源：比亞迪，國盛證券研究所資料來源：比亞迪，國盛證券研究所(Continental)動力總成事業(yè)群緯湃科技(VitescoTechnologies)達(dá)成合作協(xié)議，升電動汽車功率電子效率；P.24P.24tpwwwnxnycom圖表47：汽車SiC模塊供應(yīng)鏈廠商四個維度資料來源：Yole，國盛證券研究所新能源車用SiC功率器件市場規(guī)模將圖表48：SiC功率器件市場規(guī)模及預(yù)測(百萬美元)SiC功率器件市場規(guī)模(百萬美元)20182019E2020E2021E2022E2023E2024ERail(includingauxpower)58913153996PFC/powersupply138151164169181201228xEV(OBC+maininverter+DC-DC)112209295318397543941nd23xEVchargeinfrastructure6214265101160257971061161461681962352225283746587227313540495972others(oil,gas,military,medical,R&D,etc)13141516172024Total42056570480497513781928資料來源：Yole，國盛證券研究所P.25P.25tpwwwnxnycom圖表49：新能源汽車用SiC功率器件產(chǎn)能測算新能源車(萬輛)0%5%單車芯片用量(顆)單車消耗6寸數(shù)(片)消耗6寸片數(shù)量(萬片)資料來源：Yole，Ingineerix拆解，國盛電子測算，國盛證券研究所資料來源：CREE，Yole，國盛證券研究所資料來源：CREE，Yole，國盛證券研究所考慮降價因素中期新能源汽車SiC需求中樞在66~80億美元。我們假設(shè)中長期全球新資料來源：國盛電子測算，國盛證券研究所P.26P.26tpwwwnxnycom三、產(chǎn)業(yè)鏈大力擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對需求爆發(fā)，國內(nèi)企業(yè)有望同步成長DP.27P.27tpwwwnxnycom半導(dǎo)體。圖表53：Wolfspeed發(fā)展歷程資料來源：CREE，國盛證券研究所P.28P.28tpwwwnxnycom第三代化合物射頻和電力電子材料和器件的子公司，其業(yè)務(wù)分為材料、射頻產(chǎn)品、功率pWolfspeed產(chǎn)品包括SiCMOSFET裸芯片、圖表55：Wolfspeed材料產(chǎn)品組合資料來源：Wolfspeed，國盛證券研究所lfspeed資料來源：Wolfspeed，國盛證券研究所P.29P.29tpwwwnxnycom圖表57：科銳各業(yè)務(wù)季度營收情況(百萬美元)銳各業(yè)務(wù)季度毛利率情況0Wolfspeed照明業(yè)務(wù)LED產(chǎn)品%LEDWolfspeed圖表59：Wolfspeed季度營收(百萬美元)及同比增長率Wolfspeedyoy17/32017/92018/32018/92019/32019/92020/32020/9圖表60：Wolfspeed季度ASP及出貨量變動情況(6月為財年末)P.30P.30tpwwwnxnycom圖表61：2019年SiCMOSFET專利市場格局資料來源：KnowMade，Yole，國盛證券研究所SiCiCbQSiC科銳主資。iCP.31P.31tpwwwnxnycom圖表62：科銳與大客戶簽訂長期SiC晶圓協(xié)議戶容應(yīng)用領(lǐng)域2019.112019.12018.2、工業(yè)機(jī)資料來源：CREE，國盛證券研究所圖表63：II-VI公司2020財年營收劃分資料來源：I-VI，國盛證券研究所份額。P.32P.32tpwwwnxnycom圖表64：II-VI公司SiC晶圓發(fā)展及垂直整合歷程資料來源：II-VI，國盛證券研究所圖表65：Ascatron業(yè)務(wù)概況資料來源：Ascatron，國盛電子整理，國盛證券研究所gP.33P.33tpwwwnxnycom圖表66：II-VISiC襯底未來5年產(chǎn)能擴(kuò)張計劃資料來源：II-VI，國盛證券研究所圖表67：SiC功率器件市場規(guī)模及領(lǐng)先廠商份額資料來源：Yole，國盛證券研究所SiC襯底：價值量占比最高的環(huán)節(jié)，目前受海外龍頭主導(dǎo)件成本中占比最高的部分。P.34P.34tpwwwnxnycom圖表68：SiC襯底目前仍是SiC器件的成本占比最大部分資料來源：英飛凌，Yole，國盛證券研究所al圖表69：2019年及2020年上半年SiC晶圓市場份額(2018年)資料來源：CASA，國盛證券研究所SiC器件：產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，加強(qiáng)布局迎接新能源汽車機(jī)會CP.35P.35tpwwwnxnycom件搶占部分市場份額；eed-圖表70：領(lǐng)先廠商SiC業(yè)務(wù)資本支出計劃公司應(yīng)用領(lǐng)域22019.52019.22019.22020.1：海外SiC產(chǎn)業(yè)鏈P.36P.36tpwwwnxnycom成SiC垂直能源汽車等需求爆發(fā)。、CP.37P.37tpwwwnxnycom國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈公司業(yè)務(wù)情況匯總理，國盛證券研究所P.38P.38tpwwwnxnycom圖表73：國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈公司業(yè)務(wù)情況匯總(續(xù)上表)理，國盛證券研究所P.39P.39tpwwwnxnycom三安光電是集成四大板塊的平臺型、全產(chǎn)業(yè)布局的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。集成業(yè)務(wù)面向D會。ED：公司業(yè)績拆分201820192020E2021E2020ELED芯片(百萬元)58.6248.2849.2865.0075.00yoy-6.9%-17.6%2.1%21.8%10.0%40.0%12.3%12.5%21.0%26.0%車燈收入(百萬元)7.006.506.506.506.50yoy-6.7%-7.1%0.0%0.0%0.0%20.0%12.0%15.0%17.0%20.0%16.3117.4117.5018.0018.00yoy21.0%6.7%6.3%-2.7%0.0%76.0%85.4%85.0%85.0%85.0%化合物半導(dǎo)體收入(百萬元)1.712.4110.0020.0040.00yoy40.7%273.4%122.2%100.0%10.0%13.0%20.0%25.0%30.0%總營收(百萬元)83.6474.6083.28109.50139.50yoy-0.3%-10.8%11.6%31.5%27.4%44.7%29.4%29.6%32.0%35.9%P.40P.40tpwwwnxnycom提示SiC延研發(fā)、產(chǎn)能提升低于預(yù)期，市。行業(yè)競爭加劇風(fēng)險：P.41請P.41tpwwwnxnycom免責(zé)聲明國盛證券有限責(zé)任公司(以下簡稱“本公司”)具有中國證監(jiān)會許可的證券投資咨詢