完整word版電力電子復習題含答案

1、考試試卷(1 )卷、填空題(本題共8小題，每空1分，共20 分)電壓型 和1、按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質，可將電力電子器件分為電流型 兩類。2、電子技術包括_信息電子技術和電力電子技術兩大分支，通常所說的模擬電子技術和數(shù)字電子技術就屬于前者。2、為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在開關.狀態(tài)。當器件的工作頻率較高時,開關損耗會成為主要的損耗。載波比3、在PWM控制電路中，載波頻率與調制信號頻率之比稱為 載波比，當它為常數(shù)時的調制方式稱為同步調制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個頻段內載波頻率與調制信號頻率之比為桓定的調制方式稱為分段同步調制。

2、4、面積等效原理指的是, 基本相同。.沖量相等而_形狀.不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時，其效果，單管輸出功5、在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中，開關速度最快的是_MOSFETGTO率最大的是GTO 應用最為廣泛的是_IGBT。6設三相電源的相電壓為U2,三相半波可控整流電路接電阻負載時，晶閘管可能承受的最大 反向電壓為電源線電壓的峰值，即屜，其承受的最大正向電壓為 屜_7、逆變電路的負載如果接到電源，則稱為.逆變，如果接到負載，則稱為逆變。(用 V1,VD1,V2,VD2 表示)。(1) 0t1時間段內，電流的通路為；(2) t1t2時間段內，電流的通路為&如下圖，指出單相半橋電

3、壓型逆變電路工作過程中各時間段電流流經(jīng)的通路；(4) t3t4時間段內，電流的通路為；(5) t4t5 時t2t3時間段內，電流的通路為 間段內，電流的通路為；a)b)二、選擇題（本題共10小題，前4題每題2分，其余每題1分，共14 分）1單相橋式PWM逆變電路如下圖，單極性調制工作時，在電壓的正半周是（A、V1與V4導通，V2與V3關斷B、V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷C、V1與V4關斷，V2與V3導通D、V1常斷，V2常通，V3與V4交替通斷C、N組阻斷，P組整流D、N組阻斷，P組逆變2、對于單相交流調壓電路，下面說法錯誤的是（荷V n I J Fl ft SpLJ週A、晶閘管的觸

4、發(fā)角大于電路的功率因素角時，晶閘管的導通角小于180度B、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時，必須加寬脈沖或脈沖列觸發(fā)，電路才能正常工作C、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達到穩(wěn)態(tài)時，晶閘管的導通角為 度180D、晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時，晶閘管的導通角不為180度3、在三相三線交流調壓電路中，輸出電壓的波形如下圖所示，在 閘管導通。t1t2時間段內，有（）晶D、4個Wo1tl tz t34、對于單相交交變頻電路如下圖，在t1t2時間段內，P組晶閘管變流裝置與 N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（A、P組阻斷，N組整流B、P組阻斷，N組逆變5、電阻性負載三相半波可控整流電

5、路中,控制角的范圍是（A、30。150 B、0。12015。125D、01506、桓流驅動電路中加速電容C的作用是（A、加快功率晶體管的開通B、延緩功率晶體管的關斷C、加深功率晶體管的飽和深度D、保護器件7、直流斬波電路是一種（）變換電路。A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，桓流驅動電路經(jīng)常采用（A、du/dt抑制電路B、抗飽和電路C、di/dt抑制電路D、吸收電路9、已經(jīng)導通的晶閘管的可被關斷的條件是流過晶閘管的電流（A、減小至維持電流以下B、減小至擎住電流以下C、減小至門極觸發(fā)電流以下D、減小至5A以下10、IGBT是一個復

6、合型的器件，它是（A、GTR 驅動的 MOSFETB、MOSFET 驅動的 GTRC MOSFE驅動的晶閘管D1、簡答題（共3小題，22 分）、MOSFE驅動的GTO1、簡述晶閘管導通的條件與關斷條件。（7分）3、簡述實現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因（7 分)考試試卷（2 ）卷、填空題（本題共6小題，每空1分，共15 分）1、存在二次擊穿現(xiàn)象,存在擎住現(xiàn)象。2、功率因數(shù)由這兩個因素共同決定的。3、晶閘管串聯(lián)時，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻措施。I Ho6、在下圖中,.構成降壓斬波電路使直流電動機電動運行，工作于第4、同一晶閘管，維持電流Ih與掣住電流Il在數(shù)值大小上

7、有Il-5、電力變換通?？煞譃?象限;源，使電動機作再生制動運行，工作于象限。構成升壓斬波電路，把直流電動機的動能轉變成為電能反饋到電二、選擇題（本題共11小題，9，10，11小題每題2分，其余每題1分共14分）1、下列電路中，不可以實現(xiàn)有源逆變的有（A、三相半波可控整流電路B、三相橋式全控整流電路C、單相橋式可控整流電路D、單相全波可控整流電路外接續(xù)流二極管2、晶閘管穩(wěn)定導通的條件（A、晶閘管陽極電流大于晶閘管的擎住電流B、晶閘管陽極電流小于晶閘管的擎住電流C、晶閘管陽極電流大于晶閘管的維持電流D、晶閘管陽極電流小于晶閘管的維持電流3、三相半波可控整流電路的自然換相點是（A、交流相電壓的過零

8、點B、本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點處C、比三相不控整流電路的自然換相點超前30D、比三相不控整流電路的自然換相點滯后60C、N組阻斷，P組整流D、N組阻斷，P組逆變4、若增大SPWM逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是（A、增大三角波幅度B、增大三角波頻率C、增大正弦調制波頻率D、增大正弦調制波幅度5、三相半波可控整流電路中，晶閘管可能承受的反向峰值電壓為（C、A、U26、晶閘管電流的波形系數(shù)定義為（C、Kf =ldT tKf =IdT-lT7、降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V，負載電壓 Uo=12V，斬波周期 T=4ms，則開通時T on=(A、 1msB、 2msC、

9、3msD、4ms8關于單相橋式 PWM逆變電路,F面說法正確的是（A、在一個周期內單極性調制時有一個電平，雙極性有兩個電平B、在一個周期內單極性調制時有兩個電平，雙極性有三個電平C、在一個周期內單極性調制時有三個電平，雙極性有兩個電平D、在一個周期內單極性調制時有兩個電平，雙極性有一個電平9、對于單相交交變頻電路如下圖，在t2t3時間段內，P組晶閘管變流裝置與 N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（A、P組阻斷，N組整流B、P組阻斷，N組逆變Uo10、在三相三線交流調壓電路中，輸出電壓的波形如圖所示，在t2t3時間段內，有（晶閘管導通。三、簡答題（本題共4小題，共30 分）1、電壓型逆變電路的主要特

10、點是什么？（7分）2、某一晶閘管，額定電壓為 300V，額定電流為 各電路中是否合理？說明其理由。（不考慮電壓、!/f 100A，維持電流為4mA，使用電流裕量.廠、:A 專 inovVT Ivr I vHihl3、下面BOOST升壓電路中，電感 L、電容C與二極管的作用是什么？ （ 7 分）LVDiokvZ JUii六、計算題（本題共1小題，共15 分）1、有一個三相全控橋整流電路。已知電感負載L=0.2H、a =60 R=1Q、變壓器二次相電壓U2=100Vo試畫出Ud的波形，計算負載端輸出的直流電壓U和負載電流平均值Id,計算變壓器二次電流的有效值I2考試試卷（3 ）卷、填空題：（本題共

11、7小題，每空1分，共20 分）1請在正確的空格內標出下面元件的簡稱:電力晶體管；可關斷晶閘管；功率場效應晶體管緣柵雙極型晶體管;IGBT 是的復合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是3、多個晶閘管相并聯(lián)時必須考慮的問題，解決的方法是4、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為波，輸出電流波形為波。5、三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在同一橋臂上的上、下二個開關管間進行,稱為導電型6、當溫度降低時，晶閘管的觸發(fā)電流會、正反向漏電流會A、180B、60C、 360D、1207、常用的過電流保護措施有二、選擇題（本題共10小題，每題1分，共10 分）度。1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應相差（2、

12、a為度時，三相半波可控整流電路，電阻性負載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。B、60 度C、30 度D、120 度,3、晶閘管觸發(fā)電路中，若改變（）的大小，貝U輸出脈沖產(chǎn)生相位移動，達到移相控制的目的。A、同步電壓B、控制電壓C、脈沖變壓器變比D、以上都不能4、可實現(xiàn)有源逆變的電路為（A、三相半波可控整流電路B、三相半控橋整流橋電路C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路D、單相半控橋整流電路）。5、在一般可逆電路中，最小逆變角P min選在下面那一種范圍合理（A、30o-35oB、10o-15o C、0o-10oD、0o。6、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角 a的最大移相范圍是（A、9

13、0B、120C、150D、 1807、若增大SPWM逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用控制方法是（A、增大三角波幅度B、增大三角波頻率C、增大正弦調制波頻率D、增大正弦調制波幅度&采用多重化電壓源型逆變器的目的，主要是為（A、減小輸出幅值B、增大輸出幅值C、減小輸出諧波D、減小輸出功率9、為限制功率晶體管的飽和深度，減小存儲時間，恒流驅動電路經(jīng)常采用（dudiA、dt抑制電路B、抗飽和電路C、dt抑制電路D、吸收電路10、一般認為交交變頻輸出的上限頻率（A、與電網(wǎng)有相同的頻率高于電網(wǎng)頻率C、可達電網(wǎng)頻率的80%約為電網(wǎng)頻率的1/21/3三、判斷題（正確打2,錯誤打X）:（本題共10小題，每小題1

14、分，共10 分）1、在半控橋整流帶大電感負載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時會出現(xiàn)失控現(xiàn)象。（）2、在用兩組反并聯(lián)晶閘管的可逆系統(tǒng)，使直流電動機實現(xiàn)四象限運行時，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，另一組工作在逆變狀態(tài)。3、晶閘管串聯(lián)使用時，必須注意均流問題。4、逆變角太大會造成逆變失敗。（）5、并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。6、給晶閘管加上正向陽極電壓它就會導通。7、有源逆變指的是把直流電能轉變成交流電能送給負載。&在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應取U2。（9、三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動頻率為300Hz。(10、變頻調速是改變電動機內旋轉磁場的速度達到改變轉速

15、的目的。四、簡答題（本題共3小題，共32分）2、試分析下圖間接交流變流電路的工作原理，并說明其局限性。（10 分)3、軟開關電路可以分為哪幾類？各有什么特點？（10 分）六、計算題反電動勢E = 60V。1、單相橋式全控整流電路，U2= 100V，負載中R=20Q，L值極大,當a 30時，要求:（1）作出Ud、id和i2的波形；（3分）求整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次電流有效值I2 ；（4分）(3)考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。(5分)2、（本題6分）在題圖4.2所示的升壓斬波電路中，已知E=100V，L值和C值極大，R=20 Q，采用脈寬調制控制方式，當T=50s

16、ton=25八時，計算輸出電壓平均值 Uo，輸出電流平均值Io。LVD弓丁 ？ Al I/f圖4.2L 很大、R =1 Q、a =604、（本題8分）三相全控橋整流電路如圖所示。已知電感性負載變壓器二次相電壓 U2=100V1）計算負載的平均整流電壓Ud和負載電流平均值Id ;12。2）選擇晶閘管的型號；3）計算變壓器二次電流的有效值A BC -2*2 2務4 本T6LdUdRd考試試卷（4 ）卷、填空題：（本題共5小題，每空1分，共20分）1、由波形系數(shù)可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為iTn等于倍It （AV），如果It（AV）=100安培，則它允許的有效電流為安培。通常在選擇晶閘管時

17、還要留出倍的裕量。2、三相橋式全控整流電路是由一組共極三只晶閘管和一組共極的三只晶閘管串聯(lián)后構成的，晶閘管的換相是在同一組內的元件進行的。每隔換一次相,在電流連續(xù)時每只晶閘管導通.度。要使電路工作正常，必須任何時刻要有只晶閘管同時導通，一個是共極的，另一個是共極的元件，且要求不是的兩個元件。3、為了減小變流電路的開、關損耗，通常讓元件工作在軟開關狀態(tài)，軟開關電路種類很多，但歸納起來可分為兩大類。4、提高變流置的功率因數(shù)的常用方法有幾種。5、三相半波可控整流電路電阻性負載時， 電路的移相范圍,三相全控橋電阻性負載時，電路的移相范圍，三相半控橋電阻性負載時，電路的移相范、判斷題：（本題共10小題，

18、每題1分，共10分）1、雙向晶閘管的額定電流的定義與普通晶閘管不一樣，雙向晶閘管的額定電流是用電流有效值來表示的。（）2、逆變器采用負載換流方式實現(xiàn)換流時，負載諧振回路不一定要呈電容性。3、無源逆變指的是把直流電能轉換成交流電能送給交流電網(wǎng)。4、對三相橋式全控整流電路的晶閘管進行觸發(fā)時，只有采用雙窄脈沖觸發(fā)，電路才能正常工作。5、PWM脈寬調制型逆變電路中，采用不可控整流電源供電，也能正常工作。（6在變流裝置系統(tǒng)中，增加電源的相數(shù)也可以提高電網(wǎng)的功率因數(shù)。7、過快的晶閘管陽極du/dt會使誤導通。（）8、電流可逆斬波電路可實現(xiàn)直流電動機的四象限運行。（）9、為避免三次諧波注入電網(wǎng)，晶閘管整流電

19、路中的整流變壓器應采用 Y/Y接法（10、在DC/DC變換電路中，可以采用電網(wǎng)換流方法。（）1分，共10分）當觸發(fā)角a =0o時，輸出的負載電壓平均值為三、選擇題：（本題共10小題，每題1、三相全控橋式整流電路帶電阻負載，A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U22、變流裝置的功率因數(shù)總是（A、大于1B、等于1C、小于1大于0 D、為負A、 0 -90B、30 -120C、60 -150D、90 -150）。3、三相全控橋式整流電路帶大電感負載時，控制角 a的有效移相范圍是（4、三相半波可控整流電路在換相時，換相重疊角丫的大小與哪幾個參數(shù)有關（A、 a、Id、 XL、 U2

20、B、 a、Id ；C、a、U2 D、a、U2、XL ；5、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，桓流驅動電路經(jīng)常采用（6、單相半控橋電感性負載電路中，在負載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管的作用是（A、增加晶閘管的導電能力B、抑制溫漂C、增加輸出電壓的穩(wěn)定性D、防止失控現(xiàn)象的產(chǎn)生7、功率晶體管的安全工作區(qū)由以下4條曲線限定：集電極-發(fā)射極允許最高擊穿電壓,D、吸收電路A、du/dt抑制電路B、抗飽和電路C、di/dt抑制電路集電極最大允許直流功率線，集電極最大允許電流線和A、基極最大允許直流功率線B、基極最大允許電壓線C、臨界飽和線D、二次擊穿功率線8、直流斬波電路是一種變換電路。A、AC/AC B

21、、DC/ACC DC/DCD、AC/DC9、三相半波帶電阻性負載時,a為度時，可控整流輸出的電壓波形處于連續(xù)和10、在晶閘管觸發(fā)電路中，改變的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動，達到移相控制斷續(xù)的臨界狀態(tài)。B、60 度D、120 度。的目的。A、同步電壓B、控制電壓C、脈沖變壓器變比D、整流變壓器變比四、簡答題：（本題共4小題，共28分）1、什么是逆變失??？逆變失敗后有什么后果？形成的原因是什么？ （8分）L與電容C的作用是什么？（ 6分）五、作圖題：（本題共2小題，共14分）2、設三相橋式可控整流電路工作于有源逆狀態(tài)，試畫出3=600時的整流輸出電壓波形（6 分）udUabUacUbcUba Uc

22、aUcbUabUac - -_ * ff、4A八八AtViVV?、#八4八八y八A人人 h 入X 入汽人VVV八八八八八八八八/、 t 、/ H /、 *7J fV、/六、計算題（本題共1小題，共18 分）1、三相全控橋式整流電路，（1）（2）（3）（4）y丿、卜八A/L=0.2H, R=4Q，要求Ud從0220V之間變化。試求: 不考慮控制角裕量時的，整流變壓器二次線電壓。（3分）如電壓，電流裕量取2倍，計算晶閘管額定電壓，電流值。（8分）變壓器二次電流有效值12。（ 4分）計算整流變壓器二次側容量 S2o（ 3分）2、（本題6分）在題圖4.2所示的降壓斬波電路中，已知Io。圖4.2E=10

23、0V，R=10 Q , L 值極大，Em=20V ,3、（本題8分）三相橋式電壓型逆變電路采用180。導電方式，當其直流側電壓Ud=100V時。1） 求輸出相電壓基波幅值和有效值。(2) 求輸出線電壓基波幅值和有效值。U2=220V , R=4 Q ,4、(本題8分)三相全控橋式整流電路大電感負載，不接續(xù)流二極管,a =60，試求:(1)、輸出電壓平均值Ud和電流平均值Id;(2)、晶閘管電流平均值Idt和有效值It;、變壓器副邊電流有效值I2和容量S2。0考試試卷（5 ）卷、填空題（本題共仃小題，每空1分，共20 分）1、晶閘管是硅晶體閘流管的簡稱，常用的外形有2、選用晶閘管的額定電流時，根

24、據(jù)實際最大電流計算后至少還要乘以3、晶閘管的導通條件是4、晶閘管的斷態(tài)不重復峰值電壓Udsm與轉折電壓Ubo在數(shù)值大小上應為UdsmUbo。5、從晶閘管的伏安特性曲線可知，晶閘管具有的特性。6、把晶閘管承受正壓起到觸發(fā)導通之間的電角度稱為7、觸發(fā)脈沖可采取寬脈沖觸發(fā)與雙窄脈沖觸發(fā)兩種方法，目前采用較多的是.觸發(fā)方法。.可控整流電路，是三相可控整流電路最基本的組成形式。時，輸出電9、在三相半波可控整流電路中，電感性負載，當控制角壓波形出現(xiàn)負值，因而常加續(xù)流二極管。10、三相橋式整流電路中，當控制角a30時，則在對應的線電壓波形上觸發(fā)脈 沖距波形原點為11、考慮變壓器漏抗的可控整流電路中，如與不考

25、慮漏抗的相比，則使輸出電壓平均值12、 有源逆變器是將直流電能轉換為交流電能饋送回 的逆變電路。是：證與直流電源電勢Ed的極性成13、有源逆變產(chǎn)生的條件之一是：變流電路輸出的直流平均電壓 Ud的極性必須保相連，且滿足|Ud|v|Ed|。14、 為了防止因逆變角P過小而造成逆變失敗，一般 3 min應取，以保證 逆變時能正常換相。15、 載波比（又稱頻率比）K是PWM主要參數(shù)。設正弦調制波的頻率為fr，三角波的頻率為fc,則載波比表達式為K=16、 抑制過電壓的方法之一是用 吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量，并用電 阻將其消耗。三種方式。17、斬波器的時間比控制方式分為18、變流電路的換流方式有 二、選

26、擇題（本題共10小題，每題1、晶閘管的伏安特性是指（）A、陽極電壓與門極電流的關系C、陽極電壓與陽極電流的關系2、晶閘管電流的波形系數(shù)定義為（1分,_、等四種（寫出任意3個均可）。共10分）B、門極電壓與門極電流的關系D、門極電壓與陽極電流的關系A、KfB、Kf=上1 dTC、Kf =ldT ItD、Kf =IdT- It3、 接有續(xù)流二極管的單相半控橋式變流電路可運行的工作象限是（）A、第二象限B、第三象限C、第四象限D、第一象限4、 電阻性負載三相半波可控整流電路，相電壓的有效值為U2，當控制角an /2時，電流主要是依靠電動勢Ed來維持的，所以總的能量是電動機回饋 給14、有環(huán)流可逆電路

27、常見的主電路聯(lián)結方式有15、在無源逆變與直接斬波電路中，都必須設置換流，強迫導通的晶閘管可靠關斷。16、晶閘管元件并聯(lián)時，要保證每一路元件所分擔的電流 17、根據(jù)對觸發(fā)電路的要求知道，觸發(fā)電路應包括同步信號發(fā)生器、脈沖整形與功放電路。二、選擇題（本題共10小題，每題1分，共10分）1、具有自關斷能力的電力半導體器件稱為（）A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、觸發(fā)型器件2、取斷態(tài)重復峰值電壓和反向重復峰值電壓中較小的一個，并規(guī)化為標準電壓等級后，定為該晶閘管的（）A、轉折電壓B、反向擊穿電壓C、閾值電壓D、額定電壓3、單相半控橋式整流電路帶純電阻性負載時，晶閘管承受正向電壓的最大值為（

28、 ）A、-72U2B、血U2C、272u22D、 J6U24、 單相橋式半控整流電路中，電阻性負載，流過每個晶閘管的有效電流I尸（）C、（ 1 / 應）*1 D、（72）*15、三相橋式全控整流電路，電阻性負載時的移相范圍為（A、00 1800B、00 1500C、001200&單相全控橋式有源逆變電路，控制角為a,則輸出電壓的平均值為（DB、0.51C、0A、Ud=1.17U2COsa B、Ud=0.9U2COsa C、Ud=-2.34U2COsa7、三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)的條件是C、A、心B、a240 450則在任一時刻開關管導通的個數(shù)是不C、共三只）B、瞬時值控制D、模糊

29、控制5分，共25分）D、共四只1、什么是可控整流？它是利用晶閘管的哪些特性來實現(xiàn)的？（5分）2、什么是逆變失?。繉е履孀兪〉脑蚴鞘裁?3、將右表格中空缺的部分按要求填好，變壓器 二次相電壓為U2,對于電感負載滿足大電 感負載的條件。（5分）4、電壓源型變頻器和電流源型變頻器的區(qū)別是什么？ （ 5分）電路圖注意此電路為大電感負載輸出電壓 可調范圉最大移相 范國電壓平均 值表達式 - 5 分)4、試說明SPW控制的基本原理。（5分）5、在單相半波可控整流大電感負載有續(xù)流二極管的電路中,晶閘管的控制角a的最大移相范圍是多少？晶閘管的導通角、續(xù)流二極管的導通與a關系如何?6、有源逆變產(chǎn)生的條件是?

30、7、對于單相交交變頻電路如下圖，在t1t5時間段內,分析 P組晶閘管變流裝置與 N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是 ？N8 畫出IGBT的電氣符號，IGBT的工作原理是什么（從導通和關斷兩個方面回答）？四、作圖題（本題共2小題，每小題10分，共20分）a =45 時1、已知單相全控橋式整流電路，電感性負載不接續(xù)流二極管。試繪出當 輸出電壓波形Ud和晶閘管Tl的端電壓波形。/2、三相橋式全控整流電路，電阻性負載，試畫出當a =600時輸出電壓Ud的波形、晶閘管的端電壓UT1的波形。r4UdL =0.2H、R =1Q、a=75五、計算題（本題共1小題，共15分）三相全控橋整流電路如圖所示。已知電感性負

31、載 變壓器二次相電壓 U2=100V。1）計算負載的平均整流電壓 Ud和負載電流平均值Id；2）選擇晶閘管的型號；3）計算變壓器二次電流的有效值|2。六、分析題（本題共1小題，共10分）如圖所示為串聯(lián)二極管式電流型三相逆變器, 程來分析電路的工作原理，并說明此電路的特點。試以從 VT1到VT3之間的換流過L+ Id VT尊 ZVTZ VTZ-HI _IHcVD1立CFVDC33立 VD5立UdVD 4VTZC4VD6SZcW主I4$Z VT 6$Z VT2PVD2C2C6圖 5-15七、計算題F圖4.1中實線部分表示流過晶閘管的電流波形，其最大值均為Im，試計算:(1) 圖中波形電流平均值.電

32、流有效值和波形系數(shù)。(2)如不考慮安全裕量，問額定電流100A的晶閘管允許流過的平均電流分別是多少圖4.1兀爭 2ji答案第一套題答案！一、填空題(共8小題，每空1分，共20分)空空空空空1、2、3、4、5、111116、信息電子技術開關；空2開關載波比；空2同步；空3分段同步 沖量；空2形狀MOSFET ;空 2 GTO ;空 3 IGBT.空2旋67、8有源；空2無源1 VD1 ； 空 2 V1 ； 空 3 VD2 ； 空 4 V2 ； 空 5 VD1二、選擇題1、(B)6、(A)(共10小題，前2、( D)7、(C)4題每題2分,3、( C)& ( B)其余每題1分,4、( C)9、(A

33、 )共14分)5、( D)10、(B)三、簡答題1、( 7 分)晶閘管導通的條件是：陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門極加正向觸發(fā)電 壓，才能使其導通。門極所加正向觸發(fā)脈沖的最小寬度，應能使陽極電流達到維持通態(tài)所需要 的最小陽極電流，即擎住電流IL以上。導通后的晶閘管管壓降很小。(3分)使導通了的晶閘管關斷的條件是：使流過晶閘管的電流減小至某個小的數(shù)值一維持電流IH以(共3小題，共22分)（2 分）下。其方法有二：（1 ）減小正向陽極電壓至某一最小值以下，或加反向陽極電壓;（2）增加負載回路中的電阻。（2分）2、（1）（8分）（2 分）（3分）直流側為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側電

34、壓基本無脈動； 輸出電壓為矩形波，輸出電流因負載阻抗不同而不同；阻感負載時需提供無功。為了給交流側向直流側反饋的無功提供通道，逆變橋各臂并聯(lián)反 饋二極管。（3分）3、（7 分）（1） 外部條件：要有一個能提供逆變能量的直流電源，且極性必須與直流電流方向一致，其電壓值要稍大于Ud ; （2分）（2） 內部條件：變流電路必須工作于 3 220X( 1+cos600) /2=148.5V (1 分)Id=Ud/R=148.5/4=37.13A IdVT= (180- a /3600Xd= (1800-600) /3600 X7.13=12.38A (1 分)2卄卩廠護3m 1.44衛(wèi)（1 分）dQ*

35、 切HQ.32A( 2 分)X 37.13 = 21.44i4ldVD=2 a /3600 X Id=2 X 600/3600 X 37.13=12138)(2 分)（b ）波形如圖2所示（3 分）U誌 wtid* wt !3I工/3刃J-0114:呷3 X I：2jt wtat0ivTst0id呷3.仍15 10:m11t ut2X!I川/3I1;圖1波形圖wt:271礦応3爲形圖2JIV31-1 X弋圖2波形圖01 tu 1Wt27131試卷參考答案及評分標準（2卷）一、填空題：（本題共6小題，每空1分，共15分） 空 空 空 空 空 空1、2、3、4、5、6、GTR ;空 2 IGBT基

36、波電流相移；空2電流波形畸變均壓24交流變直流；空2直流變交流；空3直流變直流；空4交流變交流V1 ;空 2 VD1 ;空 3 V2 ;空 4 VD2 ;空 5 第 2二、選擇題:I、(D)6、(B)II、(C)（本題共112、（A）7、（C）小題，9，10，3、（B）& （C）11小題每題4、( C)9、(D)2分，其余每題1分，共14分）5、（D）10、 （B）（本題共4小題，共30 分）三、簡答題：1、（7 分）答：（1）直流側為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側電壓基本無脈動；（2分）（2）輸出電壓為矩形波，輸出電流因負載阻抗不同而不同；（3分）阻感負載時需提供無功。為了給交流側向直流側反饋的

37、無功提供通道，逆變橋各臂并聯(lián)反 饋二極管。（2分）2、（8 分）答：圖a不合理（1分），電流小于維持電流（2分） 圖b不合理（1分），最高電壓大于額定電壓（1分） 圖c合理（1分），電流為150A小于100X1.57 （2分）4 分）。3、（7 分）答：儲存電能升壓（3分）；保持輸出電壓穩(wěn)定（4、（8 分）答：出現(xiàn)換相重疊角，整流輸出電壓平均值Ud晶閘管的di/dt減小，有利于晶閘管的安全開通； 有時人為串入進線電抗器以抑制晶閘管的 換相時晶閘管電壓出現(xiàn)缺口，產(chǎn)生正的 分）;換相使電網(wǎng)電壓出現(xiàn)缺口，成為干擾源。降低；整流電路的工作狀態(tài)增多；（2分）（2分）di/dt;du/dt，可能使晶閘管誤

38、導通，為此必須加吸收電路（2(2 分)四、作圖題:1、（8 分）（本題共3小題，共26 分）fl04_2、(12 分)3、（6 分）五、計算題：（本題共1小題，共15分） 解：1、T wL=2 n fL=62.8 10R=10此為大電感負載，負載端電流波形平直。Ud=2.34U2cos a =117Vld=Ud/R=117A12=2= 175.5A。（3 分）（3 分）（3 分）（3 分）波形繪制（3 分）試卷參考答案及評分標準（3卷） 課程名稱：電力電子技術適用專業(yè)/年級：考試方式：一、填空題（本題共1、空2、空空3閉卷7小題，每空2 GTO;空 33、空4、空5、空6、空7、空空41 GT

39、R;空1 要有足夠的驅動功率；空 觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同步。均流；空2正弦波；空180。增加；空2111選課課號： 抽（命）題人：卷面總分：100 分1分，共20分）MOSFET ;空 4 IGBT ;空 5 MOSFET ;空 6 GTR。2觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高；串專用均流電抗器。2方波。下降?？焖偃蹟嗥鳎豢?串進線電抗器;3接入直流快速開關;、選擇題（本題共10小題,每小題1分,共10分）1、(A)2、(C)3、( B )4、(A)5、(A)6、(D)7、(C)& ( C)9、(B)10、(D )三、判斷題（本題共10小題,每小題1分,共10分）1、（V）2、(X)3、(X)4、( X)5、（V6、(X)7、(X)8、(X)9、（X）10、(V四、簡答題（本題共3小題，：共32分）控制快速移相使輸出電壓下降。器件優(yōu)點缺點IGBT開關速度咼，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊 的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅 動，驅動功率小開關速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTOGTR耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽 和壓降低開關速度低，為電