JBT 11611-2013 無(wú)損檢測(cè)儀器 渦流-磁記憶綜合檢測(cè)儀

無(wú)損檢測(cè)儀器渦流-磁記憶綜合檢測(cè)儀前言 12規(guī)范性引用文件 1 14要求 1 4.2基本參數(shù) 2 25試驗(yàn)條件與儀器儀表 65.1試驗(yàn)條件 6 66性能試驗(yàn) 6 66.2渦流性能試驗(yàn) 66.3磁記憶性能試驗(yàn) 76.4耐溫試驗(yàn) 86.5耐濕試驗(yàn) 96.6運(yùn)輸試驗(yàn) 9 9 97.2型式試驗(yàn) A.2人工缺陷 附錄B(資料性附錄)渦流檢測(cè)B型校準(zhǔn)試塊 B.2人工缺陷 3 4 5 6 8圖A.1A型校準(zhǔn)試塊 表1耐溫耐濕試驗(yàn)參數(shù) 表2基本環(huán)境條件 5表3出廠檢驗(yàn)及型式試驗(yàn)項(xiàng)目 9無(wú)損檢測(cè)儀器渦流-磁記憶綜合檢測(cè)儀GB/T2611—2007試驗(yàn)機(jī)通用技術(shù)要求GB/T12604.6無(wú)損檢測(cè)術(shù)語(yǔ)渦流檢測(cè)GB/T12604.10無(wú)損檢測(cè)術(shù)語(yǔ)磁記憶檢測(cè)JB/T6147—2007試驗(yàn)機(jī)包裝、包裝標(biāo)志、儲(chǔ)運(yùn)技術(shù)要求JB/T9329—1999儀器儀表運(yùn)輸運(yùn)輸貯存基本環(huán)境條件及試驗(yàn)方法a)環(huán)境溫度-25℃~55℃;b)相對(duì)濕度不大于80%;c)電源電壓在(220±22)V以內(nèi)；d)電源頻率為(50±1)Hz。23相位最大線性示值偏差應(yīng)不大于0.5°增益標(biāo)稱值與測(cè)量值間的最大線性偏差應(yīng)不大于1dB。最大激勵(lì)電壓是指當(dāng)發(fā)生器輸出不加載荷且將其輸出電壓調(diào)整到最大時(shí)的峰-峰值電壓，該電壓應(yīng)不小于5V。磁記憶檢測(cè)的磁場(chǎng)測(cè)量的相對(duì)誤差應(yīng)不大于5%。磁記憶檢測(cè)的位置測(cè)量的相對(duì)誤差應(yīng)不大于5%。磁記憶檢測(cè)的磁場(chǎng)測(cè)量范圍至少為±1000A/m。磁記憶檢測(cè)的噪聲應(yīng)不大于5A/m。應(yīng)至少具有2個(gè)檢測(cè)通道。4磁記憶檢測(cè)應(yīng)至少具有時(shí)基掃描顯示方式，如圖2a)所示。推薦儀器具有陰影顯示方式及疊合顯磁記憶檢測(cè)傳感器的位置分辨力應(yīng)不低于1儀器應(yīng)具有渦流檢測(cè)信號(hào)與磁記憶檢測(cè)信號(hào)同時(shí)檢測(cè)、綜合處理、同屏顯示功能，如圖3所示。必儀器的外觀質(zhì)量要求應(yīng)符合GB/T2611—2007中第10章的規(guī)定。儀器按表1規(guī)定的參數(shù)進(jìn)行耐溫耐濕試驗(yàn)，試驗(yàn)后各項(xiàng)性能指標(biāo)應(yīng)滿足要求。表1耐溫耐濕試驗(yàn)參數(shù)℃保持時(shí)間h℃保持時(shí)間h降溫速度%保持時(shí)間h88儀器在包裝后應(yīng)符合表2中規(guī)定的各項(xiàng)運(yùn)輸試驗(yàn)。試驗(yàn)后儀器的各項(xiàng)性能指標(biāo)應(yīng)滿足要求。552.P2F1渦流時(shí)基磁記憶顯示渦流阻抗1℃2℃3相對(duì)濕度(25℃)%4脈沖持續(xù)時(shí)間5100(正常搬動(dòng))底面棱邊長(zhǎng)度不大于500mm時(shí)傾角6b)信號(hào)發(fā)生器：幅度誤差不大于2%,頻率誤差不大于0.1%;渦流磁記憶綜合傳感器切換開(kāi)關(guān)稱值的誤差由公式(1)計(jì)算確定： (1)相位最大線性偏差由公式(2)確定： 實(shí)際增益值E見(jiàn)通過(guò)公式(3),單位為分貝(dB)。E?=201g(V?IV?)………… (5)86.3.2位置測(cè)量相對(duì)誤差試驗(yàn)位置測(cè)量相對(duì)誤差試驗(yàn)步驟如下：a)磁記憶數(shù)據(jù)校準(zhǔn)設(shè)為“大地磁場(chǎng)”;b)測(cè)長(zhǎng)計(jì)數(shù)顯示設(shè)為“開(kāi)”;c)將小車放置在帶有精確刻度的軌道上，軌道長(zhǎng)500mm,如圖5所示。沿著軌道從刻度為0mm的地方開(kāi)始移動(dòng)，當(dāng)走到軌道500mm的地方，記錄此時(shí)屏幕上顯示的測(cè)量長(zhǎng)度S[單位為毫位置測(cè)量的相對(duì)誤差計(jì)算方法見(jiàn)公式(6): (6)6.3.3噪聲試驗(yàn)噪聲試驗(yàn)步驟如下：a)將儀器放置在磁屏蔽箱中；b)磁記憶數(shù)據(jù)校準(zhǔn)設(shè)為“大地磁場(chǎng)”;c)將探頭歸一化之后，把探頭放置在與歸一化磁場(chǎng)方向垂直的水平位置，則此時(shí)測(cè)出來(lái)的數(shù)值Hp就是磁記憶檢測(cè)的噪聲。6.3.4位置分辨力試驗(yàn)位置分辨力試驗(yàn)步驟如下：a)磁記憶數(shù)據(jù)校準(zhǔn)設(shè)為“大地磁場(chǎng)”;b)測(cè)長(zhǎng)計(jì)數(shù)顯示設(shè)為“開(kāi)”;c)將小車沿放置如圖5所示的軌道上，從軌道的0m的地方開(kāi)始移動(dòng)，當(dāng)走到鋼直尺上L[單位為毫米(mm)]的位置時(shí)，記錄采樣點(diǎn)數(shù)N。小小車移動(dòng)軌道磁記憶探頭小車0圖5磁記憶探頭小車移動(dòng)軌道示意圖位置分辨力計(jì)算方法見(jiàn)公式(7):6.4耐溫試驗(yàn)6.4.1概述在進(jìn)行耐溫試驗(yàn)時(shí)，高、低溫箱內(nèi)的溫度應(yīng)保持恒定均勻，溫差不超過(guò)±3℃,箱內(nèi)空間至少應(yīng)為被檢儀器的3倍。為防止?jié)穸鹊挠绊?，在不影響耐溫試?yàn)的條件下，必要時(shí)，宜采取對(duì)高、低溫箱密封或注入干燥空氣等措施。9出廠檢驗(yàn)1√√2目視檢測(cè)√√3目視檢測(cè)√√4目視檢測(cè)√√5目視檢測(cè)√√6渦流靈敏度√√7√√8渦流增益準(zhǔn)確度√√9√√√√√√磁記憶磁場(chǎng)測(cè)量范圍目視檢測(cè)√√√√目視檢測(cè)√√磁記憶背景磁場(chǎng)抑制目視檢測(cè)√√出廠檢驗(yàn)型式試驗(yàn)?zāi)恳暀z測(cè)√√目視檢測(cè)√√日視檢測(cè)√√磁記憶位置分辨力√√目視檢測(cè)√√√√√c)正式生產(chǎn)后，每3年進(jìn)行1次檢驗(yàn)；8.2包裝A.2.2人工缺陷的尺寸(長(zhǎng)、寬、深)位置如圖A.1所示。锪平φ2(深=壁厚