雙閾值電壓與電源門控設(shè)計(jì)優(yōu)化流程方案

設(shè)計(jì)優(yōu)化流程方案DocumentnumberBGCG57-BTDO-0089-2022門控設(shè)計(jì)優(yōu)化流程方案使用雙閾值電壓門限()的設(shè)計(jì)優(yōu)化方法與流程可以在高度自動化的情兩方面的優(yōu)異結(jié)果。這種雙VTH方法對VDSM(極深亞微米)芯片非常重要，此時(shí)降低的VTH率會隨技術(shù)的升級呈指數(shù)增長，在65nm無論它此，大多數(shù)設(shè)計(jì)會借助于設(shè)計(jì)優(yōu)化流程，因?yàn)槿N常見的流程可以用于性能與泄漏功率的優(yōu)減小泄漏、獲得最佳性能、優(yōu)化芯片面積和。由于在等待模式下仍會消耗泄漏功率，因的三個(gè)流程VTH個(gè)庫的應(yīng)用，一個(gè)是低VTH較高的泄漏功率，另一個(gè)則是較高VTH小的泄漏。在關(guān)鍵時(shí)序路徑中用低VTH用高VTH化。取決于對真正關(guān)鍵時(shí)序路徑的判定，以及對精確計(jì)算。要實(shí)現(xiàn)所需的時(shí)序精度，對路徑延放和網(wǎng)絡(luò)走線信息將互連延遲考慮進(jìn)去。所以，強(qiáng)烈建議對二次通過混合型VTH●?最小切割(min-cut)流程在三個(gè)流程中可實(shí)現(xiàn)最低的泄漏功率，但卻有較高的單元數(shù)目●?最大切割(max-cut)流程可得到最高的性能和最低的單元數(shù)量及動態(tài)功率，但在三個(gè)流在泄漏功率和芯片面積之間作了一個(gè)良好的代的最小切割算法，即一個(gè)組合電路中的所有閾值電壓。由于高VTH法會判斷出一個(gè)最小的邊界子集，將閾值降低以遲約束要求。基于最小權(quán)重切割的最小切割圖形。這種切割相當(dāng)于關(guān)鍵時(shí)序路徑改變?yōu)榈蚔TH而獲1顯示了一個(gè)采用最小切割算法的雙為中心的設(shè)計(jì)優(yōu)化方法和流程，生成的2的右側(cè)描述了流程。經(jīng)過采用高VTH優(yōu)化后，設(shè)計(jì)通常會有違反時(shí)序的問題。同時(shí)用低VTH一步優(yōu)化可以判斷出所有關(guān)鍵的時(shí)序路徑，并用低VTH些路徑中的單元。綜合工具亦可以完成局部設(shè)計(jì)優(yōu)化，解切割算法是最初將所有低VTH單元初VTH單元速度快，這種實(shí)現(xiàn)以正的余量滿代價(jià)是較高的泄漏功耗。接著算法會判此時(shí)改變到高VTH反延遲約束。最大切割圖算法可以識別出這些邊界，改變到高VTH是降低最大泄漏功率。這種算法的實(shí)現(xiàn)描述在圖1第三種方法是迭代最大切割算法的一個(gè)變種(所以叫最大切割I(lǐng)I)，它在運(yùn)行時(shí)和容量上都有改進(jìn)。II所有高VTH設(shè)計(jì)，然后判斷出會違反時(shí)序約束的關(guān)鍵子電路。關(guān)鍵子VTH可以VTH現(xiàn)延遲違規(guī)的那些邊界。這樣，最大切割I(lǐng)I用于關(guān)鍵的子電路，從而極大地降低了待優(yōu)化割方法相比，可以減小芯片面積，并優(yōu)化運(yùn)行時(shí)間(圖3)。最大切割I(lǐng)I流程的設(shè)計(jì)優(yōu)化是用高VTH是，通過降低時(shí)鐘頻率，可以得到有松弛時(shí)，避免處理那些只含高VTH鍵路徑。經(jīng)過這個(gè)初始優(yōu)化后，就可以將值，還原實(shí)際的時(shí)序約束，然后用低VTH何種優(yōu)化方法，實(shí)現(xiàn)了怎樣的優(yōu)化數(shù)量，設(shè)計(jì)仍降低待機(jī)模式下泄漏功耗的一個(gè)方法是切斷邏輯關(guān)掉某些邏輯的供電，而讓其它邏輯保持工作狀計(jì)劃分為兩個(gè)以上的供電島。于是，我們可以用需要的方法很復(fù)雜的實(shí)現(xiàn)可以基于門、簇或電源域。在基于門控的插入到一個(gè)邏輯門中，控制對該門的供電。這門的開關(guān)電流和電源噪聲余量，每個(gè)門都有最另外，門中的虛擬電源網(wǎng)絡(luò)很短，而且是隱蔽理設(shè)計(jì)工具實(shí)現(xiàn)這些門。在另一方面，每個(gè)門眠控制實(shí)現(xiàn)方法中，將一個(gè)設(shè)計(jì)中的多個(gè)門組成簇。選最低的同步開關(guān)電流。一個(gè)簇中的各個(gè)門屬于同相靠近。每個(gè)簇都通過一個(gè)睡眠晶體管連接到一于簇的實(shí)現(xiàn)通常比基于門的實(shí)現(xiàn)占用更少的面積確的睡眠晶體管尺寸。此外，這些分別供電簇的IR體管實(shí)現(xiàn)中，一個(gè)電源域中的門互相連接成一個(gè)源網(wǎng)絡(luò)通過一定數(shù)量的睡眠晶體管連接到一個(gè)用普通的電源規(guī)劃、分析和優(yōu)化方法，像實(shí)際網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行優(yōu)化。這種睡眠晶體管的實(shí)現(xiàn)其面積現(xiàn)的都要小，因?yàn)橐粋€(gè)電源域中的所有門都通接收功率，網(wǎng)絡(luò)中所有的晶體管都共享和均衡地網(wǎng)絡(luò)會降低設(shè)計(jì)的噪聲余量，造成功能性故個(gè)電源門控設(shè)計(jì)的功率需求，以保證功率完整，都要小心布放連接晶體管的電源門控信斷電不會阻擋控制信號通向其它供電島。一種特對建立和布放做出限制，以保證那些一直通電的離。同樣，要對時(shí)鐘樹的綜合做出限制，確保不個(gè)供電島的情況，否則該島斷電時(shí)，下游的邏輯與恢復(fù)醒時(shí)恢復(fù)狀態(tài)。有三種類型的狀態(tài)保持與恢復(fù)件將特殊寄存器和內(nèi)存值寫到磁盤中儲存，然醒時(shí)，軟件將保存的狀態(tài)寫回到設(shè)計(jì)中。雖設(shè)計(jì)，但保持和恢復(fù)過程通常要花很長時(shí)間消耗大量功率，這方法是用一個(gè)設(shè)計(jì)的掃描鏈，在斷電前將寄存內(nèi)存中，而在喚醒時(shí)再移回來。雖然這種方法比對很多前沿應(yīng)用來說仍覺太慢，同時(shí)內(nèi)存訪問也能夠有效地存儲和恢復(fù)狀態(tài)的保持寄存器和鎖存采用了低功耗設(shè)計(jì)中常用的氣球型電路。這種器或鎖存器外增加一個(gè)影子鎖存器，用于保持影子鎖存器由低泄漏的高B分配到電源門控信號上，這樣保證信號可以障。無論如何，漂浮的信號都可能在電島上控制輸出信號，或在有電信號通常需要較少的隔離單元，因多個(gè)輸入。另外，永不停電的供電島輸式下通常會消耗更多功率，因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)，而輸入隔離單元則只需要短的局部網(wǎng)輯可以用標(biāo)準(zhǔn)單元實(shí)現(xiàn)，但輸出信號隔離則管理結(jié)構(gòu)有關(guān)。對于有一個(gè)或兩個(gè)門控供電一般是最佳選擇。對于具有復(fù)雜電源管實(shí)現(xiàn)電源門控信號下所需的上拉或下拉狀態(tài)于供電島以內(nèi)，并靠物理綜合