真空鍍膜技術(shù)圖片

真空鍍膜技術(shù)蒸鍍(Evaporation)&濺鍍(Sputter)

塑膠外觀(guān)金屬化製程簡(jiǎn)介FilmDeposition1SprayingSubstrateMaterial2ElectroplatingSubstrateMaterialAnodeCathode3EvaporationMaterialSubstrateHeaterVacuumchamberCloud4SputteringMaterialSubstratePlasma薄膜沈積(ThinFilmDeposition)

在機(jī)械工業(yè)、電子工業(yè)或半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性在材料外表上以各種方法形成被膜〔一層薄膜〕，而加以使用，假設(shè)此被膜經(jīng)由原子層的過(guò)程所形成時(shí)，一般將此等薄膜沈積稱(chēng)為蒸鍍〔蒸著〕處理。採(cǎi)用蒸鍍處理時(shí)，以原子或分子的層次控制蒸鍍粒子使其形成被膜，因此可以得到以熱平衡狀態(tài)無(wú)法得到的具有特殊構(gòu)造及功能的被膜。薄膜沈積的兩種常見(jiàn)的製程物理氣相沈積--PVD〔PhysicalVaporDeposition〕

化學(xué)氣相沈積CVD〔ChemicalVaporDeposition〕薄膜沈積機(jī)制的說(shuō)明圖

物理氣相沈積--PVD

〔PhysicalVaporDeposition〕PVD顧名思義是以物理機(jī)制來(lái)進(jìn)行薄膜堆積而不涉及化學(xué)反應(yīng)的製程技術(shù)，所謂物理機(jī)制是物質(zhì)的相變化現(xiàn)象蒸鍍(Evaporation)濺鍍(Sputtering)真空電鍍簡(jiǎn)介被鍍物與塑膠不產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)環(huán)保製程；無(wú)化學(xué)物污染可鍍多重金屬生產(chǎn)速度快可對(duì)各種素材加工屬低溫製程最常見(jiàn)的PVD製程1EvaporationMaterialSubstrateHeaterVacuumchamberCloud2SputteringMaterialSubstratePlasma蒸鍍與濺鍍常見(jiàn)類(lèi)型蒸鍍(Evaporation)MaterialSubstrateHeaterVacuumchamberCloud蒸鍍(Evaporation)原理蒸鍍(Evaporation)原理蒸鍍(Evaporation)原理蒸鍍(Evaporation)原理蒸鍍(Evaporation)原理鎢絲鎢舟鉬舟蒸鍍(Evaporation)原理濺鍍(Sputter)MaterialSubstratePlasmaPLASMA物質(zhì)的第四態(tài)什麼是電漿

藉由外加的電場(chǎng)能量來(lái)促使氣體內(nèi)的電子獲得能量並加速撞擊不帶電中性粒子，由於不帶電中性粒子受加速電子的撞擊後會(huì)產(chǎn)生離子與另一帶能量的加速電子，這些被釋出的電子，在經(jīng)由電場(chǎng)加速與其他中性粒子碰撞。如此反覆不斷，進(jìn)而使氣體產(chǎn)生崩潰效應(yīng)(gasbreakdown)，形成電漿狀態(tài)。電漿性質(zhì)

1.整體來(lái)說(shuō)，電漿的內(nèi)部是呈電中性的狀態(tài)，也就是帶負(fù)電粒子的密度與帶正電粒子的密度是相同的。2.因?yàn)殡姖{中正、負(fù)離子的個(gè)數(shù)幾乎是一比一，因此電漿呈現(xiàn)電中性。3.電漿是由一群帶電粒子所組成，所以當(dāng)有一局部受到外力作用時(shí)，遠(yuǎn)處部份的電漿，乃至整群的電漿粒子都會(huì)受到影響，這叫做「電漿的群體效應(yīng)」。4.具有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。濺鍍(Sputter)原理1.Ar氣體原子的解離 ArAr+＋e－2. 電子被加速至陽(yáng)極，途中產(chǎn)生新的解離。3.Ar離子被加速至陰極撞擊靶材，靶材粒子及二次電子被擊出，前者到達(dá)基板外表進(jìn)行薄膜成長(zhǎng)，而後者被加速至陽(yáng)極途中促成更多的解離。濺鍍(Sputter)原理VacuumpumpTakesplaceinavacuumchamberElectricalchargeisformedbetweenthesubstrateandcathodeGasisinjectedinchamberIonshitthetargetandknockoffatomsTargetatomsland(condense)onsubstratetoformathinfilmTargetMaterial(Cathode)SubstrateEnergyIonsmoveinplasmaGasPlasmaGasionizes-formsaplasmaIn-lineSputteringSystemSputteringchamberBufferchamberUnloadingchamberPlasmatreatmentLoadingchamberrobotInrobotOutSputteringProcessSputteringChamberBufferChamberUnloadingChamberBufferChamberLoadingChamberOutTargetMagneticFieldLinesTargetErosion濺鍍製程技術(shù)的特點(diǎn)成長(zhǎng)速度快大面積且均勻度高附著性佳可改變薄膜應(yīng)力金屬或絕緣材料均可鍍製適合鍍製合金材料各種PVD法的比較

PVD蒸鍍法真空蒸鍍?yōu)R射蒸鍍離子蒸鍍粒子生成機(jī)構(gòu)熱能動(dòng)能熱能膜生成速率可提高快可提高粒子原子、離子原子、離子原子、離子蒸鍍均勻性複雜形狀佳良好良好，但膜厚分佈不均平面佳優(yōu)佳蒸鍍金屬可可可蒸鍍合金可可可蒸鍍耐熱化合物可可可粒子能量很低0.1~0.5eV可提高1~100eV可提高1~100Ev惰性氣體離子衝擊通常不可以可，或依形狀不可可表面與層間的混合通常無(wú)可可加熱（外加熱）可通常無(wú)可，或無(wú)蒸鍍速率10-9m/sec1.67~12500.17~16.70.50~833各種物理氣相沈積法之比較

性質(zhì)沈積速率大尺寸厚度控制精確成份控制可沈積材料之選用整體製造成本方法蒸鍍(Evaporation)慢可佳多佳濺鍍(Sputter)佳佳佳多佳蒸鍍與濺鍍製程上運(yùn)用之差異素材形狀鍍膜材質(zhì)之要求不透光及半透光鍍膜方向蒸鍍與濺鍍製程

產(chǎn)能與本錢(qián)比較

(以惠明為例)濺鍍有效面積:450mmX350mm蒸鍍治具面積:120mmX100mm一般濺鍍產(chǎn)能:一分鐘一盤(pán)一般蒸鍍產(chǎn)能:30分鐘一爐,每爐可放768個(gè)治具蒸鍍須外加治具本錢(qián)及上下治具人工本錢(qián)常見(jiàn)的外觀(guān)裝飾性PVD之製程素材直接鍍膜配合噴塗之鍍膜其他素材直接鍍膜A?thin“coatingofasubstance

ontoasubstrate素材直接鍍膜運(yùn)用於平面的素材:如FILM鍍膜素材材質(zhì):PC,PMMA,PET..等等運(yùn)用:1.Lens(平板切割,IMD,IMR)2.銘版3.按鍵(IMD,IMR)4.背光板配合噴塗之鍍膜HardcoatedMetalSubstratePrimer配合噴塗之鍍膜運(yùn)用於立體的素材:如按鍵及機(jī)殼鍍膜素材材質(zhì):大局部塑膠皆可運(yùn)用:1.機(jī)殼及按鍵2.銘版3.數(shù)位相機(jī)自拍鏡4.半透光燈罩配合其他製程之運(yùn)用搭配印刷搭配雷雕EMIDipping化學(xué)蝕刻〔退鍍〕其他配合其他製程之運(yùn)用Example:手機(jī)按鍵印刷噴