GB/T 42968.1-2023 集成電路電磁抗擾度測量 第1部分：通 用條件和定義（正式版）

GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015集成電路電磁抗擾度測量第1部分：通用條件和定義(IEC62132-1:2015,IDT)2023-09-07發(fā)布GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015 Ⅲ V 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 1 44.1通則 44.2環(huán)境條件 44.3試驗(yàn)發(fā)生器 44.4頻率范圍 5 55.1概述 5 55.3試驗(yàn)發(fā)生器和功率放大器 55.4其他組件 5 56.1通則 56.2試驗(yàn)電路板 56.3引腳選擇方案 66.4IC引腳負(fù)載/終端 66.5電源的要求 66.6IC的特殊要求 76.7IC時間穩(wěn)定性 7 77.1監(jiān)測檢查 77.2人體暴露 77.3系統(tǒng)驗(yàn)證 77.4特殊程序 8 9 98.2抗擾度限值或等級 98.3IC性能分級 98.4試驗(yàn)結(jié)果的說明 1ⅡGB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015附錄A(資料性)試驗(yàn)方法比較 附錄B(資料性)通用試驗(yàn)板的描述 ⅢGB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件是GB/T42968《集成電路電磁抗擾度測量》的第1部分。GB/T42968已經(jīng)發(fā)布了以下——第1部分：通用條件和定義；——第8部分：輻射抗擾度測量IC帶狀線法。本文件等同采用IEC62132-1:2015《集成電路電磁抗擾度測量第1部分：通用條件和定義》。本文件做了下列最小限度的編輯性改動：第2章調(diào)至參考文獻(xiàn)；——用GB/T42968.8替換了資料性引用的IEC62132-8。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC78)歸口。第三十二研究所。GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015——第2部分：輻射抗擾度測量TEM小室和寬帶TEM小室法。目的在于規(guī)定TEM小室和寬帶——第8部分：輻射抗擾度測量IC帶狀線法。目的在于規(guī)定IC帶狀線法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)——第9部分：輻射抗擾度測量表面掃描法。目的在于規(guī)定表面掃描法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求。1GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015集成電路電磁抗擾度測量第1部分：通用條件和定義下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。IEC62132-3集成電路電磁抗擾度測量(150kHz～1GHz)第3部分：大電流注入(BCI)法[Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity,150kHzto1GHz—Part3:Bulkcurrentinjection(BCI)method](Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity,150kHzto1GHz—Part4:DirectRFpowerinjectionmethod)下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1調(diào)幅amplitudemodulation;AM3.2模擬實(shí)際網(wǎng)絡(luò)對受試器件(DUT)呈現(xiàn)的阻抗而規(guī)定的參考負(fù)載，跨接其上來測量射頻騷擾電3.3輔助設(shè)備associatedequipment與測量接收機(jī)或試驗(yàn)發(fā)生器相連，用以建立DUT和測量設(shè)備或(試驗(yàn))信號發(fā)生器之間的騷擾或信號傳輸路徑的傳感器。2GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015對于暴露在騷擾中的受試器件(DUT),為了使其在試驗(yàn)中產(chǎn)生全部的功能和評定其正確的性能注：先進(jìn)的制造工藝包括更精細(xì)的光刻節(jié)點(diǎn)和掩膜；用于制造IC的掩膜的收縮量，以相對原始布線圖(繪圖尺寸)3.143GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015定向耦合器directionalcoupler用于傳輸線中(測量目的下已知耦合損耗)的正向波(入射波)或反向波(反射波)隔離(理想地)采樣的傳輸耦合器件。長度和寬度小于半個波長的印制電路板。電磁兼容性electromagneticcompatibility;EMC設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。在不考慮RF負(fù)載反射功率的情況下從RF源(假設(shè)匹配)向RF負(fù)載傳輸?shù)墓β?。接地平面groundplane參考接地平面referencegro其電位用作公共參考電位的平的導(dǎo)電表面。[來源：IEC60050-161:1990/AMD5:2015,161-04-36,有修改](對騷擾的)抗擾度immunity(todisturbance)注入網(wǎng)絡(luò)injectionnetwork將RF信號注入電纜的耦合網(wǎng)絡(luò)。峰值功率peakpower用于調(diào)幅的(最低頻率)信號時間間隔期間測量到的AMRF信號出現(xiàn)的最大功率電平。參考端口referenceport試驗(yàn)布置中施加騷擾信號的端口。負(fù)載與傳輸線阻抗特性不匹配形成的功率反射。無線電頻率環(huán)境radiofrequencyambient射頻環(huán)境RFambient4GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015電磁環(huán)境electromagneticenvironment存在于給定場所的所有電磁現(xiàn)象的總和。[來源：IEC60050-161:1990/AMD1:1997,161-01-01,有修改]3.26定量隨時間變化的RF信號功率的測量系統(tǒng)。3.27專門設(shè)計用來隔離內(nèi)外電磁環(huán)境的網(wǎng)狀或薄板金屬殼體。3.28試驗(yàn)發(fā)生器testgenerator能夠產(chǎn)生所需試驗(yàn)信號的發(fā)生器。4試驗(yàn)條件下述試驗(yàn)條件用于確保試驗(yàn)環(huán)境的一致性。如果用戶同意使用其他值，應(yīng)在試驗(yàn)報告中予以說明。4.2環(huán)境條件試驗(yàn)過程中環(huán)境溫度應(yīng)保持在23℃±5℃范圍內(nèi)。注：某些IC的射頻抗擾度隨溫度而不同。RF環(huán)境噪聲電平應(yīng)比試驗(yàn)的最低抗擾度電平低至少6dB(典型值),并應(yīng)在對IC測量前進(jìn)行確認(rèn)。DUT應(yīng)在不上電的條件下安裝在試驗(yàn)布置中。試驗(yàn)報告應(yīng)包括對RF環(huán)境的描述。4.2.3試驗(yàn)布置的RF抗擾度對騷擾信號具有足夠的抗擾度。注：當(dāng)半導(dǎo)體器件暴露在一個打開的陶瓷IC封裝中時，甚至光照也可能影響試驗(yàn)結(jié)果。4.3試驗(yàn)發(fā)生器——未調(diào)制的RF信號(連續(xù)波);———IEC61000-4-6和IEC61000-4-3中的幅度調(diào)制RF信號；5GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015——IEC61000-4-3中的脈沖調(diào)制RF信號。4.4頻率范圍頻率范圍宜為150kHz～1GHz,但如果特定的試驗(yàn)程序可用于擴(kuò)展的頻率范圍，則頻率范圍可進(jìn)行擴(kuò)展。根據(jù)實(shí)際需要，測量的頻率范圍也可縮小。GB/T42968的每個部分規(guī)定了所適用的頻率范圍。5試驗(yàn)設(shè)備本章所描述的設(shè)備適用于GB/T42968其他部分所有的試驗(yàn)方法。特殊的設(shè)備在特定試驗(yàn)程序中說明。5.2屏蔽所需要的屏蔽取決于具體的試驗(yàn)方法、環(huán)境噪聲電平和試驗(yàn)布置中所使用的其他設(shè)備的靈敏度。一般而言，環(huán)境RF噪聲電平宜比施加的干擾信號小至少6dB,以給出足夠的裕量。可能需要屏蔽室提供足夠的衰減以保護(hù)操作人員、設(shè)備和電信業(yè)務(wù)。某些測量布置設(shè)計具備固有屏蔽。特定的測量程序見GB/T42968的其他部分。5.3試驗(yàn)發(fā)生器和功率放大器試驗(yàn)發(fā)生器應(yīng)按4.3所述提供試驗(yàn)信號，RF功率放大器應(yīng)滿足特定試驗(yàn)程序的要求。幅值特性應(yīng)是線性的，且信號失真應(yīng)小于一20dBc(雜散信號低于RF載波電平20dB)。5.4其他組件那些不在參考端口和RF測量儀器輸入端之間測量路徑上的電纜、連接器和終端，也可能影響測量6試驗(yàn)布置6.1通則試驗(yàn)布置應(yīng)與特定試驗(yàn)程序一致。應(yīng)記錄所有相關(guān)的試驗(yàn)參數(shù)，以確保試驗(yàn)結(jié)果的重現(xiàn)性。RF抗擾度試驗(yàn)使用的試驗(yàn)板取決于GB/T42968規(guī)定的測量方法。附錄B給出了關(guān)于試驗(yàn)板的一般建議。應(yīng)在試驗(yàn)報告中給出試驗(yàn)板的描述。試驗(yàn)板應(yīng)遵循特定試驗(yàn)程序中描述的布板設(shè)計規(guī)則?？箶_度試驗(yàn)中電磁環(huán)境與IC的相互作用與RF發(fā)射試驗(yàn)的相互作用類似，因此可采用類似的試驗(yàn)板。與發(fā)射試驗(yàn)通用試驗(yàn)板的不同之處在于，在抗擾度試驗(yàn)中應(yīng)監(jiān)測輸出信號，以判定IC是否受到RF騷擾的影響。6GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015 通過印制線與應(yīng)用電路板上的有源或無源器件相連的引腳，無需進(jìn)行RF抗擾度試驗(yàn)(按IEC62132-3和IEC62132-4),例如：除非制造商另有規(guī)定，否則DUT的引腳應(yīng)按表1的默認(rèn)值配置負(fù)載/終端。沒有列在表1中的引IC引腳類型引腳負(fù)載模擬電源按器件規(guī)格書輸入通過10kQ電阻器接地(V_),除非IC內(nèi)部已端接輸出信號通過10kΩ電阻器接地(V),除非IC內(nèi)部已端接輸出功率制造商規(guī)定的額定負(fù)載數(shù)字電源按器件規(guī)格書輸入接地(V),如不能接地則通過10kΩ電阻器接電源(Vm),除非IC內(nèi)部已端接輸出通過47pF電容器接地(V。)控制輸入接地(V.),如不能接地則通過10kQ電阻器接電源(V),除非IC內(nèi)部已端接輸出按器件規(guī)格書雙向通過47pF電容器接地(V)模擬按器件規(guī)格書7GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:20156.6IC的特殊要求6.6.1IC電源電壓電源電壓應(yīng)按制造商的規(guī)定，允差為±5%。6.6.2IC去耦電源去耦電容器的電容值和板上的位置應(yīng)在試驗(yàn)報告中說明。DUT每個電源引腳的去耦可根據(jù)制造商的建議。6.6.3IC工作宜盡可能充分運(yùn)行和試驗(yàn)對IC的抗擾度有顯著影響的所有相關(guān)功能。為提高試驗(yàn)速度，可使IC在一種固定模式下工作，同時騷擾信號掃描選定的試驗(yàn)頻段。DUT和RF騷擾之間的異步模式通常更適宜代表真正的運(yùn)行環(huán)境。6.6.4IC激勵指南應(yīng)明確制造商和用戶一致同意的受控參數(shù)，以確保對特定IC功能或IC類型的試驗(yàn)的復(fù)現(xiàn)性。如果被試驗(yàn)的是可編程IC,應(yīng)寫進(jìn)連續(xù)的循環(huán)軟件來保證測量是可復(fù)現(xiàn)的。應(yīng)在試驗(yàn)報告中寫明運(yùn)行IC6.6.5IC監(jiān)測在不影響抗擾度性能的前提下監(jiān)測DUT所有相關(guān)工作狀態(tài)。6.7IC時間穩(wěn)定性IC的功能表現(xiàn)應(yīng)在整個測量所需的時間內(nèi)保持穩(wěn)定，以確保在預(yù)期的測量允差范圍內(nèi)可復(fù)現(xiàn)相同的結(jié)果。7試驗(yàn)程序7.1監(jiān)測檢查7.2人體暴露在開放的RF抗擾度試驗(yàn)中(即未使用屏蔽結(jié)構(gòu)或者屏蔽殼體),應(yīng)采取預(yù)防措施確保不超過適用7.3系統(tǒng)驗(yàn)證檢查DUT的各種參數(shù)或響應(yīng)。例如：——DC輸出電壓(例如穩(wěn)壓器);——供電電流(交叉電流會隨門限電壓的改變而增加);8GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015 測量的頻率范圍通常為150kHz～1GHz,某些方法會超出此頻率范圍。試驗(yàn)頻率范圍實(shí)際上取決于注入網(wǎng)絡(luò)的截止頻率和試驗(yàn)布置(例如IC去耦)。頻率步進(jìn)大小應(yīng)按表2選擇。特定的抗擾度測量程序參見GB/T42968的其他部分。若用戶同意，對關(guān)鍵頻率(例如時鐘頻率、RF器件的系統(tǒng)頻率等)進(jìn)行試驗(yàn)時宜使用更小的頻率的品質(zhì)因數(shù)很大。1GHz以上DUT的響應(yīng)與器件的功能工作頻率(或其倍數(shù))無關(guān)，因此應(yīng)忽略它頻率范圍MHz線性步進(jìn)MHz對數(shù)步進(jìn)≤5%增量·若需要，10000MHz以上的頻率步進(jìn)按特定試驗(yàn)程序的規(guī)定所使用的騷擾信號應(yīng)與試驗(yàn)方法的要求一致，例如連續(xù)波(CW)、幅度調(diào)制信號(調(diào)制頻率為1kHz,調(diào)制深度為80%)或脈沖調(diào)制信號。GB/T42968各部分給出了騷擾信號的定義，保持RF信號的峰值功率(見圖1)或者RF載波功率9GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015 (1) (2)圖1保持RF峰值功率電平不變時的RF信號7.4.4駐留時間對每個頻率步進(jìn)和調(diào)制，駐留時間宜至少為1s或至少滿足DUT響應(yīng)的要求，例如測量系統(tǒng)的記錄時間。用戶應(yīng)定義DUT響應(yīng)。7.4.5IC的監(jiān)測應(yīng)針對所有的運(yùn)行功能都進(jìn)行專門的試驗(yàn)。應(yīng)控制試驗(yàn)信號電平的調(diào)整，以能夠檢測到DUT所有的臨界反應(yīng)(例如遲滯效應(yīng)、電平變化引起的反應(yīng))。8試驗(yàn)報告8.1通則試驗(yàn)宜根據(jù)IC試驗(yàn)大綱進(jìn)行。試驗(yàn)大綱的內(nèi)容宜包含在試驗(yàn)報告中。宜在IC試驗(yàn)大綱中定義描述具體的IC試驗(yàn)參數(shù)和需考慮的響應(yīng)。例如，IC試驗(yàn)大綱宜包含受試的IC引腳，是單獨(dú)試驗(yàn)還是一起進(jìn)行試驗(yàn)，宜使用哪個可接受的抗擾度判據(jù)(見8.3)。試驗(yàn)報告也應(yīng)包括： 應(yīng)用電路圖(電源去耦、引腳負(fù)載/端接、外圍IC等):——安裝IC的試驗(yàn)板描述(布線); IC的實(shí)際工作條件(供電電壓、輸出信號等);——使IC運(yùn)行的軟件類型的描述(適用時)。與試驗(yàn)大綱的所有偏離應(yīng)記錄在試驗(yàn)報告中。不同試驗(yàn)方法的其他特殊要求在GB/T42968的其他部分中進(jìn)行描述。8.2抗擾度限值或等級抗擾度試驗(yàn)等級、判據(jù)或限值根據(jù)應(yīng)用和功能要求進(jìn)行確定。8.3IC性能分級IC抗擾度的性能分級如下，其與電子單元的性能分級稍有不同。GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015等級A:在試驗(yàn)期間和試驗(yàn)之后，IC所有監(jiān)測功能在規(guī)定的允差范圍內(nèi)。等級B:在試驗(yàn)期間一個或多個監(jiān)測信號的短時性能降低并不能對IC進(jìn)行評價。因此，這種分類可能不適用于IC。理在大多數(shù)情況下是未知的。等級C:試驗(yàn)期間IC至少一個功能超過規(guī)定允差，但試驗(yàn)結(jié)束后能自動恢復(fù)正常。等級D:試驗(yàn)期間IC至少一個功能超過規(guī)定允差，試驗(yàn)結(jié)束后不能自動恢復(fù)正常。需要人工干預(yù)等級D2:IC通過電源的通斷恢復(fù)正常。等級E:試驗(yàn)之后IC至少一個功能超過規(guī)定允差，且不能恢復(fù)正常操作。8.4試驗(yàn)結(jié)果的說明只要在相同條件下進(jìn)行測量，結(jié)果就可直接比較。若是有意進(jìn)行比較，則器件應(yīng)運(yùn)行相同的代不期望和無法規(guī)定所有不同試驗(yàn)方法(包括不同現(xiàn)象)之間的定量相關(guān)性。然而，對于試驗(yàn)相同現(xiàn)當(dāng)已有充分的數(shù)據(jù)來確定特定應(yīng)用的IC的預(yù)期抗擾度與測量值之間的相關(guān)性，則應(yīng)在具體的試驗(yàn)方法中說明(例如產(chǎn)品的部件級或系統(tǒng)級試驗(yàn))。從IC級抗擾度到模塊級或產(chǎn)品級抗擾度的轉(zhuǎn)換涉及許多因素。通常來講，從IC到模塊的相關(guān)性僅限于相關(guān)變量都受控的特殊情況。GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015(資料性)試驗(yàn)方法比較表A.1和表A.2宜作為試驗(yàn)指南。表A.1傳導(dǎo)抗擾度試驗(yàn)方法大電流注入法射頻功率直接注入法工作臺法拉第籠法標(biāo)準(zhǔn)編號騷擾類型傳導(dǎo)傳導(dǎo)傳導(dǎo)推薦頻率范圍150kHz～1000MHz150kHz～1000MHz150kHz～1000MHz可擴(kuò)展頻率范圍可向下擴(kuò)展，由電流注入探頭決定可向上擴(kuò)展，由注入網(wǎng)絡(luò)決定沒有建議騷擾測量RF正向功率RF電壓共模騷擾可以可以可以差模騷擾可以可以否單引腳影響可以可以否多引腳影響可以可以可以試驗(yàn)板：——用于IC的比較；——用于應(yīng)用中評估專用板不適用不受限制不受限制耦合路徑的確認(rèn)需要，通過測量來確認(rèn)需要，通過測量來確認(rèn)不需要測量的復(fù)現(xiàn)性高高高IC鑒定可以可以可以是否需要在屏蔽室或屏蔽殼體內(nèi)工作是宜使用取決于(國家安全標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的)功率電平否IC抗擾度：——耗損/路徑分析；——芯片耦合(串?dāng)_)可以可以可以可以否可以GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015試驗(yàn)方法TEM/GTEM小室法IC帶狀線法表面掃描法標(biāo)準(zhǔn)編號GB/T42968.8IEC/TS62132-9騷擾類型輻射輻射輻射推薦頻率范圍(或者更高，最高18GHz)可擴(kuò)展頻率范圍可向上擴(kuò)展，由小室決定可向上擴(kuò)展，由帶狀線決定由探頭決定騷擾測量電場和磁場電場和磁場電場和磁場試驗(yàn)板：——用于IC的比較；——用于應(yīng)用中評估見附錄B不受限制見附錄B不受限制見附錄B不受限制耦合路徑的確認(rèn)不需要不需要需要，可能通過探頭定位測量的復(fù)現(xiàn)性高高高IC鑒定可以可以否是否需要在屏蔽室或屏蔽殼體內(nèi)工作否是(開放式)否(封閉式)宜使用取決于(國家安全標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的)功率電平IC抗擾度：——耗損/路徑分析；——芯片耦合(申擾)否否否否可能通過探頭定位可以可以GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015(資料性)通用試驗(yàn)板的描述B.1概述本附錄給出了通用試驗(yàn)板的設(shè)計指南。該試驗(yàn)板可用于不同制造商生產(chǎn)的各種IC的EMC性能的比較。本附錄給出了對EMC有影響的參數(shù)約束條件。B.2機(jī)械描述試驗(yàn)板的尺寸大小為100±3mm×100±3mm。在板角處可加孔，如圖B.1所示。板的所有邊緣宜鍍錫至少5mm,或者使之導(dǎo)電以便與TEM(橫電磁波)小室良好接觸(使用TEM小室時)。也可選擇板邊緣的過孔宜距離邊緣至少5mm。B.3電氣描述B.3.1概述將圖B.1作為指南。至少使用雙層板。如果功能需要，也可在其中增加第2層、第3層或更多層形成多層板。第1層可用作地平面。第4層能通過其他信號，但宜盡可能保持完整以也用作地平面。試驗(yàn)板的制作宜使得只有IC安裝在PCB一側(cè)(第1層),而所有其他的元器件和走線都在背面層(第4層)。B.3.2地平面地平面(第1層和第4層)宜通過過孔相互連接。這些過孔布置在板上位置如表B.1所述：表B.1板上過孔的位置過孔位置區(qū)域1所有圍繞著板的邊緣2只在DUT區(qū)域外(只在DUT區(qū)域的外側(cè))3只在IC區(qū)域內(nèi)部下方(只在DUT下方區(qū)域的內(nèi)側(cè))第1層的地平面宜與位置2的過孔保持電連續(xù)性，由此第1層的地平面在整個板上都保持電連續(xù)性。如果IC的封裝和可利用的空間允許，第4層也宜同樣處理。B.3.3.1概述信號的I/O端口，都宜安裝在第4層。因此有必要把I/O引腳和其他所需要的引腳從第1層引到第4GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015B.3.3.2雙列直插(DIL)封裝這些封裝宜使用過孔。這些過孔宜優(yōu)先布置在用于焊接IC焊盤的中央。為了使IC電流流過的回路面積最小，這些過孔優(yōu)先布置在表B.1的位置3處。B.3.3.4插針網(wǎng)格陣列(PGA)封裝B.3.3.5球柵陣列(BGA)封裝這些封裝宜使用過孔。電源和接地互連的過孔的位置最好按照制造商的建議。B.3.4過孔直徑位置1的所有過孔直徑為0.8mm,所有其他過孔的直徑為0.2mm。B.3.5過孔距離由于測量達(dá)到1GHz,宜控制過孔的位置。連接第1層和第4層(位置1、位置2和位置3)的過孔之間的最大橫向距離是10mm。連接信號走線的過孔宜盡可能靠近連接第1層和第4層的過孔。所有附加的元器件都宜安裝在第4層。這些元器件的安裝不宜影響第1層、第4層和層間過孔的限定條件。B.3.7電源去耦B.3.7.1概述為了獲得可復(fù)現(xiàn)的測量數(shù)據(jù)，宜根據(jù)試驗(yàn)板的規(guī)格進(jìn)行適當(dāng)?shù)碾娫慈ヱ?。試?yàn)板上的去耦電容器宜分成以下兩組。去耦電容器及其他去耦元器件的值和布局位置宜記錄在特定的試驗(yàn)報告中。B.3.7.2IC去耦電容器宜按照制造商推薦的方法對IC進(jìn)行電源去耦。如有IC去耦電容器，則宜連接到IC下方第4層的地平面上(見圖B.1),以便維持DUT的正確運(yùn)行。DUT每個電源引腳的去耦電容器的參數(shù)和布局位B.3.7.3試驗(yàn)板的電源去耦如果試驗(yàn)板電源去耦設(shè)計得不合適，則電源阻抗可能會影響測量結(jié)果。測量中可能用到各種外部B.3.8I/0負(fù)載加載或激活I(lǐng)C所需的其他元器件，以及試驗(yàn)過程中對IC進(jìn)行監(jiān)測所需的端口，都宜安裝在第4GB/TGB/T42968.1—2023/IEC單位為毫米的界線內(nèi)標(biāo)稱1.6≤0.75≤0.75GB/T42968.1—2023/IEC62132-1:2015[1]GB/T42968.8集成電路電磁抗擾度測量第8部分：輻射抗擾度測量IC帶狀線法(GB/T42968.8—2023,IEC62132-8:2012,IDT)[2]IEC60050(allparts)InternationalElectrotechnicalVocabulary(availableat<>)[3]IEC60050-161:1990InternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)—Part161:Electro-magneticcompatibility[4]IEC60050-161:1990/AMD1:1997Amendment1—InternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)—Part161:Electromagneticcompatibility[5]IEC60050-161:1990/AMD2:1998Amendment2—InternationalElectrotechnicalVocabulary[6]IEC60050-161:1990/AMD5:2015Amendment5—InternationalElectrotechnicalVocabulary[7]IEC60050-314:2001InternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)-Part314:Specifictermsaccordingtothetypeofin