高二物理競(jìng)賽課件間隙半導(dǎo)體

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間隙半導(dǎo)體間隙半導(dǎo)體中，如Si,Ge,GaP,

載流子壽命足夠長(zhǎng)，

可形成電子-空穴液滴EHD.而直隙半導(dǎo)體中,盡管在足夠強(qiáng)的泵浦下,EHP可以產(chǎn)生，但是由于載流子壽命很短

分直隙半導(dǎo)體無(wú)法產(chǎn)生EHL.間隙半導(dǎo)體中EHP大部1.發(fā)光譜●設(shè)為T=0KEHP的基態(tài)能量，●

EHP的束縛能T=0拋物能帶存在①間隙半導(dǎo)體中發(fā)光過(guò)程伴隨聲子過(guò)程。②EHL發(fā)光頻率范圍很寬：

高能端是自由激子復(fù)合發(fā)光。③發(fā)光譜線型不隨泵浦強(qiáng)度而改變。而EHL發(fā)光譜與FE發(fā)光譜之比與EHL和FE所占體積之比有關(guān)。④對(duì)于確定的臨界溫度

EHL開始發(fā)光時(shí)

對(duì)應(yīng)共存區(qū)低密度端，而高密度端

可由等離子發(fā)光譜線型分析得出。⑤輻射強(qiáng)度●自發(fā)輻射其中動(dòng)能為

量守恒，費(fèi)米子占有率為表示能假設(shè)躍遷幾率與能量無(wú)關(guān)，

包含躍遷幾率和其它系數(shù)?！袷芗ぽ椛湟陨?/p>

中

但是躍遷幾率極小，故受激輻射不重要。因此Si不能用于制作激光二極管。⑥經(jīng)譜線分析可以得出

等。Si的

⑦導(dǎo)帶的多谷結(jié)構(gòu)降低電子的動(dòng)能，有利于穩(wěn)定等離子體。對(duì)單軸施加應(yīng)力，使得簡(jiǎn)并的導(dǎo)帶移動(dòng)，這些結(jié)果都可以影響動(dòng)能和化學(xué)勢(shì)。

①每滴包含約

電子-空穴對(duì)。

②EHD可以被雜質(zhì)束縛。③在純凈半導(dǎo)體中，EHD可以在空間擴(kuò)散。若空間中存在聲子數(shù)梯度，熱流（聲子風(fēng)）會(huì)驅(qū)動(dòng)EHD擴(kuò)散。上圖

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