GB/T 42835-2023 半導(dǎo)體集成電路 片上系統(tǒng)（SoC）（正式版）

ICS31.200國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T42835—2023本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。1半導(dǎo)體集成電路片上系統(tǒng)(SoC)本文件規(guī)定了片上系統(tǒng)(SoC)的技術(shù)要求、電測(cè)試方法和檢驗(yàn)規(guī)則。下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T4937.3半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分：外部目檢GB/TGB/TGB/TGB/TGB/TGB/T4937.13半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第13部分：鹽霧4937.14半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第14部分：引出端強(qiáng)度(引線牢固性)4937.15半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第15部分：通孔安裝器件的耐焊接熱4937.21半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第21部分：可焊性4937.23半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23部分：高溫工作壽命4937.26半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第26部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試人體模型(HBM)GB/T4937.27半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第27部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試機(jī)器模型(MM)GB/T17574—1998半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路GB/T17626.2—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)IEC60749-8半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第8部分：密封(Semiconductordevices—Me-IEC60749-9半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第9部分：標(biāo)志耐久性(SemiconductorIEC60749-28半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第28部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試帶2Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—ChargedIEC60749-36半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第36部分：穩(wěn)態(tài)加速度(Svices—Mechanicalandclimatic傳輸室和寬帶橫電磁波傳輸室法(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions,circuits—Measurementofelectromagneticemissions—Part3:Measurementofradiatedemissions—IEC61967-4集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第4部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量10/150Ω直接耦合法(Inte-gratedcircuits—Measurementofelectromagnetsions—10/150Ωdirectcouplin橫電磁波傳輸室法(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity—Part2:Meas-urementofradiatedimmunit(IntegratedcircuitsIEC62215-3集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法(Integratedcircuits—Measurementofimpulseimmunity—Part3:Non-synchronoustransientinjectionmethod)GB/T9178界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。片上系統(tǒng)(SoC)工作溫度宜為以下溫度范圍，在此溫度范圍內(nèi)片上系統(tǒng)(SoC)可以正常工作：a)0℃~70℃;b)—40℃~85℃;c)—40℃~105℃;d)—40℃~125℃;3GB/T42835—2023e)—55℃~125℃;貯存溫度范圍宜比工作溫度范圍更寬。片上系統(tǒng)(SoC)的貯存溫度宜為：-65℃~150℃。片上系統(tǒng)(SoC)應(yīng)根據(jù)特定應(yīng)用實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功能，并應(yīng)具備滿足功能需求的嵌入式軟件。其處理器、片上系統(tǒng)(SoC)宜滿足以下要求。b)提供休眠功能。c)提供復(fù)位功能。d)提供中斷機(jī)制。e)擁有1種或1種以上與外界的交互能力。掉電不損壞已有數(shù)據(jù)的完整性與正確性。g)支持完整的指令系統(tǒng)，所有功能模h)保證程序數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)不被非法用戶獲取。滿足應(yīng)用場(chǎng)景要求。5.1一般說明a)相對(duì)濕度：25%～75%(適用時(shí));a)環(huán)境溫度；b)電源電壓；c)輸入數(shù)字波形激勵(lì)；d)期望輸出波形；4GB/T42835—2023e)電壓或電流條件；片上系統(tǒng)(SoC)的電測(cè)試不限定測(cè)試方式和設(shè)備，但是推薦在集成電路自動(dòng)測(cè)試機(jī)(ATE)上進(jìn)行。當(dāng)片上系統(tǒng)(SoC)功能需要配置外圍電路才能進(jìn)行驗(yàn)證時(shí)，應(yīng)設(shè)計(jì)必要的仿真驗(yàn)證電路板完成板級(jí)測(cè)試。必要時(shí)，片上系統(tǒng)(SoC)應(yīng)采取可測(cè)性設(shè)計(jì)。測(cè)試所使用的向量宜有產(chǎn)生該向量的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具生成的統(tǒng)計(jì)報(bào)告，在報(bào)告中應(yīng)具有EDA工具對(duì)向量實(shí)現(xiàn)的測(cè)試覆蓋率的統(tǒng)計(jì)。靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性應(yīng)按照GB/T17574—1998第IV篇的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。5.5功能測(cè)試a)運(yùn)行測(cè)試：在片上系統(tǒng)(SoC)上電過程中施加標(biāo)稱電平范圍以內(nèi)的電壓，工作過程中電平可以定義的各項(xiàng)功能。b)休眠測(cè)試：能通過特定指令使片上系統(tǒng)(SoC)進(jìn)入休眠狀態(tài)(休眠狀態(tài)下片上系統(tǒng)(SoC)對(duì)命令的執(zhí)行及運(yùn)行功耗明顯區(qū)別于正常工作狀態(tài)),且能通過特定指令使片上系統(tǒng)(SoC)結(jié)束休c)交互測(cè)試：針對(duì)片上系統(tǒng)(SoC)支持的交互方法所包含的各種交互協(xié)議進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果能明確表達(dá)交互是否成功。d)存儲(chǔ)測(cè)試：通過指令完成存儲(chǔ)器特定數(shù)據(jù)的寫入與讀出功能驗(yàn)證，并在存儲(chǔ)器操作的任意時(shí)e)數(shù)據(jù)安全測(cè)試：驗(yàn)證片上系統(tǒng)(SoC)保存的數(shù)據(jù)是否能夠抵御功耗分析(功耗分析指通過大量算法運(yùn)行實(shí)例來觀察電流變化從而歸納出用戶關(guān)鍵數(shù)據(jù))。按規(guī)定啟動(dòng)BootLoader,應(yīng)能通過全部可用接口完成所有指令檢測(cè)。通過并發(fā)程序(多進(jìn)程程序)在多核CPU上運(yùn)行的時(shí)間判斷其同構(gòu)核的數(shù)量。5GB/T42835—2023采用周期法測(cè)算CPU核的頻率。常跳轉(zhuǎn)執(zhí)行中斷程序。入復(fù)位狀態(tài)。將與內(nèi)部非易失性存儲(chǔ)器可用空間大小相同的數(shù)據(jù)下載到內(nèi)部非易失性存儲(chǔ)器空間，寫入后校驗(yàn)確定內(nèi)部隨機(jī)存取存儲(chǔ)器程序占用空間及剩余空間，指定地址將數(shù)據(jù)寫入內(nèi)部隨機(jī)存取存儲(chǔ)器剩按規(guī)定通過片上系統(tǒng)(SoC)的一種通信接口向片上系統(tǒng)(SoC)內(nèi)部存儲(chǔ)器寫入特征數(shù)據(jù)，通過另一通過驗(yàn)證被測(cè)接口與標(biāo)準(zhǔn)接口設(shè)備或被測(cè)接口之間的數(shù)據(jù)收發(fā)的功能確認(rèn)接口功能是否正常。通過測(cè)量被測(cè)接口的電參數(shù)確認(rèn)接口電參數(shù)是否符合要求。6檢驗(yàn)規(guī)則6.2質(zhì)量評(píng)定類別a)I類：該類的批符合A組和B組逐批檢驗(yàn)要求以及C組周期檢驗(yàn)要求；b)Ⅱ類：該類的批符合A組和B組逐批檢驗(yàn)要求以及C組和D組周期檢驗(yàn)要求；c)Ⅲ類：該類的批需進(jìn)行100%篩選，并符合A組和B組逐批檢驗(yàn)要求以及C組和D組周期檢驗(yàn)要求。6GB/T42835—2023抽樣應(yīng)按表1和表2的規(guī)定進(jìn)行。分組LTPD"AQLI類Ⅲ類I類Ⅲ類A1A2A2aA2bA3A3aA3bA4A4aA4b715333233577333233577ⅡⅡⅡ—ⅡⅡⅡⅡⅡⅡⅡⅡⅡLTPD指批允許不合格品率，最大合格判定數(shù)為4。分組I類Ⅲ類篩選等級(jí)AⅡ類和Ⅲ類篩選等級(jí)B和DD13～D19(不適用)555“LTPD指批允許不合格品率，最大合格判定數(shù)為2。指器件引出端數(shù)，分配給至少4只器件。7GB/T42835—2023質(zhì)量一致性檢驗(yàn)由本文件規(guī)定的A組(見表3)、B組組(見表6)檢驗(yàn)組成。分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)或條件極限值A(chǔ)1外部目檢GB/T4937.3A225℃下功能驗(yàn)證A2"最高工作溫度下功能驗(yàn)證(不適用于I類)"A2b最低工作溫度下功能驗(yàn)證(不適用于I類)#TA=TA(min)或Tc=Te(min)A325℃下靜態(tài)特性—A3a最高工作溫度下靜態(tài)特性極限值可以與A3分組不同A3b最低工作溫度下靜態(tài)特性TA=TA(min)或Tc=Tc(min)極限值可以與A3分組不同A425℃下動(dòng)態(tài)特性A4a最高工作溫度下動(dòng)態(tài)特性(不適用于I類)“極限值可以與A4分組不同A4b最低工作溫度下動(dòng)態(tài)特性(不適用于I類)"TA=TA(min)或Tc=Tc(min)極限值可以與A4分組不同如果制造廠商能定期證明2個(gè)極限溫度下的試驗(yàn)結(jié)果與25℃下的試驗(yàn)結(jié)果相關(guān)，則可使用25℃下的結(jié)果。8GB/T42835—2023分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)條件尺寸—可焊性(D)按規(guī)定(僅適用于空封器件)密封非空封器件和環(huán)氧封接的空封器件溫度快速變化隨后：·外部目檢·強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱按規(guī)定10次循環(huán)，貯存溫度范圍130℃,相對(duì)濕度85%,96h;110℃,相對(duì)濕度85%,264h;壽命電測(cè)試件按詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定放行批證明記錄就B4、B5和B8分組提供計(jì)數(shù)檢測(cè)結(jié)果分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)條件尺寸C2cESD(D)HBMMMCDM電測(cè)試GB/T4937.26GB/T4937.27IEC60749-28按規(guī)定按規(guī)定按規(guī)定引出端強(qiáng)度(D)GB/T4937.14按相應(yīng)封裝的規(guī)定耐焊接熱GB/T4937.15按規(guī)定9GB/T42835—2023分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)條件溫度快速變化a)空封器件溫度快速變化隨后：電測(cè)試密封b)非空封器件和環(huán)氧封接的空封器件(D)溫度快速變化隨后：外部目檢強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱電測(cè)試GB/T4937.11GB/T4937.11GB/T4937.3GB/T4937.4100次循環(huán)，貯存溫度范圍按規(guī)定500次循環(huán)，貯存溫度范圍130℃,相對(duì)濕度85%,96h;110℃,相對(duì)濕度85%,264h;C5a鹽霧GB/T4937.13恒定加速度(對(duì)空封器件)IEC60749-36按規(guī)定穩(wěn)態(tài)濕熱a)空封器件b)非空封器件和環(huán)氧封接的空封器件(D)隨后：電測(cè)試IEC60749-24IEC60749-24嚴(yán)酷度：I類21d,Ⅱ類和Ⅲ類56d;嚴(yán)酷度：I類500h,Ⅱ類和Ⅲ類1000h壽命電測(cè)試GB/T4937.23最高工作溫度，時(shí)間：1000h,偏置條件按詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定高溫貯存電測(cè)試1000h,T,最大值C11標(biāo)志耐久性CRRL放行批證明記錄—就C3、C4、C6、C7和C11分組提供計(jì)數(shù)檢查結(jié)果C組檢驗(yàn)半年進(jìn)行一次。GB/T42835—2023分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)條件D8壽命(I類不適用)電測(cè)試GB/T4937.23時(shí)間：4000h,條件按詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定D13電磁抗擾度-輻射抗擾度(橫電磁波傳輸室和寬帶橫電磁波傳輸室法)試驗(yàn)頻率范圍、干擾場(chǎng)強(qiáng)條件按詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定D14電磁抗擾度(射頻功率直接注入試驗(yàn)頻率范圍、干擾信號(hào)功率強(qiáng)度條件按詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定D15脈沖抗擾度(非同步瞬態(tài)注入干擾波形按GB/T17626.4—2018駐留時(shí)間、電壓強(qiáng)度等級(jí)、頻率按詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定D16靜電放電抗擾度靜電波形按GB/T17626.2—2018每個(gè)管腳放電一次，電壓等級(jí)要