上傳人：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社

認(rèn)證信息

認(rèn)證類型：機(jī)構(gòu)認(rèn)證

認(rèn)證主體：北京標(biāo)科網(wǎng)絡(luò)科技有限公司

IP屬地：四川

統(tǒng)一社會(huì)信用代碼/組織機(jī)構(gòu)代碼

91110106773390549L

IP屬地：四川 上傳時(shí)間：2024-11-18 格式：PDF 頁數(shù)：64 大小：308.48KB 積分：97

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

集成電路電磁兼容建模

第1部分通用建?？蚣?/p>

:

EMCICmodellin—Part1Generalmodellinframework

g:g

IEC62433-12019IDT

(:,)

2024-10-26發(fā)布2024-10-26實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語定義和縮略語

3、………………………1

術(shù)語和定義

3.1…………………………1

縮略語

3.2………………4

約定

3.3…………………4

模型的定義

4………………4

概述

4.1…………………4

傳導(dǎo)發(fā)射模型

4.2………………………4

輻射發(fā)射模型

4.3………………………4

傳導(dǎo)抗擾度模型

4.4……………………4

輻射抗擾度模型

4.5……………………5

傳導(dǎo)脈沖抗擾度模型

4.6………………5

建模方法

5…………………5

通則

5.1…………………5

黑盒建模方法

5.2………………………5

等效電路建模方法

5.3…………………6

其他建模方法

5.4………………………6

模型描述的要求

6…………………………6

模型數(shù)據(jù)交換格式

7………………………7

概述

7.1…………………7

結(jié)構(gòu)

7.2IC_EMCML……………………7

組成

7.3IC_EMCML……………………8

附錄規(guī)范性模型的要求

A()ICEMC…………………17

附錄規(guī)范性表示的基本定義

B()XML………………19

附錄規(guī)范性的有效關(guān)鍵字和用法

C()IC_EMCML…………………25

參考文獻(xiàn)

……………………57

Ⅰ

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成電路電磁兼容建模的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分

GB/T44807《》1。GB/T44807:

第部分通用建?？蚣?/p>

———1:。

本文件等同采用集成電路電磁兼容建模第部分通用建?？蚣?/p>

IEC62433-1:2019《1:》。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院深圳市北測(cè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司安徽中認(rèn)倍佳

:、、

科技有限公司天津先進(jìn)技術(shù)研究院北京智芯微電子科技有限公司工業(yè)和信息化部電子第五研究所

、、、、

北京郵電大學(xué)浙江大學(xué)廣州致遠(yuǎn)電子有限公司北京航空航天大學(xué)深圳市海思半導(dǎo)體有限公司

、、、、、

南京信息工程大學(xué)中國(guó)汽車工程研究院股份有限公司河南凱瑞車輛檢測(cè)認(rèn)證中心有限公司蘇州菲

、、、

利波電磁技術(shù)有限公司江蘇省電子信息產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)研究院江蘇省信息安全測(cè)評(píng)中心

、()。

本文件主要起草人朱賽崔強(qiáng)吳建飛張海峰方文嘯謝玉章李旸付君張金玲魏興昌陳勇志

:、、、、、、、、、、、

張紅麗閻照文黃銀濤萬發(fā)雨褚瑞黃雪梅李騰飛崔培賓陳嘉聲

、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

引言

為規(guī)范集成電路電磁兼容建模以及為集成電路制造商提供電磁兼容建模方法和要求

,,

規(guī)定了集成電路電磁兼容建模的通用框架方法和要求擬由個(gè)部分構(gòu)成

GB/T44807、,6。

第部分通用建?？蚣苣康脑谟谝?guī)定集成電路電磁兼容宏建模的框架和方法常用術(shù)語的

———1:。,

定義不同的建模方法以及標(biāo)準(zhǔn)化的每個(gè)模型類別的要求和數(shù)據(jù)交換格式

、。

第部分集成電路電磁干擾特性仿真模型傳導(dǎo)發(fā)射建模目的在于規(guī)定集成

———2:(ICEM-CE)。

電路傳導(dǎo)發(fā)射建模方法和要求

。

第部分傳導(dǎo)發(fā)射的黑匣子建模理論目的在于給出集成電路傳導(dǎo)發(fā)射的黑匣子建模

———2-1:。

理論

。

第部分集成電路電磁干擾特性仿真模型輻射發(fā)射建模目的在于規(guī)定集成

———3:(ICEM-RE)。

電路輻射發(fā)射建模方法和要求

。

第部分集成電路射頻抗擾度特性仿真模型傳導(dǎo)抗擾度建模目的在于規(guī)定

———4:(ICIM-CI)。

集成電路傳導(dǎo)抗擾度建模方法和要求

。

第部分集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型傳導(dǎo)脈沖抗擾度建模目的在于

———6:(ICIM-CPI)。

規(guī)定集成電路傳導(dǎo)脈沖抗擾度建模方法和要求

。

Ⅳ

GB/T448071—2024/IEC62433-12019

.:

集成電路電磁兼容建模

第1部分通用建?？蚣?/p>

:

1范圍

本文件規(guī)定了集成電路電磁兼容宏建模的框架和方法規(guī)定了其他部分中

(IC)(EMC),IEC62433

常用術(shù)語的定義不同的建模方法以及標(biāo)準(zhǔn)化的每個(gè)模型類別的要求和數(shù)據(jù)交換格式

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

所有部分集成電路電磁兼容建模

IEC62433()(EMCICmodelling)

信息系統(tǒng)編碼字符集位美國(guó)國(guó)家信息交換標(biāo)準(zhǔn)碼位

ANSIINCITS4:19867(7ASCII)

[InformationSystems—CodedCharacterSets—7-BitAmericanNationalStandardCodeforInformation

Interchange(7-BitASCII)]

3術(shù)語定義和縮略語

、

31術(shù)語和定義

.

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

311

..

集成電路發(fā)射模型-傳導(dǎo)發(fā)射integratedcircuitemissionmodel-conductedemissionsICEM-CE

;

用于模擬傳導(dǎo)電磁發(fā)射的宏模型

IC。

注宏模型用于對(duì)晶片功能塊和知識(shí)產(chǎn)權(quán)塊進(jìn)行建模

:ICEM-CEIC、(IP)。

312

..

集成電路發(fā)射模型-輻射發(fā)射integratedcircuitemissionmod