黃光PHOTO制程問答

黃光PHOTO制程問答PHOTO流程?答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何為光阻？其功效為什么？其分為哪兩種？答：Photoresist(光阻).是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。何為正光阻?答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會變化，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。何為負(fù)光阻?答：負(fù)光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被變化，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。什幺是曝光？什幺是顯影？答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完畢后的圖形解決，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。何謂Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。Photo重要流程為什么?答：Photo的流程分為前解決，上光阻，SoftBake,曝光，PEB，顯影，HardBake等。何謂PHOTO區(qū)之前解決?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對Wafer表面進(jìn)行一系列的解決工作，以使光阻能在背面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前解決重要涉及Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸取的水分去除，然后進(jìn)行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結(jié)合。何謂上光阻?答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（Nozzle）被噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表面。何謂SoftBake?答：上完光阻之后，要進(jìn)行SoftBake，其重要目的是通過SoftBake將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的殘存內(nèi)應(yīng)力釋放。何謂曝光?答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。何謂PEB(PostExposureBake)?答：PEB是在曝光結(jié)束后對光阻進(jìn)行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進(jìn)行充足的化學(xué)反映，以使被曝光的圖形均勻化。何謂顯影?答：顯影類似于洗照片，是將曝光完畢的Wafer進(jìn)行成象的過程，通過這個過程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。何謂HardBake?答：HardBake是通過烘烤使顯影完畢后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完畢之后的光阻的圖形的過程。何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺？答：BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸取。何謂Iline？答：曝光過程中用到的光，由MercuryLamp(汞燈)產(chǎn)生，其波長為365nm，其波長較長，因此曝光完畢后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。何謂DUV？答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完畢后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。I-line與DUV重要不同處為什么?答：光源不同，波長不同，因此應(yīng)用的場合也不同。I-Line重要用在較落后的制程（0.35微米以上）或者較先進(jìn)制程（0.35微米下列）的Non-Criticallayer。DUV則用在先進(jìn)制程的Criticallayer上。何為ExposureField?答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域何謂Stepper?其功效為什么?答：一種曝光機(jī)，其曝光動作為Stepbystep形式,一次曝整個exposurefield,一個一個曝過去何謂Scanner?其功效為什么?答：一種曝光機(jī)，其曝光動作為Scanningandstep形式,在一個exposurefield曝光時,先Scan完整個field,Scan完後再移到下一個field.何為象差？答：代表透鏡成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper優(yōu)點為什么？答：ExposureField大，象差較小曝光最重要的兩個參數(shù)是什幺？答：Energy(曝光量),Focus(焦距)。如果能量和焦距調(diào)節(jié)的不好，就不能得到規(guī)定的分辨率和規(guī)定大小的圖形，重要體現(xiàn)在圖形的CD值超出規(guī)定的范疇。因此規(guī)定在生產(chǎn)時要時刻維持最佳的能量和焦距，這兩個參數(shù)對于不同的產(chǎn)品會有不同。何為Reticle?答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。何為Pellicle?答：Pellicle是Reticle上為了避免灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上的一層保護(hù)膜。何為OPC光罩？答：OPC(OpticalProximityCorrection)為了增加曝光圖案的真實性，做了某些修正的光罩，例如，0.18微米下列的Poly,Metallayer就是OPC光罩。何為PSM光罩？答：PSM(PhaseShiftMask)不同于Crmask,運(yùn)用相位干涉原理成象，現(xiàn)在大都應(yīng)用在contactlayer以及較小CD的Criticallayer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。何為CRMask？答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是運(yùn)用光訊0與1干涉成像,重要應(yīng)用在較不Critical的layer光罩編號各位代碼都代表什幺？答：例如003700-156AA-1DA,0037代表產(chǎn)品號，00代表Specialcode,156代表layer,A代表客戶版本，后一種A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,則代表I-line),A代表ASML機(jī)臺（如果是C，則代表Canon機(jī)臺）光罩室同時不能超出多少人在其中？答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。存取光罩的基本原則是什幺？答：(1)光罩盒打開的狀況下，不準(zhǔn)進(jìn)出MaskRoom,最多只準(zhǔn)保持2個人(2)戴上手套(3)輕拿輕放如何避免靜電破壞Mask？答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，能夠?qū)a(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間最少應(yīng)當(dāng)保持多遠(yuǎn)距離？答：不能放在一起，之間最少要有30公分的距離，避免搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩。何謂Track?答：Photo制程中一系列環(huán)節(jié)的組合，其涉及：Wafer的前、后解決，Coating(上光阻)，和Develop(顯影)等過程。In-lineTrack機(jī)臺有幾個Coater槽，幾個Developer槽？答：均為4個機(jī)臺上亮紅燈的解決流程？答：機(jī)臺上紅燈亮起的時候表明機(jī)臺處在異常狀態(tài)，此時已經(jīng)不能RUN貨，因此應(yīng)當(dāng)及時CallE.E進(jìn)行解決。若EE現(xiàn)在無法立刻解決，則將機(jī)臺掛DOWN。何謂WEE?其功效為什么?答：WaferEdgeExposure。由于Wafer邊沿的光阻普通會涂布的不均勻，因此普通不能得到較好的圖形，并且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此將WaferEdge的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時候?qū)⑵淙コ@樣便能夠消除影響。何為PEB？其功效為什么？答：PostExposureBake，其功效在于能夠得到質(zhì)量較好的圖形。（消除standingwaves）PHOTOPOLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻答：現(xiàn)在正負(fù)光阻都有，SMICFAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。RUN貨結(jié)束后如何判斷與否有wafer被reject？答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER與否有少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機(jī)臺與否有Reject統(tǒng)計。何謂Overlay?其功效為什么?答：迭對測量儀。由于集成電路是由諸多層電路重迭構(gòu)成的，因此必須確保每一層與前面或者背面的層的對準(zhǔn)精度，如果對準(zhǔn)精度超出規(guī)定范疇內(nèi)，則可能造成整個電路不能完畢設(shè)計的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對其與前層的對準(zhǔn)精度進(jìn)行測量，如果測量值超出規(guī)定，則必須采用對應(yīng)方法調(diào)節(jié)processcondition.何謂ADICD?答：CriticalDimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在Wafer上，普通如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此普通測量CD的值來擬定process的條件與否適宜。何謂CD-SEM?其功效為什么?答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，普通能夠用于測量CD以及觀察圖案。PRS的制程目的為什么？答：PRS(ProcessReleaseStandard)通過選擇不同的條件（能量和焦距）對Wafer曝光，以選擇最佳的processcondition。何為ADI？ADI需檢查的項目有哪些？答：AfterDevelopInspection，曝光和顯影完畢之后，通過ADI機(jī)臺對所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其與否正常，其檢查項目涉及：LayerID,LockingCorner,Vernier,PhotoMacroDefect何為OOC,OOS，OCAP？答：OOC=outofcontrol,OOS=OutofSpec,OCAP=outofcontrolactionplan當(dāng)需要追貨的時候，與否需要將ETCH沒有下機(jī)臺的貨追回來？答：需要。由于普通是process出現(xiàn)了異常，并且影響到了某些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回?fù)p失。PHOTOADI檢查的SITE是每片幾個點？答：5點，Wafer中間一點，周邊四點。PHOTOOVERLAY檢查的SITE是每片幾個點？答：20PHOTOADI檢查的片數(shù)普通是哪幾片？答：#1，#6，#15，#24;統(tǒng)計隨機(jī)的考量何謂RTMS，其重要功效是什幺？答：RTMS(ReticleManagementSystem)光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History,Status,Location,andInformation方便于光罩管理PHOTO區(qū)的主機(jī)臺進(jìn)行PM的周期？答：一周一次PHOTO區(qū)的控片重要有幾個類型答：(1)Particle:作為Particlemonitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2)ChuckParticle:作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度規(guī)定非常高(3)Focus:作為ScannerDailymonitorbest的wafer(4)CD:做為photo區(qū)dailymonitorCD穩(wěn)定度的wafer(5)PRthickness:做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM:做為photodefectmonitor的wafer當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時，其實機(jī)臺中尚有光阻嗎？答：有少量光阻當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時，其實機(jī)臺中尚有光阻嗎？答：有少量光阻WAFERSORTER有讀WAFER刻號的功效嗎？答：有光刻部的重要機(jī)臺是什幺?它們的作用是什幺?答：光刻部的重要機(jī)臺是:TRACK(涂膠顯影機(jī)),Sanner(掃描曝光機(jī))為什幺說光刻技術(shù)最象日常生活中的攝影技術(shù)答：Track把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機(jī)就是一臺最高級的攝影機(jī).光罩上的電路圖形就是"人物".通過對準(zhǔn),對焦,打開快門,讓一定量的光照過光罩,其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上,曝光后的芯片被送回Track的顯影槽,被顯影液浸泡,曝光的光刻膠被洗掉,圖形就顯現(xiàn)出來了.光刻技術(shù)的英文是什幺答：PhotoLithography常據(jù)說的.18或點13技術(shù)是指什幺?答：它是指某個產(chǎn)品,它的最小"CD"的大小為0.18umor0.13um.越小集成度能夠越高,每個芯片上可做的芯片數(shù)量越多,難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數(shù).從點18工藝到點13工藝到點零9.難度在哪里?答：難度在光刻部,由于圖形越來越小,曝光機(jī)分辨率有限.曝光機(jī)的NA是什幺?答：NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對透鏡張開的角度的正玹值.最大是1;先進(jìn)的曝光機(jī)的NA在0.5---0.85之間.曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的?答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波長;NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;k1是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù),普通在0.4--0.7之間.如何提高曝光機(jī)的分辨率呢?答：減短曝光的光波長,選擇新的光源;把透鏡做大,提高NA.現(xiàn)在的生產(chǎn)線上,曝光機(jī)的光源有幾個,波長多少?答：有三種:高壓汞燈光譜中的365nm譜線,我們也稱其為I-line;KrF激光器,產(chǎn)生248nm的光;ArF激光器,產(chǎn)生193nm的光;下一代曝光機(jī)光源是什幺?答：F2激光器.波長157nm我們可否始終把波長縮短,以提高分辨率?困難在哪里?答：不能夠.困難在透鏡材料.能透過157nm的材料是CaF2,其晶體很難生長.尚未發(fā)現(xiàn)能透過更短波長的材料.為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？答：由于白光中包含365nm成分會使光阻曝光,因此采用黃光;就象洗像的暗房采用暗紅光照明.什幺是SEM答：掃描電子顯微鏡(ScanElectronicMicroscope)光刻部慣用的也稱道CDSEM.用它來測量CD如何做Overlay測量呢?答：芯片(Wafer)被送進(jìn)Overlay機(jī)臺中.先擬定Wafer的位置從而找到OverlayMARK.這個MARK是一種方塊IN方塊的構(gòu)造.大方塊是前層,小方塊是當(dāng)層;通過小方塊與否在大方塊中心來擬定Overlay的好壞.生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺答：曝光機(jī);5-15百萬美金/臺曝光機(jī)貴在哪里?答：曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng)(它的成像系統(tǒng)由15到20個直徑在200300MM的透鏡構(gòu)成.波面相位差只有最佳象機(jī)的5%.它有精密的定位系統(tǒng)(使用激光工作臺)激光工作臺的定位精度有多高?答：現(xiàn)用的曝光機(jī)的激光工作臺定位的重復(fù)精度不大于10nm曝光機(jī)是如何確保Overlay<50nm答：曝光機(jī)要確保每層的圖形之間對準(zhǔn)精度<50nm.它首先要有一種精確的激光工作臺,它把wafer移動到精確的位置.再就是成像系統(tǒng),它帶來的圖像變形<35nm.在WAFER上,什幺叫一種Field?答：光罩上圖形成象在WAFER上,最大只有26X33mm一塊(這一塊就叫一種Field),激光工作臺把WAFER移動一種Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光。直到覆蓋整片WAFER。因此，一片WAFER上有約100左右Field.什幺叫一種Die?答：一種Die也叫一種Chip;它是一種功效完整的芯片。一種Field可包含多個Die;為什幺曝光機(jī)的綽號是“印鈔機(jī)”答：曝光機(jī)很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;因此必須充份運(yùn)用它的產(chǎn)能,它一天可產(chǎn)出1600片WAFER。Track和Scanner內(nèi)重要使用什幺手段傳遞Wafer：答：機(jī)器人手臂(robot),Scanner的ROBOT有真空(VACCUM)來吸住WAFER.TRACK的ROBOT設(shè)計獨(dú)特,用邊沿HOLDWAFER.可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光答：絕對嚴(yán)禁;強(qiáng)光對眼睛會有傷害為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應(yīng)用Foundation(底座)答：Scanner曝光對穩(wěn)定性有極高規(guī)定(減震)近代光刻技術(shù)分哪幾個階段?答：從80’S至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line(438nm),I-line(365nm);excimerlaserKrF(248nm),ArFlaser(193nm)I-linescanner的工作范疇是多少?答：CD>0.35um以上的圖層(LAYER)KrFscanner的工作范疇是多少?答：CD>0.13um以上的圖層(LAYER)ArFscanner的工作范疇是多少?答：CD>0.08um以上的圖層(LAYER)什幺是DUVSCANNER答：DUVSCANNER是指所用光源為ＤeepUltraVoliet,超紫外線．即現(xiàn)用的248nm,193nmScannerScanner在曝光中能夠達(dá)成精確度宏觀理解：答：Scanner是一種集機(jī)，光，電為一體的高精密機(jī)器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運(yùn)動要保持很高的同時性．在250nm/秒的掃描曝光時，兩者同時位置<10nm．相稱于兩架時速1000公里／小時的波音747飛機(jī)前后飛行，相距不大于10微米光罩的構(gòu)造如何？答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護(hù)鉻膜不受外界污染.在超凈室（cleanroom）為什幺不能攜帶普通紙答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產(chǎn)生大量微小塵埃（particle）．進(jìn)cleanroom要帶專用的CleanroomPaper.如何做CD測量呢?答：芯片(Wafer)被送進(jìn)CDSEM中.電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同;解決此信號可的圖像.對圖像進(jìn)行測量得CD.什幺是DOF答：DOF也叫DepthOfFocus,與攝影中所說的景深相似.光罩上圖形會在透鏡的另一側(cè)的某個平面成像,我們稱之為像平面(ImagePlan),只有將像平面與光阻平面重疊(InFocus)才干印出清晰圖形.當(dāng)離開一段距離后,圖像含糊.這一可清晰成像的距離叫DOF曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反映，被吃掉．去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當(dāng)例子注入的模板．光阻種類有多少？答：光阻種類有諸多．可根據(jù)它所合用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻光阻層的厚度大概為多少？答：光阻層的厚度與光阻種類有關(guān)．I-line光阻最厚，0.7umto3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影響光阻厚度？答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠度有關(guān)．哪些因素影響光阻厚度的均勻度？答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻，與旋轉(zhuǎn)加減速的時間點有關(guān)．當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何解決答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的ＣＳＤＳ（ChemicalSafetyDataSheet）,把它提供應(yīng)醫(yī)生，以協(xié)助治療FAC根據(jù)工藝需求排氣分幾個系統(tǒng)?答：分為普通排氣（General）、酸性排氣（Scrubbers）、堿性排氣（Ammonia）和有機(jī)排氣（Solvent）四個系統(tǒng)。高架地板分有孔和無孔作用?答：使循環(huán)空氣能流通，不起塵，確保干凈房內(nèi)的干凈度;防靜電；便于HOOK-UP。離子發(fā)射系統(tǒng)作用答：離子發(fā)射系統(tǒng)，避免靜電SMIC干凈等級區(qū)域劃分答：MaskShopclass1&100Fab1&Fab2Photoandprocessarea:Class100Cu-lineAl-LineOS1L3OS1L4testingClass1000什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV)答：是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測試機(jī)臺在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度不不大于80kpa)和流量，每天24小時運(yùn)行什幺是MAU(MakeUpAirUnit),新風(fēng)空調(diào)機(jī)組作用答：提供干凈室所需之新風(fēng)，對新風(fēng)濕度，溫度，及干凈度進(jìn)行控制，維持干凈室正壓和濕度規(guī)定。HouseVacuumSystem作用答：HV(HouseVacuum)系統(tǒng)提供干凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用辦法為運(yùn)用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，打開運(yùn)轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運(yùn)用可減低清潔時的污染。FilterFanUnitSystem(FFU)作用答：FFU系統(tǒng)確保干凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和干凈度，由Fan和Filter(ULPA)構(gòu)成。什幺是CleanRoom干凈室系統(tǒng)答：干凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機(jī)臺設(shè)備所需之干凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環(huán)境規(guī)定。Cleanroomspec:原則答：Temperature23°C±1°C(Photo:23°C±0.5°C)Humidity45%±5%(Photo:45%±3%)Class100Overpressure+15paAirvelocity0.4m/s±0.08m/sFab內(nèi)的safetyshower的日常維護(hù)及使用監(jiān)督由誰來負(fù)責(zé)答：Fab內(nèi)的AreaOwner（若出現(xiàn)無水或大量漏水等可請廠務(wù)水課（19105）協(xié)助）工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機(jī)臺維護(hù)時，要注意不能有酸或有機(jī)溶劑（如IPA等）進(jìn)入純水回收系統(tǒng)中，這是由于：答：酸會造成conductivity(導(dǎo)電率)升高，有機(jī)溶劑會造成TOC升高。兩者均會影響并減少純水回收率。若在Fab內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應(yīng)如何解決或通報答：先檢查與否為機(jī)臺漏水或做PM所致，若為廠務(wù)系統(tǒng)則告知廠務(wù)中控室（12222）機(jī)臺若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應(yīng)首先如何通報答：告知廠務(wù)主系統(tǒng)水課的值班（19105）廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路?答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不琇鋼管(SUS)若機(jī)臺內(nèi)的drain管有接錯或排放成分分類有誤，將會造成后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題?答：將會造成后端解決的主系統(tǒng)有關(guān)指標(biāo)解決不合格，從而可能造成公司排放口超標(biāo)排放的事故。公司做水回收的意義如何?答：(1)節(jié)省用水，減少成本。重在環(huán)保。(2)符合ISO可持續(xù)發(fā)展的精神和公司環(huán)保暨安全衛(wèi)生政策。何種氣體歸類為特氣(SpecialtyGas)?答：SiH2Cl2何種氣體由VMBStick點供到機(jī)臺?答：H2何種氣體有自燃性?答：SiH4何種氣體含有腐蝕性?答：ClF3當(dāng)機(jī)臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器?答：PH3名詞解釋GC,VMB,VMP答：GC-GasCabinet氣瓶柜VMB-ValveManifoldBox閥箱，合用于危險性氣體。VMP-ValveManifoldPanel閥件盤面，合用于惰性氣體。原則大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時人體會感覺不適？答：21%19%什幺是氣體的LEL?H2的LEL為多少？答：LEL-LowExplosiveLevel氣體爆炸下限H2LEL-4%.當(dāng)FAB內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級警報（既LeakHiHi），氣體警報燈（LAU）會如何動作？FAB內(nèi)工作人員應(yīng)如何應(yīng)變？答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC廣播命令，立刻疏散?；瘜W(xué)供應(yīng)系統(tǒng)中的化學(xué)物質(zhì)特性為什么?答：(1)Acid/Caustic酸性/腐蝕性(2)Solvent有機(jī)溶劑(3)Slurry研磨液有機(jī)溶劑柜的安用保護(hù)裝置為什么?答：(1)Gas/Temp.detector;氣體/溫度偵測器(2)CO2extinguisher;二氧化碳滅火器中芯有那幾類研磨液(slurry)系統(tǒng)?答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭設(shè)備機(jī)臺總電源是幾伏特?答：208VOR380V欲從事生產(chǎn)/測試/維護(hù)時,如無法就近獲得電源供應(yīng),能夠無限制使用延長線嗎?答：不能夠如何選用電器器材?答：使用電器器材需采用通過認(rèn)證之正規(guī)品牌機(jī)臺開關(guān)能夠任意分/合嗎?答：未經(jīng)確認(rèn)不可隨意分/合任何機(jī)臺開關(guān),以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.欲從事生產(chǎn)/測試/維護(hù)時,如無法就近獲得電源供應(yīng),也不能無限制使用延長線,對嗎?答：對假設(shè)斷路器啟斷容量為16安培導(dǎo)線線徑2.5mm2,電源供應(yīng)電壓單相220伏特,若使用單相5000W電器設(shè)備會產(chǎn)生何種狀況?答：斷路器跳閘當(dāng)供電局供電中斷時,人員仍可安心待在FAB中嗎?答：當(dāng)供電局供電中斷時,本廠因有緊急發(fā)電機(jī)設(shè)備,配合各有關(guān)監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持FAB之Safety,因此人員仍可安心待在FAB中.ETCH何謂蝕刻(Etch)?答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。蝕刻種類:答：(1)干蝕刻(2)濕蝕刻蝕刻對象依薄膜種類可分為:答：poly,oxide,metal半導(dǎo)體中普通金屬導(dǎo)線材質(zhì)為什么?答：鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu)何謂dielectric蝕刻(介電質(zhì)蝕刻)?答：Oxideetchandnitrideetch半導(dǎo)體中普通介電質(zhì)材質(zhì)為什么?答：氧化硅/氮化硅何謂濕式蝕刻答：運(yùn)用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除何謂電漿Plasma?答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負(fù)離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的辦法可使用高溫或高電壓.何謂干式蝕刻?答：運(yùn)用plasma將不要的薄膜去除何謂Under-etching(蝕刻局限性)?答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留何謂Over-etching(過蝕刻)答：蝕刻過多造成底層被破壞何謂Etchrate(蝕刻速率)答：單位時間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度何謂Seasoning(陳化解決)答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真（dummy）晶圓進(jìn)行多次的蝕刻循環(huán)。Asher的重要用途:答：光阻去除Wetbenchdryer功用為什么?答：將晶圓表面的水份去除列舉現(xiàn)在Wetbenchdry辦法:答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry何謂SpinDryer答：運(yùn)用離心力將晶圓表面的水份去除何謂MaragoniDryer答：運(yùn)用表面張力將晶圓表面的水份去除何謂IPAVaporDryer答：運(yùn)用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除測Particle時,使用何種測量儀器?答：TencorSurfscan測蝕刻速率時,使用何者量測儀器?答：膜厚計,測量膜厚差值何謂AEI答：AfterEtchingInspection蝕刻后的檢查AEI目檢Wafer須檢查哪些項目:答：(1)正面顏色與否異常及刮傷(2)有無缺角及Particle(3)刻號與否對的金屬蝕刻機(jī)臺轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺時應(yīng)如何解決?答：清機(jī)避免金屬污染問題金屬蝕刻機(jī)臺asher的功用為什么?答：去光阻及避免腐蝕金屬蝕刻后為什么不可使用普通硫酸槽進(jìn)行清洗?答：由于金屬線會溶于硫酸中"HotPlate"機(jī)臺是什幺用途?答：烘烤HotPlate烘烤溫度為什么?答：90~120度C何種氣體為PolyETCH重要使用氣體?答：Cl2,HBr,HCl用于Al金屬蝕刻的重要?dú)怏w為答：Cl2,BCl3用于W金屬蝕刻的重要?dú)怏w為答：SF6何種氣體為oxidevai/contactETCH重要使用氣體?答：C4F8,C5F8,C4F6硫酸槽的化學(xué)成分為:答：H2SO4/H2O2AMP槽的化學(xué)成分為:答：NH4OH/