電子行業(yè)深度報(bào)告：存儲(chǔ)行業(yè)拐點(diǎn)已至國產(chǎn)化主線確立

東吳證券研究所東吳證券研究所內(nèi)容目錄TOC\o"1-2"\h\z\u周期判斷：存儲(chǔ)國產(chǎn)化進(jìn)程加速，行業(yè)周期拐點(diǎn)已至 4市場追蹤：23Q3環(huán)比跌幅有望縮小，部分現(xiàn)貨價(jià)格觸底反彈 6當(dāng)前時(shí)點(diǎn)：部分現(xiàn)貨價(jià)格已觸底反彈 6未來趨勢(shì)：底部已現(xiàn)，漲價(jià)趨勢(shì)確立 9產(chǎn)業(yè)玩家：海外大廠持續(xù)減產(chǎn)，庫存優(yōu)化環(huán)比逐季改善 10海外大廠積極減產(chǎn)，加速布局HBM新產(chǎn)品 10模組、IC設(shè)計(jì)廠商庫存去化效果顯著，業(yè)績有望恢復(fù)增長 需求景氣：存儲(chǔ)下游多領(lǐng)域需求回暖，靜待行業(yè)復(fù)蘇 13消費(fèi)電子Q2需求逐漸回暖，景氣周期拐點(diǎn)或?qū)@現(xiàn) 13服務(wù)器勢(shì)頭放緩，AI拉動(dòng)存儲(chǔ)空間廣闊 15車載領(lǐng)域前景廣闊，或成藍(lán)海市場 17投資建議 18風(fēng)險(xiǎn)提示 192/20東吳證券研究所東吳證券研究所圖表目錄圖1：2022年全球集成電路市場規(guī)模細(xì)分結(jié)構(gòu)占比 4圖2：2022年全球存儲(chǔ)市場規(guī)模細(xì)分結(jié)構(gòu)占比 4圖3：三大細(xì)分市場市占率情況 5圖4：全球DRAM季度市場規(guī)模（百萬美元） 5圖5：全球NAND季度市場規(guī)模（百萬美元） 5圖6：DRAM:DDR3/4GB/256Mx16價(jià)格周期 6圖7：典型DRAM產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格（美元） 7圖8：典型DRAM產(chǎn)品合約價(jià)格（美元） 7圖9：典型NAND產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格（美元） 8圖10：典型NAND產(chǎn)品合約價(jià)格（美元） 8圖典型Flash產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)（美元） 9圖12：存儲(chǔ)模組廠商庫存原材料情況概覽 12圖13：存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)廠商存貨商品情況概覽 12圖14：存儲(chǔ)模組廠商2023年Q2業(yè)績情況概覽 12圖15：存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)廠商2023年Q2業(yè)績情況概覽 13圖16：2022年中國存儲(chǔ)下游應(yīng)用占比 13圖17：2022Q1-2023Q2全球筆電出貨量 14圖18：2022Q1-2023Q2全球智能手機(jī)出貨量 14圖19：2022Q1-2023Q2全球TWS耳機(jī)銷量 14圖20：2022Q2和2023Q2華為智能手表全球出貨占比 15圖21：2022Q1-2023Q2中國AR/VR市場出貨量 15圖22：2022Q1-2024Q4全球服務(wù)器出貨量 15圖23：2022-2026E全球AI服務(wù)器出貨量 16圖24：AI服務(wù)器中存儲(chǔ)器需求量 16圖25：2021全球汽車DRAM存儲(chǔ)市場份額 18表1：NAND和DRAM的市場需求情況 10表2：部分存儲(chǔ)廠商產(chǎn)能與資本支出規(guī)劃 10表3：三大存儲(chǔ)廠商HBM產(chǎn)品規(guī)劃情況 表4：2023AI服務(wù)器存儲(chǔ)增量空間測算 17表5：車載存儲(chǔ)市場規(guī)模測算 183/20周期判斷：存儲(chǔ)國產(chǎn)化進(jìn)程加速，行業(yè)周期拐點(diǎn)已至在5GAIWSTS4799.9億美元，其中存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模約為1344.1億美元，占比近28%，僅次于邏輯芯片。存儲(chǔ)芯片可分為非易失性和易失性兩類，其中非易失性包括NANDFLASH和NORFLASHDRAM，根據(jù)CINNO2022年DRAM/NAND/NOR743.3/565.9/35.055.3%/42.1%/2.6%2027DRAM/NAND/NOR1580/960/49圖1：2022年全球集成電路市場規(guī)模細(xì)分結(jié)構(gòu)占比 圖2：2022年全球存儲(chǔ)市場規(guī)模細(xì)分結(jié)構(gòu)占比27.35%

18.76%16.66%

邏輯芯片

42.1%

2.6%

55.3%

DRAMNAND37.23%

存儲(chǔ)芯片

NOR東吳證券研究所東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：WSTS， 數(shù)據(jù)來源：CINNO，閃存市場，海外廠商高度壟斷，國產(chǎn)廠商份額逐步提升。全球存儲(chǔ)芯片市場被海外企業(yè)壟斷，DRAMSK95%DRAM2023NANDCR5SKDRAM與NAND數(shù)據(jù)，長鑫與長存在DRAM與NAND20200.3%1.0%20221.8%3.5%。4/20圖3：三大細(xì)分市場市占率情況數(shù)據(jù)來源：ICInsights，全球存儲(chǔ)行業(yè)市場規(guī)模出現(xiàn)環(huán)比提升，存儲(chǔ)市場回暖拐點(diǎn)確立。DRAM和NAND2023Q2DRAM2023Q22023Q2圖4：全球DRAM季度市場規(guī)模（百萬美元） 圖5：全球NAND季度市場規(guī)模（百萬美元）30000250002000015000100005000

三星 美光 海力士 其他 QoQ20.4%20.4%0%

2000015000100005000

三星 鎧俠 海力士西部數(shù)據(jù) 美光 英特爾

20%10%0%-10%-20%0 -40%2020Q42021Q22021Q42022Q12022Q42023Q2

0其他QoQ7.4%其他QoQ7.4%

-30%東吳證券研究所東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：TrendForce， 數(shù)據(jù)來源：TrendForce，以DRAM:DDR3/4GB/256Mx16價(jià)格周期為例，存儲(chǔ)周期大致4年，本輪周期起始于20Q1，21Q3存儲(chǔ)器價(jià)格見頂，至今降價(jià)7個(gè)季度。過去一次存儲(chǔ)價(jià)格的周期底部位于2019年中旬，下行周期內(nèi)跌幅超66%，隨后產(chǎn)品價(jià)格觸底反彈。目前產(chǎn)品的價(jià)格維度已經(jīng)到達(dá)拐點(diǎn)，今年Q4至24年上半年，價(jià)格有望止跌上行。5/20東吳證券研究所東吳證券研究所DRAM:DDR3/4GB/256Mx16（美元）圖6：DRAM:DDR3/4GB/256Mx16DRAM:DDR3/4GB/256Mx16（美元）DRAM:DDR3/4GB/256Mx16DRAM:DDR3/4GB/256Mx16（美元）3本輪周期起點(diǎn)本輪周期底部本輪周期起點(diǎn)本輪周期底部上輪周期底部2102019-07-312020-01-312020-07-312021-01-312021-07-312022-01-312022-07-312023-01-312023-07-31數(shù)據(jù)來源：iFinD，供應(yīng)商削價(jià)搶占出貨，存儲(chǔ)市場或迎谷底有望復(fù)蘇。2023Q2，受惠于AI服務(wù)器需求攀升，帶動(dòng)HBM出貨成長，加上客戶端DDR5的備貨潮，使得三大原廠出貨量均有2023Q2DRAMPCDDRTrendForce202413%16%市場追蹤：23Q3環(huán)比跌幅有望縮小，部分現(xiàn)貨價(jià)格觸底反彈當(dāng)前時(shí)點(diǎn)：部分現(xiàn)貨價(jià)格已觸底反彈DRAM價(jià)格觸底，環(huán)比跌幅緩慢收斂，跌價(jià)過多的低價(jià)顆粒漲勢(shì)明顯。DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps/DDR416Gb(2Gx8)eTTMbps/DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps/DDR48Gb(1Gx8)eTT/DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps98978258318242.72/2.20/1.45/1.02/1.469222.79/2.24/1.50/1.14/1.558月22-2.1%/0.0%/2.74%/10.7%/5.4%731日，主DDR416Gb2Gx8)/DDR48Gb1Gx8)4GB256Mx16/DDR34GB256Mx16合約價(jià)格創(chuàng)歷史新低1.02/1.02美元，但是環(huán)比6月31日跌幅收斂至3%/3%。6/20DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps DDR416Gb(2Gx8)eTTMbpsDDR48Gb(1Gx8)2666Mbps DDR48Gb(512Mx16)2666DDR48Gb(1Gx8)eTT98765432102022-02-222022-05-062022-07-182022-09-262022-12-052023-02-202023-05-032023-07-142023-09-22注釋：DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps，DDR416Gb(2Gx8)eTTMbps，DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps，DDR48Gb(1Gx8)eTTDRAM；DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps為利基DRAM數(shù)據(jù)來源：iFinD，DRAMexchange，圖8：典型DRAM產(chǎn)品合約價(jià)格（美元）DDR416Gb(2Gx8) DDR48Gb(1Gx8)DDR44GB256Mx16 DDR34GB256Mx1698765432102020-01-31

2020-08-31

2021-03-31

2021-10-31

2022-05-31

2022-12-31

2023-07-31東吳證券研究所東吳證券研究所注釋：DDR416Gb(2Gx8)，DDR48Gb(1Gx8)為主流DRAM；DDR44GB256Mx16，DDR34GB256Mx16為利基DRAM數(shù)據(jù)來源：iFinD，DRAMexchange，NAND531TLC2.109192232Gb4GBx8MLC2.0682264Gb8GBx8MLC5183.8584983.87美元256MBx8SLC0.809220.77128MBx8SLC9180.769220.80822-2.4%7月31128Gb16Gx8MLC/32Gb4Gx8MLC/64Gb8Gx8MLC3.82/2.43/2.76美元，已連續(xù)四個(gè)月保持不變。7/20圖9：典型NAND產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格（美元）43210

32Gb4GBx8MLC 64Gb8GBx8MLC 3DFlash256GbTLC2Gb256MBx8SLC 1Gb128MBx8SLC2022-02-222022-05-062022-07-182022-09-262022-12-052023-02-202023-05-032023-07-142023-09-22東吳證券研究所東吳證券研究所注釋：32Gb4GBx8MLC，64Gb8GBx8MLC，256GbTLC為主流NAND；2Gb256MBx8SLC，1Gb128MBx8SLC為利基NAND數(shù)據(jù)來源：iFinD，DRAMexchange，圖10：典型NAND產(chǎn)品合約價(jià)格（美元）128Gb16Gx8MLC 32Gb4Gx8MLC 64Gb8Gx8MLC65432102018-11-302019-06-302020-01-312020-08-312021-03-312021-10-312022-05-312022-12-312023-07-31注釋：128Gb16Gx8MLC，32Gb4Gx8MLC，64Gb8Gx8MLC為主流NAND數(shù)據(jù)來源：iFinD，DRAMexchange，Wafer漲勢(shì)明確，上游漲價(jià)意愿明確。此外，F(xiàn)lashWafer1TbTLC/FlashWafer512GbTLC自7月219月22日價(jià)格達(dá)到3.45/1.7215.8%/16.2%，F(xiàn)lash256GbTLC/Flash128GbTLC3271.00/1.12美元。8/20圖11：典型FlashWafer產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)（美元）43210

FlashWafer1TbTLC FlashWafer512GbTLCFlashWafer256GbTLC FlashWafer128GbTLC2023-03-312023-04-242023-05-172023-06-072023-06-302023-07-212023-08-112023-09-012023-09-22東吳證券研究所東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：中國閃存市場，未來趨勢(shì)：底部已現(xiàn)，漲價(jià)趨勢(shì)確立2023Q4價(jià)格環(huán)比跌幅有望收斂，漲價(jià)趨勢(shì)確立，迎來周期底部。美光與海力士等DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)，整體DRAMTrendForce預(yù)計(jì)DRAM2023Q210-15%2023Q30-5%限。此外，根據(jù)TrendForce表示，預(yù)計(jì)第四季度DDR5會(huì)上漲，漲幅最高可達(dá)10%。NAND：20238NANDFlashFlashNANDFlashNANDTrendforceNANDFlashASP10~15%NANDFlash5~10%9/20表1：NAND和DRAM的市場需求情況1Q232Q233Q23E4Q23EDRAM下降近20%下降10~15%下降0~5%上升約10%NANDFlash下降10~15%下降10~15%下降5~10%上升0~5%數(shù)據(jù)來源：TrendForce，產(chǎn)業(yè)玩家：海外大廠持續(xù)減產(chǎn)，庫存優(yōu)化環(huán)比逐季改善海外大廠積極減產(chǎn)，加速布局HBM新產(chǎn)品稼動(dòng)率持續(xù)下降，底部筑底信號(hào)顯著，23H2有望逐步回暖。供給端的存儲(chǔ)原廠稼動(dòng)率與資本開支縮減明顯，資本開支的縮減將主要于23年下半年開始見效，供給端的收縮有望帶來行業(yè)回溫。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2023年Q2三星/美光/海力士的稼動(dòng)率分別降至77%/74%/82%，海力士與美光23年Q2的資本開支分別同比下降62%/40%，美光于23Q2業(yè)績會(huì)上表示，其減產(chǎn)將延續(xù)至2024年。在以往的每個(gè)周期中，三星都會(huì)進(jìn)行逆周期生產(chǎn)的行動(dòng)以占據(jù)更多市場份額，但今年Q2三星大幅減產(chǎn)，三星半導(dǎo)體工廠開工率只有40%，利潤也降至6000億韓元，同比下降近96%，創(chuàng)14年來新低，行業(yè)觸底和失去中國市場是三星被迫減產(chǎn)的重要原因。與此同時(shí)，中國在加快自產(chǎn)自研，自主研發(fā)趨勢(shì)明顯。存儲(chǔ)廠商縮減資本支出，降低產(chǎn)能利用率。受存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)下跌影響，自2022Q4202312070-75202420%202384%，DRAM2022NAND20222023Q3表2：部分存儲(chǔ)廠商產(chǎn)能與資本支出規(guī)劃產(chǎn)能規(guī)劃 資本支出規(guī)劃 其他措施三星美光

42023Q2NAND閃存在內(nèi)特定。2022Q482%NAND5%-10%將DRAM和NAND晶圓的開工量減少約bitbit2023Q274%。

優(yōu)化舊制程產(chǎn)線，靈活調(diào)整2023年設(shè)備方面資本支出202350%以上資本支出2023年資本支出由120億美元調(diào)減至70-75億美元，減少2024規(guī)劃資本支出

集團(tuán)內(nèi)部資金拆借支持半導(dǎo)體部門資本支出削減管理崗位人數(shù)（20%-30%）低運(yùn)營成本（比例由2022計(jì)的10提升至東吳證券研究所東吳證券研究所10/20西部數(shù)據(jù)+鎧俠

調(diào)整橫濱與北上NANDFlash工廠產(chǎn)量，從2022年10月開始削減約30%產(chǎn)量

2023年資本支出減23億美元，下15%

15%）202210%裁員計(jì)劃數(shù)據(jù)來源：TrendForce，AI發(fā)展驅(qū)動(dòng)新產(chǎn)品放量，存儲(chǔ)廠商加速布局HBM。由生成式AI引發(fā)對(duì)HBM及HBMHBMHBMHBM3HBM3EHBM3HBMSK12層HBMHBM3Gen22024726824GBHBM3Gen2TrendForceHBM50%40%10%HBM領(lǐng)表3：三大存儲(chǔ)廠商HBM產(chǎn)品規(guī)劃情況HBM廠商HBM相關(guān)情況海力士12HBM3HBM3E公司計(jì)劃于2023年下半年開始提供HBM3E內(nèi)存樣品，并于2024年開始量產(chǎn)；計(jì)劃于2026年推出第六代HBM芯片：HBM4。三星HBM2計(jì)劃今年下半年大規(guī)模生產(chǎn)；6.4GbpsHBM3（16GB12GB）產(chǎn)品；HBM3接受行業(yè)頂級(jí)客戶資格認(rèn)證；10HBM3P美光HBM3Gen2內(nèi)存正在向客戶提供樣品，將于2024年初開始量產(chǎn)；計(jì)劃2024年推出更高容量的36GB12-HiHBM3Gen2堆棧；公司已經(jīng)在開發(fā)HBMNext內(nèi)存。數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，模組、IC設(shè)計(jì)廠商庫存去化效果顯著，業(yè)績有望恢復(fù)增長2023IC2023/20東吳證券研究所東吳證券研究所圖12：存儲(chǔ)模組廠商庫存原材料情況概覽數(shù)據(jù)來源：iFinD，圖13：存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)廠商存貨商品情況概覽數(shù)據(jù)來源：iFinD，部分廠商Q2202323Q2圖14：存儲(chǔ)模組廠商2023年Q2業(yè)績情況概覽數(shù)據(jù)來源：iFinD，12/20圖15：存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)廠商2023年Q2業(yè)績情況概覽數(shù)據(jù)來源：iFinD，需求景氣：存儲(chǔ)下游多領(lǐng)域需求回暖，靜待行業(yè)復(fù)蘇PC44.8%13.1%12.4%NANDFlashPCeSSDeSSDChatGPT掀起的AIGCDDR5和HBM圖16：2022年中國存儲(chǔ)下游應(yīng)用占比21.3%%12.4%21.3%%12.4%電腦8.5

44.8%

服務(wù)器東吳證券研究所東吳證券研究所其他消費(fèi)電子其它13.1%數(shù)據(jù)來源：智研咨詢，消費(fèi)電子Q2需求逐漸回暖，景氣周期拐點(diǎn)或?qū)@現(xiàn)2023H22023Q213/20Canalys2023Q24940萬18.2%圖17：2022Q1-2023Q2全球筆電出貨量0

筆電出貨量（萬臺(tái)） 環(huán)比2022Q1 2022Q2 2022Q3 2022Q4 2023Q1

25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%-25%數(shù)據(jù)來源：Canalys，耳機(jī)Q22023Q22.72023Q12023Q2TWS681610.7%。2023圖18：2022Q1-2023Q2全球智能手機(jī)出貨量 圖19：2022Q1-2023Q2全球TWS耳機(jī)銷量3210

智能手機(jī)出貨量（億部） 環(huán)比2022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2

4%2%0%-2%-4%-6%-8%-10%-12%

0

TWS出貨量（萬臺(tái)） 環(huán)比2022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2

25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%-25%東吳證券研究所東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：Counterpoint， 數(shù)據(jù)來源：Canalys，VR23Q2（eMMCSPINAND等23Q2VR5GARVR14/20帶動(dòng)DRAM需求提升。圖20：2022Q2和2023Q2華為智能手表全球出貨占比 圖21：2022Q1-2023Q2中國AR/VR市場出貨量12%10%8%6%4%2%0%

華為智能手表全球出貨量占比2022Q2 2023Q2

AR出貨量（萬臺(tái)） VR出貨量（萬臺(tái)）353025201510502022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2數(shù)據(jù)來源：CounterpointResearch， 數(shù)據(jù)來源：IDC，服務(wù)器勢(shì)頭放緩，AI拉動(dòng)存儲(chǔ)空間廣闊AI124Q1TrendForce數(shù)據(jù)，20235.9%，20242~3%。圖22：2022Q1-2024Q4全球服務(wù)器出貨量

出貨量（萬臺(tái)） 環(huán)比 同比2022Q1 2022Q3 2023Q1 2023Q3E 2024Q1E

25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%東吳證券研究所東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：TrendForce，AIAI服8倍量的DRAM3NAND。15/20AI應(yīng)用如ChatGPTBingAIGCAIoTAI2022-2026AI22%2023年AI282%AIDDR5HBMSSDTrendForce數(shù)據(jù)，AIDRAM1.2~1.7TB，SSD4.1TB，HBM320~640GB。圖23：2022-2026E全球AI服務(wù)器出貨量 圖24：AI服務(wù)器中存儲(chǔ)器需求量出貨量（萬臺(tái)）2502001501005002022

2023E 2024E 2025E 2026E東吳證券研究所東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：TrendForce， 數(shù)據(jù)來源：TrendForce，AI驅(qū)動(dòng)HBM20232024年HBMTrendForceAI服務(wù)器GPUHBM已2023HBM2.92023年HBM2024SKAI500GBHBM20232027HBM82%。AI（HBMDDR4DDR5）2023年17%202838%DDR5HBM以及固態(tài)硬盤SSDDRAMexchange7318GbDDR42.8820231.34HBM3HBM價(jià)格為DDR452023年全球AI762026年492.423-26CAGR86.4%，2023AI21.22026年CAGR為75.3%。16/20東吳證券研究所東吳證券研究所表42023AI服務(wù)器存儲(chǔ)增量空間測算預(yù)設(shè)：預(yù)設(shè)：假設(shè)HBM價(jià)格為DDR4的5倍20261TBSSD20假設(shè)2023年1TBSSD單價(jià)為300美金/TB項(xiàng)目20222023E2026E全球服務(wù)器出貨量（億臺(tái)）0.1420.1340.158AI服務(wù)器占比6915AI服務(wù)器出貨量（億臺(tái)）0.008550.11830.0237單個(gè)AI服務(wù)器存儲(chǔ)價(jià)值量均值（美金）-6420.620775.9全球AI服務(wù)器存儲(chǔ)市場規(guī)模（億美金）-76492.4中國服務(wù)器出貨量占比223中國AI服務(wù)器出貨量（億臺(tái)）0.00280.00330.0055中國AI服務(wù)器存儲(chǔ)市場規(guī)模（億美金）-21.2114.3數(shù)據(jù)來源：DramExchange，