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文檔簡介

載流子向缺陷態(tài)相對吸收譜紅移.源于:強發(fā)射聲子過程;載流子向缺陷態(tài),表面態(tài)中馳豫.14.8禁帶之上.臨界點間躍遷①臨界點

原因:△球半徑分布

△光子與聲子耦合比體材料強.△雜質(zhì)、表面態(tài)、界面態(tài)影響.減小,激子吸收頻率蘭移.振子強度f用垂直線高度表示.發(fā)光譜CB和VB的極大值、極小值或鞍點.E極小;中一個正,兩個負(fù),鞍點;中一個負(fù),兩個正,鞍點;E極大.臨界點一般位于k空間高對稱方向.②DOS聯(lián)合態(tài)密度

介電函數(shù)

吸收系數(shù)

其中

偶極躍遷幾率.③躍遷即CB和VB平行,那么在

附近較小子能量相同(忽略e和h間庫侖作用).區(qū)域內(nèi),躍遷產(chǎn)生光單個臨界點不直接對應(yīng)聯(lián)合態(tài)密度,介電函數(shù)實部或虛部曲線的峰值,而是這些峰的一個邊緣.

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