快速找引引晶溫度

快速找引晶溫度簡(jiǎn)介目的:縮短拉晶時(shí)間,降低生產(chǎn)成本,提高公司效益.目前現(xiàn)狀:提蓋子后爐內(nèi)溫度比較低,引晶溫度不好找或找引晶溫度時(shí)間較長(zhǎng)期望:提蓋子后能夠快速（30分鐘內(nèi)）找到引晶溫度,引出高質(zhì)量的單晶,達(dá)到三段式引晶效果。提蓋子是在較低溫度下進(jìn)行,蓋子提出后爐內(nèi)溫度一般比較低,為了能夠快速找到引晶溫度 節(jié)省時(shí)間和成本,同時(shí)能引出高質(zhì)量的單晶（三段式引晶）。測(cè)完電阻后，進(jìn)行如下操作后，能夠快速找到合適的引晶溫度，而且適合三段式引晶規(guī)格。具體操作:1、 提蓋子后，將功率升高至引晶功率以上3—5kw，將堝轉(zhuǎn)降至2轉(zhuǎn)，堝位升到引晶堝位，將籽晶按照工藝要求降至離液面3—5mm對(duì)籽晶進(jìn)行預(yù)熱。2、 等待幾分鐘后，看熱場(chǎng)測(cè)量值與本爐引晶時(shí)設(shè)定值的差值，當(dāng)差值較小時(shí)（4--6sp左右），此時(shí)可以降籽晶至熔硅中，進(jìn)行熔接。當(dāng)籽晶周?chē)饾u出現(xiàn)光圈，然后光圈變圓，這時(shí)，就說(shuō)明此時(shí)溫度已經(jīng)達(dá)到引晶的要求。3、 待熔接好后，逐漸升高堝轉(zhuǎn)（升至引晶時(shí)的堝轉(zhuǎn)，五分鐘內(nèi)完成），然后將功率降到比本次引晶功率低1-2kw，待籽晶光圈周?chē)霈F(xiàn)4個(gè)點(diǎn)時(shí)，直接點(diǎn)“手動(dòng)引晶”工藝流程，進(jìn)行手動(dòng)引晶即可。此方法的好處：1、 節(jié)約調(diào)溫時(shí)間2、 高溫熔接3、 高溫時(shí)升堝轉(zhuǎn)降溫，可以達(dá)到開(kāi)始低拉速，中途高拉速，引晶后期為低拉速，符合三段式引晶。附：相關(guān)爐臺(tái)試驗(yàn)數(shù)據(jù)介紹

以上為定性說(shuō)明此操作，下面是晶體編號(hào)為SG0909098-4采用此操作后的一些相關(guān)數(shù)據(jù)和圖片介紹。相關(guān)數(shù)據(jù)：日日體編號(hào)放蓋子測(cè)電阻時(shí)間隔離時(shí)間副室凈化時(shí)間切換手動(dòng)時(shí)間0909098-415：0015：1115：1815：26手動(dòng)引晶時(shí)間調(diào)溫時(shí)間引晶時(shí)間放肩成功率15：50394616：36一次成功以上數(shù)據(jù)為爐臺(tái)生長(zhǎng)記錄中數(shù)據(jù)，具體見(jiàn)下列圖片所示。本爐晶體的調(diào)溫時(shí)間從放蓋子后隔離時(shí)進(jìn)行計(jì)時(shí)，從上述數(shù)據(jù)看，本次調(diào)溫時(shí)間為39分鐘。下圖為相關(guān)圖片：1、下圖為提蓋子后副室隔離及引晶時(shí)的生長(zhǎng)記錄

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不容易放飛。3、下圖為按照此方法引出的細(xì)頸外觀質(zhì)量4、 本爐晶