2024屆一輪復(fù)習(xí)人教版 第十二章 第三節(jié) 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 課件（86張）

第三節(jié)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課標(biāo)要求核心素養(yǎng)1.能認(rèn)識(shí)晶體中粒子的空間排布存在周期性，認(rèn)識(shí)簡(jiǎn)單的晶胞。知道介于典型晶體之間的過(guò)渡晶體及混合型晶體是普遍存在的。1.宏觀辨識(shí)與微觀探析：能夠從范德華力、氫鍵的特征，分析理解分子晶體的物理特性。利用離子鍵的有關(guān)理論解釋離子晶體的物理性質(zhì)。2.證據(jù)推理與模型認(rèn)知：運(yùn)用離子鍵、配位鍵、金屬鍵等模型，解釋離子化合物、配合物、金屬等物質(zhì)的某些典型性質(zhì)。能借助分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體、金屬晶體等模型說(shuō)明晶體中的粒子及其粒子間的相互作用，形成模型意識(shí)。[目標(biāo)導(dǎo)航]課標(biāo)要求核心素養(yǎng)2.能知道在一定條件下，物質(zhì)的聚集狀態(tài)隨構(gòu)成物質(zhì)的粒子種類(lèi)、粒子間相互作用、粒子聚集程度的不同而有所不同。知道物質(zhì)的聚集狀態(tài)會(huì)影響物質(zhì)的性質(zhì)，通過(guò)改變物質(zhì)的聚集狀態(tài)可能獲得特殊的材料。3.科學(xué)態(tài)度與社會(huì)責(zé)任：能從粒子的空間排布及其相互作用的角度對(duì)生產(chǎn)、生活、科學(xué)研究中的簡(jiǎn)單案例進(jìn)行分析，舉例說(shuō)明物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究的應(yīng)用價(jià)值以及對(duì)于生命的重大意義。（續(xù)表）[自主測(cè)評(píng)]1.易錯(cuò)易混辨析(正確的畫(huà)“√”，錯(cuò)誤的畫(huà)“×”)。))(1)晶體的熔點(diǎn)一定比非晶體的熔點(diǎn)高。((2)具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體。((3)晶體有自范性但其微粒排列無(wú)序。()(4)晶體有固定的熔點(diǎn)，可用此方法區(qū)分晶體與非晶體。())(5)不同的晶體中晶胞的大小和形狀都相同。((6)已知晶胞的組成就可推知晶體的組成。()錯(cuò)因：非晶體沒(méi)有固定的熔點(diǎn)，不能比較熔點(diǎn)

答案：(1)×的高低。(2)×錯(cuò)因：晶體具有以下特點(diǎn)：有整齊規(guī)則的幾何外形、固定的熔點(diǎn)、各向異性。只有同時(shí)具備這三個(gè)特點(diǎn)的才是晶體，非晶體也可以有規(guī)則幾何外形。

(3)×錯(cuò)因：晶體有自范性且其微粒有序排列。

(4)√(5)×錯(cuò)因：不同晶體粒子可能直徑不同、粒子間距不同，晶胞大小形狀也不一定相同。

(6)√

2.因生產(chǎn)金屬鐵的工藝和溫度等因素不同，產(chǎn)生的鐵單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)、密度和性質(zhì)均不同，對(duì)鐵晶體用X射線衍射進(jìn)行測(cè)定，測(cè)得A、B兩種晶胞，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如下：AB則A、B兩種晶胞中含有的鐵原子數(shù)分別是：____、____個(gè)。答案：24

3.碳酸鹽在一定溫度下會(huì)發(fā)生分解，如煅燒石灰石可以得到CaO，這是由于受熱時(shí)碳酸根發(fā)生分解，放出二氧化碳。碳酸鹽MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3熱分解溫度/℃40290011721360陽(yáng)離子半徑/pm6699112135

(1)根據(jù)表中數(shù)據(jù)，第二主族元素陽(yáng)離子半徑大小順序是____________，與核外電子排布的關(guān)系是____________。

(2)MCO3

金屬陽(yáng)離子半徑與碳酸鹽分解溫度的關(guān)系是_____________________________________________________________。答案：(1)r(Mg2+)＜r(Ca2+)＜r(Sr2+)＜r(Ba2+)核外電子層數(shù)越多，半徑越大

(2)金屬陽(yáng)離子的半徑越小，氧化物MO晶格能越大，碳酸鹽MCO3

越易分解，越不穩(wěn)定項(xiàng)目晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)粒子周期性有序排列結(jié)構(gòu)粒子無(wú)序排列性質(zhì)特征自范性有無(wú)熔點(diǎn)固定不固定異同表現(xiàn)各向異性各向同性二者區(qū)別方法間接方法看是否有固定的熔點(diǎn)科學(xué)方法對(duì)固體進(jìn)行X-射線衍射實(shí)驗(yàn)考點(diǎn)一晶體與晶胞1.晶體與非晶體得到晶體的途徑(1)熔融態(tài)物質(zhì)凝固。(2)氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)。(3)溶質(zhì)從溶液中析出。2.晶胞(1)概念描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。(2)晶體中晶胞的排列——“無(wú)隙并置”①“無(wú)隙”：相鄰晶胞之間沒(méi)有任何間隙。②“并置”：所有晶胞平行排列、取向相同?？键c(diǎn)二常見(jiàn)晶體類(lèi)型及晶體結(jié)構(gòu)1.四類(lèi)晶體模型(1)分子晶體干冰的結(jié)構(gòu)模型(晶胞)冰的結(jié)構(gòu)模型

①干冰晶體中，每個(gè)CO2

分子周?chē)染嗲揖o鄰的CO2

分子有12個(gè)。

②冰的結(jié)構(gòu)模型中，每個(gè)水分子與相鄰的4個(gè)水分子以氫鍵相連接，含1molH2O的冰中，最多可形成2mol氫鍵。

(2)共價(jià)晶體(金剛石和二氧化硅)金剛石二氧化硅

①金剛石晶體中，每個(gè)C與另外4個(gè)C形成共價(jià)鍵，C—C鍵之間的夾角是109°28′，最小的環(huán)是六元環(huán)。含有1molC的金剛石中，形成的共價(jià)鍵有2mol。

②SiO2

晶體中，每個(gè)Si

原子與4個(gè)O成鍵，每個(gè)O原子與2個(gè)硅原子成鍵，最小的環(huán)是十二元環(huán)，在“硅氧”四面體中，處于中心的是Si

原子，1molSiO2

中含有4molSi—O鍵。(3)金屬晶體①在金屬晶體中，原子間以金屬鍵相結(jié)合。②金屬晶體的性質(zhì)：優(yōu)良的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和延展性。③用電子氣理論解釋金屬的性質(zhì)：(4)離子晶體比較項(xiàng)目分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子分子原子金屬陽(yáng)離子、自由電子陰、陽(yáng)離子粒子間的相 互作用力范德華力(某 些含氫鍵)共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大，有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高2.四種晶體類(lèi)型的比較比較項(xiàng)目分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體溶解性相似相溶難溶于溶劑難溶于常見(jiàn)溶劑大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、導(dǎo) 熱性一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有 導(dǎo)電性電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電（續(xù)表）（續(xù)表）比較項(xiàng)目分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體物質(zhì)類(lèi)別及舉例大多數(shù)非金屬單質(zhì)、氣態(tài)氫化物、酸、非金屬氧化物(SiO2除外)、絕大多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)鹽除外)部分非金屬單質(zhì)(如金剛石、硅、晶體硼)，部分非金屬化合物(如SiC、SiO2)金屬單質(zhì)與合金(如Na、Al、Fe、青銅)金屬氧化物(如Na2O)、強(qiáng)堿(如KOH)、絕大部分鹽(如NaCl)3.過(guò)渡晶體與混合型晶體(1)過(guò)渡晶體①過(guò)渡晶體：介于典型晶體之間的晶體。

②偏向離子晶體的過(guò)渡晶體在許多性質(zhì)上與純粹的離子晶體接近，因而通常當(dāng)作離子晶體來(lái)處理，如Na2O等。同樣偏向共價(jià)晶體的過(guò)渡晶體當(dāng)作共價(jià)晶體來(lái)處理，如Al2O3、SiO2等。(2)混合型晶體

①石墨結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為層狀結(jié)構(gòu)，同層內(nèi)碳原子采取sp2

雜化，以共價(jià)鍵(σ鍵)結(jié)合，形成平面六元并環(huán)結(jié)構(gòu)；層與層之間靠范德華力維系。②石墨的二維結(jié)構(gòu)內(nèi)，每個(gè)碳原子的配位數(shù)為3，有一個(gè)未參與雜化的2p電子，它的原子軌道垂直于碳原子平面。③性質(zhì)：熔點(diǎn)很高、質(zhì)軟、易導(dǎo)電等。[歸納提升](1)判斷某種微粒周?chē)染嗲揖o鄰的微粒數(shù)目時(shí)，要注意運(yùn)用三每個(gè)面上有4個(gè)，共計(jì)12個(gè)。

(2)?？嫉膸追N晶體主要有干冰、冰、金剛石、SiO2、石墨、CsCl、NaCl、K、Cu等，要熟悉以上代表物的空間結(jié)構(gòu)。當(dāng)題中信息給出與某種晶體空間結(jié)構(gòu)相同時(shí)，可以直接套用某種結(jié)構(gòu)。維想象法。如NaCl晶體中，Na＋周?chē)腘a＋數(shù)目(Na＋用“

”表示)：4.配合物與超分子(1)配合物①配位鍵是由一個(gè)原子(或離子)提供孤電子對(duì)，另一個(gè)原子(或離子)接受孤電子對(duì)。形成“電子對(duì)給予—接受”鍵。②配位鍵的表示方法用A→B表示，其中A表示提供孤電子對(duì)的原子，B表示接受孤電子對(duì)的原子。③配位化合物(簡(jiǎn)稱配合物)a.定義：金屬離子或原子(稱為中心離子或原子)與某些分子或離子(稱為配體或配位體)以配位鍵結(jié)合形成的化合物。c.組成(2)超分子①概念：由兩種或兩種以上的分子通過(guò)分子間相互作用形成的分子聚集體。②超分子的實(shí)例a.冠醚識(shí)別堿金屬離子冠醚是皇冠狀的分子，可有不同大小的空穴適配不同大小的堿金屬離子b.分離C60

和C70③超分子兩個(gè)的重要特征——分子識(shí)別、自組裝?？枷?晶胞的結(jié)構(gòu)及相關(guān)計(jì)算

(2)(2021年廣東卷節(jié)選)理論計(jì)算預(yù)測(cè)，由汞(Hg)、鍺(Ge)、銻(Sb)形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓?fù)浣^緣體材料。X的晶體可視為Ge

晶體(晶胞如圖a所示)中部分Ge

原子被Hg和Sb

取代后形成。

①圖b為Ge

晶胞中部分Ge

原子被Hg和Sb

取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu)，它不是晶胞單元，理由是_____________________。

②圖c為X的晶胞，X的晶體中與Hg距離最近的Sb

的數(shù)目為_(kāi)_______；該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比Hg∶Ge∶Sb＝_____________。 ③設(shè)X的最簡(jiǎn)式的式量為Mr，則X晶體的密度為_(kāi)________

4mol×91g·mol＋8mol×16g·mol個(gè)晶胞的質(zhì)量m(晶胞)＝－1－1

NA；1個(gè)解析：(1)以晶胞中右側(cè)面心的Zr4+為例，同一晶胞中與Zr4+最近且等距離的O2－有4個(gè)，同理可知右側(cè)晶胞中也有4個(gè)O2－，故在晶胞中Zr4+的配位數(shù)為4＋4＝8。1個(gè)晶胞中含有4個(gè)ZrO2微粒，1兩個(gè)單元內(nèi)的原子位置不完全相同，不符合晶胞是晶體的最小重復(fù)單位要求。②以晶胞上方立方體中右側(cè)面心中Hg原子為例，同一晶胞中與Hg距離最近的Sb

的數(shù)目為2，右側(cè)晶胞中也有2個(gè)Sb

原子與Hg原子距離最近，因此X的晶體中與Hg距離最近的Sb

的數(shù)目為4。該晶胞中Sb

原子均位于晶胞內(nèi)，因此1個(gè)晶胞中含有Sb

原子數(shù)為8，Ge

原子位于晶胞頂點(diǎn)、面心、體心，則1個(gè)晶胞中含有2.(2021年湖南卷節(jié)選)如圖是Mg、Ge、O三種元素形成的某化合物的晶胞示意圖。則每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)粒子分得的份額就是—。[方法技巧]利用“均攤法”進(jìn)行晶胞的相關(guān)計(jì)算(1)“均攤法”原則和方法①原則：晶胞任意位置上的一個(gè)粒子若被n個(gè)晶胞所共有，1n②長(zhǎng)方體(包括立方體)晶胞中不同位置粒子數(shù)的計(jì)算：③“三棱柱”和“六棱柱”中不同位置粒子數(shù)的計(jì)算：三棱柱六棱柱(2)晶胞結(jié)構(gòu)的相關(guān)計(jì)算①確定晶體的化學(xué)式②計(jì)算晶體的密度公式可表示為以一個(gè)晶胞為研究對(duì)象，根據(jù)m＝ρ·V，其一般的計(jì)算規(guī)律和

MNA×N＝ρ×a3，其中M為晶體的摩爾質(zhì)量，N為晶胞所占有的粒子數(shù)，NA

為阿伏加德羅常數(shù)，ρ為晶體密度，a為晶胞參數(shù)。 ③計(jì)算晶體中微粒間距離的方法④計(jì)算原子的空間利用率晶胞占有的微粒體積晶胞體積空間利用率＝。⑤晶胞質(zhì)量＝晶胞占有的微粒的質(zhì)量＝晶胞占有的微粒數(shù)×

MNA。

(3)金屬晶體中體心立方堆積、面心立方最密堆積中幾組公式(設(shè)棱長(zhǎng)為a)

考向2

晶體類(lèi)型的判斷及性質(zhì)比較3.(1)(2021年全國(guó)甲卷節(jié)選)太陽(yáng)能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。單晶硅的晶體類(lèi)型為_(kāi)_______________。

(2)(2021年湖南卷節(jié)選)硅、鍺(Ge)及其化合物廣泛應(yīng)用于光電材料領(lǐng)域，晶體硅和碳化硅熔點(diǎn)較高的是________(填化學(xué)式)。

(3)(2020年天津卷節(jié)選)Fe、Co、Ni是三種重要的金屬元素。三種元素二價(jià)氧化物的晶胞類(lèi)型相同，其熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)開(kāi)_______________。氧化物L(fēng)i2OMgOP4O6SO2熔點(diǎn)/℃1570280023.8－75.5(4)(2019年全國(guó)Ⅰ卷節(jié)選)一些氧化物的熔點(diǎn)如下表所示：

解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因：__________________________________________________________________________。

解析：(1)單晶硅中Si原子形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，類(lèi)似于金剛石，屬于共價(jià)(原子)晶體。(2)晶體硅和碳化硅都是共價(jià)(原子)晶體，Si原子半徑大于C，則鍵長(zhǎng)：Si—Si＞Si—C，鍵能：Si—Si＜Si—C，鍵能越大，共價(jià)(原子)晶體的熔點(diǎn)越高，故熔點(diǎn)較高的是SiC。(3)三種元素二價(jià)氧化物的晶胞類(lèi)型相同，離子半徑Fe2+>Co2+>Ni2+，離子鍵按FeO、CoO、NiO

的順序依次增強(qiáng)，而離子鍵越強(qiáng)，離子晶體的熔點(diǎn)越高，故其熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹iO>CoO>FeO。(4)Li2O、MgO

為離子晶體，P4O6、SO2

為分子晶體。離子半徑：Mg2+＞Li＋，則離子鍵的強(qiáng)弱：MgO＞Li2O；由于相對(duì)分子質(zhì)量：P4O6＞SO2，則分子間作用力：P4O6＞SO2，故熔點(diǎn)大小順序是MgO＞Li2O＞P4O6＞SO2。答案：(1)共價(jià)(原子)晶體

(2)SiC

(3)NiO>CoO>FeO

(4)Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體，離子鍵MgO＞Li2O，分子間作用力(相對(duì)分子質(zhì)量)P4O6＞SO2化合物TiF4TiCl4TiBr4TiI4熔點(diǎn)/℃377－24.1238.3155

4.(1)(2020年全國(guó)Ⅱ卷節(jié)選)Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如表所示，TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物，自TiCl4

至TiI4

熔點(diǎn)依次升高，原因是_______________________________________________________。

(2)(2020年山東卷節(jié)選)Sn

為ⅣA族元素，單質(zhì)Sn

與干燥Cl2反應(yīng)生成SnCl4。常溫常壓下SnCl4

為無(wú)色液體，其固體的晶體類(lèi)型為_(kāi)___________。

解析：(1)根據(jù)表格中數(shù)據(jù)，可以得出TiF4

的熔點(diǎn)最高，其晶體類(lèi)型應(yīng)該為離子晶體，其他三種鹵化物晶體類(lèi)型應(yīng)該為分子晶體，根據(jù)影響晶體熔點(diǎn)的因素，離子鍵強(qiáng)度大于分子間作用力，所以TiF4

熔點(diǎn)最高，其他三種鹵化物隨相對(duì)分子質(zhì)量的增大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高。(2)SnCl4

常溫下為無(wú)色液體，說(shuō)明其熔、沸點(diǎn)低，應(yīng)為分子晶體。

答案：(1)TiF4

為離子晶體，熔點(diǎn)高，其他三種均為共價(jià)(原子)晶體，隨相對(duì)分子質(zhì)量的增大其分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高(2)分子晶體考向3確定原子的坐標(biāo)參數(shù)(或分?jǐn)?shù)坐標(biāo))

(2)(2020年山東卷節(jié)選)以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方晶系CdSnAs2

的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如下表所示。原子坐標(biāo)xyzCd000Sn000As0.250.250.25

一個(gè)晶胞中有________個(gè)Sn，找出距離Cd(0，0，0)最近的Sn__________________(用分?jǐn)?shù)坐標(biāo)表示)。CdSnAs2

晶體中與單個(gè)Sn

鍵合的As有________個(gè)。6.(2019年全國(guó)Ⅱ卷節(jié)選)一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞如圖所示。

考向4晶胞投影圖的分析及應(yīng)用(a)(b)(c)ABCD(a)(b)8.(1)以Zn為頂點(diǎn)的ZnGeP2

晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①Zn的配位數(shù)為_(kāi)_______。②以Ge

為頂點(diǎn)的晶胞中，Zn原子位于______________。

(2)氮、銅形成的一種化合物，為立方晶系晶體，晶胞參數(shù)為apm，沿面對(duì)角線投影如圖所示。已知該晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)胞中，與Cu原子等距且最近的Cu原子有________個(gè)。

解析：(1)①以體心的Zn為例，距離其最近且距離相等的原子有4個(gè)，所以配位數(shù)為4；②結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，以Ge

為頂點(diǎn)的晶胞中，Zn原子位于棱心、面心。(2)結(jié)合投影以及部分Cu、N原子的坐標(biāo)可知N原子位于立方體的頂點(diǎn)，Cu原子位于棱心，距離Cu原子相等且最近的Cu原子位于相鄰的棱上，所以個(gè)數(shù)為8。答案：(1)①4②棱心、面心(2)8考向5配合物與超分子9.(1)(2021年全國(guó)乙卷節(jié)選)三價(jià)鉻離子能形成多種配位化合物。[Cr(NH3)3(H2O)2Cl]2+中提供電子對(duì)形成配位鍵的原子是________，中心離子的配位數(shù)為_(kāi)_______。(2)(2020年全國(guó)Ⅲ卷節(jié)選)NH3BH3

分子中，N—B化學(xué)鍵稱為_(kāi)_______鍵，其電子對(duì)由________提供。(3)(2020年江蘇卷節(jié)選)[Fe(H2O)6]2+

中與Fe2+

配位的原子是________(填元素符號(hào))。

(4)(2020年山東卷節(jié)選)含有多個(gè)配位原子的配體與同一中心離子(或原子)通過(guò)螯合配位成環(huán)而形成的配合物為螯合物。一種Cd2+配合物的結(jié)構(gòu)如圖所示，1mol該配合物中通過(guò)螯合作用形成的配位鍵有________mol。通過(guò)螯合作用形成配位鍵，右側(cè)—NO2

中N原子與Cd形成共價(jià)鍵，故1mol該配合物形成的配位鍵有6mol。答案：(1)N、O、Cl6(2)配位N(或氮)(3)O(4)6解析：(1)[Cr(NH3)3(H2O)2Cl]2+中心離子是Cr3+，配位體為NH3、H2O和Cl－，故中心離子的配位數(shù)為3＋2＋1＝6；提供電子對(duì)形成配位鍵的原子是N、O、Cl。(2)NH3BH3分子中，N原子提供孤電子對(duì)，B原子提供空軌道，形成配位鍵(N→B)。(3)[Fe(H2O)6]2+中，H2O是配位體，O原子提供孤電子對(duì)與Fe2+配位。(4)Cd2+配合物中，

解析：(1)乙二胺的兩個(gè)N可提供孤電子對(duì)與金屬離子形成配位鍵，因此乙二胺能與Mg2+、Cu2+等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子；由于銅離子的半徑較大且含有的空軌道多于鎂離子，因此Cu2+與乙二胺形成的化合物穩(wěn)定性相對(duì)Mg2+較高。(2)根據(jù)題目信息可知氯化鐵蒸汽狀態(tài)下以雙聚分子存在，其結(jié)構(gòu)式為，F(xiàn)e分別與4個(gè)Cl成鍵，因此Fe的配位數(shù)為4。(3)[Cu(OH)4]2－中Cu2+提供空軌道，OH－提供孤電子對(duì)，OH－只有O有孤電子對(duì)，因此[Cu(OH)4]2－中的配位原子為O。答案：(1)乙二胺的兩個(gè)N提供孤電子對(duì)給金屬離子形成配位鍵Cu2+4(2)(3)O

11.(2021年襄陽(yáng)期末)2016年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)授予在合成分子機(jī)器領(lǐng)域做出貢獻(xiàn)的三位科學(xué)家。分子機(jī)器是一種特殊的超分子體系，當(dāng)體系受到外在刺激(如pH變化、吸收光子、電子得失等)時(shí)，分子組分間原有作用被破壞，各組分間發(fā)生類(lèi)似于機(jī)械運(yùn)動(dòng)的某種熱運(yùn)動(dòng)，下列說(shuō)法不正確的是()A.驅(qū)動(dòng)分子機(jī)器時(shí)，需要對(duì)體系輸入一定的能量B.分子狀態(tài)的改變會(huì)伴隨能量變化，屬于化學(xué)變化C.氧化還原反應(yīng)有可能是刺激分子機(jī)器體系的因素之一D.光照有可能使分子產(chǎn)生類(lèi)似于機(jī)械運(yùn)動(dòng)的某種熱運(yùn)動(dòng)答案：B[方法技巧]

判斷配位數(shù)及配位鍵的穩(wěn)定性

(1)判斷配位數(shù)：配位數(shù)就是在配位體中與中心原子(或離子)成鍵的配位原子的總數(shù)。若是由單齒配體(1個(gè)配體提供1個(gè)配位原子)形成的配合物，中心原子(或離子)的配位數(shù)＝配位體的數(shù)目。若是由雙齒配體(1個(gè)配體提供2個(gè)配位原子)形成的配合物，中心原子(或離子)的配位數(shù)＝配位體的數(shù)目×2。

(2)判斷配位鍵的穩(wěn)定性：一般情況下，與同種金屬原子(或離子)形成配位鍵時(shí)，配位原子的電負(fù)性越小，形成配位鍵就越穩(wěn)定。例如，電負(fù)性：N<O，則配離子的穩(wěn)定性：[Cu(NH3)4]2+>[Cu(H2O)4]2+。1.(2022年湖北卷)某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞)結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(

A.Ca2+的配位數(shù)為6B.與F－距離最近的是K＋C.該物質(zhì)的化學(xué)式為KCaF3D.若F－換為Cl－，則晶胞棱長(zhǎng)將改變

答案：B

2.(2022年山東卷)A