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ICS25.160.40GB/T3323.2—2019焊縫無(wú)損檢測(cè)射線檢測(cè)第2部分:使用數(shù)字化探測(cè)器的X和伽瑪射線技術(shù)(ISO17636-2:2013,MOD)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)GB/T3323.2—2019 I 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語(yǔ)和定義 14符號(hào)和縮略語(yǔ) 4 6 77推薦的數(shù)字射線檢測(cè)技術(shù) 98檢測(cè)報(bào)告 附錄A(規(guī)范性附錄)最低像質(zhì)值 附錄B(規(guī)范性附錄)基本空間分辨率的確定 附錄C(規(guī)范性附錄)對(duì)接環(huán)焊縫100%數(shù)字射線檢測(cè)的推薦曝光次數(shù) 附錄D(規(guī)范性附錄)CR技術(shù)最小灰度值測(cè)定方法 附錄E(資料性附錄)關(guān)于灰度值論述 45 46GB/T3323.2—2019本部分為GB/T3323的第2部分。本部分使用重新起草法修改采用ISO17636-2:2013《焊縫無(wú)損檢測(cè)射線將6.9調(diào)整至6.7,其他順延。●用等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的GB/T12604.2代替了ISO5576(見第3章);●用等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的GB/T9445代替了ISO9712(見6.9);●用等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的GB/T23901.4代替了ISO19232-4(見6.7);●用等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的GB/T23901.5代替了ISOI1GB/T3323.2—2019焊縫無(wú)損檢測(cè)射線檢測(cè)第2部分:使用數(shù)字化探測(cè)器的X和伽瑪射線技術(shù)1范圍術(shù)與采用數(shù)字陣列探測(cè)器(DDA)的數(shù)字成像(DR)技術(shù)對(duì)金屬材料焊接接頭進(jìn)行X和伽瑪射線數(shù)字檢本部分適用于采用存儲(chǔ)熒光成像板(IP板)的CR技術(shù)與采用數(shù)字陣列探測(cè)器(DDA)的DR技GB/T9445無(wú)損檢測(cè)人員資格鑒定與認(rèn)證(GB/T9445—2015,ISO9712:2012,IDT)GB/T12604.2無(wú)損檢測(cè)術(shù)語(yǔ)射線照相檢測(cè)(GB/T12604.2—2005,ISO5576:1997,IDT)GB/T12604.11無(wú)損檢測(cè)術(shù)語(yǔ)X射線數(shù)字成像檢測(cè)GB/T23901.1無(wú)損檢測(cè)射線照相檢測(cè)圖像質(zhì)量第1部分:線型像質(zhì)計(jì)像質(zhì)值的測(cè)定(GB/T23901.1—2019,ISO19232-1:2013,IDT)GB/T23901.2無(wú)損檢測(cè)射線照相檢測(cè)圖像質(zhì)量第2部分:階梯孔型像質(zhì)計(jì)像質(zhì)值的測(cè)定(GB/T23901.2—2019,ISO19232-2:2013,IDT)GB/T23901.4無(wú)損檢測(cè)射線照相檢測(cè)圖像質(zhì)量第4部分:像質(zhì)值和像質(zhì)表的實(shí)驗(yàn)評(píng)價(jià)(GB/T23901.4—2019,ISO19232-4:2013,IDT)GB/T23901.5無(wú)損檢測(cè)射線照相檢測(cè)圖像質(zhì)量第5部分:雙線型像質(zhì)計(jì)圖像不清晰度和空間分辨率的測(cè)定(GB/T23901.5—2019,ISO19232-5:2018,IDT)GB/T25758(所有部分)無(wú)損檢測(cè)工業(yè)X射線系統(tǒng)焦點(diǎn)特性ISO16371-1:2011無(wú)損檢測(cè)存儲(chǔ)熒光成像板工業(yè)計(jì)算機(jī)射線檢測(cè)第1部分:系統(tǒng)分類(Non-destructivetesting—Industrialcomputedradiographywithstoragephosphorimagingplates—Part1:Classificationofsystems)EN12679無(wú)損檢測(cè)射線檢測(cè)工業(yè)射線伽瑪源尺寸的確定(Non-destructivetesting—Radio-graphictesting—Determinationofthesizeofindustrialradiographicgammasources)2GB/T3323.2—2019存儲(chǔ)熒光成像板系統(tǒng)storagephosphorimagingplatesystem由存儲(chǔ)熒光成像板(IP板)和將IP板的存儲(chǔ)信息轉(zhuǎn)換為數(shù)字圖像的讀出單元(掃描儀或讀取器)組IP板一種可吸收并存儲(chǔ)被檢測(cè)物體射線透照信息形成潛在圖像的光激發(fā)射熒光材料,當(dāng)受到適當(dāng)波長(zhǎng)的光激勵(lì)時(shí),將會(huì)釋放出與所吸收存儲(chǔ)射線能量成比例的熒光。作為探測(cè)器,焦距為射線源到探測(cè)器的距離(SDD)。DDA系統(tǒng)將接收的散射或透射射線形成離散的模擬信號(hào),然后對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行模/數(shù)轉(zhuǎn)換,并傳遞到計(jì)算機(jī)處理顯示為對(duì)應(yīng)入射射線能量分布變化的數(shù)字圖像轉(zhuǎn)化裝置。成像板結(jié)構(gòu)噪聲structurenoiseofimagingplateIP板結(jié)構(gòu)噪聲由成像板的感光層(粒度)和表面涂層的不均勻結(jié)構(gòu)形成的噪聲。注:成像板曝光后掃描時(shí),不均勻性顯示作為固定圖樣噪聲出現(xiàn)在數(shù)字圖像中。該噪聲限制了CR數(shù)字圖像可達(dá)到的最高圖像質(zhì)量,類似于膠片圖像的顆粒度。數(shù)字陣列探測(cè)器結(jié)構(gòu)噪聲structurenoiseofdigitaldetectorarrayDDA結(jié)構(gòu)噪聲由陣列探測(cè)器單元(像素)的特性差異產(chǎn)生的噪聲。注:當(dāng)對(duì)未經(jīng)過校準(zhǔn)的DDA探測(cè)器曝光讀出時(shí),DDA探測(cè)器單元的特性差異將作為固定圖樣噪聲出現(xiàn)在數(shù)字圖校準(zhǔn),以降低數(shù)字圖像的結(jié)構(gòu)噪聲?;叶戎礸reyvalue數(shù)字圖像中的某個(gè)像素單元所吸收的射線能量數(shù)字化的灰度數(shù)值。線性灰度值linearizedgreyvalue與探測(cè)器一個(gè)像素單元上所接收曝光量成正比的灰度數(shù)值,如果探測(cè)器沒有被曝光,則數(shù)值為零。數(shù)字探測(cè)器本身數(shù)字圖像上所測(cè)定的不清晰度值的1/2,且對(duì)應(yīng)于有效像素尺寸,表示數(shù)字探測(cè)器在放大倍數(shù)為1時(shí)數(shù)字圖像中可顯示分辨的最小幾何細(xì)節(jié)。注1:測(cè)定時(shí),雙絲型像質(zhì)計(jì)直接放置在DDA或IP板上。注2:不清晰度值是通過GB/T23901.5測(cè)出的,也可通過ASTME10001]和ASTME27362測(cè)出。3GB/T3323.2—2019工件檢測(cè)獲得數(shù)字圖像中所測(cè)定圖像的不清晰度值的1/2,且對(duì)應(yīng)于有效像素尺寸,表示數(shù)字探測(cè)器在一定放大倍數(shù)下數(shù)字圖像中可顯示分辨的最小幾何細(xì)節(jié)。注1:測(cè)定時(shí),雙絲型像質(zhì)計(jì)直接放置在被檢測(cè)工件(射線源側(cè))表面上。注2:不清晰度值是通過GB/T23901.5測(cè)出的,也可通過ASTME10001和ASTME27362]測(cè)出。信噪比signal-to-noiseratio數(shù)字圖像指定區(qū)域內(nèi),線性灰度值的平均值與線性灰度值的標(biāo)準(zhǔn)差(噪聲)的比值。歸一化信噪比normalizedsignal-to-noiseratio從數(shù)字圖像中直接測(cè)量,或由測(cè)量的信噪比SNRmeasuca按式(1)經(jīng)歸一化計(jì)算得到,即,由基本空間分辨率SR,歸一化的信噪比。88.6——常數(shù)。CNR注:對(duì)比度噪聲比是描述圖像質(zhì)量的要素之一,取決于檢測(cè)產(chǎn)品的射線衰減系數(shù)和信噪比。要獲得高質(zhì)量的數(shù)字圖像,除具有一定的對(duì)比度噪聲比外,還需要有足夠的不清晰度或基本空間分辨率。88.6——常數(shù)。注:混疊常呈現(xiàn)為鋸齒狀或階梯狀的線或波紋圖案。群核像素clusterkernelpixel注:關(guān)于壞像素和CKP的詳細(xì)內(nèi)容參見ASTME2597[3(ASTME2597[3]定義了7種單個(gè)壞像素和5種壞像素群,4GB/T3323.2—20193.16t不考慮制造偏差的母材名義厚度。3.17W按材料公稱厚度確定的射線透照方向上的材料厚度。3.18穿透厚度差penetrationthicknesschange由于射線透照角度的影響,射線實(shí)際穿透厚度相對(duì)于公稱厚度的差值。3.19工件一探測(cè)器距離object-to-detectordistanceb沿射線束中心線測(cè)出的射線源側(cè)被檢工件表面至探測(cè)器表面的距離。3.20源尺寸sourcesized射線源尺寸或射線管焦點(diǎn)尺寸。3.21射線源一工件距離source-to-objectdistancef沿射線束中心線測(cè)出的射線源(或焦點(diǎn))至射線源側(cè)被檢工件表面的距離。3.22射線源—探測(cè)器距離source-to-detectordistance沿射線束方向測(cè)出的射線源(或焦點(diǎn))至探測(cè)器表面的距離。3.23管或筒的外圓直徑。3.24幾何放大倍數(shù)geometricmagnificationV射線源至探測(cè)器距離(SDD)與射線源至工件距離(f)的比值。4符號(hào)和縮略語(yǔ)表1給出的符號(hào)和縮略語(yǔ)適用于本文件。5GB/T3323.2—2019表1符號(hào)和縮略語(yǔ)b工件一探測(cè)器距離射線源側(cè)被檢工件表面至探測(cè)器的垂直距離CKP群核像素CNR對(duì)比度噪聲比CNRx歸一化對(duì)比度噪聲比計(jì)算機(jī)射線照相技術(shù)D探測(cè)器DDA數(shù)字陣列探測(cè)器外徑d源尺寸f射線源一工件距離射線源至被檢工件表面的垂直距離灰度值GVi線性灰度值存儲(chǔ)熒光成像板像質(zhì)計(jì)S射線源射線源—探測(cè)器距離信噪比歸一化信噪比用靠近探測(cè)器的雙絲型像質(zhì)計(jì)測(cè)定的基本空間分辨率SR,detector探測(cè)器基本空間分辨率SR,image圖像空間分辨率t公稱厚度穿透厚度差幾何不清晰度探測(cè)器系統(tǒng)固有不清晰度,在雙絲型像質(zhì)計(jì)直接放置于探測(cè)器表面獲得的數(shù)字圖像上測(cè)量uim圖像不清晰度,在雙絲型像質(zhì)計(jì)直接放置于源側(cè)工件表面獲得的數(shù)字圖像上測(cè)量總不清晰度,包括幾何不清晰度和固有不清晰度,在工件表面帶有雙絲型像質(zhì)計(jì)的探測(cè)器獲得的數(shù)字圖像上測(cè)量v幾何放大倍數(shù)w透照厚度65射線檢測(cè)技術(shù)分級(jí)和補(bǔ)償規(guī)則5.1技術(shù)等級(jí)射線檢測(cè)技術(shù)分為兩個(gè)等級(jí):——A級(jí):基本技術(shù);當(dāng)A級(jí)技術(shù)的靈敏度不能滿足要求時(shí),采用B級(jí)技術(shù)。存在比B級(jí)更優(yōu)的技術(shù),當(dāng)使用更優(yōu)的技術(shù)時(shí),由合同各方在文件中規(guī)定全部適宜的檢測(cè)參數(shù)。數(shù)字射線檢測(cè)技術(shù)的選擇應(yīng)由合同各方商定。數(shù)字射線的A級(jí)、B級(jí)技術(shù)與射線照相的A級(jí)、B級(jí)技術(shù)應(yīng)具有同等的缺陷的可識(shí)別性。可識(shí)別性應(yīng)采用GB/T23901.1、GB/T23901.2、GB/T23901.5規(guī)定的像質(zhì)計(jì)驗(yàn)證。當(dāng)由于技術(shù)或結(jié)構(gòu)原因不能滿足B級(jí)技術(shù)的透照條件時(shí)(例如射線源類型、射線源—工件距離等),經(jīng)合同各方商定,可選用A級(jí)技術(shù)規(guī)定的透照條件,其靈敏度損失應(yīng)采取補(bǔ)償措施。對(duì)于CR檢測(cè)技術(shù),應(yīng)提高最小灰度值和SNR、補(bǔ)償;對(duì)DDA檢測(cè)技術(shù),應(yīng)增加SNR、(推薦提高1.4倍SNRx)補(bǔ)償。若達(dá)到了B級(jí)技術(shù)規(guī)定的像質(zhì)計(jì)靈敏度,可認(rèn)為工件是按B級(jí)技術(shù)透照的。針對(duì)7.1.4和7.1.5的透照布置,若按7.6減小射線源一探測(cè)器的距離,則無(wú)需按上述方法進(jìn)行靈敏度補(bǔ)償。5.2補(bǔ)償規(guī)則補(bǔ)償規(guī)則分為補(bǔ)償規(guī)則I(CPI)、補(bǔ)償規(guī)則Ⅱ(CPⅡ)和補(bǔ)償規(guī)則Ⅲ(CPⅢ)(見5.2.2~5.2.4),以保證數(shù)字探測(cè)器達(dá)到足夠的對(duì)比度,從而提高檢測(cè)靈敏度。使用補(bǔ)償規(guī)則的目的在于獲得最小的CNR~/△w,即,基于可檢材料厚度差△w的探測(cè)器歸一化基本空間分辨率;當(dāng)CNR、/△w因下列某個(gè)參數(shù)值不足而未達(dá)到要求時(shí),可通過提高SNR進(jìn)行補(bǔ)償。針對(duì)對(duì)比度不足(如由于管電壓增高造成),通過提高SNR進(jìn)行補(bǔ)償(如通過增加管電流或曝光時(shí)間)。針對(duì)探測(cè)器固有不清晰度大(SR,值大于規(guī)定值),通過提高SNR進(jìn)行補(bǔ)償(通過增加常規(guī)絲型像質(zhì)值(或階梯孔型像質(zhì)值),補(bǔ)償雙絲型像質(zhì)計(jì)識(shí)別損失(不清晰度引起的對(duì)比度損失)。針對(duì)探測(cè)器局部不清晰度偏大(壞像素修正引起的不清晰度增加),通過提高SNR進(jìn)行補(bǔ)償(具體情況可通過工藝試驗(yàn)確定)。5.2.5補(bǔ)償理論補(bǔ)償規(guī)則基于小尺寸缺陷(△w<<w)的近似式(3)。7GB/T3323.2—2019pe——有效衰減系數(shù)。6通則6.1輻射安全防護(hù)措施。6.2表面處理與檢測(cè)時(shí)機(jī)覆層。6.3數(shù)字圖像上焊縫定位6.4數(shù)字圖像標(biāo)識(shí)6.5工件標(biāo)記若材料性質(zhì)或使用條件不允許在工件表面上作永久性標(biāo)記時(shí),可通過透照示意圖或拍照等方式6.7最低像質(zhì)值金屬材料焊縫數(shù)字射線檢測(cè)的最低像質(zhì)值要求見附錄A中表A.1~表A.14。其他材料數(shù)字射線——使用Ir192,10mm<w≤25mm,允許像質(zhì)值減1;——使用Se75,5mm<w≤12mm,允許像質(zhì)值減1?!褂肐r192,10mm<w≤24mm,允許像質(zhì)值減2;8GB/T3323.2—2019——使用Ir192,24mm<w≤30mm,允許像質(zhì)值減1;——使用Se75,5mm<w≤24mm,允許像質(zhì)值減1?!褂肐r192,10mm<w≤40mm,允許像質(zhì)值減1;——使用Se75,5mm<w≤20mm,允許像質(zhì)值減1。6.8像質(zhì)計(jì)的類型與使用采用GB/T23901.1(絲型像質(zhì)計(jì))、GB/T23901.2(階梯孔型像質(zhì)計(jì))或GB/T23901.5(雙絲型像質(zhì)計(jì))測(cè)定數(shù)字射線檢測(cè)圖像質(zhì)量。為確定數(shù)字探測(cè)器系統(tǒng)的基本空間分辨率,驗(yàn)證系統(tǒng)硬件是否符合表A.13和表A.14要求,需要一個(gè)參照?qǐng)D像。該圖像按附錄B制作,雙絲型像質(zhì)計(jì)應(yīng)直接放置在數(shù)字探測(cè)器表面上。在工件射線源側(cè)表面上,圖像空間分辨率的測(cè)定按附錄B執(zhí)行,所測(cè)定的圖像空間分辨率值對(duì)應(yīng)透照厚度應(yīng)滿足表A.13或表A.14的規(guī)定,單壁單影透照時(shí)的透照厚度對(duì)應(yīng)于工件的公稱厚度,雙壁雙影透照(圖11或圖12)檢測(cè)時(shí),雙絲型像質(zhì)計(jì)放置于管射線源側(cè)表面上,以管外徑為透照厚度,按表A.13或表A.14確定所測(cè)定的圖像空間分辨率是否滿足要求;用于雙壁雙影透照檢測(cè)的數(shù)字探測(cè)器的基本空間分辨率測(cè)定值,應(yīng)不低于以管壁厚兩倍作為透照厚度所對(duì)應(yīng)的表A.13或表A.14規(guī)定值。當(dāng)采用幾何放大透照布置時(shí)(見7.7),如果放大倍數(shù)大于1.2,則工件焊縫檢測(cè)的全部圖像都應(yīng)放置雙絲型像質(zhì)計(jì)測(cè)定圖像空間分辨率。圖像的行或列成45°,則得到的像質(zhì)值應(yīng)減少1。采用GB/T23901.1(絲型像質(zhì)計(jì))或GB/T23901.2(階梯孔型像質(zhì)計(jì))驗(yàn)證和評(píng)定數(shù)字圖像的對(duì)比示在灰度值或SNRx均勻的數(shù)字圖像中。按7.1.6和7.1.7的透照布置曝光時(shí),絲型像質(zhì)計(jì)可采用7.1.6和7.1.7透照布置時(shí),像質(zhì)計(jì)可放置于射線源側(cè)或數(shù)字探測(cè)器側(cè)。只有當(dāng)像質(zhì)計(jì)無(wú)法放時(shí)使用的數(shù)字探測(cè)器前端安裝了濾波器,則像質(zhì)計(jì)應(yīng)放置在濾波器前面。雙壁透照且像質(zhì)計(jì)放在數(shù)字探測(cè)器側(cè)時(shí),不必作對(duì)比試驗(yàn)。此時(shí)像質(zhì)值按表A.9~表A.12確定。9GB/T3323.2—2019如果采取相關(guān)措施能保證,相同被檢工件或區(qū)域透照部位是以相同的透照參數(shù)和透照技術(shù)進(jìn)行數(shù)體的圖像對(duì)比度靈敏度確定要求宜由合同各方商定。間隔放置至少三個(gè)像質(zhì)計(jì)。6.9人員資格按本部分實(shí)施射線檢測(cè)的人員,應(yīng)按GB/T9445或合同各方商定后進(jìn)行資格鑒定與認(rèn)證,取得射員應(yīng)能證明經(jīng)歷過附加的工業(yè)數(shù)字射線檢測(cè)技術(shù)培訓(xùn)與資格鑒定。7推薦的數(shù)字射線檢測(cè)技術(shù)7.1透照方式通常情況下,焊縫數(shù)字射線檢測(cè)技術(shù)應(yīng)按7.1.2~7.1.9中圖1~圖19的規(guī)定執(zhí)行。外徑D。大于100mm,或公稱厚度t大于8mm,或焊縫寬度大于D。/4的管對(duì)接環(huán)焊縫,不宜使用圖11的雙壁雙影橢圓透照技術(shù)。雙壁雙影橢圓透照時(shí),若t/D。小于0.12,相隔90°透照2次,不滿足條件則相隔120°或60°透照3次。橢圓影像最大間距處應(yīng)約為一個(gè)焊縫寬度。照技術(shù)(見圖12)相隔120°或60°透照3次。采用圖11、圖13和圖14透照布置時(shí),射線束入射角應(yīng)盡可能小,但要防止上下兩側(cè)焊縫影像重疊。在滿足7.6的前提下,采用圖13透照布置時(shí),射線源-工件距離f應(yīng)盡可能小。像質(zhì)計(jì)和鉛字“F”應(yīng)緊貼數(shù)字探測(cè)器放置。所示。射線源至探測(cè)器的距離SDD須由壁厚t和探測(cè)器至射線源側(cè)工件表面的最大距離b及焦點(diǎn)或射線源尺寸d按7.6式(6)和式(7)計(jì)算。GB/T3323.2—2019圖1縱縫單壁透照法的透照布置SGB/T3323.2—2019圖4安放式管座焊縫單壁外透照法的透照布置射線源位于被檢工件內(nèi)側(cè)中心處,數(shù)字探測(cè)器位于外側(cè),見圖5~圖7。D圖5環(huán)焊縫周向曝光的透照布置圖6插入式管座焊縫單壁中心透照法的透照布置GB/T3323.2—2019圖7安放式管座焊縫單壁中心透照法的透照布置7.1.5偏心透照法射線源位于被檢工件內(nèi)側(cè)偏心處,數(shù)字探測(cè)器位于外側(cè),見圖8~圖10。SSSSSSa)用曲面探測(cè)器b)用平面探測(cè)器圖8環(huán)焊縫單壁偏心透照法的透照布置圖9插入式管座焊縫單壁偏心透照法的透照布置GB/T3323.2—2019圖10安放式管座焊縫單壁偏心透照法的透照布置GB/T3323.2—2019直透照法的透照布置射線源位于被檢工件見圖13~圖18。a)用曲面探測(cè)器b)用平面探測(cè)器GB/T3323.2—2019的透照布置圖16插入式管座焊縫雙壁單影a)無(wú)邊緣補(bǔ)償?shù)耐刚詹贾糜羞吘壯a(bǔ)償?shù)耐刚詹贾肧圖18角焊縫透照布置GB/T3323.2—2019圖19CR多探測(cè)器技術(shù)透照布置7.2管電壓和射線源的選擇7.2.1管電壓1000kV及以下的X射線機(jī)給出X射線透照不同材料和不同厚度時(shí),推薦使用的最高管電壓。這些最大值是膠片射線檢測(cè)的最佳實(shí)踐值。經(jīng)過精確校準(zhǔn)的數(shù)字陣列探測(cè)器,在采用高于圖20規(guī)定的限值管電壓進(jìn)行數(shù)字射線檢測(cè)時(shí),可以提供滿足要求的圖像質(zhì)量。當(dāng)采用IP板進(jìn)行B級(jí)檢測(cè)時(shí),由于受到成像板結(jié)構(gòu)噪聲高(粗粒度)的影響,使用的X射線管電壓限值宜在圖20基礎(chǔ)上降低20%。采用高清晰度IP字圖像SNRn顯著增加情況下,使用圖20規(guī)定的管電壓或明顯更高的管電壓透照檢測(cè)。補(bǔ)償規(guī)則I:——通過增加SNR、提高圖像對(duì)比度靈敏度[降低透照管電壓和提高曝光量(如毫安分)];——在透照管電壓不變的情況下,通過增加SNR、提高對(duì)比度靈敏度[提高曝光量(如毫安分)];GB/T3323.2—2019U/kVU——X射線管電壓;2——鋼;圖201000kV及以下X射線機(jī)透照不同材料和厚度所允許使用的最高管電壓伽瑪射線和1MeV以上的X射線推薦的透照厚度范圍見表2。經(jīng)合同各方商定,采用Ir192時(shí),最小透照厚度可降至10mm;采用Se75時(shí),最小透照厚度可降至線源有操作方便、易于接近被檢部位等優(yōu)點(diǎn),當(dāng)使用X射線機(jī)有困難時(shí),可在表2給出的透照厚度范圍使用存儲(chǔ)熒光成像板系統(tǒng)進(jìn)行伽瑪射線數(shù)字射線檢測(cè)時(shí),輸送射線源的往返時(shí)間應(yīng)不超過總曝光時(shí)間的10%。使用數(shù)字陣列探測(cè)器系統(tǒng)進(jìn)行伽瑪射線檢測(cè)時(shí),圖像采集時(shí)間應(yīng)在伽瑪射線源到達(dá)指定GB/T3323.2—2019射線源透照厚度w/mmA級(jí)B級(jí)Tm170w≤5w≤5Yb169*2≤w≤12Se75*20≤w≤10020≤w≤90Co6040≤w≤20060≤w≤150X射線1MeV~4MeV30≤w≤20050≤w≤180X射線4MeV~12MeVw≥50w≥80X射線>12MeVw≥80w≥100對(duì)鋁和鈦,透照厚度:A級(jí)時(shí),10≤w≤70;B級(jí)時(shí),25≤w≤55。對(duì)鋁和鈦,透照厚度:A級(jí)時(shí),35≤w≤120。7.3數(shù)字探測(cè)器系統(tǒng)和金屬增感屏數(shù)字射線檢測(cè)圖像的最小SNR、或最小灰度值(僅適用于CR檢測(cè)),應(yīng)滿足表3和表4規(guī)定。最小SNRx的測(cè)量按附錄D的要求執(zhí)行。如果使用IP板和掃描儀,按附錄D確定表3和表4規(guī)定的最小SNR、,可以采用CR技術(shù)的等效最小灰度值代替SNRN。關(guān)于灰度值的論述參見附錄E。部位應(yīng)靠近絲型像質(zhì)計(jì)或階梯孔型像質(zhì)計(jì)。在IP板數(shù)字射線檢測(cè)圖像中,其灰度值也應(yīng)在焊縫熱影響區(qū)母材厚度均勻且靠近絲型像質(zhì)計(jì)或階梯孔型像質(zhì)計(jì)的區(qū)域測(cè)定。由于焊縫表面粗糙度產(chǎn)生的噪聲影響數(shù)字圖像SNR、,表3中的值為推薦值。當(dāng)數(shù)字圖像SNR、是在母材熱影響區(qū)附近的焊縫處測(cè)定時(shí),除焊縫加強(qiáng)高已去除至與母材齊平情況外,所測(cè)定的最小SNR、值應(yīng)乘以1.4因子后再與表3和表4的規(guī)定值比較。在膠片射線檢測(cè)中,母材熱影響區(qū)測(cè)定底片黑度通常在3.5~4之間。這相當(dāng)于更高的SNRx,約是焊縫中心區(qū)域的1.4~2倍或更高。因此,特別強(qiáng)調(diào)在焊縫熱影響區(qū)部位測(cè)定SNR√,這一區(qū)域灰度可替代最小SNRN的等效最小灰度值的確定方法(僅用于CR),見附錄D。附錄D為習(xí)慣測(cè)定非SNRx的用戶提供了一個(gè)SNR與SNR、轉(zhuǎn)換表。根據(jù)數(shù)字探測(cè)器的基本空間分辨率和表3和表4規(guī)定的最小SNR、值確定最小非SNR、值。類比于膠片射線檢測(cè)對(duì)底片允許最小黑度的小灰度值或最小SNR、值或最小非SNR、值(測(cè)量方法見附錄D)。采用DDA圖像允許的最小SNR、值或最小非SNR、值(測(cè)量方法見附錄D)。在沒有特殊規(guī)定情況下,應(yīng)滿足表3和表4的規(guī)定。表3和表4對(duì)不同的射線源和透照厚度,給出了數(shù)字圖像允許的最小SNR、值。和附錄D。GB/T3323.2—2019對(duì)于所使用的數(shù)字探測(cè)器系統(tǒng)和曝光條件,如果兩種類型像質(zhì)計(jì)靈敏度(絲型像質(zhì)計(jì)或階梯孔型像質(zhì)計(jì)的對(duì)比度靈敏度和雙絲型像質(zhì)計(jì)的不清晰度)不能同時(shí)達(dá)到表A.1~表A.14規(guī)定值,應(yīng)通過增加常規(guī)絲型像質(zhì)值(或階梯孔型像質(zhì)值),補(bǔ)償不清晰度引起的對(duì)比度損失。補(bǔ)償規(guī)則Ⅱ分為三級(jí):一級(jí)補(bǔ)償:提高絲型像質(zhì)值一級(jí)補(bǔ)償雙絲型像質(zhì)值降低一級(jí)。例如,要求值為D12和W16(對(duì)5mm的透照厚度,B級(jí)—表A.3和表A.14)都不滿足,則認(rèn)為D11和W17提供了等價(jià)的檢測(cè)靈敏度。三級(jí)補(bǔ)償:一般情況下,補(bǔ)償應(yīng)限制在最多二級(jí)補(bǔ)償。對(duì)特定檢測(cè),在保證檢測(cè)靈敏度情況下,經(jīng)合采用補(bǔ)償規(guī)則時(shí),應(yīng)考慮不清晰度對(duì)缺陷檢測(cè)的可能影響。在技術(shù)上補(bǔ)償是通過增加曝光量提高檢測(cè)圖像信噪比。對(duì)于數(shù)字陣列探測(cè)器DDA,在給定距離SDD和透照管電壓情況下,數(shù)字射線檢測(cè)圖像的對(duì)比度靈敏度取決于所用積分時(shí)間和管電流(毫安),因此,可通過增加曝光時(shí)間和管電流提高絲型像質(zhì)計(jì)或階梯孔像質(zhì)計(jì)的識(shí)別能力。這一規(guī)定同時(shí)適用于CR檢測(cè),但由于IP板感光顆粒的結(jié)構(gòu)噪聲影響,限制了數(shù)字射線檢測(cè)圖像可達(dá)到的最大SNR、值。DDA的校準(zhǔn)程序也限制了數(shù)字射線檢測(cè)圖像可達(dá)到的最數(shù)字探測(cè)器的基本空間分辨率是由設(shè)計(jì)和硬件參數(shù)決定的。當(dāng)采用幾何放大成像檢測(cè)技術(shù)時(shí),采用放置在工件上的雙絲型像質(zhì)計(jì)測(cè)定數(shù)字檢測(cè)圖像的空間分辨率(見7.7)。7.3.3IP板用金屬增感屏與防護(hù)板當(dāng)使用金屬增感前屏?xí)r,對(duì)IP板采取真空包裝袋或按壓措施,使IP板感光面與前屏緊貼。鉛箔增感屏與IP板之間的間隙可能導(dǎo)致圖像不清晰度增大。對(duì)于IP板,鉛箔增感屏的增感作用明顯小于對(duì)膠片的增感作用。多數(shù)IP板對(duì)低能量背散射線和背散射線防護(hù)鉛板發(fā)出的X射線熒光非常敏感,這將導(dǎo)致影像邊背防護(hù)鉛板與IP板間插入鋼或銅防護(hù)板,改善圖像質(zhì)量。在設(shè)計(jì)制造IP板暗盒時(shí)可以考慮將銅或鋼防護(hù)板直接放入到暗盒內(nèi)。當(dāng)不使用鉛箔增感屏?xí)r,鉛箔增感屏對(duì)IP板所產(chǎn)生的較小增感作用損失可通過增加曝光量補(bǔ)償。如果檢測(cè)使用鉛箔增感前屏,在IP板掃描前應(yīng)去除鉛箔增感前屏,否則會(huì)導(dǎo)致IP板產(chǎn)生劃痕,宜將鉛箔增感前屏放置在暗袋或暗盒外側(cè)濾除散射線。對(duì)于透照厚度小于12mm的鋼制工件,不推薦使用鉛箔增感屏。推薦按表3和表4選擇使用金屬增感屏的材料和厚度。根據(jù)所需達(dá)到的圖像質(zhì)量,經(jīng)合同各方商定后也可使用其他厚度的金屬增感屏。推薦在IP板前面放置金屬增感屏,使用數(shù)字陣列探測(cè)器DDA20GB/T3323.2—2019表3鋼、銅和鎳基合金數(shù)字射線檢測(cè)最小歸一化信噪比(CR和DDA)和金屬增感屏(適用CR)射線源透照厚度w/mm金屬增感屏類型和厚度/mmA級(jí)B級(jí)X射線≤50kV不用屏X射線b>50~150kV鉛屏0~0.1X射線b>150~250kV鉛屏0~0.1X射線b>250~350kV鉛屏0~0.3鉛屏0~0.3X射線b>350~1000kV鉛屏0~0.3鉛屏0~0.3鉛屏0~0.1鉛屏0~0.1鉛屏0~0.3鉛屏0.1~0.4鋼或銅屏0.3~0.8+鉛屏0.6~2鋼或銅屏0.3~0.8+鉛屏0.6~2鋼、銅或鉛屏0.6~4鋼、銅或鉛0.6~4·如果在母材熱影響區(qū)附近的焊縫處測(cè)定SNR、,除焊縫加強(qiáng)高已去除至與母材齊平外,其測(cè)定值應(yīng)乘以1.4因子作為SNR、值??梢酝耆虿糠植捎娩摶蜚~屏替代鉛屏,此時(shí)鋼或銅屏的等效厚度應(yīng)為鉛屏的3倍。同時(shí)使用多種材料金屬屏?xí)r(如鋼十鉛屏),應(yīng)將鋼屏放置在IP板與鉛屏之間??梢允褂勉g、鎢屏替代鋼、銅或鋼、銅十鉛屏,但需通過驗(yàn)證試驗(yàn)確認(rèn)圖像質(zhì)量。表4鋁和鈦數(shù)字射線檢測(cè)最小歸一化信噪比(CR和DDA)和金屬增感屏(適用CR)射線源最小SNR、金屬增感前屏的類型和厚度/mmA級(jí)B級(jí)X射線≤150kV鉛屏≤0.03X射線>150~250kV鉛屏≤0.2bX射線>250~500kV鉛屏≤0.2bYb169鉛屏≤0.2bSe75鉛屏≤0.3b如果在母材熱影響區(qū)附近的焊縫處測(cè)定SNR、,除焊縫加強(qiáng)高已去除至與母材齊平外,其測(cè)定值應(yīng)乘以1.4因子作為SNR、值。h可以在IP板暗盒外使用一個(gè)0.1mm鉛屏和一個(gè)0.1mm鉛濾波板替代一個(gè)0.2mm鉛屏。GB/T3323.2—20197.4射線方向射線束應(yīng)指向透照區(qū)中心,并與被檢工件垂直,若采用其他透照角度有利于檢測(cè)某些缺欠時(shí),也可另?yè)穹较蜻M(jìn)行透照。數(shù)字射線檢測(cè)的其他透照方法可由合同各方商定。例如,為了有效檢測(cè)焊縫坡口未熔合,中心射線束透照方向宜與焊縫坡口面平行。7.5散射線的控制7.5.1金屬濾光板和準(zhǔn)直器為減少散射線的影響,射線束透照時(shí)應(yīng)盡可能對(duì)準(zhǔn)被檢區(qū)域。采用Se75、Ir192、Co60射線源和高于1MeV的X射線源或存在邊緣散射時(shí),可在工件與IP板暗盒或數(shù)字陣列探測(cè)器DDA之間放置一個(gè)鉛質(zhì)濾光板濾除散射線。根據(jù)透照厚度的不同,濾光板的厚度在0.5mm~2mm之間選擇。7.5.2背散射的屏蔽每一種新工件進(jìn)行CR檢測(cè)時(shí),應(yīng)在IP板暗盒后背貼上鉛字“B”(高度大于或等于10mm,厚度大于或等于1.5mm),以驗(yàn)證背散射的存在與否。若數(shù)字圖像上出現(xiàn)該字符的較亮影像(負(fù)片方式顯示數(shù)字圖像,標(biāo)記影像灰度值較低),表明散射線屏蔽不符合要求;若此字符影像較暗(負(fù)片方式顯示數(shù)字圖像,標(biāo)記影像灰度值較高)或不可見,表明散射線屏蔽良好。必要時(shí),為防止散射線對(duì)探測(cè)器的影響,應(yīng)在IP板暗盒后貼附至少1mm厚的鉛板或至少1.5mm厚錫板。同時(shí)將厚度約0.5mm的鋼屏或銅屏放置在鉛防護(hù)屏與IP板暗盒之間,減少X射線熒光對(duì)數(shù)字圖像的影響。當(dāng)采用超過80keV的X射線檢測(cè)時(shí),在IP板暗盒后面不應(yīng)放置鉛防護(hù)屏。7.6射線源一工件距離GB/T25758(所有部分)或EN12679測(cè)定。當(dāng)源尺寸有兩個(gè)方向尺寸(如長(zhǎng)、寬或長(zhǎng)軸、短軸)時(shí),應(yīng)取較大值。射線源一工件距離f的選擇,除圖2b)、圖8b)、圖13b)和圖14b)所示透照布置外,應(yīng)使f/d符合式(4)和式(5):f/d≥7.5b2/3 (4)f/d≥15b2/3 (5)當(dāng)b<1.2t,式(4)和式(5)及圖21中的b可由公稱厚度t取代。射線源一工件最小距離fmin可按圖21的諾模圖確定。圖21是根據(jù)式(4)和式(5)作出的。所示透照布置選擇距離f時(shí),應(yīng)使f/d符合式(6)和式(7):A級(jí) (6) (7)使用A級(jí)技術(shù)檢測(cè)平面型缺欠時(shí),為使幾何不清晰度減小為原來的1/2,射線源一工件最小距離GB/T3323.2—2019fmm應(yīng)按B級(jí)技術(shù)的要求確定。對(duì)裂紋敏感性大的材料有更為嚴(yán)格的技術(shù)要求時(shí),應(yīng)選用靈敏度比B級(jí)更優(yōu)的技術(shù)進(jìn)行透照。dfmin500b400500A級(jí)A級(jí)808655432圖21確定射線源一工件最小距離fmin的諾模圖采用幾何放大技術(shù)檢測(cè)時(shí),未經(jīng)正確校正數(shù)字探測(cè)器系統(tǒng)的固有不清晰度u;和幾何不清晰度uG將導(dǎo)致圖像總不清晰度ur的增加,見式(8)。uT=√u;2+ug2…………(8)推薦通過增加射線源—工件最小距離fmin降低數(shù)字探測(cè)器系統(tǒng)獲得數(shù)字圖像的總不清晰度。由于數(shù)字探測(cè)器較膠片具有更大的固有不清晰度,為補(bǔ)償數(shù)字探測(cè)器固有不清晰度的影響,得到近似于GB/T3323.1規(guī)定的總不清晰度,推薦按條件a)和b)兩種方法處理:a)當(dāng)工件與數(shù)字探測(cè)器直接接觸(非幾何放大透照布置),按工件—探測(cè)器距離b選擇數(shù)字探測(cè)器的基本空間分辨率SR,應(yīng)符合式(9)和式(10):GB/T3323.2—2019…………b)若需達(dá)到與膠片射線照相影像近似的總不清晰度值,在數(shù)字探測(cè)器的基本空間分辨率SR,符合式(9)和式(10)的情況下,宜按式(11)和式(12)計(jì)算確定射線源—工件最小距離fmin,該計(jì)算值較式(4)或式(5)以及圖21給出的值有較大增加。 (11) (12)如果選用數(shù)字探測(cè)器的基本空間分辨率遠(yuǎn)小于式(9)或式(10)的計(jì)算值,或是通過增加信噪比(CPII)使數(shù)字圖像中的像質(zhì)值滿足表A.1~表A.12要求,可按式(4)和式(5)或圖21確定射線源—工件最級(jí)檢測(cè)技術(shù)數(shù)字圖像質(zhì)量的最大不清晰度和空間分辨率要求。采用雙壁雙影橢圓透照技術(shù)(見7.1.6)或雙壁雙影垂直透照技術(shù)(見7.1.7)時(shí),式(4)和式(5)及采用雙壁單影透照技術(shù)(見7.1.8),在確定射線源一工件最小距離時(shí),b值可取公稱厚度t。數(shù)字射線檢測(cè)時(shí),盡可能避免采用7.1.6~7.1.8規(guī)定的雙壁透照布置,優(yōu)先考慮7.1.4和7.1.5規(guī)定的單壁透照布置。采用偏心透照法時(shí)(見7.1.5),允許的射線源—工件最小距離減少值不宜超過規(guī)定值的20%;采用中心透照法時(shí)(見7.1.4圖5),允許的射線源—工件最小距離減少值不應(yīng)超過規(guī)定值的50%。在圖像質(zhì)量滿足要求的前提下,經(jīng)合同各方商定可進(jìn)一步減少射線源—工件距離。7.7幾何放大技術(shù)對(duì)于CR和數(shù)字陣列探測(cè)器DDA射線檢測(cè)系統(tǒng),與具有很高空間分辨率的焊縫射線照相細(xì)顆粒膠片比較,存在的一個(gè)應(yīng)用困難是數(shù)字探測(cè)器或大多數(shù)IP板掃描儀具有較大的像素尺寸(大于50μm),這可能導(dǎo)致圖像對(duì)比度靈敏度和空間分辨率都不能達(dá)到規(guī)定要求。克服此應(yīng)用困難的方法是采用先進(jìn)的、性能一致性好的數(shù)字陣列探測(cè)器DDA,通過提高數(shù)字圖像SNR、或是采用幾何放大透照技術(shù)解決。如果數(shù)字圖像的像質(zhì)值(絲型像質(zhì)計(jì)或階梯孔型像質(zhì)計(jì)驗(yàn)證)和空間分辨率(雙絲型像質(zhì)計(jì)驗(yàn)證,見附錄B)不能滿足表A.1~表A.14的要求,可按7.3.2(CPII)規(guī)定,通過增加圖像信噪比補(bǔ)償檢測(cè)靈敏度和空間分辨率損失。另一種方法是采用幾何放大透照技術(shù),即:使用小尺寸的射線源或焦點(diǎn)尺寸小的X射線管,增加工件與IP板或數(shù)字陣列探測(cè)器DDA之間的距離。如果采用上述兩種措施仍然不能達(dá)到要求的圖像質(zhì)量,則CR或數(shù)字陣列探測(cè)器DDA射線檢測(cè)系統(tǒng)不能應(yīng)用于該工件檢測(cè)。確定放大倍數(shù)是否合適時(shí),應(yīng)采用雙絲型像質(zhì)計(jì),通過工件檢測(cè)數(shù)字圖像中顯示雙絲型像質(zhì)計(jì)的空間分辨率(或不清晰度)驗(yàn)證。如果基本空間分辨率SR,detctor的2倍大于射線源尺寸或焦點(diǎn)尺寸d,則雙絲型像質(zhì)計(jì)應(yīng)放置在工件的數(shù)字探測(cè)器側(cè),否則雙絲型像質(zhì)計(jì)應(yīng)放置在工件的源側(cè)。推薦兩側(cè)同時(shí)放置雙絲型像質(zhì)計(jì),但在一定的射線源尺寸或焦點(diǎn)尺寸情況下確定了放大倍數(shù)后,檢測(cè)工件時(shí)只需放置一個(gè)雙絲型像質(zhì)計(jì)。數(shù)字圖像的像質(zhì)計(jì)影像可能對(duì)缺陷自動(dòng)識(shí)別產(chǎn)生影響,如果在線檢測(cè)時(shí)不使用像質(zhì)計(jì),則圖像質(zhì)量應(yīng)通過使用絲型像質(zhì)計(jì)或階梯孔型像質(zhì)計(jì)和雙絲型像質(zhì)計(jì)定期核查。圖像不清晰度由與放大倍數(shù)v、幾何不清晰度uc和基本空間分辨率SR,detctor相關(guān)的式(13)、式(14)確定?!瓚?yīng)通過增加放大倍數(shù)和/或減小焦點(diǎn)尺寸措施,使圖像不清晰度小于或達(dá)到表A.13或表A.14要求。這應(yīng)由工件上放置的雙絲型像質(zhì)計(jì)影像驗(yàn)證。通常工件射線源側(cè)和數(shù)字探測(cè)器側(cè)的放大倍數(shù)不同,因此,宜以檢測(cè)工件透照中心區(qū)域確定放大倍數(shù)。工件射線源側(cè)和數(shù)字探測(cè)器側(cè)的放大倍數(shù)差宜不超過±25%。如果使用7.3.2的CPⅡ補(bǔ)償時(shí),則可選擇相對(duì)較小的放大倍數(shù)。7.8一次透照長(zhǎng)度平板縱焊縫透照(圖1、圖15、圖17和圖18)和射線源偏心布置透照曲面焊縫(圖2~圖4、圖8~圖16)時(shí),為保證100%透照,其曝光次數(shù)宜按技術(shù)要求確定。射線經(jīng)過厚度均勻評(píng)定區(qū)外端的斜向穿透厚度與中心束的透照厚度之比,A級(jí)應(yīng)不大于1.2,B級(jí)應(yīng)不大于1.1。由于射線穿透厚度變化而產(chǎn)生的SNR、差值宜不低于表3或表4的要求。CR檢測(cè)使用的灰度值,見附錄D。工件被檢區(qū)域應(yīng)包括焊縫和熱影響區(qū),通常焊縫兩側(cè)應(yīng)檢測(cè)至少約10mm的母材區(qū)域。對(duì)接環(huán)焊縫100%檢測(cè)時(shí)推薦的透照次數(shù)見附錄C。7.9質(zhì)量控制技術(shù)7.9.1圖像掃描與讀出數(shù)字探測(cè)器或掃描儀按制造商推薦的條件使用,以獲得穩(wěn)定的圖像質(zhì)量。避免人為操作和使用問題對(duì)數(shù)字射線檢測(cè)結(jié)果產(chǎn)生影響。7.9.2數(shù)字陣列探測(cè)器DDA校準(zhǔn)使用數(shù)字陣列探測(cè)器DDA時(shí),應(yīng)按照制造商推薦的程序校準(zhǔn)探測(cè)器。探測(cè)器校正包括偏置校正(暗場(chǎng)校正)和增益校正(亮場(chǎng)校正),增益校正至少進(jìn)行一次。多次增益校正有利于探測(cè)器信噪比的提高和線性改善。為盡可能降低校正產(chǎn)生的噪聲,增益校正所使用的曝光量應(yīng)至少為工件檢測(cè)時(shí)的兩倍。校正圖像宜作為質(zhì)量控制原始圖像保存。探測(cè)器校正應(yīng)定期或在曝光條件改變時(shí)進(jìn)行。7.9.3數(shù)字陣列探測(cè)器DDA壞像素插入壞像素是數(shù)字陣列探測(cè)器DDA陣列中性能超出要求的單元。ASTME2597[3]有詳細(xì)說明。使用數(shù)字陣列探測(cè)器DDA時(shí),應(yīng)按制造商的規(guī)則確定和記錄壞像素分布圖。允許使用壞像素插入,這是使用數(shù)字陣列探測(cè)器DDA檢測(cè)的重要過程。數(shù)字陣列探測(cè)器DDA檢測(cè)成像的區(qū)域內(nèi)不宜存在群核像素。應(yīng)采用沒有群核像素的數(shù)字陣列探測(cè)器DDA和CR進(jìn)行檢測(cè),且基本空間分辨率小于或達(dá)到表A.13或表A.14要求。如果使用幾何放大技術(shù),則應(yīng)按照附錄B測(cè)定圖像空間分辨率,雙絲型像質(zhì)計(jì)直接放置在工件表面上(見7.7),此時(shí)的圖像空間分辨率值應(yīng)小于或達(dá)到表A.13或表A.14要求。如果數(shù)字陣列探測(cè)器DDA基本空間分辨率或圖像空間分辨率高于表A.13或表A.14要求,則可按7.3.225GB/T3323.2—2019進(jìn)行補(bǔ)償(CPⅡ)。如果使用數(shù)字陣列探測(cè)器DDA或IP板測(cè)量數(shù)字圖像中的缺陷尺寸時(shí),應(yīng)獲得具有更高的SNR的數(shù)字圖像,具體要求應(yīng)由合同各方商定。更高的SNR、可補(bǔ)償由于壞像素插入造成的局部不清晰度的增大。應(yīng)定期對(duì)數(shù)字陣列探測(cè)器DDA中的壞像素進(jìn)行評(píng)定。數(shù)字檢測(cè)圖像應(yīng)采用一定灰階的灰度值表示方法進(jìn)行評(píng)估,其灰度值與探測(cè)器所接收的射線劑量成正比。理想的數(shù)字檢測(cè)圖像應(yīng)對(duì)信噪比、空間分辨率和SNR、進(jìn)行評(píng)價(jià)??赏ㄟ^對(duì)比度和亮度的交(SR,測(cè)定)和信噪比或SNR、測(cè)定工具,用于數(shù)字圖像質(zhì)量的評(píng)估。對(duì)于重要圖像分析時(shí),應(yīng)通過縮放功能實(shí)現(xiàn)1:1(一個(gè)數(shù)字圖像像素顯示為一個(gè)顯示器像素)至1:2(一個(gè)數(shù)字圖像像素顯示為四個(gè)顯示器像素)的圖像顯示。對(duì)存儲(chǔ)的原始圖像顯示進(jìn)一步處理時(shí)(如高通或低通濾波),應(yīng)有明確記錄,并得到合同各方的許如果進(jìn)一步的圖像處理(如高通或低通濾波)是為了評(píng)價(jià)絲型像質(zhì)值或階梯孔型像質(zhì)值時(shí),則應(yīng)采用相同的濾波參數(shù)對(duì)焊縫及像質(zhì)計(jì)圖像進(jìn)行評(píng)價(jià)。7.10數(shù)字圖像顯示與存儲(chǔ)數(shù)字圖像顯示觀察最低條件應(yīng)滿足a)~d)的要求:c)最小可顯示的亮度比:1:250;與數(shù)字探測(cè)器校正相關(guān)的圖像處理(如偏置校正、增益校正和壞像素校正,見ASTME2597[3)。推薦的原始圖像存儲(chǔ)格式為DICOM或DICONDE,以確保所存儲(chǔ)的原始圖像不能被更改。方式不應(yīng)丟失原始數(shù)據(jù)。8檢測(cè)報(bào)告下可對(duì)檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行查詢。檢測(cè)報(bào)告應(yīng)至少包含以下信息:a)檢測(cè)單位;b)工件名稱;c)材質(zhì);d)熱處理狀況;e)焊縫的坡口形式;f)公稱厚度;26GB/T3323.2—2019j)透照布置;m)探測(cè)器布置;p)數(shù)字陣列探測(cè)器(DDA)系統(tǒng)獲得的圖像SNR、值,CR檢測(cè)系統(tǒng)獲得的圖像灰度值或度等);w)圖像處理參數(shù)(積分降噪及數(shù)字濾波);27GB/T3323.2—2019(規(guī)范性附錄)最低像質(zhì)值A(chǔ).1單壁透照技術(shù);像質(zhì)計(jì)位于源側(cè)最低像質(zhì)值要求見表A.1~表A.4。A級(jí)公稱厚度t/mm像質(zhì)值2<t≤3.5A級(jí)公稱厚度t/mm像質(zhì)值2<t≤3.5A級(jí)公稱厚度t/mm像質(zhì)值2<t≤3.5B級(jí)公稱厚度t/mm像質(zhì)值t≤2.5B級(jí)公稱厚度t/mm像質(zhì)值t≤2.5B級(jí)公稱厚度t/mm像質(zhì)值28A.2雙壁雙影技術(shù);像質(zhì)計(jì)位于源側(cè)最低像質(zhì)值要求見表A.5~表A.8。表A.5絲型像質(zhì)計(jì)A級(jí)透照厚度w/mm像質(zhì)值w≤1.22<w≤3.5表A.7絲型像質(zhì)計(jì)B級(jí)透照厚度w/mm像質(zhì)值w≤1.5表A.6階梯孔型像質(zhì)計(jì)A級(jí)透照厚度w/mm像質(zhì)值w≤12<w≤3.53.5<w≤5.5表A.8階梯孔型像質(zhì)計(jì)B級(jí)透照厚度w/mm像質(zhì)值w≤129GB/T3323.2—2019A.3雙壁單影或雙壁雙影技術(shù);像質(zhì)計(jì)位于數(shù)字探測(cè)器側(cè)最低像質(zhì)值要求見表A.9~表A.12。A級(jí)透照厚度wA級(jí)透照厚度w/mm像質(zhì)值w≤2A級(jí)像質(zhì)值w≤1.22<w≤3.5B級(jí)透照厚度w/B級(jí)透照厚度w/mm像質(zhì)值w≤2.52.5<w≤5.55.5<w≤9.5B級(jí)像質(zhì)值w≤1.5GB/T3323.2—2019A.4圖像不清晰度允許的圖像最大不清晰度見表A.13和表A.14。表A.13A級(jí)技術(shù)允許的圖像最大不清晰度A級(jí):雙絲型像質(zhì)計(jì)(GB/T23901.5)透照厚度應(yīng)識(shí)別最小線對(duì)值和最大不清晰度最大圖像空間分辨率(等效絲徑和間距)w≤1.0對(duì)于雙壁單影透照技術(shù),應(yīng)用公稱厚度t替代透照厚度采用直接接觸數(shù)字射線檢測(cè)時(shí),雙絲型像質(zhì)計(jì)最小線對(duì)識(shí)別方法按附錄B執(zhí)行。當(dāng)采用幾何放(見7.7)時(shí),可通過比對(duì)測(cè)試試驗(yàn)確定可識(shí)別的雙絲型像質(zhì)計(jì)最小線對(duì)值。GB/T3323.2—2019表A.14B級(jí)技術(shù)允許的圖像最大不清晰度B級(jí):雙絲型像質(zhì)計(jì)(GB/T23901.5)透照厚度應(yīng)識(shí)別最小線對(duì)值和最大不清晰度最大圖像空間分辨率(等效絲徑和間距)w≤1.54.0<w≤8.0對(duì)于雙壁單影透照技術(shù),應(yīng)用公稱厚度1替代透照厚度w。采用直接接觸數(shù)字射線檢測(cè)時(shí),雙絲型像質(zhì)計(jì)最小線對(duì)識(shí)別方法按附錄B執(zhí)行。當(dāng)采用幾何放(見7.7)時(shí),可通過比對(duì)測(cè)試試驗(yàn)確定可識(shí)別的雙絲型像質(zhì)計(jì)最小線對(duì)值。(規(guī)范性附錄)基本空間分辨率的確定B.1數(shù)字探測(cè)器基本空間分辨率測(cè)定方法數(shù)字圖像以一定的灰度顯示是正確測(cè)定基本空間分辨率的前提條件。數(shù)字圖像的灰度應(yīng)與射線曝光量成線性比例關(guān)系(由制造商的軟件支持)。采用GB/T23901.5規(guī)定的雙絲型像質(zhì)計(jì)測(cè)定數(shù)字探測(cè)器的基本空間分辨率SR,,通常將雙絲型像質(zhì)計(jì)直接放置在數(shù)字探測(cè)器表面上。注:如果將雙絲型像質(zhì)計(jì)放置在被檢工件表面上,而不是直接放置在數(shù)字探測(cè)器上,則獲得的是對(duì)檢測(cè)圖像空間分辨率SR?imae的測(cè)定,而不是數(shù)字探測(cè)器基本空間分辨率SR,dctector測(cè)定。當(dāng)發(fā)現(xiàn)第一個(gè)不能清晰識(shí)別的線對(duì)時(shí)(見GB/T23901.5),應(yīng)采用以調(diào)制度值20%為基準(zhǔn)的測(cè)定在數(shù)字檢測(cè)圖像的調(diào)制傳遞函數(shù)曲線上,將第一對(duì)雙峰調(diào)制度值小于20%(見圖B.1)的線對(duì)記錄為基本空間分辨率雙絲型像質(zhì)計(jì)測(cè)定結(jié)果(如圖B.1c)的D8所示為不可分辨線對(duì))。在數(shù)字射線檢測(cè)系統(tǒng)的圖像處理軟件中,應(yīng)具有調(diào)制傳遞函數(shù)曲線測(cè)定功能,通過在數(shù)字檢測(cè)圖像雙絲型像質(zhì)計(jì)影像上截取的輪廓(如圖B.1a))生成調(diào)制傳遞函數(shù)曲線識(shí)別調(diào)制度值小于20%的線對(duì)(如圖B.1b)和c]],調(diào)制度測(cè)算方法如圖B.1d)。雙絲型像質(zhì)計(jì)影像上截取的輪廓至少具有21行像素寬度,以提高輪廓區(qū)域內(nèi)的信噪比。注:調(diào)制度一般是指已調(diào)載波的幅度、頻率或相位受低頻調(diào)制信號(hào)控制的程度。圖B.1中的調(diào)制度是指,在雙絲像質(zhì)計(jì)數(shù)字圖像上截取的不少于21行像素寬度輪廓范圍內(nèi)的線性灰度值通過調(diào)制傳遞函數(shù)測(cè)算生成的曲線上,所顯示的每一線對(duì)波幅曲線雙峰的波峰值與波谷值的比值,通過線性灰度值幅度變化反映線對(duì)的金屬絲及間隔的可分辨識(shí)別程度,20%為設(shè)定的識(shí)別閾值(通常稱為瑞利判據(jù))。采用符合GB/T23901.5規(guī)定的雙絲型像質(zhì)計(jì),測(cè)定圖像固有不清晰度u,則數(shù)字探測(cè)器的基本空間分辨率SR,按式(B.1)計(jì)算:為避免產(chǎn)生混疊影像,雙絲型像質(zhì)計(jì)放置時(shí)應(yīng)與數(shù)字探測(cè)器像素的行或列成2°~5°的夾角,如圖B.1所示。雙絲型像質(zhì)計(jì)應(yīng)直接放置在數(shù)字陣列探測(cè)器DDA或IP板暗盒表面上,射線源至數(shù)字探測(cè)器的距離應(yīng)為100cm±5cm。數(shù)字圖像中的平均灰度值應(yīng)不低于最大灰度值的50%。數(shù)字圖像的信噪比,對(duì)于像素尺寸大于或等于80μm的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng),信噪比應(yīng)超過100,對(duì)于像素值小于80μm的高分辨率系統(tǒng),信噪比應(yīng)超過70?;跀?shù)字檢測(cè)系統(tǒng)的參考數(shù)字圖像測(cè)定的基本空間分辨率[見式(B.1)]和相關(guān)系統(tǒng)設(shè)置均應(yīng)記錄在測(cè)試報(bào)告中。CR檢測(cè)系統(tǒng)的探測(cè)器IP板基本空間分辨率應(yīng)在垂直和平行于激光掃描讀出的兩個(gè)方向測(cè)定;取兩個(gè)測(cè)定值的較高值作為探測(cè)器基本空間分辨率值SR,或SR,detetor。GB/T3323.2—2019yTyT300025002000420X220260240200280360320400340300380b)21行以上像素寬度輪廓疊加平均形成的調(diào)制傳遞函數(shù)曲線圖TT790800810c)D7、D8線對(duì)放大圖d)調(diào)制度(%)計(jì)算方法示意圖dip=100×(A+B-2C)/(A+B)D7,D8——雙絲型像質(zhì)值;Y——幅值。為了提高基本空間分辨率SR,的測(cè)定精度,應(yīng)采用雙絲型像質(zhì)計(jì)線對(duì)的調(diào)制度數(shù)據(jù)畫出如圖B.2中b)的關(guān)系曲線,從曲線確定調(diào)制度為20%對(duì)應(yīng)的值作為系統(tǒng)基本空間分辨率值。圖B.2顯示了高分辨率CR系統(tǒng)的測(cè)定程序。GB/T3323.2—2019DW13Dip2%DW13Dip2%DW12Dip75%m畫回畫b)插入調(diào)制度20%測(cè)定雙絲型像質(zhì)計(jì)基本空間分辨率SR,方法(圖中雙絲型像質(zhì)計(jì)線對(duì)調(diào)制度曲線與調(diào)制度20%交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)的66μm為基本空間分辨率值)圖B.2雙絲型像質(zhì)計(jì)線對(duì)調(diào)制度插入法測(cè)定基本空間分辨率如圖B.2所示,雙絲線對(duì)調(diào)制度應(yīng)根據(jù)二進(jìn)多項(xiàng)式擬合計(jì)算確定。插入調(diào)制度20%與雙絲型調(diào)制度曲線交叉確定基本空間分辨率適用于調(diào)制度大于0的情況。并由合同各方在技術(shù)文件中規(guī)定采用擬合插入法替代非擬合插入法確定基本空間分辨率的要求。B.2測(cè)定基本空間分辨率時(shí)的透照參數(shù)a)檢測(cè)輕質(zhì)合金:1)管電壓90kV;2)前置濾波1mm的鋁。GB/T3323.2—20192)前置濾波1mm的銅。d)伽瑪射線或高能X射線檢測(cè):1)規(guī)定的伽瑪射線源或>1MeV的X射線源;GB/T3323.2—2019(規(guī)范性附錄)對(duì)接環(huán)焊縫100%數(shù)字射線檢測(cè)的推薦曝光次數(shù)C.1概述外徑大于100mm的對(duì)接環(huán)焊縫100%透照的推薦曝光次數(shù)見圖C.1~圖C.4。如要檢出工件中個(gè)別橫向裂紋,還應(yīng)在圖C.1~圖C.4查出值的基礎(chǔ)上增加曝光次數(shù)。C.2B級(jí)技術(shù)推薦曝光次數(shù)當(dāng)穿透厚度差與公稱厚度之比△t/t小于或等于10%(B級(jí))時(shí),推薦曝光次數(shù)見圖C.1和圖C.2。此技術(shù)有利于檢測(cè)出橫向裂紋。GB/T3323.2—2019GB/T3323.2—20192N=12351678gd00.20.250.050.10.1501——管壁。級(jí))時(shí),偏心透照法和雙壁單影透照法透照環(huán)焊縫的當(dāng)穿透厚度差與公稱厚度之比△t/t小于或等于20%(A級(jí))時(shí),推薦曝光次數(shù)見圖C.3和圖C.4。只有當(dāng)焊縫中出現(xiàn)橫向裂紋的可能性較小或此類缺欠還采用其他無(wú)損檢測(cè)方法檢測(cè)時(shí),才推薦使用此GB/T3323.2—2019圖C.3△t/t=20%(A級(jí))時(shí),單壁外透照法透照環(huán)焊縫的最少曝光次數(shù)N與t/D。和D./f的關(guān)系40223168N=5GB/T3323.2—2019(規(guī)范性附錄)CR技術(shù)最小灰度值測(cè)定方法D.1歸一化信噪比SNR測(cè)定測(cè)定時(shí),通常將數(shù)字圖像上一個(gè)20×55個(gè)像素區(qū)(需測(cè)定的典型部位)內(nèi)確定的線性平均灰度值與按ISO16371-1:2011的6.1.1的標(biāo)準(zhǔn)差的比值作為SNR測(cè)定值。測(cè)定區(qū)的灰度值應(yīng)處于灰度線性化區(qū),并與射線劑量成正比,未曝光區(qū)域的灰度值為零。注:SNR測(cè)定區(qū)的寬度不超過20個(gè)像素,長(zhǎng)度不小于55個(gè)像素。較大的長(zhǎng)度有利于提高SNR測(cè)定準(zhǔn)確度。在相同的透照條件下,較大像素尺寸(不清晰度高)的數(shù)字射線檢測(cè)系統(tǒng)可以獲得更高SNR,但檢測(cè)細(xì)小缺陷能力低于較小像素尺寸的數(shù)字射線檢測(cè)系統(tǒng)。具有同樣按基本空間分辨率SNR、的數(shù)字射線檢測(cè)系統(tǒng),具有相同的細(xì)小細(xì)節(jié)識(shí)別能力。因此,測(cè)定數(shù)字射線檢測(cè)系統(tǒng)的SNR,應(yīng)測(cè)定SNR√。SNR、的表達(dá)式為:…………(D.1)SNR、值通常由檢測(cè)系統(tǒng)制造商提供
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