5.4 半導(dǎo)體電導(dǎo)率和霍爾效應(yīng)ppt課件

固體理論 朱俊 微電子與固體電子學(xué)院 第六章半導(dǎo)體電子論Electrontheoryofsemiconductor 上一堂回顧 類氫雜質(zhì)能級(jí) 淺能級(jí)雜質(zhì) 特點(diǎn) 施主和受主 能級(jí)位置 雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度和費(fèi)米能級(jí)由溫度和雜質(zhì)濃度決定 1 N型半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子濃度 2 P型半導(dǎo)體中空穴濃度 上一堂回顧 對(duì)于雜質(zhì)濃度一定的半導(dǎo)體 隨溫度升高 載流子以雜質(zhì)電離為主過渡到以本征激發(fā)為主 相應(yīng)地費(fèi)米能級(jí)從位于雜質(zhì)能級(jí)附近移到禁帶中線處 費(fèi)米能級(jí)既反映導(dǎo)電類型 也反映摻雜水平 3 費(fèi)米能級(jí) 上一堂回顧 1 半導(dǎo)體電導(dǎo)率 在一般電場情況下 半導(dǎo)體的導(dǎo)電服從歐姆定律 為電導(dǎo)率 半導(dǎo)體中可以同時(shí)有兩種載流子 空穴和電子在外場下獲得的平均漂移速度 電流密度 5 4半導(dǎo)體電導(dǎo)與霍爾效應(yīng) 平均漂移速度和外場的關(guān)系 空穴和電子的遷移率 歐姆定律 電導(dǎo)率 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)是電場加速和半導(dǎo)體中散射的結(jié)果 電子在輸運(yùn)過程中會(huì)受到一系列的散射 GaN新的散射機(jī)制 偶極子散射 位錯(cuò)散射 雜質(zhì)激發(fā)的范圍 主要是一種載流子 T 低溫 飽和 本征 電阻率與溫度的關(guān)系示意圖 2 半導(dǎo)體的霍耳效應(yīng)Halleffect 半導(dǎo)體片置于xy平面內(nèi) 電流沿x方向 磁場垂直于半導(dǎo)體片沿z方向 空穴導(dǎo)電的P型半導(dǎo)體 載流子受到洛倫茲力 半導(dǎo)體片兩端形成正負(fù)電荷的積累 產(chǎn)生靜電場 達(dá)到穩(wěn)恒 滿足 電流密度 電場強(qiáng)度 霍耳系數(shù) 半導(dǎo)體的霍耳系數(shù)與載流子濃度成反比 半導(dǎo)體的霍耳效應(yīng)比金屬強(qiáng)得多 霍耳系數(shù) 霍耳系數(shù) 5 5非平衡載流子 N型半導(dǎo)體 主要載流子是電子 也有少量的空穴載流子 電子 多數(shù)載流子 多子 空穴 少數(shù)載流子 少子 熱平衡下電子和空穴的濃度 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)電子 或價(jià)帶中的電子通過吸收熱能 激發(fā)到導(dǎo)帶中 載流子的產(chǎn)生 電子回落到價(jià)帶中和空穴發(fā)生復(fù)合 載流子的復(fù)合 達(dá)到平衡時(shí) 載流子的產(chǎn)生率和復(fù)合率相等電子和空穴的濃度有了一定的分布 電子和空穴的濃度滿足 熱平衡條件 在外界的影響作用下 電子和空穴濃度可能偏離平衡值 即有 稱非平衡載流子 非平衡電子和非平衡空穴的濃度相同 如本征光吸收或電注入等 本征光吸收將會(huì)產(chǎn)生電子 空穴對(duì) 非平衡載流子對(duì)多子和少子的影響程度 多子的數(shù)目很大 非平衡載流子對(duì)多子的影響不明顯 對(duì)少子將產(chǎn)生很大影響 在討論非平衡載流子的問題時(shí)主要關(guān)心的是非平衡少數(shù)載流子 開始光照 載流子的產(chǎn)生率增大 同時(shí)復(fù)合率也增大載流子的濃度偏離熱平衡時(shí)的濃度 一段時(shí)間的光照后 非平衡載流子的濃度具有確定的數(shù)目 載流子的產(chǎn)生率和復(fù)合率相等載流子的濃度到達(dá)一個(gè)新的平衡 撤去光照 載流子復(fù)合率大于產(chǎn)生率 經(jīng)過一段時(shí)間后載流子的濃度又恢復(fù)到熱平衡下的數(shù)值 單位時(shí)間 單位體積復(fù)合的載流子數(shù)目 光照穩(wěn)定時(shí)的非平衡載流子濃度 撤去光照后 非平衡載流子濃度隨時(shí)間的變化關(guān)系 為非平衡載流子的壽命 載流子的復(fù)合是以固定概率發(fā)生的 非平衡載流子的復(fù)合率 非平衡載流子的壽命 的意義 1 光照使半導(dǎo)體的導(dǎo)電率明顯增加 光電導(dǎo)效應(yīng) 決定著變化的光照時(shí) 光電導(dǎo)反應(yīng)的快慢 兩個(gè)光信號(hào)的間隔 可以分辨出相應(yīng)的電流信號(hào)變化 才可以分辨出兩個(gè)光信號(hào) 2 非平衡載流子的壽命 越大 光電導(dǎo)效應(yīng)越明顯 非平衡載流子的濃度減小為平衡值的1 e所需要的時(shí)間是 顯然 越大 非平衡載流子濃度減小得越慢 一個(gè)非平衡載流子只在 時(shí)間里起到增加電導(dǎo)的作用 越大 產(chǎn)生一個(gè)非平衡載流子對(duì)增加的電導(dǎo)作用越大 非平衡載流子的壽命 的意義 3 非平衡載流子的壽命 對(duì)光電導(dǎo)效應(yīng)有著重要的意義 通過測量光電導(dǎo)的衰減 可以確定非平衡載流子的壽命 4 壽命 與半導(dǎo)體材料所含的雜質(zhì)與缺陷有關(guān) 深能級(jí)雜質(zhì)的材料 電子先由導(dǎo)帶落回一個(gè)空的雜質(zhì)深能級(jí) 然后由雜質(zhì)深能級(jí)落回到價(jià)帶中空的能級(jí) 非平衡載流子的壽命的測量可以鑒定半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的常規(guī)手段 深能級(jí)起著復(fù)合作用 降低了非平衡載流子的壽命 非平衡載流子的壽命 的意義 2 非平衡載流子的擴(kuò)散 金屬和一般的半導(dǎo)體中 載流子在外場作用下的定向運(yùn)動(dòng) 形成漂移電流 半導(dǎo)體中載流子濃度的不均勻而形成擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 產(chǎn)生擴(kuò)散電流 非平衡少數(shù)載流子產(chǎn)生明顯的擴(kuò)散電流 多數(shù)載流子 漂移電流是主要的 一維擴(kuò)散電流的討論 均勻光照射半導(dǎo)體表面 光在表面很薄的一層內(nèi)被吸收 光照產(chǎn)生非平衡少數(shù)載流子 在穩(wěn)定光照射下 在半導(dǎo)體中建立起穩(wěn)定的非平衡載流子分布 向體內(nèi)運(yùn)動(dòng) 一邊擴(kuò)散一邊復(fù)合 HowaboutDistribution 非平衡載流子的擴(kuò)散是熱運(yùn)動(dòng)的結(jié)果 非平衡少數(shù)載流子一邊擴(kuò)散一邊復(fù)合 形成穩(wěn)定分布 濃度滿足連續(xù)方程 載流子的復(fù)合率 單位時(shí)間 通過單位橫截面積載流子數(shù)目 擴(kuò)散流密度 方程的通解 邊界條件 深入樣品的平均距離 擴(kuò)散長度 擴(kuò)散流密度 5 6PN結(jié) 自學(xué) PN結(jié)的構(gòu)成 PN結(jié)的性質(zhì) 單向?qū)щ娦?電流隨電壓變化特性 反向狀態(tài) 正向狀態(tài) 一部分是N型半導(dǎo)體材料 一部分是P型半導(dǎo)體材料 1 平衡PN結(jié)勢壘 電子濃度 空穴濃度 摻雜的N型半導(dǎo)體材料 在雜質(zhì)激發(fā)的載流子范圍 電子的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的濃度 費(fèi)密能級(jí)在帶隙的上半部 接近導(dǎo)帶 P型半導(dǎo)體材料中 費(fèi)密能級(jí)在帶隙的下半部 接近價(jià)帶 N型和P型材料分別形成兩個(gè)區(qū) N區(qū)和P區(qū) N區(qū)和P區(qū)的費(fèi)密能級(jí)不相等 在PN結(jié)處產(chǎn)生電荷的積累 穩(wěn)定后形成一定的電勢差 P區(qū)相對(duì)于N區(qū)具有電勢差 PN結(jié)的接觸勢 內(nèi)電場的建立 使PN結(jié)中產(chǎn)生電位差 從而形成接觸電位V 接觸電位V 決定于材料及摻雜濃度硅 V 0 7鍺 V 0 2 PN結(jié)勢壘作用 正負(fù)載流子在PN結(jié)處聚集 在PN結(jié)內(nèi)部形成電場 自建場 勢壘阻止N區(qū)大濃度的電子向P區(qū)擴(kuò)散 平衡PN結(jié) 載流子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)的相對(duì)平衡 電場對(duì)于N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴是一個(gè)勢壘 勢壘阻止P區(qū)大濃度的空穴向N區(qū)擴(kuò)散 抵消原來P區(qū)和N區(qū)電子費(fèi)密能級(jí)的差別 P區(qū)電子的能量向上移動(dòng) 半導(dǎo)體中載流子濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于金屬 且有 PN結(jié)處形成的電荷空間分布區(qū)域約在微米數(shù)量級(jí) 擴(kuò)散和漂移形成平衡電荷分布 滿足玻耳茲曼統(tǒng)計(jì)規(guī)律 N區(qū)和P區(qū)空穴濃度之比 熱平衡下N區(qū)和P區(qū)電子濃度 P區(qū)和N區(qū)電子濃度之比 2 PN結(jié)的正向注入 當(dāng)PN結(jié)加有正向偏壓 P區(qū)為正電壓 外電場與自建場方向相反 外電場減弱PN結(jié)區(qū)的電場 使原有的載流子平衡受到破壞 電子 N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)空穴 P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū) 非平衡載流子 PN結(jié)的正向注入 電子擴(kuò)散電流密度 正向注入 P區(qū)邊界電子的濃度變?yōu)?外加電場使邊界處電子的濃度提高倍 和 比較得到 邊界處非平衡載流子濃度 正向注入的電子在P區(qū)邊界積累 同時(shí)向P區(qū)擴(kuò)散 非平衡載流子邊擴(kuò)散 邊復(fù)合形成電子電流 邊界處非平衡載流子濃度 正向注入電子在P區(qū)邊界積累 同時(shí)向P區(qū)擴(kuò)散 非平衡載流子邊擴(kuò)散 邊復(fù)合形成電子電流 應(yīng)用非平衡載流子密度方程 邊界處 電子擴(kuò)散流密度 電子的擴(kuò)散系數(shù)和擴(kuò)散長度 注入到P區(qū)的電子電流密度 在N區(qū)邊界空穴積累 同時(shí)向N區(qū)擴(kuò)散 也是非平衡載流子邊擴(kuò)散 邊復(fù)合形成空穴電流 注入到N區(qū)的空穴電流密度 PN結(jié)總的電流密度 肖克萊方程 W Shockley 結(jié)果討論 2 PN結(jié)的電流和N區(qū)少子 P區(qū)少子成正比 1 當(dāng)正向電壓V增加時(shí) 電流增加很快 如果N區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于P區(qū)摻雜濃度 PN結(jié)電流中將以電子電流為主 3 PN結(jié)的反向抽取 N區(qū)的空穴一到達(dá)邊界即被拉到P區(qū)P區(qū)的電子一到達(dá)邊界即被拉到N區(qū) PN結(jié)方向抽取作用 PN加有反向電壓 勢壘變?yōu)?PN結(jié)加有反向偏壓 P區(qū)為負(fù)電壓 外電場與自建場方向相同 勢壘增高 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)超過擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 只有N區(qū)的空穴和P區(qū)的電子在結(jié)區(qū)電場的作用下才能漂移過PN結(jié) P區(qū)邊界電子的濃度 反向抽取使邊界少子的濃度減小 反向電流 一般情況下 反向飽和電流 擴(kuò)散速度 P區(qū)和N區(qū)少數(shù)載流子的產(chǎn)生率 P區(qū)少數(shù)載流子 電子的產(chǎn)生率 N區(qū)少數(shù)載流子 空穴的產(chǎn)生率 反向飽和電流 擴(kuò)散長度一層內(nèi) 總的少數(shù)載流子產(chǎn)生率乘以電子電量q 反向電流 PN結(jié)附近所產(chǎn)生的少數(shù)載流子又有機(jī)會(huì)擴(kuò)散到空間電荷區(qū)邊界的少數(shù)載流子形成 4 PN結(jié)的反向擊穿 反向擊穿 PN結(jié)上所加的反向電壓達(dá)到某一數(shù)值時(shí) 反向電流激增的現(xiàn)象 雪崩擊穿 當(dāng)反向電壓增高時(shí) 少子獲得能量高速運(yùn)動(dòng) 在空間電荷區(qū)與原子發(fā)生碰撞 產(chǎn)生碰撞電離 形成連鎖反應(yīng) 象雪崩一樣 使反向電流激增 齊納擊穿 當(dāng)反向電壓較大時(shí) 強(qiáng)電場直接從共價(jià)鍵中將電子拉出來 形成大量載流子 使反向電流激增 擊穿是可逆 摻雜濃度小的二極管容易發(fā)生 擊穿是可逆 摻雜濃度大的二極管容易發(fā)生 不可逆擊穿 熱擊穿 PN結(jié)的電流或電壓較大 使PN結(jié)耗散功率超過極限值 使結(jié)溫升高 導(dǎo)致PN結(jié)過熱而燒毀 5 PN結(jié)的電容效應(yīng) 勢壘電容CB 勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的 當(dāng)外加電壓使PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí) 離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變 這相當(dāng)PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化 猶如電容的充放電 擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后 在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的 因PN結(jié)正偏時(shí) 由N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的電子 與外電源提供的空穴相復(fù)合 形成正向電流 剛擴(kuò)散過來的電子就堆積在P區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近 形成一定的多子濃度梯度分布曲線 擴(kuò)散電容CD 當(dāng)外加正向電壓不同時(shí) 擴(kuò)散電流即外電路電流的大小也就不同 所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同 這就相當(dāng)電容的充放電過程 勢壘電容和擴(kuò)散電容均是非線性電容 8 二極管的應(yīng)用 1 整流電路 整流電路是最基本的將交流轉(zhuǎn)換為直流的電路 整流電路中的二極管是作為開關(guān)運(yùn)用 具有單向?qū)щ娦?2 光電子器件 光電二極管是有光照射時(shí)會(huì)產(chǎn)生電流的二極管 其結(jié)構(gòu)和普通的二極管基本相同 發(fā)光二極管是將電能轉(zhuǎn)換成光能的特殊半導(dǎo)體器件 它只有在加正向電壓時(shí)才發(fā)光 它利用光電導(dǎo)效應(yīng)工作 PN結(jié)工作在反偏狀態(tài) 當(dāng)光照射在PN結(jié)上時(shí) 束縛電子獲得光能變成自由電子 產(chǎn)生電子 空穴對(duì) 在外電場的作用下形成光電流 MIS體系 金屬 絕緣體 半導(dǎo)體 Metal Insulator Semiconductor MOS體系 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 MIS結(jié)構(gòu)的一種特殊形式 Metal Oxide Semiconductor MOS有著許多主要的應(yīng)用 1 絕緣柵場效應(yīng)管 存儲(chǔ)信息2 集成電路 計(jì)算機(jī)RAM3 電荷耦合器件 CCD 存儲(chǔ)信號(hào) 轉(zhuǎn)換信號(hào) 七 金屬 絕緣體 半導(dǎo)體 MISFET 如 P型半導(dǎo)體 1 MIS體系的機(jī)理 金屬層 柵極 半導(dǎo)體接地 氧化物 SiO2 100nm 1 在柵極施加電壓為負(fù)時(shí) 半導(dǎo)體中的空穴被吸收到IS表面 并在表面處形成帶正電荷的空穴積累層 2 在柵極施加電壓為正時(shí) 半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子 空穴被排斥離開IS表面 少數(shù)載流子 電離的受主電子被吸收表面處 3 正電壓較小 空穴被排斥 在表面處形成負(fù)電荷的耗盡層 為屏蔽柵極正電壓 耗盡層具有一定的厚度 d 微米量級(jí) 空間電荷區(qū)Spacechargeregion 不能移動(dòng)的電離受主雜質(zhì) 空間電荷區(qū)存在電場 使能帶發(fā)生彎曲對(duì)空穴來說形成一個(gè)勢壘 體內(nèi) 表面處x 0相對(duì)于體內(nèi)x d的電勢差 表面勢 Vs 柵極正電壓增大時(shí) 表面勢進(jìn)一步增大 表面勢足夠大時(shí) 有可能表面處的費(fèi)密能級(jí)進(jìn)入帶隙的上半部 空間電荷區(qū)電子的濃度將要超過空穴的濃度 形成少子電子的導(dǎo)電層 空間電荷區(qū)的載流子主要為電子 而半導(dǎo)體內(nèi)部的載流子為空穴 空間電荷層 反型層 形成反型層時(shí)的能帶特點(diǎn) Ei是半導(dǎo)體的本征費(fèi)密能級(jí) EF是表面處的費(fèi)密能級(jí) 當(dāng)EF在Ei之上時(shí) 電子的濃度大于空穴的濃度 兩者相等時(shí) 電子和空穴的濃度相等 當(dāng)EF在Ei之下時(shí) 電子的濃度小于空穴的濃度 形成反型層的條件 費(fèi)密能級(jí)EF從體內(nèi)Ei之下變成表面時(shí)Ei之上 兩者之差qVF滿足 一般形成反型層的條件 表面處電子濃度增加到等于或超過體內(nèi)空穴的濃度 反型層中的電子 一邊是絕緣層 導(dǎo)帶比半導(dǎo)體高出許多 另一邊 是耗盡層空間電荷區(qū)電場形成的勢壘 電子被限制在表面附近能量最低的一個(gè)狹窄的區(qū)域 有時(shí)稱反型層稱為溝道channel P型半導(dǎo)體的表面反型層是電子構(gòu)成的 N溝道 N溝道晶體管 在P型襯底的MOS體系中增加兩個(gè)N型擴(kuò)散區(qū) 源區(qū)S和漏區(qū)D 構(gòu)成N溝道晶體管 1 一般情況下 柵極電壓很小 源區(qū)S和漏區(qū)D被P型區(qū)隔開 即使在SD之間施加一定的電壓 由于SP和DP區(qū)構(gòu)成兩個(gè)反向PN結(jié) 只有微弱的PN反向結(jié)電流 2 理想MIS結(jié)構(gòu) 1 Wm Ws 2 絕緣層內(nèi)無電荷且絕緣層不導(dǎo)電 3 絕緣層與半導(dǎo)體界面處不存在界面態(tài) 金屬的功函數(shù)Wm 表示一個(gè)起始能量等于費(fèi)米能級(jí)的電子 由金屬內(nèi)部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量 E0為真空中電子的能量 又稱為真空能級(jí) 金屬銫Cs的功函數(shù)最低1 93eV Pt最高為5 36eV 功函數(shù) Wm Ws 半導(dǎo)體的功函數(shù)Ws E0與費(fèi)米能級(jí)之差稱為半導(dǎo)體的功函數(shù) 用 表示從Ec到E0的能量間隔 稱 為電子的親和能 它表示要使半導(dǎo)體導(dǎo)帶底的電子逸出體外所需要的最小能量 Note 和金屬不同的是 半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)隨雜質(zhì)濃度變化 所以 Ws也和雜質(zhì)濃度有關(guān) 3 MIS結(jié)構(gòu)的電容 電壓C V特性 MIS結(jié)構(gòu)是組成MOSFET等表面器件的基本部分 電容 電壓特性是用于研究半導(dǎo)體表面和界面的重要手段 一 理想MIS結(jié)構(gòu)的電容 電壓特性 在MIS結(jié)構(gòu)的金屬和半導(dǎo)體間加以某一電壓VG后 電壓VG的一部分Vo降在絕緣層上 而另一部分降在半導(dǎo)體表面層中 形成表面勢Vs 即 因是理想MIS結(jié)構(gòu) 絕緣層內(nèi)沒有任何電荷 絕緣層中電場是均勻的 以E表示其電場強(qiáng)度 顯然 理想MIS結(jié)構(gòu)的C V特性 1 多子積累時(shí) 偏壓Vg為負(fù) 半導(dǎo)體表面處于堆積狀態(tài) 以P型半導(dǎo)體 2 平帶狀態(tài)Vg 0 Vg 0 對(duì)于理想MIS表面勢Vs也為0 3 耗盡狀態(tài)VG 0 4 強(qiáng)反型后 即VS 2VB 從物理圖像上理解 強(qiáng)反型層出現(xiàn)后 大量的電子聚積在半導(dǎo)體的表面 絕緣層兩邊堆積了電荷 并且在低頻信號(hào)時(shí) 少子的產(chǎn)生和復(fù)合跟得上低頻小信號(hào)得變化 如同只有絕緣層電容一樣 高頻時(shí) 反型層中的電子的產(chǎn)生和復(fù)合將跟不上高頻信號(hào)的變化 即反型層中的電子數(shù)量不隨小信號(hào)電壓而變化 所以對(duì)電容沒有貢獻(xiàn) 二 實(shí)際的MIS結(jié)構(gòu)的C V特性 在實(shí)際的MIS結(jié)構(gòu)中 存在一些因素影響著MIS的C V特性 如 金屬和半導(dǎo)體之間的功函數(shù)的差 絕緣層中的電荷等 例 以Al SiO2 P type Si的MOS結(jié)構(gòu)為例 P型硅的功函數(shù)一般較鋁大 當(dāng)Wm Ws時(shí) 將導(dǎo)致C V特性向負(fù)柵壓方向移動(dòng) 使能帶恢復(fù)平直的柵電壓 CFB VFB 平帶電壓VFB 實(shí)驗(yàn)上 可計(jì)算出理想狀態(tài)時(shí)的平帶電容值 然后在CFB引與電壓軸平行的直線 和實(shí)際曲線相交點(diǎn)在電壓軸上的坐標(biāo) 即VFB 實(shí)際 絕緣層電荷對(duì)MIS結(jié)構(gòu)C V特性的影響 一般有 由于這些電荷的存在 將在金屬和半導(dǎo)體表面感應(yīng)出相反符號(hào)的電荷 在半導(dǎo)體的空間電荷層內(nèi)產(chǎn)生電場使得能帶發(fā)生彎曲 也即沒有偏壓 也可使得半導(dǎo)體表面層離開平帶狀態(tài) 假設(shè)在SiO2中距離金屬 SiO2的界面x處有一層正電荷 假定半導(dǎo)體和金屬的功函數(shù)相同 即Wm Ws 半導(dǎo)體表面能帶下彎 恢復(fù)平帶的方法 在金屬一邊加上負(fù)電壓 并且逐漸增大 使得半導(dǎo)體表面層的負(fù)電荷隨之減小 直至完全消失 這時(shí)在半導(dǎo)體表面層內(nèi) 在氧化物中存在的薄的正電荷產(chǎn)生的電場完全被金屬表面增加的負(fù)電荷的電場屏蔽了 半導(dǎo)體表面的能帶又平了 即恢復(fù)到平帶狀態(tài) C V曲線為 八 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié) 同質(zhì)結(jié) 由同種半導(dǎo)體材料構(gòu)成N區(qū)或P區(qū) 形成的PN結(jié) 異質(zhì)結(jié) 兩種帶隙寬度不同的半導(dǎo)體