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(*在25C時(shí)的測(cè)試,另有說(shuō)明除外ESD機(jī)器模式(所有引腳--MSL3,260oC滿量程(FS)–全部施加磁場(chǎng)(典型-高斯3-bit±2.0±%VDD=3.0V,GN=07,1-LSb,12bitVDD=3.0V,GN=0無(wú)測(cè)量平均值,100個(gè)I2C±2.0±2.0I2C所有增益/I2C8-bit8-bit(*在25C時(shí)的測(cè)試,另有說(shuō)明除外ESD機(jī)器模式(所有引腳--MSL3,260oC滿量程(FS)–全部施加磁場(chǎng)(典型-高斯3-bit±2.0±%VDD=3.0V,GN=07,1-LSb,12bitVDD=3.0V,GN=0無(wú)測(cè)量平均值,100個(gè)I2C±2.0±2.0I2C所有增益/I2C8-bit8-bitI2C由I2CI2C施密特觸發(fā)器脈沖輸入在SCLSDA上的滯后性-下降上升X&YZX&Y軸(GN=5)Z軸(GN=5)正偏置X&Y軸(GN=5)Z軸(GN=5)負(fù)偏置--VDD參考AGNDVDDIO參考DGND測(cè)量模式(7.5Hz沒(méi)有應(yīng)用測(cè)量平均值,即設(shè)置MA1:MA0=00)VDD=2.5V,VDDIO=1.8V(雙電源模式)VDD=VDDIO=2.5V(單電源模式)條件絕對(duì)最大額定值(*25C時(shí)的測(cè)試,另有說(shuō)明除外表1.HMC5883L-串行時(shí)鐘-I2C總線主/電源(2.16V-連接置位/復(fù)位帶正-S/R電容(C2)存儲(chǔ)電容器(C1)絕對(duì)最大額定值(*25C時(shí)的測(cè)試,另有說(shuō)明除外表1.HMC5883L-串行時(shí)鐘-I2C總線主/電源(2.16V-連接置位/復(fù)位帶正-S/R電容(C2)存儲(chǔ)電容器(C1)S/R電容器(C2)連接-IO電源供應(yīng)(1.7V-數(shù)據(jù)準(zhǔn)備,中斷引腳。內(nèi)部被拉高。選項(xiàng)為連接,當(dāng)數(shù)據(jù)位于輸出寄存器上時(shí)會(huì)在低電位上停串行數(shù)據(jù)-I2C總線主/供電電壓-供電電壓-HMC5883L(16-引腳LPCC,單位:毫米HMC5883L(16-引腳LPCC,單位:毫米以下為HMC5883L使用的印刷電路板(PCB)(推薦PCBHMC583L推薦PCBHMC583LCBHMC883L(1和)1對(duì)于電氣接觸墊,我們推薦一個(gè)4mil鋼網(wǎng)和100%該ICML260SMT(0R,2℃,24hrs)。L當(dāng)達(dá)到預(yù)定的最大輸出頻率,才需要監(jiān)控DRDY當(dāng)達(dá)到預(yù)定的最大輸出頻率,才需要監(jiān)控DRDY霍尼韋爾()(為了檢測(cè)L,再去測(cè)量此AMS為了檢測(cè)L,再去測(cè)量此AMSD電源的內(nèi)部電流(大約10),該器件可有兩種不同的供電模式。第一個(gè)是內(nèi)部運(yùn)作的VDD供電電源,第二個(gè)是為IO接口供電的VDDIOVDDIOVDDVDDIOVDD的情況下,HMC5883LI2C控制該裝置可以通過(guò)I2C總線來(lái)實(shí)現(xiàn)。該裝置將作為從機(jī)在一個(gè)主機(jī)(例如:處理器)該裝置必須符合I2C-BusSpecification(I2C-總線技術(shù)規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)),文件號(hào)為:939839340011。作為一個(gè)I2C兼容裝置,該裝置包含一個(gè)7-bit串行地址,并支持I2C協(xié)議。這一裝置可以支持標(biāo)準(zhǔn)和快速模式,分別為100kHz和400kHz,但不支持高速模式()I2C置位/復(fù)位帶驅(qū)動(dòng)的H-CTs//C/無(wú)論是單電源供電還是雙電源供電,C1VDD的電壓被拉低量數(shù)據(jù)取代。為了保存測(cè)量之間的電流,該裝置被放置在一個(gè)類似閑置模式的狀態(tài),但模式寄存器沒(méi)有改變成空閑模式。即MD[n]位不變。配置寄存器A的設(shè)置在連續(xù)測(cè)量模式時(shí)會(huì)影響數(shù)據(jù)輸出速率(比特D[n]),測(cè)量配置(itsMS[]),和增益(its[)I2存器的更新以后,通過(guò)設(shè)置M[n]bis,該裝置被置于閑置模式,模式寄存器變更為閑置模式。配置寄存器的設(shè)置在單一測(cè)量模式時(shí)影響測(cè)量配置(bitsMS[n])。在單測(cè)量模式中所有寄存器保留數(shù)值。在單測(cè)量模式下I2C2IC1,重0。下面表格列出了寄存器及其訪問(wèn)。所有地址為8bits表2本章節(jié)介紹讀取和寫入此裝置的過(guò)程。該裝置使用地址指針來(lái)顯示該寄存器地點(diǎn)是被讀取或?qū)懭?。這些指針位置從主機(jī)發(fā)出到7位地址加1位讀/1。模式時(shí)影響測(cè)量配置(bitsMS[n])。在單測(cè)量模式中所有寄存器保留數(shù)值。在單測(cè)量模式下I2C2IC1,重0。下面表格列出了寄存器及其訪問(wèn)。所有地址為8bits表2本章節(jié)介紹讀取和寫入此裝置的過(guò)程。該裝置使用地址指針來(lái)顯示該寄存器地點(diǎn)是被讀取或?qū)懭?。這些指針位置從主機(jī)發(fā)出到7位地址加1位讀/1。地址指針本身不能通過(guò)I2C0s.bit..例如,要讓地址指針指向寄存器10,發(fā)出的指令為0x3C0x0A讀/讀/讀/XMSBXLSBZLSBYMSBYLSB識(shí)別寄存器識(shí)別寄存器識(shí)別寄存器配置寄存器配置寄存器是用來(lái)配置該裝置設(shè)置的數(shù)據(jù)輸出速率和測(cè)量配置。CRA0通過(guò)CRA7表明位的位置,用CAR指示在配置寄存器中的位。CRA7指示數(shù)據(jù)流的第一位。括號(hào)中的數(shù)目顯示是該位的默認(rèn)值。表3.表4.A下表的數(shù)據(jù)顯示在連續(xù)測(cè)量模式下的所有可選的輸出速率。所有這三個(gè)通道應(yīng)在某一特定數(shù)據(jù)速率下測(cè)量。其他輸出速率可以RYz。表5.表6.(X、Y、Z軸正偏壓配置。在該配置中,正電流強(qiáng)制通過(guò)負(fù)載電阻到達(dá)X、Y、ZX、Y、Z軸負(fù)偏壓配置,在該配置中,負(fù)電流強(qiáng)制通過(guò)負(fù)載電阻到達(dá)X、Y、Z配置寄存器配置寄存器是用來(lái)配置該裝置設(shè)置的數(shù)據(jù)輸出速率和測(cè)量配置。CRA0通過(guò)CRA7表明位的位置,用CAR指示在配置寄存器中的位。CRA7指示數(shù)據(jù)流的第一位。括號(hào)中的數(shù)目顯示是該位的默認(rèn)值。表3.表4.A下表的數(shù)據(jù)顯示在連續(xù)測(cè)量模式下的所有可選的輸出速率。所有這三個(gè)通道應(yīng)在某一特定數(shù)據(jù)速率下測(cè)量。其他輸出速率可以RYz。表5.表6.(X、Y、Z軸正偏壓配置。在該配置中,正電流強(qiáng)制通過(guò)負(fù)載電阻到達(dá)X、Y、ZX、Y、Z軸負(fù)偏壓配置,在該配置中,負(fù)電流強(qiáng)制通過(guò)負(fù)載電阻到達(dá)X、Y、Z標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)輸出速率15(默認(rèn)值CRA6MA1至在每次測(cè)量輸出中選擇采樣平均數(shù)(1-00=1;01=2;10=4;11=8(缺省CRA4DO2CRA1MS1測(cè)量配置位。這些位定義裝置的測(cè)量流程,特別是是否納入適用的偏置到測(cè)量中去。DO2DO1DO0MS1MS0配置寄存器B設(shè)置裝置的增益。CRB0CRB7CRB指示在配置寄存器里的位。CRB7表示數(shù)據(jù)流中的表7配置寄存器8:BcountsGuassssti噪聲層當(dāng)整個(gè)磁場(chǎng)強(qiáng)度促使設(shè)備在其中的輸出寄存器(飽和)溢出時(shí),選擇較低的增益值(高GN#值)注:新的Gain在設(shè)定后,實(shí)際第一次測(cè)量的Gain還是保留和先前的一致,真正更改Gain的生效是在第二次測(cè)量的時(shí)候表9.(Counts/高斯(-2048–2047)配置寄存器B設(shè)置裝置的增益。CRB0CRB7CRB指示在配置寄存器里的位。CRB7表示數(shù)據(jù)流中的表7配置寄存器8:BcountsGuassssti噪聲層當(dāng)整個(gè)磁場(chǎng)強(qiáng)度促使設(shè)備在其中的輸出寄存器(飽和)溢出時(shí),選擇較低的增益值(高GN#值)注:新的Gain在設(shè)定后,實(shí)際第一次測(cè)量的Gain還是保留和先前的一致,真正更改Gain的生效是在第二次測(cè)量的時(shí)候表9.(Counts/高斯(-2048–2047)1090(默認(rèn)(-2048–2047)(-2048–2047)(-2048–2047)(-2048–2047)(-2048–2047)(-2048–2047)(-2048–2047)CRB7GN2至CRB4GN2GN1GN08通過(guò)MRRM710:表11.表12.數(shù)據(jù)輸出X寄存器A和X8ABXXA儲(chǔ)存一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的MSB(高位數(shù)據(jù)),數(shù)據(jù)輸出X寄存器B儲(chǔ)存一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的LSB(低位數(shù)據(jù))。存儲(chǔ)在這160xF800到0x07FF。DXRA0至DXRA7、DXRB08通過(guò)MRRM710:表11.表12.數(shù)據(jù)輸出X寄存器A和X8ABXXA儲(chǔ)存一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的MSB(高位數(shù)據(jù)),數(shù)據(jù)輸出X寄存器B儲(chǔ)存一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的LSB(低位數(shù)據(jù))。存儲(chǔ)在這160xF800到0x07FF。DXRA0至DXRA7、DXRB0至在事件的DC表13.數(shù)據(jù)輸出XA和YOO進(jìn)行,()R設(shè)為MR7至M位1MR1至MD1至MD1MD0數(shù)據(jù)輸出Y寄存器A和Y8ABYY寄存器A儲(chǔ)存一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的MSB(高位數(shù)據(jù)),數(shù)據(jù)輸出Y寄存器B包含一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的LSB(低位數(shù)據(jù))。存儲(chǔ)在160xF8000x07FF。DYRA0DYRA7、DYRB0至DYRB7標(biāo)識(shí)位置,DYRADYRBY中的位。DYRA7DYRB7標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)流的第一位。括號(hào)中的數(shù)目在事件的DC數(shù)據(jù)輸出Y寄存器A和Y8ABYY寄存器A儲(chǔ)存一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的MSB(高位數(shù)據(jù)),數(shù)據(jù)輸出Y寄存器B包含一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的LSB(低位數(shù)據(jù))。存儲(chǔ)在160xF8000x07FF。DYRA0DYRA7、DYRB0至DYRB7標(biāo)識(shí)位置,DYRADYRBY中的位。DYRA7DYRB7標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)流的第一位。括號(hào)中的數(shù)目在事件的DC-4096表14.數(shù)據(jù)輸出YA數(shù)據(jù)輸出Z寄存器A和Z8ABZZ寄存器A儲(chǔ)存一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的MSB(高位數(shù)據(jù)),數(shù)據(jù)輸出Z寄存器B包含一個(gè)來(lái)自測(cè)量結(jié)果中的LSB(低位數(shù)據(jù))。存儲(chǔ)在這160xF8000x07FF。DZRA0DZRA7、DZRB0DZRB7標(biāo)識(shí)位置,DZRADZRBZ中的位。DZRA7DZRB7標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)流的第一位。括號(hào)中的數(shù)目顯示該在事件的DC-4096表15ZARDY和RY狀態(tài)寄存器是一個(gè)8位只讀寄存器。該寄存器是表明裝置的狀態(tài),SR0到SR7表明位的位置,SR表明在狀態(tài)寄存器的位,SR7指表16.表17.識(shí)別寄存器A是用來(lái)識(shí)別裝置。IRA0IRA7IRAA中的位。IRA7指數(shù)據(jù)流的第一位。寄存器值。ASCII表18.識(shí)別寄存器A表16.表17.識(shí)別寄存器A是用來(lái)識(shí)別裝置。IRA0IRA7IRAA中的位。IRA7指數(shù)據(jù)流的第一位。寄存器值。ASCII表18.識(shí)別寄存器ASR7數(shù)據(jù)輸出寄存器鎖存。當(dāng)六個(gè)數(shù)據(jù)輸出寄存器上的一些但不是全部數(shù)據(jù)被讀取時(shí),該位置位。當(dāng)此位置位時(shí),六個(gè)數(shù)據(jù)輸出寄存器被鎖定且任何新的數(shù)據(jù)將不會(huì)被更新至這些寄存器中,除非符合以下三個(gè)條件之一:一,所有6個(gè)寄存器已被讀取或模式改準(zhǔn)備就緒位。當(dāng)數(shù)據(jù)都寫入了6個(gè)數(shù)據(jù)寄存器,該位置位。在一個(gè)或據(jù)時(shí)該位被清除。當(dāng)RY位已清除,Y應(yīng)保持清除狀態(tài)至少20微秒。Y引腳可被用來(lái)作為一種替代的狀態(tài)寄存器的監(jiān)測(cè)裝置識(shí)別寄存器識(shí)別寄存器B是用來(lái)識(shí)別裝置。IRB0到IRB7IRB表明在識(shí)別寄存器B中的位。IRB7寄存器值。ASCII表19.識(shí)別寄存器B識(shí)別寄存器鑒定寄存器C是用來(lái)識(shí)別裝置,IRC0到IRC7識(shí)別寄存器識(shí)別寄存器B是用來(lái)識(shí)別裝置。IRB0到IRB7IRB表明在識(shí)別寄存器B中的位。IRB7寄存器值。ASCII表19.識(shí)別寄存器B識(shí)別寄存器鑒定寄存器C是用來(lái)識(shí)別裝置,IRC0到IRC7IRC表明在識(shí)別寄存器C中的位,IRC7寄存器值。ASCII表20CI2CHMC5883LLI2C總線系統(tǒng)作為一個(gè)從機(jī)裝置進(jìn)行通信。HMC5883LIICI2CHMC5883LLI2C總線系統(tǒng)作為一個(gè)從機(jī)裝置進(jìn)行通信。HMC5883LIIC協(xié)議所定義的簡(jiǎn)化后的通信接口協(xié)議,通過(guò)這一文件,。數(shù)據(jù)傳輸速率是標(biāo)準(zhǔn)模式100kbps或400kbps速率,如I2C總線規(guī)格中所規(guī)定。總線位格式是一個(gè)8位數(shù)據(jù)/地址傳送和1位應(yīng)答位。格式的數(shù)據(jù)字節(jié)(有效載荷)應(yīng)區(qū)分HMC5883L從機(jī)上的大小寫的ASCII字符或二進(jìn)制數(shù)據(jù),以及返回的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。負(fù)二進(jìn)制值將是以二進(jìn)制的補(bǔ)碼形式。默認(rèn)(出廠)HMC5883L70x3C的寫入操作,或0x3D的讀出操作。HMC5883L串行時(shí)鐘(SCL)和串行數(shù)據(jù)(SDA)線需要主機(jī)(通常是主機(jī)微處理器)和HMC588LL(Rp)VDDIO2.2K10KI2CVDDIOSCLSDA8I2C78位傳輸之后,主機(jī)裝置產(chǎn)生一個(gè)第9個(gè)時(shí)鐘脈沖,并釋放SDA的線。接收裝置(指向的從機(jī))將SDA線拉至低位確認(rèn)(ACK)傳輸成功或使SDA線處于高位表示否定確認(rèn)(NACK)。I2CSDASCLSCLSDA傳送時(shí)這一要求會(huì)導(dǎo)致兩SDASCL線是高,表明開(kāi)始(S)的條件;當(dāng)SDASCL處于高位,這是停止(P)的情況。I2C總線協(xié)議還允許重新啟動(dòng)的條件,這時(shí)主機(jī)發(fā)出第二次啟動(dòng)條件還沒(méi)有叫停。;先7位its7-(LB的)b的=1或?qū)懭隻的=0),地址的Lb9C(或)I2C總線控制或可用任何硬件邏輯也可在軟件中實(shí)現(xiàn)。典型的硬件設(shè)計(jì)將釋放SDA和SCL適當(dāng)?shù)卦试S從機(jī)操縱這些線路。在HMC5883L有一個(gè)從沒(méi)有電壓相當(dāng)穩(wěn)定快速穩(wěn)定時(shí)間和數(shù)據(jù)檢索做好準(zhǔn)備。標(biāo)稱6毫秒在出廠默認(rèn)的單一測(cè)量模式下是指在6個(gè)字節(jié)(A,B,Y,,Z和R)0x3C0x02將00zLC670x3D,并記錄下的DXRA,DXRB,DZRA,DZRB,DYRA,DYRB設(shè)在寄存器3到8上的時(shí)鐘脈沖。HMC5883L,將自動(dòng)重30x3D的查詢。全部六個(gè)寄存器在新的數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)寄存器前必須正確讀取。WriteCRA(00)–send0x3C0x000x70(8-average,15Hzdefault,normalWriteCRB(01)–send0x3C0x010xA0(Gain=5,oranyotherdesiredWriteMode(02)–send0x3C0x020x00(Continuous-measurementReaddataregister(03~08)–send0x3D0x06(ifgainischanged,readanddiscardthefirstSend0x3C0x03(pointtofirstdataregister03)Send0x3D0x06(Readmeasurements,all6bytes)Waitabout67ms(if15Hzrate)為確定HMC5883L是否能正常運(yùn)行,其配備了自測(cè)功能模塊以促使傳感器偏移帶來(lái)產(chǎn)生一個(gè)待測(cè)的標(biāo)稱磁場(chǎng)強(qiáng)度(偏置磁場(chǎng))。為執(zhí)行該自測(cè),配置寄存器A的最低位(MS1和MS0)00
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