半導體行業(yè)市場前景及投資研究報告：臺積電晶圓代工,從攻擂到守擂

2023年6月專題研究臺積電：晶圓代工霸主從攻擂到守擂核心觀點?

半導體作為人類科技進步的技術核心，過去一直按

“摩爾定律”前進。智能手機芯片小型低功耗的要求顯著放大制程微型化的作用，臺積電沿著晶體管縮小的路徑屢試不爽，始終保持行業(yè)領先。尤其28nm后在FinFET技術上逐步甩開競爭對手，14nm以下基本處于市場壟斷地位。摩爾定律正接近物理極限使得晶體管微型化變得越來越困難，全周圍柵極（GAA）技術為制程突破提供了可行解決方案。從各晶圓廠技術路徑規(guī)劃來看，2nm采用GAA成為業(yè)內普遍選擇。?

終端市場需求從智能手機向人工智能轉變，高端需求集中在云端的高算力AI芯片，成本平衡的考量更凸顯。GAA解決了技術問題，但伴隨著制程復雜性的增加和制造成本的劇增。芯片制造商要在推進技術創(chuàng)新的同時考慮成本和可行性。封裝技術進入3D世代，更小空間內能包裝更多功能模塊，提供了摩爾定律之外新的技術路徑，以此來提升芯片性能。晶圓廠可通過優(yōu)化封裝和設計來降低成本，而無需依賴于制程的微型化，這一趨勢可能會弱化先進制程的影響。?

三星和英特爾先后加入先進制程的專業(yè)代工市場，行業(yè)競爭格局可能變得更復雜。3nm節(jié)點三星選擇GAA以期實現(xiàn)追趕跨越式發(fā)展，臺積電則堅守FinFET。英特爾分拆代工部門尋求對外代工業(yè)務擴張，計劃2nm節(jié)點趕上臺積電且先進封裝技術大力投入后望建立優(yōu)勢。這兩家有能力投入大量的資源來開發(fā)新技術和提高產能，潛在可能導致競爭加劇和產能過剩。成熟制程市場，

為代表的廠商正逆周期擴張。美對華技術封鎖下中國設計廠商往先進技術節(jié)點的遷移受阻，傾向更為成熟可行的替代方案。1晶圓代工市場規(guī)模1300億美金，成長性高于半導體行業(yè)晶圓代工市場規(guī)模及占半導體市場比例1400132123%40%35%30%25%20%15%10%5%晶圓代工市場規(guī)模（億美金）同比增速占半導體市場規(guī)模比例120010008006004002000110120%87473672370265220%202019%48915%17%18%46816%40314%13%0%-5%20132014201520162017201820192021555920225741全球半導體市場規(guī)模及增速7000600050004000300020001000030%25%20%15%10%5%全球半導體市場規(guī)模（億美金）同比增速468841224404412333583352338930560%-5%-10%-15%2013201420152016201720182019202020212022：WSTS、IC

Insights2臺積電占據全球近60%市場份額：Counterpoint3半導體作為人類科技進步的技術核心，始終沿著摩爾定律前進硅基半導體的技術演進，每

18

-24

個月晶體管的數量翻倍帶來芯片性能提升一倍，或成本下降一半。十多年來，CPU和GPU的性能每兩年多穩(wěn)步提高一倍，而晶體管密度每三年翻一番，能源效率用了近四年的時間才達到這一目標，摩爾定律仍在前進但在明顯放緩。半導體過去70年發(fā)展歷程4：AMD高端應用場景下數字邏輯芯片追求先進制程工藝5：互聯(lián)網臺積電一直保持工藝節(jié)點的領先地位0.5-0.35um0.18um0.13um/90

nm65nm45nm32nm/28

nm22nm通過3DFinFET增加了一個柵極14-5nm引入CMP化學機械拋光技術使芯片的截面有序STI前溝槽隔離技術，用氧化層隔開各門路Cu代替Al金屬

引入Ge采用high-k值

第二代繼續(xù)FinFET成為互連線，采用BEOL集成工藝strained溝通，

絕緣層/金屬

HKMG，繼提高電子遷移效率柵極續(xù)改換更好的材料199519992001/2004200620082010/201120122014-20226：TSMC28nm后開始逐步甩開競爭對手生產各制程的廠商180

nmIntel130

nmIntel90nmIntel65nmIntel45/40

nmIntel32/28

nmIntel22/20

nmIntel16/14

nmIntel10nmIntel7nmIntel5nmTSMC3nmTSMCTSMCSamsungAMDTSMCSamsungAMDTSMCSamsungAMDTSMCSamsungGFTSMCSamsungGFTSMCSamsungGFTSMCSamsungGFTSMCSamsungGFTSMCSamsungTSMCSamsungSamsungSamsungIBMIBMIBMIBMIBMIBMIBMSTSTSTSTSTSTUMCUMCUMCUMCPanasonicTIUMCPanasonicTIUMCPanasonicTIPanasonicTIPanasonicTIPanasonicFujitsuToshibaSMICNECFujitsuToshibaSMICNECFujitsuToshibaSMICNECFujitsuToshibaSMICNECFujitsuToshibaSMICNECFreescaleSharpFreescaleSharpFreescaleSharpInfineonSonyInfineonSonyInfineonSonyCypressHitachiONCypressHitachiONCypressAtmelAtmel7：弘則研究整理14nm以下技術節(jié)點處于市場壟斷??14nm以下（10nm、7nm、5nm）技術節(jié)點臺積電占據絕對領先地位，聯(lián)電、格芯、等晶圓技術水平尚未達到。即使是三星也主要是內部手機芯片代工需求，體量不足臺積電的10%。3nm節(jié)點將在2023年下半年規(guī)模量產，主要為蘋果新一代手機芯片，2nm節(jié)點將在2025年規(guī)模量產。三星、intel的技術節(jié)點規(guī)劃跟臺積電基本一致，目標擴大先進制程的代工市場。16/28nm及以上的成熟制程方面，臺積電的規(guī)模在360-370億美金，超過聯(lián)電、格芯、中芯以及三星的總和（約300億美金）。三星之外，其他晶圓代工廠正大力擴產成熟工藝的產能或加劇市場競爭。頭部晶圓代工廠不同制程的收入規(guī)模三星半導體代工整體規(guī)模估計180億美金，其中一半是對內業(yè)務，另外一半大概90億美金是對外提供代工服務的收入8：弘則研究整理最先進的兩代制程工藝合計貢獻占比過50%臺積電維持先進制程工藝的領先，依靠先進工藝的迭代推動成長。從歷史看，一般最為先進的兩代制程貢獻占比合計超過50%，而最先進一代貢獻占比超過30%后將會推出下一代工藝。臺積電營收按制程占比0.25um+0.15/0.18um0.11/0.13um90nm65nm40/45nm28nm16/20nm10nm7nm5nm100%80%60%40%20%0%兩代占比50%+最新一代占比30%+9：TSMC高通再度轉單臺積電，4nm三星戰(zhàn)敗而臺積電彰顯霸主地位?2014年蘋果A8從三星轉單至臺積電20nm工藝，佐證當時臺積電在先進制程上的技術優(yōu)勢。到10nm節(jié)點后，格芯和聯(lián)電考慮到成本、回報率等因素暫緩研發(fā)進度。高端市場，剩下臺積電和三星的對決。實際上，三星開發(fā)10nm領先6個月甚至1年但并未帶來訂單。從客戶角度看，希望穩(wěn)定且沒有任何技術問題的產品，而不是技術更先進的產品。顯然，三星的優(yōu)化能力與代工市場要求匹配度不如臺積電。這也導致后來競爭策略的改變，2017三星將晶圓代工業(yè)務獨立出來。?2021年高通將驍龍888轉移給三星5nm工藝，驍龍8

Gen1由三星4nm工藝節(jié)點制造。但三星4nm制造的驍龍8

Gen1表現(xiàn)不佳，高通主力產品驍龍8+

Gen1、驍龍8

Gen2等轉單臺積電代工，甚至另一顆重磅芯片SM7475(驍龍7+或者驍龍7

Gen2)同樣該由臺積電4nm代工。高通轉單的關鍵點在于，據悉三星代工的驍龍8Gen1的成品率為35%左右，而臺積電的良率則超過

70%以上，由臺積電采用4nm制造技術生成的芯片更節(jié)能、更高效能。同樣制程下聯(lián)發(fā)科芯片測試性能顯著優(yōu)于高通。10：弘則研究整理先進制程技術規(guī)劃，3nm/2nm對決GAA?

臺積電、三星、intel的規(guī)劃來看，2022-2023年進入3nm節(jié)點，2025年進入2nm商業(yè)化階段。其中三星和臺積電之間的競爭明顯，臺積電3nm仍將堅持采用經過精細改良的FinFET晶體管技術，三星則選擇GAAFET技術。從時間節(jié)點上看，臺積電在3nm繼續(xù)保持市場領先地位，并獲得全球最大客戶A的訂單，從23年下半年貢獻收益。?

三星晶圓代工業(yè)務于2017年作為獨立實體開始運營，當時大約有30個客戶而目前這個數字已增長到100多個（臺積電有500個客戶）。三星正在進行積極投資以增加產能，目前產能分布在韓國京畿道和德克薩斯州奧斯汀的五個工廠，未來投入運營的增加韓國平澤，德克薩斯州泰勒的工廠，預計到2026年產能可以增加一倍。三星最近的高端制程訂單主要來自高通和AMD，包括5nm用于高通的Snapdragon

8Gen1SOC和AMD的Chromebook處理器，以及用于高通下一代SoC和AMD即將發(fā)布的CPU/GPU的3nm芯片。?

英特爾過去幾年遭遇制程突破的困境，技術方面布局先進封裝等工藝以提升芯片性能。7nm節(jié)點已經量產，規(guī)劃的intel

20A（對標臺積電3nm）、18A（2nm）將分別于2024/2025年量產。11：弘則研究整理臺積電的技術路徑圖：22年3nm，25年2nm臺積電的3nm工藝（N3）計劃于2022年下半年進入量產，

2nm工藝（N2）計劃于2025年下半年開始大規(guī)模生產。2nm節(jié)點將采用新的晶體管技術Nanosheet。12：TSMC3nm堅守FinFET，2nm轉向GAA3nm工藝（N3）計劃于2022年下半年進入量產。與N5工藝相比，N3工藝承諾在相同功耗水平下提高10-15%的性能，或者在相同的晶體管速度下降低25-30%的功耗。同時，N3工藝也承諾將邏輯區(qū)域密度提高1.7倍。2nm工藝（N2）計劃于2025年下半年開始大規(guī)模生產。N2工藝采用全新的納米片晶體管（GAAFETs）和背面電源鐵路，這兩種創(chuàng)新都服務于提高節(jié)點的性能-瓦特特性。與TSMC的N3E相比，基于納米片的N2節(jié)點可以在相同的功耗和復雜性下提供10%到15%更高的性能，以及在相同的頻率和晶體管計數下降低25%到30%的功耗。新的節(jié)點只將芯片密度增加了大約1.1倍。13：TSMCGAA晶體管技術是突破2nm物理極限的潛在方案在半導體制程技術中，2nm確實被視為可能的物理極限。因為當晶體管的尺寸縮小到這個程度時，量子效應開始變得顯著，可能會導致電子的行為變得不可預測。這種現(xiàn)象被稱為量子隧道效應，它可能會導致電子“跳躍”到它們不應該去的地方，從而導致芯片的性能下降。全周圍柵極（GAA）晶體管是一種新型的晶體管設計，它可以在更小的制程下提供更好的性能。在GAA晶體管中，柵極材料包圍了晶體管的源和漏，從而提供了更好的電流控制。這可以幫助減少量子隧道效應，從而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成為可能。臺積電和三星在3nm制程工藝上的主要區(qū)別是在于采用的晶體管結構類型。臺積電的3nm制程繼續(xù)使用FinFET晶體管，并依賴“創(chuàng)新特性”來實現(xiàn)全節(jié)點規(guī)模的擴展。而三星的3nm制程則采用了GAA（Gate-all-around）晶體管結構。臺積電則選擇在2nm節(jié)點應用GAA（對應臺積電Nanosheet晶體管技術）。臺積電被廣泛認為是一個保守但穩(wěn)定的制程技術開發(fā)者，他們傾向于確保新技術的成熟和可靠性，然后再進行部署，而不是急于將新技術推向市場。這種方法可以降低技術失敗的風險，提高其芯片的產量和質量，從而確?？蛻舻臐M意度。例如，三星在2018年開始在其7nm工藝中使用EUV，然而臺積電選擇等待。直到EUV工具的穩(wěn)定性和成熟性得到確認，以及相關問題得到解決或至少得到確定，才在2019年的N7+工藝中開始使用EUV。這種謹慎的方法有助于臺積電確保其制程技術的穩(wěn)定性和可預測性，從而提供高質量的芯片給其客戶。14：TSMC、Samsung三星的技術路徑圖：22年3nm

GAA，25年2nm三星在2022年量產3nm工藝，計劃在2024年推出第二代3nm工藝技術的半導體芯片（SF3）。2025年計劃量產2nm芯片，2027年將推出1.4nm工藝技術。三星是業(yè)內率先應用GAA技術到3nm量產。15：SamsungIntel的技術路徑圖：24年3nm、25年2nmIntel在22年下半年投產intel4（7nm），預計在2023年下半年投產Intel

3（第二代7nm）。Intel

20A（對標臺積電3nm）將于2024年投產；Intel

18A（對標臺積電2nm）預計在2025年投產。Intel20從FinFET轉向全包圍柵極（GAA）晶體管稱為RibbonFETs，此外將首次推出一種新的PowerVia技術。Intel

18A將使用ASML的最新設備High-NA

EUV。據此規(guī)劃來看，Intel在3nm節(jié)點仍將落后于競爭對手，2nm有望追上。16：Intel分拆代工業(yè)務實行IDM2.0模式Intel拆分晶圓制造業(yè)務推行IDM

2.0模式。分拆出來的IFS代工部門既能接自己的訂單，也能接外界的訂單，跟臺積電、三星搶市場。該模式有點類似現(xiàn)在的三星，半導體制造業(yè)務承接內外訂單。英特爾CFO指出2024年IFS代工業(yè)務能實現(xiàn)200億美元的營收。英特爾認為2025年量產的18A工藝重新獲得市場領先地位，并持續(xù)在先進領域加大投入，未來保持在代工領域的競爭力。此外，2023年將完成收購晶圓代工廠TowerSemiconductor，并計劃擴大產能投資。17：Intel大力投入代工產能擴張，重點布局美國市場臺積電：1）美國亞利桑那州建設晶圓廠，生產采用4納米和3納米工藝的芯片，預計將于2024年和2026年開始大規(guī)模生產。投資規(guī)模將會超過400億美金。2）日本建立了兩個晶圓廠，使用12納米、16納米和22納米工藝以及28納米專業(yè)技術，預計在2024年開始商業(yè)化生產，在2025年將建立5納米和10納米的晶圓廠。3）選擇在德國半導體中心德累斯頓建造晶圓廠，計劃于2025年投產。4）臺積電在中國臺灣建設的3納米及2納米晶圓廠合計將超過10座，以先進制程月產能3萬片晶圓廠投資金額約200億美元估算，總投資金額將超過2000億美元。三星：1）三星23年資本支出不會減少，集中先進技術節(jié)點的DDR5、LPDDR5x和Gate-All-Around

(GAA)工藝。3nm第二代工藝正在快速推進。2）三星電子預計到2027年，其晶圓代工業(yè)務營收將增加為2021年的3倍。為了滿足企業(yè)客戶定制芯片的需求，三星將擴大其在首爾南部的坪澤的生產線，并可能在美國建立新的工廠。3）計劃投資約2300億美元在韓國建立五個新的存儲器和代工工廠，這些投資將在2042年之前完成。3）三星已經在美國德克薩斯州奧斯汀運營一個代工芯片設施，并且宣布在德克薩斯州泰勒投資170億美元，將于2024年開始用3nm節(jié)點進行大批量生產

。此外，考慮投資2000億美元在德克薩斯州建立另外11個芯片工廠。2023capex2021年規(guī)模2022年規(guī)模758億美金94億美金2022產能2023產能2021capex

2022capex1500-1600

1600-1700萬片/年

萬片/年320-360億美金臺積電

570億美金300億美金

363億美金三星代工業(yè)務295億美金

390億美金

390億美金（含存儲）

（含存儲）

（含存儲）83億美金18：弘則研究整理終端市場需求從智能手機轉向人工智能2017之前的十年，智能機要求性能更高、面積更小，功耗更低的芯片，蘋果、高通、等頭部廠商均選擇臺積電作為代工廠商。2017年以后HPC占比明顯提升，云計算尤其是AI技術發(fā)展驅動服務器等高性能計算需求，英偉達、AMD等廠商同樣首選臺積電合作。臺積電營收按下游應用領域占比IoTSmartphoneConsumerIndustrial/StandardHighPerformanceComputingAutomotiveOthers70%60%50%40%30%20%10%0%智能手機人工智能19：TSMCAI的需求向云端和專業(yè)方向遷移，成本控制重要性凸顯203nm晶圓廠投資成本高達200億美金，先進制程邊際成本急增芯片設計成本為實現(xiàn)高性能計算，調整每個矢量變得越來越困難。芯片設計更加復雜；先進制程的投資額大幅提升，5萬片晶圓的5nm產能設備投資額達到150億美金，相應的帶來生產成本的抬升；此外芯片大尺寸會帶來良率問題。在各個方面綜合起來發(fā)現(xiàn)經濟性遠不如前，全球領先的晶圓制造商臺積電、英特爾、三星等正從其他技術線路突破性能瓶頸，chiplet、3D先進封裝等新興方向正受到越來越高的重視。不同制程工藝下芯片制造成本每5萬片晶圓產能的設備投資（百萬美元）21：招股書、AMDChiplet架構設計結合封裝工藝，降低制造成本由于單顆芯片面積越大，良率越低，相應成本越高。Chiplet也稱“小芯片”或“芯?！?，它是一種功能電路塊，包括可重復使用的IP塊（芯片中具有獨立功能的電路模塊的成熟設計，也可以理解為芯片設計的中間構件）。該技術是將一個功能豐富且面積較大的芯片裸片（die）拆分成多個芯粒（chiplet），這些預先生產好的、能實現(xiàn)特定功能的芯粒組合在一起，通過先進封裝的形式（比如3D封裝）被集成封裝在一起即可組成一個系統(tǒng)芯片。模塊化設計思路可以提高芯片研發(fā)速度，降低研發(fā)成本。一些經過驗證且技術成熟的芯粒可以重復使用，這樣做既減少了企業(yè)的設計時間和成本。通過把大芯片分割成芯粒，可有效改善生產的良率，降低制造成本。可根據不同IP的需求，選擇適合的工藝節(jié)點。在目前的單硅片系統(tǒng)里，系統(tǒng)只能在一個工藝節(jié)點上實現(xiàn)。而對于很多功能來說，使用成本高風險大的最新工藝既沒有必要又非常困難。于追求性能極限的模塊，比如高性能CPU，可以使用最新工藝；而特殊的功能模塊，比如存儲器，模擬接口和一些專用，則可以按照需求選擇性價比最高的方案。基于chiplet的異構應用處理器基于chiplet設計芯片的優(yōu)勢22：互聯(lián)網、弘則研究臺積電先進封裝工藝平臺

3DFabricInFo封裝工藝InFO(Integrated

Fan-out)基于晶圓封裝工藝的2D集成。2016年iphone7系列主芯片A10開始采用臺積電InFo工藝。CoWoS封裝工藝CoWoS-S（chip-on-wafer-on

substratewith

silicon

interposer）采用TSV（硅通孔）和硅中介層重新布線的2.5D集成工藝。2022年蘋果m1ultra采用臺積電CoWoS封裝工藝，

AMD、NVIDIA、Xilinx，采用臺積電

CoWoS

封裝技術開發(fā)出云端先進芯片。23：TSMC前道SoIC實現(xiàn)芯片垂直堆疊互聯(lián)，后道通過InFO和CoWoS構成3D先進封裝技術SoIC（System

on

Integrated

Chips）是一種臺積電創(chuàng)新的多芯片堆棧技術，通過tsv實現(xiàn)芯片垂直堆疊互聯(lián)互通。3DFabric

中臺積電把封裝技術分成前、后兩個階段：前端封裝

(Front-end

3D)：SoIC

技術是在晶圓上，將同質或異構小晶片都整合到一個類似

SoC的晶片中，該晶片有更小的面積和更薄的外形。在外觀上，新晶片就像普通的

SoC

一樣，但嵌入了所需的異質整合功能。這種前端封裝技術，是在設計階段就要考量并協(xié)同設計。由于本質就是在做一顆

SoC

晶片，因此只有晶圓廠可以做，且必須搭配后端封測技術不可單獨存在。后端封裝

(Back-end

3D)：前端封裝完成的

SoIC晶片，必須搭配原有的立體封裝技術，像是臺積電的

CoWoS和

InFO。而相關后端封裝技術也是其他封測廠商積極跨入的領域，未必是晶圓廠獨家生意。24：TSMCIntel同樣部署2.5/3D封裝技術??晶圓制造大廠主導開發(fā)的異構整合先進封整產品均已開始提供服務，像臺積電從CoWoS、InFO，到SoIC，已經累積豐富的先進封裝經驗，形成3DFabric平臺；臺積電透過3D

Fabric平臺，整合2.5／3D先進封裝技術，為頂級客戶客制最佳化產品，透過綁定先進制程，提供先進制程代工到先進封裝的一條龍服務，主要產品類別為HPC高效能運算與高階智慧型手機芯片。Intel發(fā)展先進封裝技術

IDM

2.0，陸續(xù)推出2.5D封裝的嵌入式多芯片互連橋接（EmbeddedMulti-dieInterconnectBridge,

EMIB）技術、3D堆疊的Foveros技術，以及整合2.5D與3D封裝的共嵌入式多芯片互連橋接Co-EMIB技術。Intel的Foveros

封裝技術利用3D堆疊整合不同的邏輯芯片，為IC設計公司提供了很大的靈活性，允許其將不同技術的IP

區(qū)塊與各種記憶體和I/O

元件混合和搭配。Intel的Foveros可以讓芯片產品分解成更小的小芯片(chiplets)

或細芯片(tiles)，其中I/O、SRAM

和電源傳輸電路整合在基礎芯片中，而高性能邏輯小芯片則是堆疊在頂部。：Intel25AMD和NVDIA的新一代芯片已經采用先進封裝工藝AMD的Zen

3Ryzen

cpu采用3D設計NVIDIA的超級芯片將CPU、GPU和HBM共封裝先進封裝面向高性能計算提供低成本方案：TSMC、AMD、NVIDIA英特爾和臺積電主導先進封裝工藝投資2021年先進封裝資本支出英特爾在2.5D/3D封裝領域的資本支出近兩邊分別達35億/47億美元，主要投入Foveros及EMIB等先進封裝技術研發(fā)及產能擴建。英特爾認為3D封裝能延續(xù)摩爾定律，給予設計人員橫跨散熱、功耗、高速信號傳遞和互連密度的選項，最大化和最佳化產品效能。在最新一代Sapphire

Rapids系列服務器CPU。臺積電在2.5D/3D封裝方面已推出CoWoS及InFO等技術并進入量產，近兩年資本支出達30億/40億美元，位居全球第二，將擴大系統(tǒng)整合芯片（SoIC）中多種3D

Fabric平臺先進封裝技術推進及產能建置。臺積電往協(xié)同優(yōu)化設計的領域努力，從設計到封裝的垂直整合，并與

IC設計客戶有更緊密的合作關系。包括蘋果、聯(lián)發(fā)科、AMD、賽靈思、博通、英偉達等大客戶都已經采用臺積電的先進封裝技術。2022年先進封裝資本支出：yole

2720-21年經歷過一輪強上行周期，22年開始下行23年見底臺積電季度營收變化（億新臺幣）70006000500040003000200010000營收同比增長60%50%40%30%20%10%0%1、半導體呈現(xiàn)每四年一輪的周期特點，由摩爾定律（每1.5-2年的技術迭代）和擴產周期決定，周期波動幅度跟市場需求，供需錯配等因素關聯(lián)。20-21年半導體進入上行景氣周期，22年進入下行趨勢，預計23年下半年見底。-10%-20%全球半導體市場訂單總規(guī)模（三月移動平均，億美元）600500400300200100040%訂單規(guī)模同比增速2、近四年時間，半導體供應鏈遭遇全球疫情和美對華技術封鎖等事件，顯著加劇了供需錯配，影響產能供給的有效釋放。造成半導體終端市場價格的劇烈波動。30%20%10%0%-10%-20%-30%：TSMC、WSTS

28產出增加驅動成長，近年來價格抬升顯著臺積電季度盈利能力變化毛利率

凈利率營收、單價、出貨量同比變化70%60%50%40%30%20%10%0%營收同比增速產出同比增速單價同比增速40%35%30%25%20%15%10%5%0%2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022-5%-10%臺積電晶圓單價（美元/12寸晶圓）臺積電晶圓出貨量（等效12寸晶圓，百萬片）6000500040003000200010000450400350300250200150100500：TSMC

29產能擴張相對穩(wěn)健，保持大個位數的增長臺積電晶圓代工產能擴張臺積電晶圓產出及稼動率產能（萬片，12寸晶圓當量）增速16001400120010008006004002000出貨量（12寸折算，萬片）產能利用率120%100%80%60%40%20%0%1800160014001200100080016%14%12%10%8%6%6004%4002%20000%2012

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2023臺積電目前擁有4座十二寸超大晶圓、4座八寸晶圓廠和1座六吋晶圓廠，并擁有100%控股的臺積電（南京）包括1座十二寸晶圓廠，兩家海外子公司—WaferTech美國子公司、臺積電（中國）有的八寸晶圓廠產能支援。目前正在美國、日本建設晶圓廠，規(guī)劃德國投資晶圓廠。：TSMC

30資本擴張行為明顯更為積極臺積電季度CAPEX規(guī)模（億新臺幣）400035003000250020001500100050090%80%70%60%50%40%30%20%10%0%CAPEX占營收比例0四個季度移動平均（億歐元，億新臺幣）3000250020001500100050070臺積電capexASML收入60504030201000：TSMC、ASML

31晶圓代工進入產能競爭，紛紛開啟逆周期投資三星capex（萬億韓元）英特爾capex（億美金）2018161412108807060504030201006420聯(lián)華電子capex（億新臺幣）capex（億美金）300181614121082502001501005064200：Samsung、UMC、Intel、SMIC32庫存由終端向渠道環(huán)節(jié)逐步回歸良性，代工稼動率低位待回暖結合晶圓代工、存儲芯片、模擬、功率等半導體領域的調研情況，半導體產業(yè)庫存從終端向渠道逐步回歸良性，Q2終端正常而渠道庫存仍處高位，預計Q3~Q4渠道庫存也將回落至正常水位。全球半導體訂單數據表明，月度同比降幅不再擴大。預計下半年同比降幅收窄，走過最為低迷時段。三星半導體代工情況調研（23年5月）制程節(jié)點需求情況低產能利用率下游市場5nm,6nm,7nm,8nm<40%礦機、AI、GPU等高性能計算領域基帶類、網通交換機類、PCIe

Switch、主板控制芯片、UFS3.1/4.0、memory

controller、FPGA等功耗要求不高的產品14nm/16nm高>70%<50%MCU、RF、小的FPGA、小的GPU、FDSOI、OLED屏幕驅動IC、CIS等28nm中等低NFC（45nm）、大屏Panel

DDIC（65nm）、中端手機攝像頭CIS（65nm）40nm/50nm：弘則研究整理

33海外半導體大廠預計Q3庫存周期見底，AI需求出現(xiàn)且趨勢樂觀公司Q2預期產業(yè)趨勢判斷23年凈銷售額預計同比增長25%客戶仍看到個人電腦和智能手機消費市場需求疲軟，數據中心需求增長放緩，而汽車和工業(yè)等仍然強勁，他們預計半導體庫存將在2023H1重新平衡，2023H2業(yè)務有望反彈。22財報ASML2023年凈銷售額將比2022年增長

25%以上各項運營數據均高于預期?？吹讲煌K端市場的需求信號不一?？傮w需求仍然超過了今年的產能，積壓訂單總額超過了389億歐元。23Q1預計23年晶圓設備行業(yè)規(guī)模為750億美元，低于22年的950億美元。NAND和DRAM減少擴產計劃并下調產能利用率22財報23Q1拉姆研究英特爾下調Q2預期，預計客戶部分支出延期到下半年預計23年晶圓設備行業(yè)規(guī)模為700億美元。全年存儲設備資本支出同比下滑50%，客戶仍在調整產能和庫存。預計第一季度服務器環(huán)比和同比下降速度加快，23年上半年服務器同比下降，在下半年恢復增長。個人電腦消費量估計為2.70億至2.95億臺，鑒于第一季度持續(xù)存在不確定性這一區(qū)間的下限可能性大。23Q1業(yè)績指引營收yoy-43-37%，qoq-25-18%22財報PC市場在第一季度耗盡大量庫存，并有望在第二季度末保持健康水平。服務器方面，第一季度消費