


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
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文檔簡介
1、二極管(1)二極管的結(jié)構(gòu)(2)二極管的伏安特性上節(jié)課內(nèi)容提要2024/8/161(3)二極管的開關(guān)特性存在反向恢復(fù)時間(4)二極管的電路模型直流模型(5)特殊二極管穩(wěn)壓二極管(6)二極管整流電路(精密整流電路)利用二極管的單向?qū)щ娦?/p>
2024/8/162
半導(dǎo)體三極管有兩大類型,一是雙極型半導(dǎo)體三極管(三極管)
雙極型半導(dǎo)體三極管是由兩種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件,它由兩個PN結(jié)組合而成,是一種CCCS器件。
場效應(yīng)型半導(dǎo)體三極管僅由一種載流子參與導(dǎo)電,是一種VCCS器件。2.2半導(dǎo)體三極管二是場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管(場效應(yīng)管)2024/8/1632.2.1三極管的結(jié)構(gòu)及工作原理2.2.2三極管的基本特性2.2.3三極管的主要參數(shù)及電路模型2024/8/1642.2.1三極管的結(jié)構(gòu)及工作原理雙極型半導(dǎo)體三極管有兩種類型:NPN型和PNP型。
1.結(jié)構(gòu)、符號和分類NNP發(fā)射極E基極B集電極C發(fā)射結(jié)集電結(jié)—基區(qū)—發(fā)射區(qū)—集電區(qū)emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型ECBECB2024/8/165從外表上看兩個N區(qū),(或兩個P區(qū))是對稱的,實(shí)際上發(fā)射區(qū)的摻雜濃度大,集電區(qū)摻雜濃度低,且集電結(jié)面積大?;鶇^(qū)要制造得很薄,其厚度一般在幾個微米至幾十個微米。PPNEBCNNPBECNPN型PNP型2024/8/166按材料分:硅管、鍺管按功率分:
小功率管<500mW按結(jié)構(gòu)分:NPN、PNP按使用頻率分:低頻管、高頻管大功率管>1W中功率管0.5
1W分類:2024/8/1672.三極管的電流分配與控制雙極型半導(dǎo)體三極管在工作時一定要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷?。若在放大工作狀態(tài):發(fā)射結(jié)加正向電壓,集電結(jié)加反向電壓。
現(xiàn)以
NPN型三極管的放大狀態(tài)為例,來說明三極管內(nèi)部的電流關(guān)系。(動畫2-1)雙極型三極管內(nèi)載流子的運(yùn)動2024/8/168可得如下電流關(guān)系式:
IE=IEN+IEP
且有IEN>>IEP
IEN=ICN+IBN
且有IEN>>IBN,ICN>>IBNIC=ICN+ICBO
IB=IEP+IBN-ICBOIE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP-ICBO)
IE=IC+IB2024/8/1693.三極管的電流關(guān)系(1)三種組態(tài)
雙極型三極管有三個電極,其中一個可以作為輸入,一個可以作為輸出,這樣必然有一個電極是公共電極。三種接法也稱三種組態(tài)。
共集電極接法,集電極作為公共電極,用CC表示;共基極接法,基極作為公共電極,用CB表示。共發(fā)射極接法,發(fā)射極作為公共電極,用CE表示;三極管的三種組態(tài)2024/8/1610(2)三極管的電流放大系數(shù)
對于集電極電流IC和發(fā)射極電流IE之間的關(guān)系可以用系數(shù)來說明,定義:
稱為共基極直流電流放大系數(shù)。它表示最后達(dá)到集電極的電子電流ICN與總發(fā)射極電流IE的比值。ICN與IE相比,因ICN中沒有IEP和IBN,所以的值小于1,但接近1。由此可得:2024/8/1611因≈1,所以
>>1IC=ICN+ICBO=IE+ICBO=(IC+IB)+ICBO稱為共發(fā)射極接法直流電流放大系數(shù)
IC=IB+(1+)ICBO2024/8/1612穿透電流2024/8/1613由以上分析可知,發(fā)射區(qū)摻雜濃度高,基區(qū)很薄,是保證三極管能夠?qū)崿F(xiàn)電流放大的關(guān)鍵。若兩個PN結(jié)對接,相當(dāng)基區(qū)很厚,所以沒有電流放大作用,基區(qū)從厚變薄,兩個PN結(jié)演變?yōu)槿龢O管,這是量變引起質(zhì)變的又一個實(shí)例。2024/8/16142.2.2三極管的基本特性輸入特性曲線——
iB=f(uBE)
uCE=const
輸出特性曲線——
iC=f(uCE)
iB=const以NPN型共發(fā)射極接法為例,介紹三極管的特性曲線。2024/8/16151.輸入特性曲線輸入特性曲線——
iB=f(uBE)
uCE=const
簡單地看,輸入特性曲線類似于發(fā)射結(jié)的伏安特性曲線。因為有集電結(jié)電壓的影響,它與一個單獨(dú)的PN結(jié)的伏安特性曲線不同。
2024/8/1616與二極管特性相似O①2024/8/1617②uCE≥1V
uCB=uCE
-uBE>0,集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài),三極管處于放大狀態(tài),集電極更易收集電子,且基區(qū)復(fù)合更少,IB減小。特性曲線將向右稍微移動一些。但uCE再增加時,曲線右移很不明顯。
O2024/8/16182.輸出特性曲線它是以iB為參變量的一族特性曲線?,F(xiàn)以其中任何一條加以說明,當(dāng)uCE=0
V時,因集電極無收集作用,iC=0。當(dāng)uCE稍增大時,發(fā)射結(jié)雖處于正向電壓之下,但集電結(jié)反偏電壓很小,如
uCE<1
V
uBE=0.7
V
uCB=uCE-uBE=<0.3
V集電區(qū)收集電子的能力很弱,iC主要由uCE決定。
輸出特性曲線——
iC=f(uCE)
iB=const2024/8/1619當(dāng)uCE增加到使集電結(jié)反偏電壓較大時,如
uCE
≥1
V
uCB
≥0.3
V運(yùn)動到集電結(jié)的電子基本上都可以被集電區(qū)收集,此后uCE再增加,電流也沒有明顯的增加,特性曲線進(jìn)入比較平坦的區(qū)域,略微上翹——基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)。(動畫2-2)
2024/8/1620
輸出特性曲線可以分為三個區(qū)域:飽和區(qū)——iC受uCE顯著控制的區(qū)域,該區(qū)域內(nèi)uCE的數(shù)值較小。三極管的飽和壓降UCES。此時發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏或零偏。截止區(qū)——iC接近零的區(qū)域,相當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時,發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。放大區(qū)——滿足的關(guān)系,曲線基本等距。此時,發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,uCE電壓大于0.7
V左右(硅管)。2024/8/16213.三極管的開關(guān)特性(1)開關(guān)作用
截止?fàn)顟B(tài)IB=0,IC=0,UCE=VCC飽和狀態(tài)IC=ICS,VCE=UCES=0集電極飽和電流基極臨界飽和電流2024/8/1622上節(jié)課內(nèi)容提要1、三極管的結(jié)構(gòu)、符號工藝特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高摻雜,基區(qū)低摻雜、寬度窄,集電區(qū)結(jié)面積大、摻雜濃度低。NNP發(fā)射極E基極B集電極C—基區(qū)NPN型ECB—發(fā)射區(qū)—集電區(qū)PNP型ECB2024/8/16232、三極管的電流分配與控制保證三極管處于放大狀態(tài):發(fā)射結(jié)正偏、集電極反偏。IE=IC+IB雙極型三極管內(nèi)載流子的運(yùn)動2024/8/16243、三極管的電流關(guān)系(1)組態(tài)
CE、CB、CC(2)電流放大系數(shù)
共基極直流電流放大系數(shù)。它表示最后達(dá)到集電極的電子電流ICN與總發(fā)射極電流IE的比值。
共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)穿透電流≈1,
>>12024/8/16254、三極管的伏安特性輸入特性O(shè)2024/8/1626輸出特性曲線飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏2024/8/16275、三極管的開關(guān)特性截止?fàn)顟B(tài)IB=0,IC=0,UCE=VCC飽和狀態(tài)IC=ICS,VCE=UCES=02024/8/1628(2)三極管的開關(guān)時間延遲時間td
+uB2加入→0.1ICS上升時間tr
0.1ICS→0.9ICS存儲時間ts
-uB1
加入→0.9ICS下降時間tf
0.9ICS→0.1ICS開通時間ton=td+tr
;關(guān)閉時間toff=ts+tf。開通時間ton與關(guān)閉時間toff也總稱為三極管的開關(guān)時間。2024/8/16292.2.3三極管的主要參數(shù)及電路模型
半導(dǎo)體三極管的參數(shù)分為三大類:
直流參數(shù)交流參數(shù)極限參數(shù)
(1)直流參數(shù)
①直流電流放大系數(shù)
a.共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)
1.主要參數(shù)2024/8/1630
在放大區(qū)基本不變。在共發(fā)射極輸出特性曲線上,通過垂直于X軸的直線(uCE=const)來求取IC
/IB
。從IC較小到IC較大,會有所減小。值與IC的關(guān)系在輸出特性曲線上決定2024/8/1631
b.共基極直流電流放大系數(shù)
=(IC-ICBO)/IE≈IC/IE
顯然與之間有如下關(guān)系:=
IC/IE=IB/
1+
IB=/
1+
2024/8/1632
②極間反向電流
a.集電極基極間反向飽和電流ICBO
ICBO的下標(biāo)CB代表集電極和基極,O是Open的字頭,代表第三個電極E開路。它相當(dāng)于集電結(jié)的反向飽和電流。
b.集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO
ICEO和ICBO有如下關(guān)系
ICEO=(1+)ICBO
相當(dāng)基極開路時,集電極和發(fā)射極間的反向飽和電流,即輸出特性曲線IB=0那條曲線所對應(yīng)的Y坐標(biāo)的數(shù)值。2024/8/1633ICEO在輸出特性曲線上的位置2024/8/1634(2)交流參數(shù)①交流電流放大系數(shù)
a.共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)
=
IC/
IB
uCE=const在放大區(qū)
值基本不變,可在共射接法輸出特性曲線上,通過垂直于X軸的直線求取
IC/
IB。
在輸出特性曲線上求β2024/8/1635
b.共基極交流電流放大系數(shù)α
α=
IC/
IE
UCB=const當(dāng)ICBO和ICEO很小時,≈
、≈
,可以不加區(qū)分。
②特征頻率fT
三極管的
值不僅與工作電流有關(guān),而且與工作頻率有關(guān)。由于結(jié)電容的影響,當(dāng)信號頻率增加時,三極管的
將會下降。當(dāng)
下降到1時所對應(yīng)的頻率稱為特征頻率,用fT表示。2024/8/1636
(3)極限參數(shù)
①集電極最大允許電流ICM當(dāng)集電極電流增加時,
就要下降,當(dāng)
值下降到線性放大區(qū)
值的2/3時,所對應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電流ICM。至于
值下降多少,不同型號的三極管,不同的廠家的規(guī)定有所差別??梢姡?dāng)IC>ICM時,并不表示三極管會損壞。值與IC的關(guān)系2024/8/1637②集電極最大允許功率損耗PCM集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗,
PCM=ICUCB≈ICUCE,
因發(fā)射結(jié)正偏,呈低阻,所以功耗主要集中在集電結(jié)上。在計算時往往用UCE取代UCB。2024/8/1638
③反向擊穿電壓反向擊穿電壓表示三極管電極間承受反向電壓的能力。三極管擊穿電壓的測試電路2024/8/1639
a.U(BR)CBO——發(fā)射極開路時的集電結(jié)擊穿電壓。下標(biāo)BR代表擊穿之意,是Breakdown的字頭,CB代表集電極和基極,O代表第三個電極E開路。
b.U(BR)CEO——基極開路時集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。對于U(BR)CER表示BE間接有電阻,U(BR)CES表示BE間是短路的。幾個擊穿電壓在大小上有如下關(guān)系
U(BR)CBO>U(BR)CES>U(BR)CER>U(BR)CEO2024/8/1640
由PCM、ICM和U(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)。輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū)2024/8/1641⑴三極管的物理結(jié)構(gòu)如圖所示雙極型三極管物理模型2.電路模型rb'e---re歸算到基極回路的電阻
---發(fā)射結(jié)電容,也用C
這一符號---集電結(jié)電阻---集電結(jié)電容,也用C
這一符號
rbb'---基區(qū)的體電阻,b'是假想的基區(qū)內(nèi)的一個點(diǎn)。---發(fā)射結(jié)電阻
re2024/8/1642⑵混合π型微變等效電路-物理模型簡化:忽略rb’c
、rce忽略Cb’c、Cb’e2024/8/1643⑶參數(shù)計算2024/8/1644跨導(dǎo)定義:2024/8/1645
附錄:半導(dǎo)體三極管的型號國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下:3
D
G
110B
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