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文檔簡介
2.分析與推測能力研磨真題·培養(yǎng)審題力【典例】(2020·天津高考節(jié)選)95℃時,將Ni片浸在不同質量分數的硫酸①中,經4小時腐蝕后的質量損失情況如圖所示,當w(H2SO4)大于63%時,Ni被腐蝕的速率逐漸降低的可能原因為_______________。由于Ni與H2SO4反應很慢,而與稀硝酸反應很快②,工業(yè)上選用H2SO4和HNO3的混酸與Ni反應制備NiSO4。為了提高產物的純度,在硫酸中添加HNO3的方式為__________(填“一次過量”或“少量多次”),此法制備NiSO4的化學方程式為_________________。
【審答流程—信息提煉】(1)題干信息:序號信息索引知識遷移①Ni片浸于不同濃度稀硫酸Ni片與稀硫酸反應,固體質量不斷減少②Ni與H2SO4反應很慢,而與稀硝酸反應很快制備NiSO4時加入HNO3可加快反應速率(2)題圖信息:①w(H2SO4)等于63%時,Ni被腐蝕的速率最快。②w(H2SO4)大于63%后,隨H2SO4質量分數增加,Ni溶解速率變小,應與Ni遇濃硫酸鈍化有關。【審答流程—破題過程】鈍化其表面逐漸形成致密氧化膜形成了致密氧化膜硝酸鎳氧化NO
NO2
H2O
H2【命題陷阱】題目中的Ni為陌生金屬,要類比所學Fe的性質才能得出題目的相應結論,在解答此類題目是要根據已掌握知識進行分析預測。答案:
_______________;
_____________
;
_____________
。
【典例解析】當w(H2SO4)大于63%時,Ni被腐蝕的速率逐漸降低,可能的原因是隨H2SO4質量分數增加,Ni表面逐漸形成致密氧化膜。工業(yè)上選用H2SO4和HNO3的混酸與Ni反應制備NiSO4。為了提高產物的純度,在硫酸中添加HNO3的方式為少量多次,此法制備NiSO4的化學方程式為3Ni+3H2SO4+2HNO3====3NiSO4+2NO↑+4H2O或Ni+H2SO4+2HNO3====NiSO4+2NO2↑+2H2O。答案:隨H2SO4質量分數增加,Ni表面逐漸形成致密氧化膜少量多次3Ni+3H2SO4+2HNO3====3NiSO4+2NO↑+4H2O或Ni+H2SO4+2HNO3====NiSO4+2NO2↑+2H2O預測演練·提升解題力1.地奧司明片是治療靜脈淋巴功能不全相關的各種癥狀(腿部沉重、疼痛、晨起酸脹不適感)的主要治療藥物,下圖為合成地奧司明片的重要中間體,下列有關說法正確的是(
)A.分子式為C18H20O6B.該中間體是高分子化合物C.該中間體可發(fā)生水解反應生成乙醇D.該中間體分子在一定條件下可以發(fā)生取代、加成、氧化反應D根據碳四價可數得其每個分子中含有18個氫原子,A項錯誤;一般來說,高分子化合物要求相對分子質量至少過萬,B項錯誤;因該物質結構中含有酯基,所以可以發(fā)生水解反應,但產物有乙酸,沒有乙醇,C項錯誤;因該物質結構中有酚羥基、酯基等,可發(fā)生取代反應,因結構中有苯環(huán),可發(fā)生催化加氫反應,因含有酚羥基或可以燃燒,因而能發(fā)生氧化反應,D項正確。2.2022年前后我國將建成首座載人空間站。為實現空間站的零排放,循環(huán)利用人體呼出的CO2并提供O2,我國科學家研發(fā)了一種能量轉化裝置,總反應方程式為2CO2====2CO+O2。下列說法正確的是(
)A.該裝置將太陽能直接轉化為化學能B.離子交換膜為陽離子交換膜C.反應完畢,該裝置中電解質溶液的pH不變D.Y電極的反應為CO2+2e-+H2O====CO+2OH-C由示意圖可知,該裝置實現了“太陽能→電能→化學能”的轉化,電能轉化為化學能,為電解裝置,X極與光電池的負極相連,為陰極,Y極與光電池的正極相連,為陽極。由示意圖可知,該裝置實現了“太陽能→電能→化學能”的轉化,故A錯誤;由示意圖可知,離子交換膜允許氫氧根離子通過,為陰離子交換膜,故B錯誤;由總反應方程式可知,電解前后電解質溶液中氫氧根濃度不變,溶液的pH不變,故C正確;由示意圖可知,Y極為陽極,氫氧根在陽極失去電子發(fā)生氧化反應,電極反應式為4OH--4e-====2H2O+O2↑,故D錯誤。3.Cu2O在涂料、有色玻璃和催化劑等領域有著廣泛的用途。Cu2O為紅色粉末,不溶于水,易溶于鹽酸和稀硫酸。可用電解法制備氧化亞銅:用銅作陽極,鈦片作陰極,電解液為一定濃度的NaCl和NaOH的混合溶液;陽極及其溶液中有關轉化如圖所示。下列說法錯誤的是(
)A.電解液中的NaOH不能用鹽酸代替B.過程①中Cu被氧化生成CuCl-C.過程④的離子方程式為2Cu(OH)Cl-====Cu2O+2Cl-+H2OD.當電路中有0.05mole-通過時,消耗3.2gCuB產物Cu2O易溶于鹽酸和稀硫酸,故NaOH不能用鹽酸代替,A正確;由圖示可知,過程①中為吸附過程,銅元素化合價未變,未發(fā)生氧化還原反應,B錯誤;根據圖示過程④中Cu(OH)Cl-反應生成Cu2O和Cl-,則離子方程式為2Cu(OH)Cl-====Cu2O+2Cl-+H2O,C正確;整個過程中單質銅反應生成了Cu2O,銅元素化合價由0價變?yōu)?1價,故當電路中有0.05mole-通過時,消耗Cu的質量為64g·mol-1×0.05mol=3.2g,D正確。4.燃煤工業(yè)鍋爐煙氣中含有1%~3%的CO和0.02%~0.04%的NO,在新型催化劑作用下可消除CO和NO兩種有害氣體,反應機理如圖所示,在反應過程中CO可被O2氧化。下列說法中正確的是(
)A.溫度越高越有利于有害氣體消除B.O2濃度越大催化除雜效果越好C.催化反應的速率由氧化吸附過程決定D.總反應方程式為2NO+2CO====N2+2CO2C根據圖中信息可知,化學反應為2NO+O22NO2,2NO2+4CON2+4CO2。在一定溫度下,催化劑的活性能達到最大限度,有利于有害氣體的消除,若溫度過高,使催化劑失去活性,不利于有害氣體的消除,故A錯誤;O2濃度稍微增大,可以利于反應正向進行,但是O2濃度太大會把一氧化碳氧化,則不利于有害氣體的消除,故B錯誤;催化反應的速率由慢反應決定的,即氧化吸附過程決定,故C正確;根據兩步反應,①2NO+O22NO2,②2NO2+4CON2+4CO2,①+②,得到的總反應為2NO+O2+4CON2+4CO2,故D錯誤。催化劑====催化劑====催化劑====催化劑====催化劑====5.根據元素周期律,由下列事實進行歸納推測,推測不合理的是(
)選項事實推測AMg與冷水較難反應,Ca與冷水較易反應Be(鈹)與冷水更難反應BNa與Cl形成離子鍵,Al與Cl形成共價鍵Si與Cl形成共價鍵CHCl在1500℃時分解,HI在230℃時分解HBr的分解溫度介于二者之間DSi是半導體材料,同族的Ge是半導體材料ⅣA族元素的單質都是半導體材料D
Be、Mg、Ca位于同一主族,其金屬性逐漸增強。根據Mg與冷水較難反應、Ca與冷水較易反應,可以推測Be(鈹)與冷水更難反應,A合理;Na、Al、Si位于同一周期,其金屬性逐漸減弱、非金屬性逐漸增強。根據Na與Cl形成離子鍵,Al與Cl形成共價鍵可以推測Si與Cl形成共價鍵,B合理;Cl、Br、I位于同一主族,其非金屬性逐漸減弱。根據HCl在1500℃時分解、HI在230℃時分解,可以推測HBr的分解溫度介于二者之間,C合理;硅和鍺位于金屬與非金屬的分界線附近,這樣的元素既有一定的非金屬性又有一定的金屬性,可在這附近找到半導體材料。Si是半導體材料,同族的Ge是半導體材料。ⅣA族的其他元素距分界線較遠,其單質不是半導體材料,D不合理。6.通過改變催化劑可以改變CO2與H2反應催化轉化的產物,如利用Co/C作為催化劑,反應后可以得到含有少量甲酸的甲醇。為了
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