材料現(xiàn)代分析方法試題庫

1、材料現(xiàn)代分析方法試題庫一、填空1、第一個(gè)發(fā)現(xiàn)X射線的科學(xué)家是 ，第一個(gè)進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)的科學(xué)家是 。2、X射線的本質(zhì)是 ，其波長為 。3、X射線本質(zhì)上是一種_，它既具有_性，又具有_性，X射線衍射分析是利用了它的_ _。4、特征X射線的波長與 和 無關(guān)。而與 有關(guān)。5、X射線一方面具有波動(dòng)性，表現(xiàn)為具有一定的 ，另一方面又具有粒子性，體現(xiàn)為具有一定的 ，二者之間的關(guān)系為 。6、莫塞來定律反映了材料產(chǎn)生的 與其 的關(guān)系。7、從X射線管射出的X射線譜通常包括 和 。8、當(dāng)高速的電子束轟擊金屬靶會(huì)產(chǎn)生兩類X射線，它們是_和_，其中在X射線粉末衍射中采用的是_ _ 。9、特征X射線是由元素原子中_引

2、起的，因此各元素都有特定的_和_電壓，特征譜與原子序數(shù)之間服從_ _定律。10、同一元素的入K1、入K2、入K的相對(duì)大小依次為_；能量從小到大的順序是_。(注：用不等式標(biāo)出)11、X射線通過物質(zhì)時(shí)，部分X射線將改變它們前進(jìn)的方向，即發(fā)生散射現(xiàn)象。X射線的散射包括兩種： 和 。12、hu+kv+lw=0關(guān)系式稱為_ ,若晶面(hkl)和晶向uvw滿足該關(guān)系式，表明_ 。15、倒易點(diǎn)陣是由晶體點(diǎn)陣按照 式中，為倒易點(diǎn)陣基矢，為正點(diǎn)陣基矢的對(duì)應(yīng)關(guān)系建立的空間點(diǎn)陣。在這個(gè)倒易點(diǎn)陣中，倒易矢量的坐標(biāo)表達(dá)式 為 ，其基本性質(zhì)為 。14、X射線在晶體中產(chǎn)生衍射時(shí)，其衍射方向與晶體結(jié)構(gòu)、入射線波長和入射線方位

3、間的關(guān)系可用_ _ _、_ _、_和_四種方法來表達(dá)。15、當(dāng)波長為的X射線照射到晶體并出現(xiàn)衍射線時(shí)，相鄰兩個(gè)（hkl）反射線的波程差是 ，相鄰兩個(gè)（HKL）反射線的波程差是 。16、布拉格公式=2dsin中表示 ，d表示 ，表示 。17、獲得晶體衍射花樣的三種基本方法是 、 、 。18獲得晶體衍射花樣三種基本的方法中，勞埃法是通過改變 來獲得衍射花樣的，主要用于判斷 ；旋轉(zhuǎn)單晶法是旋轉(zhuǎn)晶體，改變 來獲得衍射花樣的，主要用于研究 ；粉末法是通過單色X射線照射多晶體樣品，改變 來產(chǎn)生衍射的，測(cè)定樣品的 。19、當(dāng)X射線照射在一個(gè)晶體時(shí)，產(chǎn)生衍射的必要條件是_,而產(chǎn)生衍射的充要條件是_ _ _ 。

4、20、X射線的衍射的強(qiáng)度主要取決于 和 。21、X射線衍射儀探測(cè)器主要性能是 、 、 、 、 。22、測(cè)角儀在工作時(shí)，為了使樣品與計(jì)數(shù)管始終在同一個(gè)_ _上，二者的轉(zhuǎn)速必須保持_。23、測(cè)角儀在采集衍射圖時(shí)，如果試樣表面轉(zhuǎn)到與入射線成300角，則計(jì)數(shù)管與入射線所成角度為 ；能產(chǎn)生衍射的晶面，與試樣的自由表面呈 關(guān)系。24、粉末照相法底片安裝方法有三種： 、 和 。25、粉末衍射儀法衍射峰2角的測(cè)量方法有 、 、 。26、多晶X射線粉末衍射分析方法通常有 和 兩種。27X射線衍射儀的新進(jìn)展主要有 、 、 三個(gè)方面。28、PDF卡片的二種常用的數(shù)值索引是_ _索引和_ _索引，前者是按衍射線的_順

5、序排列的，后者是按衍射線的_順序排列的。29、利用衍射卡片鑒定物相的主要依據(jù)是_ _，參考_ _。30、X射線衍射定量分析的方法有 、 、 、 、 。31、精確測(cè)定點(diǎn)陣參數(shù)校正或消除誤差常用的有哪三種方法？有 、 、 三種方法。32、X射線衍射儀測(cè)定宏觀應(yīng)力的方法主要有 和 兩種。33、為了測(cè)得材料表面沿某個(gè)方向上的宏觀應(yīng)力，至少要測(cè)_個(gè)方向上某晶面的晶面間距，相應(yīng)的方法稱為_ 。34、織構(gòu)表示方法有 、 、 三種35、計(jì)算機(jī)技術(shù)在多晶體衍射中的應(yīng)用主要有三個(gè)方面： 、 、 。36、光學(xué)顯微鏡是可見光束通過光學(xué)透鏡發(fā)生 達(dá)到放大的目的，而成像于 ；電子顯微鏡是電子束通過電磁場(chǎng)（電子透鏡）發(fā)生

6、達(dá)到放大的目的，并成像于 。37、電鏡中透鏡分辨本領(lǐng)取決于 和 。38、波譜儀分析的元素范圍為 ，能譜分析的元素范圍為 。39、掃描電鏡圖像的分辨率決定于 和 。40、透射電鏡中的電子光學(xué)系統(tǒng)可分為 、 和 三部分。41、倒易矢量的長度等于正點(diǎn)陣中 。42、愛瓦爾德球圖解法是 的幾何表達(dá)形式。43、電子衍射基本公式R = Lg 中的R表示 ，表示 ，L表示 ，g表示 。44、譜儀的分辨率是 的能力。45、電子波長與其加速電壓平方根成 ，加速電壓越 ，電子波長越 。46、透射電鏡粉末樣品制備方法有 和 。47、復(fù)雜電子衍射花樣通常包括 、 、 、 、 。48、電子探針X射線顯微分析中常用X射線譜

7、儀有 和 。49、光電子發(fā)射可以分為三個(gè)過程，即（1） ；（2） ；（3） 。50、像差分為 和 兩類。51、金屬薄膜制備過程大體是： 、 、 。52、X射線光電子能譜是測(cè)定低能電子的動(dòng)能從而得到光電子的 。53、真正能夠保持其特征能量而逸出表面的俄歇電子卻僅限于表層以下 nm的深度范圍。54、透射電鏡的主要性能指標(biāo)是 、 和 。55、透射電鏡成像系統(tǒng)中，若使中間鏡物平面與物鏡像平面重合的操作稱為 操作；而使中間鏡的物平面與物鏡背焦面重合的操作稱為 操作。56、掃描電鏡由 、 、 、 、 和 等部分組成。57、掃描電鏡中樣品制備的鍍膜方法主要有兩種：一種是 ，另一種方法是 。58、電子探針顯微

8、分析有四種基本分析方法： 、 、 和 。59、電子衍射成像中所指的雙光束是 和 。60、 TEM中物鏡的作用是 。 中間鏡在成像時(shí)的作用是 ， 。61、衡量透鏡的性能優(yōu)劣的指標(biāo)是 ，它取決于 。62、 TEM的電子光學(xué)系統(tǒng)是由 組成的。63、 平行于膜面的層錯(cuò)襯度特征是 ，傾斜與膜面的層錯(cuò)襯度特征是 。64、 影響SEM分辨率的主要因素有 . 。65、 通常SEM的分辨率是指 ，其成像襯度原理為 。66、完整晶體和不完整晶體運(yùn)動(dòng)學(xué)理論衍射振幅的表達(dá)式為: （完整晶體） （不完整晶體）對(duì)于給定的缺陷，R(x,y,z)是確定的，g是用于成像的操作反射，令N = gR，則缺陷是否可見的重要判據(jù)是 ；

9、各類型位錯(cuò)襯度消失的一個(gè)實(shí)際可行的有效判據(jù)是 。67、消光距離xg是指 。68、結(jié)構(gòu)消光是指 。69、電子衍射的相機(jī)常數(shù)為 ，其物理含義是 。70、衡量透鏡的性能優(yōu)劣的指標(biāo)是 ，它取決于 。71、商品TEM的三個(gè)主要指標(biāo)是 、 、 。72、制備復(fù)型的材料應(yīng)具備的性質(zhì)要求是 . 。73、雙光束衍射條件是 . 。74、產(chǎn)生電子衍射的必要條件是 ，充分條件是 。75、電子衍射的相機(jī)常數(shù)為 ，其物理含義是 。76、苯環(huán)的紅外光譜吸收峰主要可能出現(xiàn)在 cm-1, cm-1, cm-1, cm-1 ; 其紫外主要吸收的位置在 。77、判斷苯環(huán)上取代基數(shù)量和位置的兩處吸收帶分別在 cm-1和 cm-1； 苯

10、環(huán)的紫外特征吸收波長在 nm。78、下表列出幾個(gè)紅外吸收的波數(shù)，請(qǐng)?zhí)钊胂鄳?yīng)的可能存在的基團(tuán)。1650 cm-11715 cm-12720 cm-11460 cm-13300 cm-179、紫外光譜由 能級(jí)躍遷產(chǎn)生，而紅外光譜由 能級(jí)躍遷產(chǎn)生。80、羰基連在苯環(huán)上，則吸收峰從 cm-1變?yōu)?cm-1，原因是 。81、樣品在 cm-1和 cm-1有吸收峰，則可能含有水，進(jìn)一步檢驗(yàn)是否有水的辦法有： 。82、影響紅外光譜吸收峰位置的主要因素有： ， ， ， ， ， 。83、凝膠色譜的紫外檢測(cè)器可適于檢測(cè)以下類型的材料： ， ， 。84、拉曼光譜與紅外光譜在 數(shù)值相等，但選律不同，前者適合于研究 ，后

11、者則適合于研究 。二、選擇題1、特征X射線產(chǎn)生的機(jī)理是：（）高速電子受阻原子內(nèi)層電子躍遷外層電子被打掉。2、X射線連續(xù)譜中存在一個(gè)短波極限，其波長入（ ）1.24/V(千伏) nm 12.4/V(千伏) nm 12.4/伏 nm 3、濾波的目的是：( )避免熒光輻射 獲得K系單色 防止光電效應(yīng)4、物質(zhì)對(duì)X射線的吸收主要是由（ ）散射 熱效應(yīng) 光電效應(yīng)引起的5、吸收因子A（）越大，則X射線衍射累積強(qiáng)度( ) 越 大 越小 不影響6、在debye照相法中，不受底片收縮影響的底片安裝方法是（ ） 正裝 反裝 不對(duì)稱7、電子從L層躍遷到K層的幾率比從M層躍遷到K層的幾率約大（ ） 5倍 3倍 7倍8、

12、宏觀內(nèi)應(yīng)力對(duì)X射線衍射花樣的影響是：（ ） 衍射線加寬 衍射線角位移 衍射線強(qiáng)度減弱 衍射增多9、系統(tǒng)消光規(guī)律中同種原子體心晶胞的晶面存在衍射的是（ ）。 (110) (203) (100)10、在點(diǎn)陣參數(shù)精測(cè)中，應(yīng)盡可能選擇( )衍射線。 高強(qiáng)度 相鄰 高角度11、通過透鏡中心且與主軸垂直的平面叫做（ ）。 焦平面 透鏡主平面 像平面12、由電磁透鏡磁場(chǎng)中近軸區(qū)域?qū)﹄娮邮恼凵淠芰εc遠(yuǎn)軸區(qū)域不同而產(chǎn)生的的像差，稱為（ ）。 球差 像散 色差13、在透射電鏡中稱為襯度光闌的是（ ）。 聚光鏡光闌 物鏡光闌 選區(qū)光闌14、把透鏡物平面允許的軸向偏差定義為透鏡的（ ）。 景深 焦長 球差15、倒易

13、點(diǎn)陣中的一點(diǎn)代表的是正點(diǎn)陣中的（ ）。一個(gè)點(diǎn) 一個(gè)晶面 一組晶面。16、電子槍中控制電子流量和流向的是（ ）。 陰極 柵極 陽極17、吸收電子的產(chǎn)額與樣品的原子序數(shù)關(guān)系是原子序數(shù)越小，吸收電子（ ）。越多 越少 不變18、讓透射束通過物鏡光闌而把衍射束擋掉得到圖像襯度的方法，叫做（ ）。 明場(chǎng)成像 暗場(chǎng)成像 中心暗場(chǎng)成像19、入射電子波在樣品中振蕩的深度周期叫做（ ）。 衍射襯度 消光距離 偏離矢量20、當(dāng)晶體內(nèi)部的原子或離子產(chǎn)生有規(guī)律的位移或不同種原子產(chǎn)生有序排列時(shí)，將引起其電子衍射結(jié)果的變化，即可以使本來消光的斑點(diǎn)出現(xiàn)，這種斑點(diǎn)稱為（ ）。二次衍射斑點(diǎn) 高階勞愛斑點(diǎn) 超點(diǎn)陣斑點(diǎn)21、據(jù)Ew

14、ald圖解可知，滿足衍射條件的晶面倒易點(diǎn)陣，落在半徑為（ ） 1/入 2/入 2入 1/2入 為半徑的反射球面上22、色差是一種（ ）。 球差 像差 像散23、把透鏡像平面允許的軸向偏差定義為（ ）。 球差 景深 焦長24、電子槍中給電子加速的稱為（ ）。 陽極 陰極 柵極25、二次電子的產(chǎn)額隨樣品的傾斜度成變化，傾斜度最小，二次電子產(chǎn)額（ ）。 最少 最多 中等26、產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下（ ）。 10nm左右 2nm左右 1nm左右27、影響電鏡中透鏡分辨本領(lǐng)主要是衍射效應(yīng)和（ ）。 像散 球差 色差28、塑料一級(jí)復(fù)型的分辨率一般只能達(dá)到（ ）。 5nm左右 10nm左右 20nm

15、左右29、通過倒易點(diǎn)陣可以把晶體的電子衍射斑點(diǎn)直接解釋成晶體相應(yīng)（ ）的衍射結(jié)果。 質(zhì)點(diǎn) 晶面 晶胞30、在入射電子束作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品的核外電子叫做（ ）。 二次電子 背散射電子 俄歇電子31、能譜儀的分辨率比波譜儀（ ）。 高 低 相同32、通過透鏡中心且與主軸垂直的平面叫做（ ）。 焦平面 透鏡主平面 像平面33、二次電子的產(chǎn)額隨樣品的傾斜度成變化，傾斜度最小，二次電子產(chǎn)額（ ）。 最少 最多 中等34、在透射電鏡中稱為襯度光闌的是（ ）。 聚光鏡光闌 物鏡光闌 選區(qū)光闌35、倒易點(diǎn)陣中的一點(diǎn)代表的是正點(diǎn)陣中的（ ）。一個(gè)點(diǎn) 一個(gè)晶面 一組晶面。36、吸收電子的產(chǎn)額與樣

16、品的原子序數(shù)關(guān)系是原子序數(shù)越小，吸收電子（ ）。越多 越少 不變37、讓透射束通過物鏡光闌而把衍射束擋掉得到圖像襯度的方法，叫做（ ）。 明場(chǎng)成像 暗場(chǎng)成像 中心暗場(chǎng)成像38、入射電子波在樣品中振蕩的深度周期叫做（ ）。 衍射襯度 消光距離 偏離矢量39、讓衍射束通過物鏡光闌而把透射束擋掉得到圖像襯度的方法，叫做（ ）。 明場(chǎng)成像 暗場(chǎng)成像 中心暗場(chǎng)成像40、產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下（ ）。 10nm左右 2nm左右 1nm左右41、在入射電子束作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品的核外電子叫做（ ）。 二次電子 背散射電子 俄歇電子42、能譜儀的分辨率比波譜儀（ ）。 高 低 相同43

17、、紅外光譜特征吸收峰的峰強(qiáng)可能與下列因素有關(guān)（ ）（1）樣品中對(duì)應(yīng)基團(tuán)的含量， （2）該基團(tuán)的極性 （3）測(cè)試方法44、紅外光譜定量分析的誤差能夠達(dá)到不大于（ ）（1）0.5%, (2) 2.0% (3) 5.0% (4) 10.0%45、在紫外光譜中，與羰基相連的向藍(lán)基團(tuán)包括（ ）（1）甲氧基 （2）羥基 （3）烷基 （4）氨基46、無機(jī)氫氧化物的紅外吸收通常在3400-3700cm-1，其他多數(shù)無機(jī)物的紅外吸收都由陰離子（團(tuán)）的晶格振動(dòng)引起，在1500cm-1以下的低頻區(qū)，尤其在（ ）（1）400-800cm-1 （2）400-650cm-1 （1）600-1000cm-1 47、有機(jī)發(fā)光

18、材料通常具有共軛雙鍵，因此可選用下列（ ）方法分析材料的結(jié)構(gòu)。（1）紅外光譜 （2）紫外光譜 （3）拉曼光譜48、某紅外譜圖在1700-2000cm-1沒有苯環(huán)的倍頻峰，則可推斷該樣品（ ）（1）不含苯環(huán) （2）含苯環(huán) （3）不能確定是否含苯環(huán)49、某紅外譜圖在1650-2000cm-1沒有吸收峰，則可推斷樣品（ ）（1）不含羰基 （2）不含苯環(huán) （3）可能含羰基 （4）可能含苯環(huán) 50、某紅外譜圖在3000-3800cm-1沒有吸收峰，則可推斷樣品（ ）（1）不含羥基 （2）不是胺類 （3）沒有雙鍵 （4）沒有三鍵三、名詞解析題1、物相2、K系輻射3、激發(fā)電壓4、Tomson散射5、Comp

19、ton散射6、光電效應(yīng)7、熒光輻射8、俄歇效應(yīng)9、吸收限10、激發(fā)限波長11、晶向指數(shù)12、晶帶13、干涉面14、X射線衍射15、洛倫茲因數(shù)16、原子散射因數(shù)17、倒易點(diǎn)陣18、結(jié)構(gòu)因數(shù)19、系統(tǒng)消光20、多重性因數(shù)21、PDF卡片22、極圖23、織構(gòu)24、掠射角25、電磁透鏡26、零層倒易截面27、超點(diǎn)陣斑點(diǎn)28、質(zhì)厚襯度29、背散射電子30、波譜儀31、暗場(chǎng)成像32、化學(xué)位移 33、二次電子34、像平面35、透鏡的景深36、明場(chǎng)成像37、消光距離38、透射電子39、電子平均自由程40. 電磁透鏡的景深41結(jié)構(gòu)消光42結(jié)構(gòu)因子43近似雙光束衍射條件44消光距離45離子減薄46選區(qū)電子衍射47

20、點(diǎn)分辨率和晶格分辨率48幾何像差49相機(jī)常數(shù)50偏離參量51近似雙光束衍射52衍射襯度53、紅移54、藍(lán)移55、B帶56、K帶57、R帶58、n-*躍遷59、-*躍遷60、配位場(chǎng)躍遷61、生色團(tuán)62、助色團(tuán)63、倍頻峰64、關(guān)聯(lián)峰65、拉曼效應(yīng)66、伍德沃德（Woodward）規(guī)則67、彎曲振動(dòng)68、紅外活性分子69、振動(dòng)耦合70、Michellson干涉儀71、內(nèi)反射72、二維相關(guān)紅外73、不飽和度74、吸收帶75、付立葉紅外76、斯托克斯線四、簡(jiǎn)答題1、石墨和金剛石是同一個(gè)物相嗎？為什么？2、特征X射線譜與連續(xù)譜的發(fā)射機(jī)制之主要區(qū)別？3、如何選用濾波片材料和X射線管？4、試述相干散射和非相

21、干散射的特點(diǎn)？5、什么是俄歇效應(yīng)，俄歇效應(yīng)在材料分析中有何用途？6、為什么特征X射線的產(chǎn)生存在一個(gè)臨界激發(fā)電壓？X射線管的工作電壓與其靶材的臨界激發(fā)電壓有什么關(guān)系？7、什么是激發(fā)電壓，特征X射線波長與電壓是什么關(guān)系？8、什么是光電效應(yīng)？光電效應(yīng)在材料分析中有哪些用途？9、實(shí)驗(yàn)中選擇X射線管以及濾波片的原則是什么？已知一個(gè)以Fe為主要成分的樣品，試選擇合適的X射線管和合適的濾波片。10、什么叫干涉面？當(dāng)波長為的X射線照射到晶體上發(fā)生衍射，相鄰兩個(gè)（hkl）晶面的波程差是多少？相鄰兩個(gè)（HKL）晶面的波程差是多少？11、下面是某立方晶系物質(zhì)的幾個(gè)晶面，試將它們的面間距從大到小按次序重新排列：（12

22、），（100），（200），（11），（121），（111），（10），（220），（130），（030），（21），（110）。12、下列哪些晶面屬于11晶帶？（1）、（1）、（231）、（211）、（101）、（01）、（13），為什么？13、證明（）、（）、（）、（01）晶面屬于111晶帶。14、試計(jì)算（11）及（2）的共同晶帶軸。15、當(dāng)X射線在原子列上反射時(shí)，相鄰原子散射線在某個(gè)方向上的波程差若不為波長的整數(shù)倍，則此方向上必然不存在衍射，為什么？16、試述布拉格方程2dHKLsin=中各參數(shù)的含義，以及該方程有哪些應(yīng)用?17、試述獲取衍射花樣的三種基本方法及其應(yīng)用？18、謝樂公式B=

23、k/tcos中的B、t、分別表示什么? 該公式用于粒徑大小測(cè)定時(shí)應(yīng)注意哪些問題?19、說明原子散射因數(shù)、結(jié)構(gòu)因數(shù)F的物理意義。20、衍射線在空間的方位取決于什么？而衍射線的強(qiáng)度又取決于什么？21、X射線衍射方向表示方式有哪幾種？22、原子散射因數(shù)的物理意義是什么？某元素的原子散射因數(shù)與其原子序數(shù)有何關(guān)系？23、多重性因數(shù)的物理意義是什么？某立方晶系晶體，其100的多重性因數(shù)是多少？如該晶體轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆骄?，這個(gè)晶面族的多重性因數(shù)會(huì)發(fā)生什么變化？為什么？24、洛倫茲因數(shù)是表示什么對(duì)衍射強(qiáng)度的影響？其表達(dá)式是綜合了哪幾方面考慮而得出的？25、與玻璃X射線管比較，陶瓷X射線管有哪些優(yōu)點(diǎn)？3分26、精確

24、測(cè)定點(diǎn)陣參數(shù)校正或消除誤差常用的有哪三種方法？27、在一塊冷軋鋼板中可能存在哪幾種內(nèi)應(yīng)力？它們的衍射譜有什么特點(diǎn)？28、宏觀應(yīng)力對(duì)X射線衍射花樣的影響是什么？衍射儀法測(cè)定宏觀應(yīng)力的方法有哪些？29、下圖是NaCl晶體的PDF卡片的內(nèi)容構(gòu)成示意圖。圖中標(biāo)記了區(qū)位編碼，請(qǐng)解釋各區(qū)位的內(nèi)容及縮寫符號(hào)的意義。30、織構(gòu)表示方法有哪些？什么是絲織構(gòu)，它的極圖有何特點(diǎn)？31、試述極圖與反極圖的區(qū)別？32計(jì)算機(jī)對(duì)粉末衍射實(shí)驗(yàn)圖譜進(jìn)行數(shù)據(jù)處理包括哪些內(nèi)容？33、電子波有何特征？與可見光有何異同？34、試比較光學(xué)顯微鏡成像和透射電子顯微鏡成像的異同點(diǎn)？35、說明影響光學(xué)顯微鏡和電磁透鏡分辨率的關(guān)鍵因素是什么？如

25、何提高電磁透鏡的分辨率？36、簡(jiǎn)述質(zhì)厚襯度成像原理？37、什么是衍射襯度？它與質(zhì)厚襯度有什么區(qū)別？38、何為質(zhì)厚襯度和衍射襯度？分析比較它們之間的異同點(diǎn)。39、電子衍射較X射線衍射有何特點(diǎn)？40、簡(jiǎn)述電子與樣品發(fā)生作用時(shí)產(chǎn)生的主要物理信號(hào)及特點(diǎn)。41、試比較掃描電鏡與透射電鏡成像原理？42、試比較波譜儀與能譜儀在進(jìn)行微區(qū)化學(xué)成分分析時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)？43、電子衍射的原理和X射線衍射原理有何異同？44、簡(jiǎn)述TEM、SEM、EPMA和AES分析方法的各自特點(diǎn)及用途？45、電子衍射分析的基本公式是在什么條件下導(dǎo)出的？公式中各項(xiàng)的含義是什么？46、掃描電子顯微鏡與透射電鏡相比具有哪些特點(diǎn)？47、單晶電子衍射

26、花樣的標(biāo)定有哪幾種方法？48、為什么掃描電鏡的分辨率和信號(hào)的種類有關(guān)？試將各種信號(hào)的分辨率高低作一比較。49、試述二次電子像的襯度和背散射電子像的襯度各有何特點(diǎn)？50、分別從原理、衍射特點(diǎn)及應(yīng)用方面比較X射線衍射和透射電鏡中的電子衍射在材料結(jié)構(gòu)分析中的異同點(diǎn)。51、簡(jiǎn)述SEM中電子束與樣品發(fā)生作用時(shí)產(chǎn)生的主要物理信號(hào)及其特點(diǎn)。52、何為波譜儀和能譜儀？說明其工作的三種基本方式，并比較波譜儀和能譜儀的優(yōu)缺點(diǎn)。53、倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣之間關(guān)系如何？倒易點(diǎn)陣與晶體的電子衍射斑點(diǎn)之間有何對(duì)應(yīng)關(guān)系？54、說明透射電子顯微鏡成像系統(tǒng)的主要構(gòu)成部件、安裝位置、特點(diǎn)及其作用。55、什么是消光距離? 影響晶體消光

27、距離的主要物性參數(shù)和外界條件是什么?56、何謂電磁透鏡的像差？是怎樣產(chǎn)生的? 如何來消除和減少像差?57、說明電子束與固體樣品表面作用所激發(fā)出信號(hào)的性質(zhì)、主要特征和用途?58、何為波譜儀和能譜儀？說明其工作的三種基本方式，并比較波譜儀和能譜儀的優(yōu)缺點(diǎn)。59、制備薄膜樣品的基本要求是什么? 具體工藝過程如何? 雙噴減薄與離子減薄各適用于制備什么樣品?60、已知Cu3Au為面心立方結(jié)構(gòu)，可以以有序和無序兩種結(jié)構(gòu)存在，請(qǐng)畫出其有序和無序結(jié)構(gòu)001晶帶的電子衍射花樣，并標(biāo)定出其指數(shù)。61、說明透射電子顯微鏡成像系統(tǒng)的主要構(gòu)成、安裝位置、特點(diǎn)及其作用。62、什么是消光距離? 影響晶體消光距離的主要物性參

28、數(shù)和外界條件是什么?63、何為晶帶定理和零層倒易截面? 說明同一晶帶中各晶面及其倒易矢量與晶帶軸之間的關(guān)系。64、已知Cu3Au為面心立方結(jié)構(gòu)，可以以有序和無序兩種結(jié)構(gòu)存在，請(qǐng)畫出其有序和無序結(jié)構(gòu)001晶帶的電子衍射花樣，并標(biāo)定出其指數(shù)。65、二次電子像和背散射電子像在顯示表面形貌襯度時(shí)有何相同與不同之處? 說明二次電子像襯度形成原理。66、簡(jiǎn)要說明多晶（納米晶體）、單晶及非晶衍射花樣的特征及形成原理。67、什么是雙光束衍射？電子衍襯分析時(shí)，為什么要求在近似雙光束條件下進(jìn)行？68、紅外譜圖在2100-2400 cm-1有吸收峰，則可能含有幾種什么基團(tuán)？69、如何利用紅外和紫外光譜區(qū)分醇羥基與酚

29、羥基？70、紅外測(cè)試樣品時(shí)，如何去除干凈游離水？若含游離水，譜圖在哪里有吸收峰?71、紅外譜圖在1600 cm-1有吸收峰，則樣品可能含有幾種什么基團(tuán)？72、含苯環(huán)的紅外譜圖中，關(guān)聯(lián)峰可能出現(xiàn)在哪4個(gè)波數(shù)范圍?73、紅外譜圖在3000-3100 cm-1有吸收峰，則可能含有幾種什么基團(tuán)？74、如何計(jì)算有機(jī)分子的不飽和度？75、分析下圖，指出可能存在的基團(tuán)，并寫出依據(jù)。76、分析譜圖，指出可能含有的基團(tuán)，并寫出依據(jù)。77、分別指出譜圖中標(biāo)記的各吸收峰所對(duì)應(yīng)的基團(tuán)? 78、分析譜圖，指出可能含有什么基團(tuán)，為什么?79、分析譜圖，指出可能含有什么基團(tuán)，為什么?80、分析譜圖，指出可能含有什么基團(tuán)，為

30、什么？五、綜合分析與計(jì)算題1、欲用Mo靶X射線管激發(fā)Cu的熒光X射線輻射，所需施加的最低管電壓是多少？激發(fā)出的熒光輻射的波長是多少？2、計(jì)算0.071nm(MoK)和0.154nm(CuK)的X射線的振動(dòng)頻率和能量3、-Fe屬立方晶系，點(diǎn)陣參數(shù)a=0.2866nm。如用CrKX射線（=0.2291nm）照射，試求（110）、（200）及（211）可發(fā)生衍射的掠射角。4、多晶體（hkl）晶面的衍射積分強(qiáng)度為式中，試說明各參數(shù)的物理意義，分析其對(duì)衍射強(qiáng)度的影響關(guān)系。5、簡(jiǎn)述德拜法和衍射儀法在入射X射線的光束、試樣形狀、試樣吸收及衍射線的記錄方式方面的異同點(diǎn)。測(cè)角儀工作時(shí)，當(dāng)試樣表面與入射X射線束成

31、40角時(shí)，計(jì)數(shù)管與入射X射線束的夾角是多少？6、試述X射線粉末衍射儀由哪幾部分組成，它們各自作用有哪些？7、如何評(píng)價(jià)X射線探測(cè)器的性能，固體探測(cè)器與正比計(jì)數(shù)器、閃爍計(jì)數(shù)器比較有哪些優(yōu)點(diǎn)？8、物相定性分析的原理是什么？對(duì)食鹽進(jìn)行化學(xué)分析與物相定性分析，所得信息有何不同？9、試述X射線衍射單物相定性分析基本原理與分析步驟？10、試述物相定量分析的原理，試用K值法進(jìn)行物相定量分析的過程。11、試比較物相定量分析之內(nèi)標(biāo)法、外標(biāo)法、K值法、直接對(duì)比法和全譜擬合法的的優(yōu)缺點(diǎn)？12試述計(jì)算機(jī)對(duì)粉末衍射實(shí)驗(yàn)圖譜進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的目的和內(nèi)容？13物相定性分析第三代檢索程序?yàn)槭裁茨芸焖贉?zhǔn)確地進(jìn)行檢索？14、試述Rie

32、tveld提出的粉末衍射全譜擬合概念？全譜擬合法拓展粉末衍射分析哪些應(yīng)用？15、什么是多晶體衍射全譜線形擬合法？為什么說多晶體衍射全譜線形擬合法的應(yīng)用是X射線衍射分析的一次革命？16、試總結(jié)X射線粉末衍射花樣的背底來源，并提出一些防止和減少背底的措施？17、試舉一例說明X射線衍射粉末分析在材料研究中的應(yīng)用？18、通過敘述電子束與固體物質(zhì)相互作用，并說明所產(chǎn)生的物理信息及其特點(diǎn)和用途？19、單晶電子衍射花樣的標(biāo)定有哪幾種方法，如何標(biāo)定？20、試述透射電子顯微鏡的基本構(gòu)造及其工作原理？21、如何測(cè)定透射電鏡的分辨率與放大倍數(shù)。電鏡的哪些主要參數(shù)控制著分辨率與放大倍數(shù)？22、畫圖說明衍襯成像原理，并說明什么是明場(chǎng)像，暗場(chǎng)像和中心暗場(chǎng)像。23、什么是缺陷不可見判據(jù)？如何用不可見判據(jù)來確定位錯(cuò)的布氏矢量？24、掃描電鏡的成像原理與透鏡電鏡有不同？25、掃描電鏡的分辨率受哪些因素影響，用不同的信號(hào)成像時(shí)，其分辨率有何不同？所謂掃描電鏡的分辨率是指何中信號(hào)成像的分辨率？26、試述波譜儀和能譜儀各自的優(yōu)缺點(diǎn)？27、舉例說明電子探針的三種工作方式（點(diǎn)、線、面）在顯微成分分析中的應(yīng)用。28、分析比較電子探針和離子探針和俄歇譜儀的分