GB∕T 42592-2023 風(fēng)力發(fā)電機(jī)組 風(fēng)輪葉片超聲波檢測(cè)方法（正式版）

風(fēng)力發(fā)電機(jī)組風(fēng)輪葉片超聲波檢測(cè)方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)I前言 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語(yǔ)和定義 14檢測(cè)技術(shù)等級(jí) 35檢測(cè)要求 46儀器和設(shè)備 47檢測(cè)準(zhǔn)備 78檢測(cè)程序 9檢測(cè)結(jié)果評(píng)定 10檢測(cè)記錄報(bào)告 附錄A(規(guī)范性)相控陣探頭晶片靈敏度測(cè)試 附錄B(資料性)全聚焦檢測(cè) 附錄C(資料性)常見(jiàn)葉片缺陷及推薦掃查位置 附錄D(資料性)檢驗(yàn)用對(duì)比試塊 附錄E(規(guī)范性)相控陣超聲波檢測(cè)系統(tǒng)定位精度測(cè)試 參考文獻(xiàn) ⅢGB/T42592—2023本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由中國(guó)機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會(huì)提出。本文件由全國(guó)風(fēng)力發(fā)電標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC50)歸口。本文件起草單位：中國(guó)質(zhì)量認(rèn)證中心、上海中認(rèn)尚科新能源技術(shù)有限公司、北京玻鋼院檢測(cè)中心有限公司、中國(guó)華能集團(tuán)清潔能源技術(shù)研究院有限公司、艾朗科技股份有限公司、武漢中科創(chuàng)新技術(shù)股份有限公司、廣東汕頭超聲電子股份有限公司超聲儀器分公司、連云港中復(fù)連眾復(fù)合材料集團(tuán)有限公司、中科宇能科技發(fā)展有限公司、株洲時(shí)代新材料科技股份有限公司、中材科技風(fēng)電葉片股份有限公司、上海電氣風(fēng)電集團(tuán)股份有限公司、新疆金風(fēng)科技股份有限公司、北京鑒衡認(rèn)證中心有限公司、中國(guó)船舶重工集團(tuán)海裝風(fēng)電股份有限公司、明陽(yáng)智慧能源集團(tuán)股份公司、中國(guó)農(nóng)業(yè)機(jī)械化科學(xué)研究院呼和浩特分院有限公司、國(guó)電聯(lián)合動(dòng)力技術(shù)有限公司、哈電風(fēng)能有限公司、浙江運(yùn)達(dá)風(fēng)電股份有限公司、華能吉林發(fā)電有限公司新能源分公司、上海申蒙檢測(cè)技術(shù)有限公司。李成良。1風(fēng)力發(fā)電機(jī)組風(fēng)輪葉片超聲波檢測(cè)方法本文件規(guī)定了風(fēng)力發(fā)電機(jī)組風(fēng)輪葉片接觸式超聲脈沖反射法/穿透法檢測(cè)的一般要求、檢驗(yàn)程序和結(jié)果處理。本文件適用于針對(duì)玻璃纖維或碳纖維增強(qiáng)復(fù)合材料風(fēng)輪葉片內(nèi)部缺陷的接觸式超聲脈沖反射法/穿透法檢驗(yàn)。主梁拉擠成型工藝和灌注成型工藝時(shí)可使用本文件。主梁預(yù)浸料工藝和手糊工藝因孔隙率較高，超聲波檢測(cè)可參考本文件，但需考慮聲學(xué)特性的影響。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T2900.53電工術(shù)語(yǔ)風(fēng)力發(fā)電機(jī)組GB/T3608高處作業(yè)分級(jí)GB/T9445無(wú)損檢測(cè)人員資格鑒定與認(rèn)證GB/T12604.1無(wú)損檢測(cè)術(shù)語(yǔ)超聲檢測(cè)GB/T17646小型風(fēng)力發(fā)電機(jī)組GB/T23905無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)用試塊GB/T27664.1無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)設(shè)備的性能與檢驗(yàn)第1部分：儀器GB/T27664.3無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)設(shè)備的性能與檢驗(yàn)第3部分：組合設(shè)備GB/T29302無(wú)損檢測(cè)儀器相控陣超聲檢測(cè)系統(tǒng)的性能與檢驗(yàn)GB/T32563—2016無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)相控陣超聲波檢測(cè)方法JB/T9214無(wú)損檢測(cè)A型脈沖反射式超聲波檢測(cè)系統(tǒng)工作性能測(cè)試方法JB/T10062超聲探傷用探頭性能測(cè)試方法JB/T11731無(wú)損檢測(cè)超聲相控陣探頭通用技術(shù)條件JJF1338相控陣超聲探傷儀校準(zhǔn)規(guī)范NB/T47013.3承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)第3部分：超聲檢測(cè)3術(shù)語(yǔ)和定義GB/T17646、GB/T2900.53、GB/T12604.1界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。接觸式超聲脈沖反射法ultrasonicpulse-echocontacttesting采用接觸方式，根據(jù)超聲波在工件中傳播時(shí)，遇到不連續(xù)性所產(chǎn)生的反射回波和(或)材料底面產(chǎn)生的底面回波來(lái)檢查缺陷或評(píng)定材質(zhì)。采用兩個(gè)探頭，置于工件的相對(duì)兩面，一個(gè)發(fā)射超聲波，一個(gè)接收超聲波。根據(jù)超聲波穿透工件后2的能量變化狀況，來(lái)判斷工件內(nèi)部質(zhì)量的方法。相控陣超聲波檢測(cè)phased-arrayultrasonictesting根據(jù)設(shè)定的延遲法則激發(fā)陣列探頭各獨(dú)立壓電晶片(陣元),合成聲速并實(shí)現(xiàn)聲束的移動(dòng)、偏轉(zhuǎn)和聚集等功能，再按一定的延遲法則對(duì)各陣元接收到的超聲信號(hào)進(jìn)行處理并以圖像的方式顯示被檢對(duì)象內(nèi)部狀態(tài)的超聲波檢測(cè)方法。一種特殊的相控陣超聲波檢測(cè)技術(shù)，其實(shí)現(xiàn)方式是逐一激發(fā)陣列探頭激發(fā)孔徑內(nèi)的單個(gè)(或多個(gè))陣元，同時(shí)所有陣元(或設(shè)定的陣元組)接收，依次遍歷激發(fā)所有陣元(或陣元組)之后，再根據(jù)延遲法則對(duì)目標(biāo)網(wǎng)格化區(qū)域內(nèi)的每一個(gè)點(diǎn)進(jìn)行計(jì)算和成像。注：實(shí)現(xiàn)形式一般包括全矩陣采集(FMC)、自適應(yīng)全聚焦(AFM)、平面波激發(fā)(PWI)等。風(fēng)輪葉片殼體與結(jié)構(gòu)膠相結(jié)合的區(qū)域(見(jiàn)圖1～圖4)。圖1葉片殼體腹板粘接截面圖圖2葉片前緣粘接截面圖3圖3葉片后緣粘接截面圖(一)圖4葉片后緣粘接截面圖(二)風(fēng)輪葉片非粘接區(qū)windturbinebladenon-bondingarea風(fēng)輪葉片殼體未與結(jié)構(gòu)膠相結(jié)合的區(qū)域。有效粘接區(qū)effectivebondingarea葉片殼體-結(jié)構(gòu)膠-內(nèi)層粘接結(jié)構(gòu)共同結(jié)合的區(qū)域。第一粘接面葉片殼體與結(jié)構(gòu)膠的交界面。第二粘接面葉片內(nèi)層粘接結(jié)構(gòu)與結(jié)構(gòu)膠的交界面。第三界面thethirdinterface葉片內(nèi)層粘接結(jié)構(gòu)的下表面，即粘接區(qū)底面。4檢測(cè)技術(shù)等級(jí)風(fēng)輪葉片的超聲波檢測(cè)技術(shù)分為A、B、C三個(gè)技術(shù)等級(jí)。不同技術(shù)等級(jí)要求不同的超聲覆蓋程度，對(duì)應(yīng)不同的缺陷檢出率。超聲波檢測(cè)技術(shù)等級(jí)的選擇應(yīng)符合制造、安裝等有關(guān)規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)及設(shè)計(jì)圖樣規(guī)定，按照技術(shù)等級(jí)，分類如下：4——A級(jí)不要求超聲波對(duì)檢測(cè)區(qū)域全覆蓋；適用于缺陷檢出率要求較低的葉片，或在役葉片的抽檢；掃查方式可為間隔掃查，掃查間隔最大不應(yīng)超過(guò)200mm;——B級(jí)應(yīng)保證超聲波對(duì)檢測(cè)區(qū)域?qū)崿F(xiàn)全覆蓋；適用于缺陷檢出率要求較高的葉片；可選常規(guī)超聲波檢測(cè)技術(shù)，掃查方式可選柵格掃查，兩次相鄰掃查區(qū)域應(yīng)重疊至少10%;——C級(jí)應(yīng)保證超聲波對(duì)檢測(cè)區(qū)域?qū)崿F(xiàn)全覆蓋；適用于缺陷檢出率很高的葉片；應(yīng)選擇相控陣超聲波檢測(cè)技術(shù)，掃查方式可選柵格掃查，兩次相鄰掃查區(qū)域應(yīng)重疊至少10%。應(yīng)根據(jù)葉片不同被檢部位的結(jié)構(gòu)、工藝、材料特性，選擇適合的檢測(cè)方法、技術(shù)等級(jí)。當(dāng)由于外部條件或葉片自身因素影響未按照擬定檢測(cè)技術(shù)等級(jí)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，應(yīng)記錄并說(shuō)明原因。5檢測(cè)要求5.1人員5.1.1實(shí)施檢測(cè)的人員，按照GB/T9445相應(yīng)體系要求經(jīng)過(guò)培訓(xùn)，應(yīng)取得國(guó)家相關(guān)授權(quán)部門(mén)頒發(fā)的超聲波探傷技術(shù)等級(jí)資格證書(shū)。5.1.2GB/T9445所規(guī)定的各級(jí)資格人員所從事的工作應(yīng)與其資格等級(jí)和方法相適應(yīng)。5.2環(huán)境5.2.1探傷場(chǎng)地不應(yīng)設(shè)在有強(qiáng)磁、震動(dòng)、高頻、電火花、高溫、潮濕、機(jī)械噪聲大的環(huán)境中。工作地點(diǎn)的溫度及濕度應(yīng)控制在儀器、設(shè)備及材料所允許的范圍內(nèi)。當(dāng)檢測(cè)設(shè)備使用交流電源供電時(shí)，電源電壓波動(dòng)幅度不應(yīng)超過(guò)±10%。5.2.2檢測(cè)場(chǎng)所和環(huán)境包括但不限于能源、照明和環(huán)境條件(風(fēng)速、溫度、濕度、粉塵等因素),應(yīng)有助于無(wú)損檢測(cè)的有效實(shí)施；檢測(cè)場(chǎng)所和環(huán)境除應(yīng)符合國(guó)家和地方有關(guān)環(huán)境衛(wèi)生和勞動(dòng)保護(hù)的法規(guī)外，還宜盡量避免對(duì)人體有較大影響可能干擾正常操作、觀察和判斷的場(chǎng)所和環(huán)境。5.2.3若檢測(cè)場(chǎng)所和環(huán)境對(duì)檢測(cè)質(zhì)量有影響時(shí)，應(yīng)采取有效的控制措施，同時(shí)監(jiān)測(cè)和記錄環(huán)境條件；當(dāng)環(huán)境條件影響到檢測(cè)結(jié)果時(shí)，應(yīng)停止檢測(cè)。5.3被檢對(duì)象5.3.1超聲波檢測(cè)應(yīng)在部件固化完成后進(jìn)行。5.3.2被檢葉片表面不應(yīng)有影響檢測(cè)結(jié)果的異物。5.3.3在地面被檢葉片應(yīng)處于適當(dāng)?shù)淖藨B(tài)放置且由對(duì)應(yīng)的夾具固定，地面的硬度以及地勢(shì)應(yīng)滿足葉片場(chǎng)地的要求，不應(yīng)因刮風(fēng)或下雨導(dǎo)致葉片側(cè)傾。5.3.4在役葉片檢測(cè)時(shí)，葉輪應(yīng)處于停機(jī)鎖定狀態(tài)。被檢葉片應(yīng)處于葉尖豎直向下?tīng)顟B(tài)，且變槳至停機(jī)狀態(tài)。風(fēng)速條件應(yīng)滿足GB/T3608對(duì)高空作業(yè)的要求。6儀器和設(shè)備6.1超聲波檢測(cè)儀6.1.1常規(guī)超聲波檢測(cè)儀器應(yīng)采用A型脈沖反射式超聲波檢測(cè)儀，其工作頻率范圍應(yīng)為0.5MHz~10MHz,超聲波檢測(cè)儀各性能指標(biāo)應(yīng)滿足GB/T27664.1的規(guī)定。6.1.2相控陣超聲波檢測(cè)系統(tǒng)應(yīng)具備16或以上發(fā)射通道及64或以上接收通道。6.1.3相控陣超聲波檢測(cè)系統(tǒng)的數(shù)字化信號(hào)采樣頻率不應(yīng)小于探頭標(biāo)稱頻率的8倍。6.1.4相控陣超聲波檢測(cè)設(shè)備應(yīng)具有線掃成像檢測(cè)和記錄的功能。6.1.5相控陣超聲波檢測(cè)系統(tǒng)的其余性能指標(biāo)應(yīng)符合GB/T29302的有關(guān)規(guī)定。56.2探頭6.2.1常規(guī)超聲探頭，宜采用0.5MHz～2.5MHz的單晶直探頭或雙晶直探頭，探頭晶片有效直徑范圍應(yīng)在φ10mm~φ30mm。6.2.2相控陣探頭的性能指標(biāo)應(yīng)按照J(rèn)B/T11731的有關(guān)規(guī)定，還應(yīng)符合以下規(guī)定。a)應(yīng)采用線型或面型陣列探頭，探頭頻率范圍應(yīng)為0.5MHz～2.5MHz,單個(gè)探頭的陣元數(shù)量不應(yīng)小于64。b)同一探頭晶片間靈敏度最大差值不大于4dB,且壞晶片不應(yīng)超過(guò)晶片總數(shù)的10%。在任何一組激發(fā)孔徑中，壞晶片數(shù)量不應(yīng)超過(guò)3個(gè)，且不準(zhǔn)許出現(xiàn)連續(xù)壞晶片，相控陣探頭晶片的靈敏度差異、有效性測(cè)試方法和壞晶片定義應(yīng)按照附錄A或GB/T32563—2016附錄A的要求進(jìn)行。c)實(shí)測(cè)中心頻率與標(biāo)稱頻率間的誤差不應(yīng)大于±10%d)6dB相對(duì)頻帶寬度不應(yīng)小于55%。6.3超聲波檢測(cè)儀器和探頭的組合性能6.3.1常規(guī)超聲檢測(cè)儀器和探頭的組合性能包括水平線性、垂直線性、組合頻率、靈敏度余量、盲區(qū)和遠(yuǎn)場(chǎng)分辨力，測(cè)試方法及合格要求見(jiàn)表1。表1常規(guī)超聲檢測(cè)儀器和探頭組合性能要求及測(cè)試方法序號(hào)要求測(cè)試方法1水平線性差值不大于1%2垂直線性差值不大于5%3組合頻率儀器和探頭組合頻率與探頭標(biāo)稱頻率間相對(duì)偏差不大于±10%4靈敏度余量直探頭不小于32dB達(dá)到檢測(cè)工件最大聲程時(shí)不小于10dB5盲區(qū)對(duì)于標(biāo)稱頻率0.5MHz和1.0MHz的探頭，盲區(qū)不大于10mm6遠(yuǎn)場(chǎng)分辨力6.3.2相控陣超聲波檢測(cè)儀器和探頭的組合性能包括水平線性、垂直線性、組合頻率、衰減器精度，組合性能的測(cè)試方法及合格要求見(jiàn)表2。表2相控陣超聲波檢測(cè)儀器和探頭組合性能要求及測(cè)試方法序號(hào)要求測(cè)試方法1水平線性差值不大于1%2垂直線性差值不大于5%3組合頻率儀器和探頭組合頻率與探頭標(biāo)稱頻率間相對(duì)偏差不得大于10%4衰減器精度任意連續(xù)20dB,衰減器累積誤差不大于1dB;任意連續(xù)60dB,衰減器累積誤差不大于2dB注：使用全聚焦檢測(cè)時(shí)，對(duì)全聚焦檢測(cè)儀器及探頭的要求見(jiàn)附錄B。66.3.3儀器和探頭組合性能的測(cè)定發(fā)生以下情況時(shí)應(yīng)測(cè)定儀器和探頭的組合性能：——新購(gòu)置的檢測(cè)儀器和(或)探頭；——儀器和探頭在維修或更換主要部件后；——檢測(cè)人員有懷疑時(shí)。6.4掃查裝置掃查裝置應(yīng)滿足以下要求：——應(yīng)保證聲束傳播方向垂直于探頭移動(dòng)方向；——探頭實(shí)際運(yùn)動(dòng)軌跡與擬定掃查軌跡的偏離值不應(yīng)大于1mm;——應(yīng)配備編碼器或其他裝置記錄探頭位置；——應(yīng)使探頭與工件表面接觸良好。6.5耦合劑耦合劑的選取規(guī)定如下：——宜用水基型耦合劑；——耦合劑應(yīng)具有良好的透聲性和適宜的流動(dòng)性，對(duì)材料無(wú)腐蝕并便于清理；——檢測(cè)和校準(zhǔn)應(yīng)使用相同的耦合劑。6.6報(bào)警器檢驗(yàn)可采用閘門(mén)可調(diào)的視覺(jué)或聽(tīng)覺(jué)報(bào)警器。6.7.1.11號(hào)校準(zhǔn)試塊：具體形狀和尺寸按照6.7.2的規(guī)定進(jìn)行。6.7.1.2CSK-1A試塊：具體形狀和尺寸按照NB/T47013.3的規(guī)定進(jìn)行。6.7.1.3DBPZ20-2試塊：具體形狀和尺寸按照J(rèn)B/T9214的規(guī)定進(jìn)行。對(duì)比試塊應(yīng)滿足以下要求?！獞?yīng)選用與被檢件相同的原材料、厚度、工藝和表面狀態(tài)制作對(duì)比試塊，并采用比驗(yàn)收等級(jí)高一級(jí)的靈敏度進(jìn)行檢測(cè)。對(duì)比試塊中不應(yīng)存在影響使用的自然缺陷，對(duì)比試塊應(yīng)含有意義明確的參考反射體，參考反射體的設(shè)置需考慮被檢工件中可能存在的缺陷類型、大小、位置和走向；葉片常見(jiàn)缺陷見(jiàn)附錄C。——對(duì)比試塊的尺寸見(jiàn)附錄D(也可自行制作),當(dāng)采用直探頭檢測(cè)時(shí)不應(yīng)有大于或等于φ5mm平底孔當(dāng)量直徑的缺陷，也不應(yīng)有造成低波衰減超過(guò)2dB的體積孔隙缺陷存在。——參考反射體可采用機(jī)加工方式制作，其尺寸精度應(yīng)滿足GB/T23905的要求。模擬試塊是指含有模擬缺陷的試塊，主要用于檢測(cè)工藝驗(yàn)證。模擬試塊可由檢測(cè)方根據(jù)待檢測(cè)件材料、尺寸、缺陷可能類型進(jìn)行制作。相關(guān)要求如下：7a)模擬試塊的材料和聲學(xué)特性應(yīng)與被檢工件相同或相近，無(wú)影響檢測(cè)的其他缺陷；b)模擬試塊的外形結(jié)構(gòu)、厚度和表面條件均應(yīng)與被檢工件相同或相近；c)模擬缺陷應(yīng)具有真實(shí)缺陷的形態(tài)與類似聲學(xué)特點(diǎn)；d)模擬缺陷的類型、位置、尺寸和數(shù)量設(shè)置需考慮被檢工件中可能存在的缺陷狀態(tài)。7檢測(cè)準(zhǔn)備7.1系統(tǒng)校驗(yàn)系統(tǒng)校驗(yàn)一般宜采用標(biāo)準(zhǔn)試塊和對(duì)比試塊進(jìn)行，操作時(shí)應(yīng)使探頭主聲束垂直對(duì)準(zhǔn)反射體的反射面，以獲得穩(wěn)定和最大的反射信號(hào)；應(yīng)將影響儀器線性的控制器(如抑制或?yàn)V波開(kāi)關(guān)等)均置于“關(guān)”的位置或處于最低水平上。每年至少對(duì)常規(guī)超聲波檢測(cè)儀和探頭組合性能中的垂直線性、水平線性、組合頻率，進(jìn)行一次校準(zhǔn)并記錄，測(cè)試要求應(yīng)滿足6.3.1中相關(guān)規(guī)定。每年至少對(duì)相控陣超聲波檢測(cè)儀器和探頭組合性能的垂求應(yīng)滿足6.3.2中相關(guān)規(guī)定。每3個(gè)月至少對(duì)超聲波檢測(cè)儀和探頭組合性能中的垂直線性、水平線性進(jìn)行一次運(yùn)行核查并記錄。常規(guī)超聲波檢測(cè)儀每3個(gè)月至少對(duì)直探頭盲區(qū)、靈敏度余量和分辨力進(jìn)行1次運(yùn)行核查并記錄。相控陣超聲波檢測(cè)儀每2個(gè)月至少對(duì)相控陣探頭的陣元有效性進(jìn)行1次核查，相關(guān)測(cè)試要求應(yīng)滿足6.3.1或6.3.2中的相關(guān)規(guī)定。相控陣探頭允許存在失效陣元。設(shè)備校準(zhǔn)或者維修返回后，應(yīng)進(jìn)行核查。每次檢測(cè)前應(yīng)檢查儀器設(shè)備外觀、線纜連接和開(kāi)機(jī)信號(hào)顯示等情況是否正常。每次檢測(cè)前應(yīng)對(duì)位置傳感器進(jìn)行檢查和記錄，檢查方式是使帶位置傳感器的掃查裝置至少移動(dòng)300mm,將檢測(cè)儀器所顯示的位移和實(shí)際位移進(jìn)行比較，其誤差應(yīng)小于1%。每次檢測(cè)前應(yīng)對(duì)相控陣超聲波檢測(cè)系統(tǒng)定位精度進(jìn)行測(cè)試，聲程偏離值小于或等于2mm時(shí)，不需要采取措施；聲程偏離值大于2mm時(shí)，找出原因重新設(shè)置。若在檢測(cè)后發(fā)現(xiàn)，則糾正后對(duì)上次校準(zhǔn)以來(lái)所檢出的深度、厚度數(shù)據(jù)進(jìn)行修正或重新測(cè)量。測(cè)試方法按附錄E執(zhí)行。每次檢測(cè)前應(yīng)對(duì)靈敏度進(jìn)行檢查。使用深度補(bǔ)償曲線(TCG)或距離(深度)幅度曲線(DAC)時(shí)，靈敏度偏差小于或等于3dB,通過(guò)軟件進(jìn)行糾正；靈敏度偏差大于3dB,重新設(shè)置，并重新檢測(cè)上次校準(zhǔn)以來(lái)所檢測(cè)的葉片。7.2檢測(cè)程序文件檢測(cè)程序文件應(yīng)包含工藝規(guī)程、檢測(cè)指導(dǎo)書(shū)。無(wú)損檢測(cè)工藝文件的編制、審核和批準(zhǔn)應(yīng)符合相關(guān)法規(guī)或標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。8工藝規(guī)程除滿足本文件要求外，還應(yīng)規(guī)定表3和相關(guān)章條所列相關(guān)因素的具體范圍或要求。相關(guān)因素的變化超出規(guī)定時(shí)，應(yīng)重新編制或修訂工藝規(guī)程。表3超聲波檢測(cè)工藝規(guī)程設(shè)計(jì)的相關(guān)因素序號(hào)常規(guī)超聲相控陣超聲1被檢工件類型和規(guī)格、材質(zhì)、檢測(cè)部位等被檢工件類型和規(guī)格、材質(zhì)、檢測(cè)部位等2檢測(cè)面要求檢測(cè)面要求3檢測(cè)技術(shù)(波型、直探頭檢測(cè)、直接接觸法等)檢測(cè)技術(shù)(波型、直探頭檢測(cè)、直接接觸法等)4檢測(cè)儀器類型檢測(cè)儀器類型5探頭類型及參數(shù)(標(biāo)稱頻率、晶片尺寸和晶片形相控陣探頭類型及參數(shù)(標(biāo)稱頻率、陣元高度和寬度、間隙、數(shù)量)6耦合劑類型掃查深度或聲程7校準(zhǔn)(試塊及校準(zhǔn)方法)激發(fā)孔徑尺寸(激發(fā)陣元數(shù)量、激發(fā)孔徑長(zhǎng)度和寬度)8掃查方向及掃查范圍掃描類型(線掃描、扇掃描)9掃查方式(手動(dòng)或自動(dòng))耦合劑類型缺陷定量方法校準(zhǔn)(試塊及校準(zhǔn)方法)計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)采集(用到時(shí));自動(dòng)報(bào)警或記錄裝置(用到時(shí))掃查方向及掃查范圍人員資格要求、檢測(cè)報(bào)告要求掃查順序數(shù)據(jù)命名規(guī)則附加檢測(cè)及要求(用到時(shí))計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)采集(用到時(shí));自動(dòng)報(bào)警或記錄裝置(用到時(shí))人員資格要求、檢測(cè)報(bào)告要求檢測(cè)數(shù)據(jù)的分析和解釋7.2.3操作指導(dǎo)書(shū)/工藝卡應(yīng)根據(jù)工藝規(guī)程的內(nèi)容以及被檢工件的檢測(cè)要求編制操作指導(dǎo)書(shū)/工藝卡。其內(nèi)容除滿足本文件a)檢測(cè)技術(shù)要求：檢測(cè)技術(shù)等級(jí)、檢測(cè)方法(直探頭檢測(cè)、直接接觸法等)和檢測(cè)波型等；c)檢測(cè)設(shè)備和器材：檢測(cè)儀器型號(hào)、探頭型號(hào)、耦合劑、掃查裝置、試塊種類，儀器和探頭工作性d)檢測(cè)工藝參數(shù)：包括檢測(cè)覆蓋區(qū)域、探頭的參數(shù)設(shè)置、掃查方法及掃查范圍、掃描類型、掃查面準(zhǔn)備、探頭位置等，以及檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)置(激發(fā)與接收單元的陣列孔徑、入射角度、聚焦方式及測(cè)記錄和評(píng)定要求等。9操作指導(dǎo)書(shū)/工藝卡在應(yīng)用前首先應(yīng)進(jìn)行工藝驗(yàn)證。符合以下情況之一時(shí)，可采用模擬試塊進(jìn)行工藝驗(yàn)證：a)檢測(cè)簡(jiǎn)單幾何結(jié)構(gòu)的部位；b)檢測(cè)與通用對(duì)比試塊材料、制作工藝相同或相似的產(chǎn)品。符合以下情況之一時(shí)，應(yīng)制作具有代表性的專用對(duì)比試塊或模擬試塊，并選用相應(yīng)的試塊進(jìn)行工藝驗(yàn)證：a)檢測(cè)復(fù)雜幾何結(jié)構(gòu)的部位；b)被檢產(chǎn)品的材料、制作工藝與通用對(duì)比試塊有顯著差異，或超出通用對(duì)比試塊覆蓋的規(guī)格范圍；c)合同要求。7.2.5工藝驗(yàn)證的檢測(cè)結(jié)果要求應(yīng)能夠清楚地識(shí)別試塊中超過(guò)驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的所有參考反射體或缺陷，且測(cè)量的參考反射體或缺陷尺寸偏差值在允許范圍之內(nèi)。如果不能滿足工藝驗(yàn)證要求，應(yīng)調(diào)整檢測(cè)工藝后重新驗(yàn)證；如仍無(wú)法滿足，則應(yīng)在工藝文件中進(jìn)行說(shuō)明，并增加相應(yīng)的附加檢測(cè)。7.3檢測(cè)面要求檢測(cè)面的選取需綜合考慮被檢工件的結(jié)構(gòu)、制造工藝、缺陷的可能部位和取向以及檢測(cè)實(shí)施的可操作性等因素。檢測(cè)面應(yīng)能夠保證探頭耦合良好，對(duì)于不利于探頭耦合的情況應(yīng)提前處理，對(duì)于無(wú)法處理且影響探頭或掃查設(shè)備移動(dòng)的情況應(yīng)予以記錄。探頭掃查區(qū)域應(yīng)平整，便于探頭的移動(dòng)，宜清除表面不平整物、污垢及其他雜質(zhì)；探頭接觸的工件表面粗糙度(Ra)不大于16μm。噴漆前進(jìn)行檢測(cè)。葉片在噴漆后進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，應(yīng)確認(rèn)油漆已經(jīng)完全固化。確定的檢測(cè)面需滿足以下要求：a)檢測(cè)面表面溫度應(yīng)不超出探頭準(zhǔn)許使用溫度范圍；b)檢測(cè)面表面溫度和校準(zhǔn)試塊溫度差應(yīng)不超過(guò)3℃;c)檢測(cè)面應(yīng)均勻和無(wú)邊緣分層、孔隙以及諸如劃傷、隆起、褶皺、翹曲、溢膠或污物等不連續(xù)缺陷，無(wú)其他影響超聲波檢驗(yàn)結(jié)果的外來(lái)物。檢測(cè)前應(yīng)注意以下問(wèn)題：a)檢測(cè)面的選擇需考慮材料鋪放工藝，使聲束中心線盡可能垂直于缺陷容易產(chǎn)生的面；b)檢測(cè)面應(yīng)確保在規(guī)定的靈敏度下能進(jìn)行超聲波檢測(cè)；c)檢測(cè)面若存在影響缺陷檢測(cè)的不符合要求的區(qū)域，應(yīng)在檢測(cè)前向產(chǎn)品提供方說(shuō)明，并在檢測(cè)結(jié)果中予以記錄；d)檢測(cè)面用適當(dāng)?shù)臉?biāo)記作參考點(diǎn)(線),對(duì)不能一次完成檢查的大面積區(qū)域，應(yīng)分段標(biāo)記、檢查和記錄；用于標(biāo)記的物質(zhì)應(yīng)對(duì)被檢件無(wú)影響，且容易去除；e)為有利于檢測(cè)，若有必要，檢測(cè)面可用稀釋劑、浸潤(rùn)劑擦洗或其他的方法做檢測(cè)前準(zhǔn)備，清除待檢區(qū)域表面的灰塵、污染物或影響檢測(cè)的異物等，且不應(yīng)影響檢測(cè)結(jié)果。7.4系統(tǒng)設(shè)置7.4.1超聲波檢測(cè)儀設(shè)置7.4.1.1超聲儀器具備耦合監(jiān)控和耦合報(bào)警的功能，宜在進(jìn)行掃查時(shí)啟用。7.4.1.2使用A型脈沖反射式超聲波檢測(cè)儀，垂直入射縱波檢測(cè)時(shí)需考慮以下因素：c)范圍參數(shù)：在工件中的聲程；d)聲速參數(shù)：在工件中的聲速；e)脈沖參數(shù)：探頭匹配脈沖寬度；7.4.1.3相控陣超聲波檢測(cè)時(shí)聚焦參數(shù)需考慮以下因素：a)晶片參數(shù)：晶片數(shù)量、間距及主動(dòng)孔徑，且數(shù)量不低于16個(gè)；b)楔塊參數(shù)：楔塊尺寸、楔塊角度及楔塊聲速；c)晶片位置：設(shè)定激發(fā)晶片的起始位置；d)角度參數(shù)：在工件中所用聲束的中心角度、角度范圍；e)距離參數(shù)：在工件中的聲程；f)聲速參數(shù)：在工件中的聲速；h)聚焦深度：根據(jù)葉片厚度需要或儀器自有軟件建立相應(yīng)模型進(jìn)行匹配。探頭設(shè)置應(yīng)滿足以下要求：a)采用常規(guī)超聲波檢測(cè)、相控陣超聲波檢測(cè)或全聚焦檢測(cè)時(shí)，應(yīng)準(zhǔn)確校準(zhǔn)和設(shè)置探頭零點(diǎn)；b)采用線陣探頭進(jìn)行相控陣超聲波檢測(cè)或全聚焦檢測(cè)時(shí)，應(yīng)準(zhǔn)確設(shè)置探頭頻率、陣元數(shù)目及陣元間距；c)采用面陣探頭進(jìn)行全聚焦檢測(cè)時(shí)，應(yīng)準(zhǔn)確設(shè)置面陣探頭長(zhǎng)寬方向上的陣元數(shù)目及相對(duì)應(yīng)的晶片尺寸。7.4.3掃查設(shè)備設(shè)置7.4.3.1可采用柵格掃查或100%掃查，掃查內(nèi)容至少包括：掃查方向、掃查范圍、掃查間隔等。當(dāng)采用柵格掃查時(shí)應(yīng)使用一個(gè)或多個(gè)探頭順著掃查柵格線往復(fù)移動(dòng)，當(dāng)發(fā)現(xiàn)可記錄的指示時(shí)，應(yīng)在該指示的周圍進(jìn)行附加的掃查，以確定其延伸情況；當(dāng)采用100%掃查時(shí)，相鄰探頭移動(dòng)覆蓋區(qū)至少為有效探頭直徑的10%。7.4.3.2采用相控陣線陣探頭時(shí)，其移動(dòng)方向應(yīng)與主動(dòng)方向垂直；當(dāng)采用相控陣面陣探頭，其移動(dòng)方向可以是探頭長(zhǎng)度方向，也可以是探頭寬度方向。相鄰掃查線之間的距離(W)應(yīng)小于探頭最大激發(fā)孔徑，且兩次相鄰掃查區(qū)域應(yīng)有10%的重疊。GB/T42592—20237.4.3.3掃查時(shí)應(yīng)保證實(shí)際掃查路徑與擬掃查路徑的偏差不超過(guò)探頭前端距的5%,實(shí)際掃查速度應(yīng)小于或等于最大掃查速度(vmx),同時(shí)應(yīng)滿足耦合效果和數(shù)據(jù)采集的要求。最大掃查速度按公式(1)計(jì)算：式中：Vmax——最大掃查速度，單位為毫米每秒(mm/s);PRF——脈沖重復(fù)頻率，單位為赫茲(Hz);N——設(shè)置的信號(hào)平均次數(shù)；M——設(shè)置的電子掃描步進(jìn)數(shù)量；△X——設(shè)置的掃查步進(jìn)值，單位為毫米(mm)。脈沖重復(fù)頻率(PRF)應(yīng)滿足公式(2)要求：PRF<c/2S式中：c——聲速，單位為毫米每秒(mm/s);S——最大檢測(cè)聲程，單位為毫米(mm)?？刹捎枚S雙軸位置編碼器，采集的數(shù)據(jù)應(yīng)包含葉片的二維平面位置信息。7.4.4基準(zhǔn)靈敏度設(shè)置7.4.4.1葉片非粘接面檢測(cè)靈敏度設(shè)置葉片非粘接面檢測(cè)時(shí)，靈敏度設(shè)置按照成型工藝分為灌注、拉擠兩類。a)灌注成型工藝殼體檢測(cè)：將探頭穩(wěn)定耦合于同等厚度殼體的非粘接區(qū)部位，調(diào)節(jié)第一次底面回波高度為顯示屏滿刻度的80%,以此作為基準(zhǔn)靈敏度。b)拉擠成型工藝殼體檢測(cè)：1)對(duì)浸潤(rùn)不良型缺陷檢測(cè)：將探頭穩(wěn)定耦合于同等厚度的殼體非粘接區(qū)部位，調(diào)節(jié)第一次底面回波高度為顯示屏滿刻度的80%,以此作為基準(zhǔn)靈敏度；2)對(duì)層間未浸潤(rùn)型缺陷檢測(cè)：可使用深度補(bǔ)償曲線(TCG)或距離(深度)幅度曲線(DAC)兩種方式設(shè)置靈敏度，校準(zhǔn)的深度范圍應(yīng)至少包含擬檢測(cè)的深度范圍，校準(zhǔn)所使用的人工反射體一般不少于3個(gè)不同深度點(diǎn)。將探頭穩(wěn)定耦合于與對(duì)比試塊上，調(diào)節(jié)與檢測(cè)要求中需要檢出的最小缺陷相當(dāng)?shù)娜斯と毕莘瓷洳ǜ叨葹轱@示屏滿刻度的80%,以此作為基準(zhǔn)靈敏度。設(shè)置靈敏度時(shí)，應(yīng)控制信噪比不低于6dB;當(dāng)信噪比無(wú)法滿足要求時(shí)，按1)設(shè)置，同時(shí)應(yīng)在對(duì)比試塊上進(jìn)行工藝驗(yàn)證，確保缺陷的檢出能力。7.4.4.2葉片粘接面檢測(cè)靈敏度設(shè)置葉片粘接面檢測(cè)時(shí)，靈敏度設(shè)置按照待檢區(qū)域結(jié)構(gòu)，分為第一粘接面、膠層內(nèi)部及第二粘接面兩類：——第一粘接面檢測(cè)的靈敏度設(shè)置：將探頭穩(wěn)定耦合于同等厚度殼體的非粘接區(qū)部位，調(diào)節(jié)第一次底面回波高度為顯示屏滿刻度的80%,以此作為基準(zhǔn)靈敏度；——膠層內(nèi)部及第二粘接面檢測(cè)的靈敏度設(shè)置：將探頭穩(wěn)定耦合于同等厚度的有效粘接區(qū)部位，調(diào)節(jié)粘接區(qū)第三界面回波高度為顯示屏滿刻度的80%,以此作為基準(zhǔn)靈敏度。7.4.5靈敏度補(bǔ)償檢測(cè)時(shí)應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行靈敏度補(bǔ)償；——耦合補(bǔ)償：在檢測(cè)和缺陷定量時(shí)，應(yīng)對(duì)由對(duì)比試塊與被檢工件表面粗糙度不同引起的耦合損失GB/T42592—2023進(jìn)行補(bǔ)償；——衰減補(bǔ)償：在檢測(cè)和缺陷定量時(shí)，應(yīng)對(duì)由對(duì)比試塊與被檢工件材質(zhì)衰減不同引起的靈敏度下降和缺陷定量誤差進(jìn)行補(bǔ)償；——曲面補(bǔ)償：在檢測(cè)和缺陷定量時(shí)，對(duì)檢測(cè)面是曲面的工件，應(yīng)對(duì)由對(duì)比試塊與被檢工件曲率半徑不同引起的耦合損失進(jìn)行補(bǔ)償。7.4.6傳輸修正7.4.6.1使用深度補(bǔ)償曲線(TCG)或距離(深度)幅度曲線(DAC)法調(diào)節(jié)靈敏度時(shí)，由于工件的表面狀態(tài)和材質(zhì)衰減與試塊不同，應(yīng)測(cè)定傳輸修正值，傳輸修正值超過(guò)士2dB時(shí)應(yīng)進(jìn)行修正。7.4.6.2試塊與工件厚度相同時(shí)，傳輸修正值(△dB)按公式(3)計(jì)算：式中：△dB——用于彌補(bǔ)測(cè)試工件與試塊差異的“傳輸修正值”;V?——將探頭耦合于工件上，調(diào)節(jié)儀器使工件一次底波B。達(dá)到基準(zhǔn)高度，此時(shí)的增益讀數(shù)V?——將探頭耦合于選定厚度的試塊上，調(diào)節(jié)儀器使試塊一次底波B?達(dá)到基準(zhǔn)高度，此時(shí)的增益讀數(shù)為V?。注：所測(cè)的傳輸修正值為表面耦合損失和材質(zhì)衰減的總和。當(dāng)△dB為正時(shí)，工件的表面損失和材質(zhì)衰減大于試塊；當(dāng)△dB為負(fù)時(shí)，工件表面損失和材質(zhì)衰減小于試塊。7.4.6.3試塊與工件厚度不同時(shí)，傳輸修正值△dB2的確定步驟如下：a)按7.4.6.2測(cè)得傳輸修正值(△dB);b)試塊與工件由聲程不同引起的底波高度分貝差(V?),按公式(4)計(jì)算；式中：x——工件厚度，單位為毫米(mm);c)傳輸修正值△dB2按公式(5)計(jì)算：允許的傳輸修正值應(yīng)在±6dB范圍內(nèi)。7.4.7分區(qū)設(shè)置應(yīng)根據(jù)被檢部位的材質(zhì)、厚度、靈敏度等要求決定是否采用分區(qū)設(shè)置，以及各區(qū)的覆蓋范圍。7.4.8掃描校準(zhǔn)采用常規(guī)超聲波檢測(cè)或相控陣超聲波檢測(cè)時(shí)，掃描校準(zhǔn)按照如下規(guī)定：a)掃描檢測(cè)前，應(yīng)對(duì)掃描角度0°的聲束進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)的聲程范圍應(yīng)包含檢測(cè)擬使用的聲程范圍；b)校準(zhǔn)用對(duì)比試塊見(jiàn)附錄D;c)掃描結(jié)果經(jīng)深度補(bǔ)償曲線(TCG)修正后不同深度處相同反射體回波波幅應(yīng)一致，且經(jīng)最大補(bǔ)償?shù)穆暿夭ǖ男旁氡炔粦?yīng)小于6dB。8檢測(cè)程序8.1非粘接區(qū)超聲波檢測(cè)8.1.1非粘接區(qū)檢測(cè)范圍風(fēng)輪葉片非粘接區(qū)超聲波檢測(cè)主要針對(duì)葉片主梁和預(yù)制葉根、后緣梁進(jìn)行檢測(cè)。在被檢件上按標(biāo)號(hào)依次檢查。將被檢件無(wú)缺陷完好部位第一次底波調(diào)節(jié)為滿屏刻度的80%。使用不同的靈敏度設(shè)置，對(duì)應(yīng)不同的缺陷判斷方法：——使用底波法設(shè)置靈敏度時(shí)，底面第一次反射波(B?)波幅低于顯示屏滿刻度的40%,該部位判定為缺陷區(qū)；——使用底波法設(shè)置靈敏度時(shí)，缺陷回波高度高于顯示屏滿刻度的20%,該部位判定為缺陷區(qū)；——使用深度補(bǔ)償曲線(TCG)或距離(深度)幅度曲線(DAC)法設(shè)置靈敏度時(shí)，當(dāng)缺陷回波高度高于距離幅度校正曲線(DAC曲線)時(shí)，該部位判定為缺陷區(qū)；——使用深度補(bǔ)償曲線(TCG)或距離(深度)幅度曲線(DAC)法設(shè)置靈敏度時(shí)，底面回波高度低于顯示屏滿刻度的50%,該部位判定為缺陷區(qū)。常有以下3類缺陷定量方法?！氩ǜ叨确?6dB法):當(dāng)?shù)谝淮谓缑婊夭ǜ叨雀哂诰嚯x幅度校正曲線(DAC)時(shí)，移動(dòng)探頭，找到最大回波(調(diào)節(jié)增益使其不能達(dá)到100%),調(diào)節(jié)衰減器，使最大回波高度降低至基準(zhǔn)波高度。繼續(xù)調(diào)節(jié)衰減器，使儀器提高6dB,移動(dòng)探頭，使第一次界面回波高度降至基準(zhǔn)波高度位置，以此時(shí)探頭中心作為缺陷區(qū)邊界點(diǎn)，然后向不同方向移動(dòng)探頭，直到獲得缺陷區(qū)的輪廓。——底波法：當(dāng)不存在底波及其他回波時(shí)，移動(dòng)探頭，使底波顯示且幅值達(dá)到熒光屏滿刻度的 40%,以此時(shí)探頭中心作為缺陷區(qū)邊界點(diǎn)，然后向不同方向移動(dòng)探頭，直到獲得缺陷區(qū)的輪廓?！嚯x幅度校正曲線法(DAC)法：當(dāng)?shù)谝淮谓缑婊夭ǜ叨雀哂诰嚯x幅度校正曲線(DAC)時(shí)，移動(dòng)探頭，使第一次界面回波高度降低到(DAC)曲線幅值位置，以此時(shí)探頭中心作為未結(jié)合區(qū)邊界點(diǎn)，然后向不同方向移動(dòng)探頭，直到獲得缺陷區(qū)的輪廓。檢驗(yàn)結(jié)束后，應(yīng)立即清除被檢件表面的耦合劑。8.2粘接區(qū)超聲波檢測(cè)8.2.1粘接區(qū)檢測(cè)范圍風(fēng)輪葉片的粘接區(qū)超聲波檢測(cè)主要針對(duì)的粘接區(qū)域?yàn)椋焊拱迮c主梁的粘接區(qū)域和葉片前、后緣的粘接區(qū)域。檢測(cè)面可選擇與粘接區(qū)域相對(duì)應(yīng)的葉片外表面區(qū)域，然后在被檢件上按標(biāo)號(hào)依次檢查。8.2.2腹板與主梁粘接區(qū)域的檢測(cè)8.2.2.1腹板-主梁粘接區(qū)的檢測(cè)可分為：第一界面(葉片檢測(cè)面殼體與結(jié)構(gòu)膠交界面)檢測(cè)和第二界面(葉片內(nèi)層粘接結(jié)構(gòu)與結(jié)構(gòu)膠的交界面)及結(jié)構(gòu)膠膠層內(nèi)部檢測(cè)。當(dāng)探頭耦合于腹板-主梁粘接區(qū)上方時(shí)，顯示屏上將依次顯示第一、第二和第三界面波，其中第一界面波可用于判定和定量第一界面上的粘接缺陷；第二、第三界面波以及可能存在的缺陷回波可用于判定和定量膠層內(nèi)部及第二粘接面上的粘接缺陷。8.2.2.2第一界面的缺陷判斷和定量：a)基準(zhǔn)靈敏度：將探頭穩(wěn)定耦合于同等厚度殼體的非粘接區(qū)部位，調(diào)節(jié)第一次底面回波高度為顯示屏滿刻度的80%,以此作為基準(zhǔn)靈敏度；b)缺陷判斷：在檢測(cè)基準(zhǔn)靈敏度下，待檢區(qū)域第一界面回波高度高于顯示屏滿刻度的40%,即視作缺陷；c)缺陷定量：采用絕對(duì)波高法定量，移動(dòng)探頭使第一界面波高度降低到顯示屏滿刻度的40%,探頭中心點(diǎn)即為缺陷邊界。8.2.2.3膠層內(nèi)部及第二界面的缺陷判定和定量。a)基準(zhǔn)靈敏度：將探頭穩(wěn)定耦合于臨近的有效粘接區(qū)部位，調(diào)節(jié)粘接區(qū)第三界面波高度為顯示屏滿刻度的80%,以此作為基準(zhǔn)靈敏度。b)缺陷判斷：1)待檢區(qū)域第一界面回波至第二界面/第三界面回波之間出現(xiàn)缺陷回波，且缺陷回波高度高于顯示屏滿刻度的20%時(shí)判定為缺陷；2)待檢區(qū)域第三界面回波高度低于顯示屏滿刻度的40%時(shí)判定為缺陷。移動(dòng)探頭使第三界面回波高度上升到顯示屏滿刻度的40%,探頭中心點(diǎn)即為缺陷邊界。c)缺陷定量：采用6dB法定量，移動(dòng)探頭使缺陷回波高度降低到自身最高幅值的一半，探頭中心點(diǎn)即為缺陷邊界。依據(jù)第三界面波衰減評(píng)定缺陷時(shí)，應(yīng)對(duì)指示信號(hào)進(jìn)一步評(píng)估或采取其他輔助檢查段，以排除產(chǎn)品表面凹凸、內(nèi)部維修、補(bǔ)強(qiáng)、非計(jì)劃粘接等因素對(duì)檢測(cè)的影響。使用相控陣超聲波檢測(cè)時(shí)，原則上按8.2.1的要求進(jìn)行，數(shù)據(jù)采集靈敏度與基準(zhǔn)靈敏度有差異時(shí)，可用軟件進(jìn)行修正。無(wú)法修正時(shí)，應(yīng)結(jié)合A掃描、B掃描、C掃描、D掃描顯示，根據(jù)缺陷信號(hào)和其他相關(guān)結(jié)構(gòu)信號(hào)進(jìn)行綜合判定。后緣粘接的檢測(cè)可使用穿透法，分別將探頭置于葉片后緣兩側(cè)，弦向移動(dòng)探頭，觀察波幅變化情況；a)基準(zhǔn)靈敏度：穿透法檢測(cè)時(shí)，調(diào)節(jié)透射波高度為顯示屏滿刻度的80%,以此作為基準(zhǔn)靈敏度；b)缺陷的判定：透射波高低于顯示屏滿刻度的40%,即判定為缺陷，移動(dòng)探頭使透射波高上升到顯示屏滿刻度的40%,探頭中心點(diǎn)為缺陷邊界；c)基準(zhǔn)靈敏度等于掃查靈敏度。前緣粘接區(qū)域的檢測(cè)根據(jù)檢測(cè)需求不同，可使用目視法進(jìn)行檢查，也可使用相控陣超聲波檢測(cè)進(jìn)行檢測(cè)。相控陣超聲波檢測(cè)操作流程可參照8.2.1進(jìn)行，另外需考慮前緣曲率對(duì)結(jié)果的影響。8.3檢測(cè)注意事項(xiàng)檢測(cè)中應(yīng)注意以下問(wèn)題：a)當(dāng)超聲波檢測(cè)儀不能正常記錄時(shí)，應(yīng)檢查探頭與被檢件之間是否附著小氣泡、被檢件表面是否清潔、聲束反射方向是否能夠被探頭接收，并加以排除或調(diào)整；b)凡有疑問(wèn)的部位，在排除上述原因之后，應(yīng)重新調(diào)整靈敏度，并對(duì)此部位重新檢驗(yàn)和記錄；c)對(duì)于可檢的變截面構(gòu)件，若反射聲束無(wú)法完全被探頭接收，檢驗(yàn)時(shí)應(yīng)適當(dāng)提高檢測(cè)靈敏度。對(duì)材質(zhì)聲衰減大、不均勻的被檢件，應(yīng)選擇足夠數(shù)量的測(cè)試點(diǎn)測(cè)量其聲速和衰減系數(shù)，以供材質(zhì)分析和處理，其方法按附錄E執(zhí)行。9檢測(cè)結(jié)果評(píng)定9.1風(fēng)輪葉片內(nèi)部(非粘接區(qū))缺陷檢驗(yàn)結(jié)果評(píng)定9.1.1小于探頭直徑(聲束孔徑)的缺陷缺陷埋深和尺寸采用與對(duì)比試塊比較的方法確定。檢測(cè)出的缺陷與對(duì)比試塊上人工缺陷埋深相同時(shí)，采用對(duì)比試塊人工缺陷尺寸來(lái)判定缺陷當(dāng)量；檢測(cè)出的缺陷與對(duì)比試塊上人工缺陷埋深不同時(shí)，采用對(duì)比試塊聲程與其相近的人工缺陷的回波幅度確定。9.1.2大于探頭直徑的缺陷缺陷埋深按缺陷反射回波的聲程來(lái)確定，缺陷大小尺寸可按下面三種方法來(lái)評(píng)定。a)采用A掃描檢測(cè)時(shí)，可按缺陷回波的半波高度(多用于粘接區(qū)域),也可按與缺陷相鄰區(qū)無(wú)缺陷位置的工件底波的半波高度確定包含整個(gè)缺陷的矩形框。b)采用C掃描檢測(cè)時(shí)，根據(jù)C掃描圖像上缺陷的位置坐標(biāo)和圖像特征，在被檢工件表面進(jìn)行缺陷輪廓的標(biāo)記。此時(shí)缺陷的大小按標(biāo)定矩形框的面積(或長(zhǎng)和寬)來(lái)評(píng)定。c)采用相控陣超聲波檢測(cè)法時(shí)，也可采用附錄D中對(duì)比試塊上稍大于探頭直徑的人工缺陷作標(biāo)定缺陷(設(shè)其尺寸為W),在檢測(cè)靈敏度下進(jìn)行檢測(cè)。然后用相控陣掃描記錄結(jié)果，采用半波高度法(6dB法)測(cè)量標(biāo)定缺陷的缺陷指示長(zhǎng)度(即面積，設(shè)為A),再測(cè)量待定缺陷的缺陷指示長(zhǎng)度(即面積，設(shè)為B),則缺陷測(cè)量尺寸D:計(jì)算方法見(jiàn)公式(6)。D:=B-(A-W)9.1.3缺陷底波高度法檢驗(yàn)評(píng)定使用缺陷底波高度法，主要有以下兩種方法衡量缺陷大?。篴)缺陷波高/缺陷處底波高(F/B)法：在一定的靈敏度條件下，以缺陷波高F與缺陷處底波高B之比來(lái)衡量缺陷的相對(duì)大??；b)缺陷波高/無(wú)缺陷處底波高(F/BG)法：在一定的靈敏度條件下，以缺陷波高F與無(wú)缺陷處底波高BG之比來(lái)衡量缺陷相對(duì)大小。注：底波高度可以衡量缺陷的相對(duì)大小，無(wú)法給出缺陷的當(dāng)量尺寸。9.1.4超聲脈沖穿透法檢驗(yàn)評(píng)定超聲脈沖穿透法在風(fēng)輪葉片檢測(cè)中受檢測(cè)部件大小形狀等影響較大，無(wú)法檢測(cè)缺陷的埋深，缺陷當(dāng)量的大小在被檢部件滿足穿透法檢測(cè)條件時(shí)：a)對(duì)于小于或等于探頭直徑的缺陷，按照9.1.1執(zhí)行；b)對(duì)于大于探頭直徑的缺陷，按照9.1.2執(zhí)行。9.1.5缺陷指示長(zhǎng)度的評(píng)定規(guī)則用平行于葉片長(zhǎng)度方向的矩形框包圍缺陷，其長(zhǎng)邊作為該缺陷的指示長(zhǎng)度。9.1.6單個(gè)缺陷指示面積的評(píng)定規(guī)則以下情況按照單個(gè)缺陷計(jì)算指示面積：a)一個(gè)缺陷按其指示的矩形面積作為該缺陷的單個(gè)指示面積；b)多個(gè)缺陷其相鄰間距小于相鄰較小缺陷的指示長(zhǎng)度時(shí)，按單個(gè)缺陷處理。9.1.7材料的缺陷性質(zhì)可根據(jù)缺陷回波和底面回波的相對(duì)關(guān)系進(jìn)行判斷。9.2風(fēng)輪葉片粘接區(qū)未結(jié)合缺陷檢驗(yàn)結(jié)果評(píng)定9.2.1未結(jié)合缺陷指示長(zhǎng)度的評(píng)定規(guī)則未結(jié)合缺陷邊界范圍確定后，用一邊平行于葉片長(zhǎng)度方向矩形框包圍該未結(jié)合缺陷，長(zhǎng)邊作為其指示長(zhǎng)度。9.2.2單個(gè)未結(jié)合指示面積的評(píng)定規(guī)則以下情況按照單個(gè)未結(jié)合計(jì)算指示面積：a)一個(gè)未結(jié)合按其指示的矩形面積作為該單個(gè)未結(jié)合面積；b)多個(gè)未結(jié)合其間距小于或等于相鄰較小缺陷的指示長(zhǎng)度時(shí)，按一個(gè)未結(jié)合處理。10檢測(cè)記錄報(bào)告應(yīng)按照現(xiàn)場(chǎng)操作的實(shí)際情況詳細(xì)記錄檢測(cè)過(guò)程的信息和有關(guān)數(shù)據(jù)。超聲波檢測(cè)記錄至少應(yīng)包含：記錄編號(hào)、依據(jù)的操作指導(dǎo)書(shū)、檢測(cè)技術(shù)要期、地點(diǎn)。應(yīng)依據(jù)檢測(cè)記錄出具檢測(cè)報(bào)告。超聲波檢測(cè)報(bào)告至少應(yīng)包括以下內(nèi)容：a)委托單位；b)檢測(cè)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)；f)檢測(cè)示意圖：檢測(cè)部位以及所發(fā)現(xiàn)的缺陷位置和分布圖；g)檢測(cè)數(shù)據(jù)；h)檢測(cè)結(jié)論；i)檢測(cè)人員和責(zé)任人員簽字；j)檢測(cè)日期；k)備注：其他異常情況。(規(guī)范性)相控陣探頭晶片靈敏度測(cè)試A.1一般要求該項(xiàng)測(cè)試要求儀器軟件能夠?qū)ο嗫仃囂筋^的每個(gè)晶片進(jìn)行逐一激發(fā)。A.2.1將相控陣探頭均勻穩(wěn)定地耦合在CSK-ⅡA-1試塊(或等效試塊)表面，單獨(dú)激發(fā)第一個(gè)晶片，得到最高反射回波。A.2.2調(diào)節(jié)增益值使第一個(gè)晶片回波達(dá)到80%滿屏高度，記錄此時(shí)的增益值。A.2.3單獨(dú)激發(fā)下一個(gè)晶片，并重復(fù)A.2.2,直至最后一個(gè)晶片(沿著陣列中所有陣元一次一個(gè)陣元步如出現(xiàn)以下情況，認(rèn)定為晶片為壞晶片：a)未見(jiàn)底面回波信號(hào)的晶片；b)有底面回波信號(hào)但信噪比小于12dB的晶片；c)同一陣列中靈敏度明顯偏低，比其他晶片的平均靈敏度低9dB以上的晶片。A.4對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行復(fù)核若測(cè)試結(jié)果各晶片記錄的最大與最小增益值之差大于或等于4dB,應(yīng)確認(rèn)耦合一致性及穩(wěn)定重復(fù)性，并按照A.2規(guī)定的方法重新測(cè)試，進(jìn)行復(fù)核。(資料性)全聚焦檢測(cè)B.1檢測(cè)儀器選型——全聚焦相控陣超聲波檢測(cè)儀能夠支持全聚焦2D或3D型顯示，并行硬件通道宜不少于32通道，宜采用64以上通道，能夠?qū)Τ上窠Y(jié)果進(jìn)行分析測(cè)量；——全聚焦相控陣超聲波檢測(cè)儀的其他指標(biāo)參照J(rèn)B/T11779的規(guī)定；——全聚焦2D或3D型顯示圖像的橫向分辨力(Y坐標(biāo)方向)和縱向分辨力(Z坐標(biāo)方向)不大于2mm。B.1.2全聚焦檢測(cè)對(duì)探頭選型：——探頭選取符合6.2.2的內(nèi)容。B.2探頭設(shè)置全聚焦檢測(cè)探頭設(shè)置應(yīng)滿足以下要求：——采用全聚焦檢測(cè)時(shí)，準(zhǔn)確校準(zhǔn)和設(shè)置探頭零點(diǎn)；——采用全聚焦檢測(cè)時(shí)，準(zhǔn)確設(shè)置