制造三部品質(zhì)控制計劃-最終版

1、1深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD.品 質(zhì) 控 制 計 劃 樣件 試產(chǎn) 批量生產(chǎn)部門：文件名稱產(chǎn)品名稱產(chǎn)品型號文件編號版本版次頁碼制定日期制造三部質(zhì)量控制計劃DMOST/D/E系列SI5.412F2001GZKB2014/9/24“” 代表操作 代表倉儲控制類型流程圖序號過程名稱操作描述小流程機器、裝置、夾具、工裝管管制制重重點點方方法法異常處理編號特性產(chǎn)品規(guī)范.公差和要求檢查和測量方法(儀器工具)抽樣計劃責(zé)任部門/工序控制表單記錄數(shù)量頻率來料檢驗 1材料接收1表面無亮點、劃傷紫光燈每片每批來料投片來料檢驗記錄SQE通知供應(yīng)商處理:

2、質(zhì)量異常通知書或糾正預(yù)防措施報告制程控制 2正面刻標(biāo)打標(biāo)打標(biāo)機1表面字跡清晰目檢1片每批投片檢驗記錄通知工程師 1#液清洗清洗臺2時間10分鐘面板顯示時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 3溫度655面板顯示溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 4周期2小時內(nèi)做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 5配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換酸擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽通知工程師 6顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師

3、 擦片擦片機7顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 3一次氧化1#液清洗 清洗臺1時間10分鐘面板顯示時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2溫度655面板顯示溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3周期2小時內(nèi)做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師2 4配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換酸擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽通知工程師 5顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次

4、每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽通知工程師 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 氧化3#，8#，19#1爐溫10001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4氣體流量N2：80.

5、4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 6排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 7顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 8CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1氧化層厚度參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片 1片/籃檢測SPC控制通知工程師 4一次光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認(rèn)項目腔體溫度：2203

6、設(shè)備自動檢測1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢記錄通知工程師 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房 2勻膠程序G線程序操作界面顯示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師制程控制3一次氧化1#液清洗 清洗臺3 3光刻膠厚度12000200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953 設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 5光刻膠液面高于規(guī)定下限設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警更換新膠瓶 6設(shè)備排

7、風(fēng)大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面數(shù)值顯示1次每班光刻點檢記錄通知工程師 對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)光強：I-Line光強大于400，均勻性3.5%光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 平整度：MAX-MIN40，相鄰點的極差20光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 聚焦偏移： TPR：0.3um顯微鏡檢查1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 互套：倍率、旋轉(zhuǎn)絕對值不大于1.5光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 2光刻機空調(diào)

8、溫度 230.5界面顯示1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 3確認(rèn)掩膜版信息 MES掩膜板信息與所使用掩膜版名稱一致目視 1次每批 光刻工藝流程卡更正，培訓(xùn)操作者光刻版操作規(guī)范，班組加強管理 4確認(rèn)曝光時間根據(jù)各機臺標(biāo)簽操作界面顯示1次每批 光刻工藝流程卡填寫NCW記錄，硅片隔離，工藝工程師確認(rèn)，返工 5樣片檢驗參照“檢驗卡”顯微鏡、紫光燈5點1片/批 光刻MOS光刻檢驗樣片記錄表通知工程師 顯影DNS、TEL、SVG1顯影液溫度222溫控箱界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2確認(rèn)儲罐內(nèi)顯影液容量高于最低液面刻度線液面高度指示計顯示報警1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警停機，加

9、液 3確認(rèn)使用程序 MES信息程序名與設(shè)備使用程序名一致操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡停機，更改程序制程控制4一次光刻勻膠DNS、TEL4 鏡檢顯微鏡1圖形檢查參照“檢驗卡”顯微鏡參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 5一次腐蝕堅膜GCA、SVG1堅膜溫度1105設(shè)備自動檢測 1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 堅膜時間2分鐘操作界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 打底膜IPC40001反射功率小于等于50設(shè)備自動顯示1次 每班刻蝕電子表格通知工程師 BOE

10、腐蝕21BOE腐蝕槽1換液周期參照“MOS光刻BOE腐蝕作業(yè)指導(dǎo)書”BOE腐蝕操作記錄1次每批做片前光刻光刻清洗換酸登記表換酸 氧化層腐蝕速率67550/min膜厚測試儀5點/片1片/每班光刻SPC控制通知工程師 腐蝕液溫度201設(shè)備自動檢測1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 測試 膜厚儀1剩余氧化層參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡通知工程師 6一次注入堅膜烘箱1烘箱堅膜溫度12015溫度計一次每月一次注入烘箱點檢通知工程師 2堅膜時間30min計時器一次每批注入工藝流程卡 P+注入350D-1/350D-2/300XP1設(shè)備SPC監(jiān)控94090 /RS75一片每天一

11、次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2初始真空5.00E-06面板顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類350D-1:13.00.5350D-2：13.00.5300XP：12.00.5操作人員確認(rèn)一次每批注入員工做片前檢查確認(rèn)分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常片隔離，通知工藝處理 4掃描波形主波形成M狀，X軸Y軸波形3個波峰一致，左右對齊操作人員確認(rèn)一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 5能量/劑量 80kev 3.2E12面板顯示一次每次做片前注

12、入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 制程控制一次光刻5 6注入束流4.51 uA面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 7一次腐蝕去膠等離子去膠 915/A10001壓力 PRE=20.7Torr控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 2MFC氣體流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 H2SO4+H2O23#液清洗槽1換酸周期參照“MOS光刻3#液去膠作業(yè)指導(dǎo)書”光刻去膠登記表1次每批做片前光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2去膠液溫度標(biāo)準(zhǔn)溫度145度，控制范圍12

13、5-170；溫度計1次1次/班光刻光刻清洗溫度檢控表通知工程師 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 8一次擴散 H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspectcleaning record1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=

14、20:1按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄設(shè)備down機標(biāo)識，打掃相關(guān)部位衛(wèi)生，測試合格后生產(chǎn)Markdown,cleaningequipment,check out 1#液清洗清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師制程控制6一次注入P+注入350D-1/350D-2/300XP6 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效

15、查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴

16、散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 P+擴散（ 程序）9#，22#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每2月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫1150110001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1

17、次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1氧化層厚度Tox：9500500膜厚測試儀 (1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 9二次光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認(rèn)項目腔體溫度：2203設(shè)備自動檢測1次 每月光刻點檢記錄通知工程師制程控制8一次擴散 1#液清洗清洗臺7 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢

18、記錄通知工程師 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房 2勻膠程序G線程序操作界面顯示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師 3光刻膠厚度12000200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953 設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 5光刻膠液面高于規(guī)定下限設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警更換新膠瓶 6設(shè)備排風(fēng)大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面數(shù)值顯示1次每班光刻點檢記錄通知工程師 對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)光強：I-Line光強大于400，均勻性3.5

19、%光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 平整度：MAX-MIN40，相鄰點的極差20光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 聚焦偏移： TPR：0.3um顯微鏡檢查1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 互套：倍率、旋轉(zhuǎn)絕對值不大于1.5光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 2光刻機空調(diào)溫度 230.5界面顯示1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 3確認(rèn)掩膜版信息 MES掩膜板信息與所使用掩膜版名稱一致目視 1次每批 光刻工藝流程卡更正，培訓(xùn)操作

20、者光刻版操作規(guī)范，班組加強管理 4確認(rèn)曝光時間根據(jù)各機臺標(biāo)簽操作界面顯示1次每批 光刻工藝流程卡填寫NCW記錄，硅片隔離，工藝工程師確認(rèn)，返工 5樣片檢驗參照“檢驗卡”顯微鏡、紫光燈5點1片/批 光刻MOS光刻檢驗樣片記錄表通知工程師 顯影DNS、TEL、SVG1顯影液溫度222溫控箱界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2確認(rèn)儲罐內(nèi)顯影液容量高于最低液面刻度線液面高度指示計顯示報警1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警停機，加液制程控制9二次光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認(rèn)項目8 3確認(rèn)使用程序 MES信息程序名與設(shè)備使用程序名一致操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡停機，更改程序 鏡檢

21、顯微鏡1圖形檢查參照“檢驗卡”顯微鏡參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 10二次光刻腐蝕堅膜GCA、SVG1堅膜溫度1105設(shè)備自動檢測 1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2堅膜時間2分鐘操作界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 打底膜IPC40001反射功率小于等于50設(shè)備自動顯示1次 每班刻蝕電子表格通知工程師 BOE腐蝕21BOE腐蝕槽1換液周期參照“MOS光刻BOE腐蝕作業(yè)指導(dǎo)書”BOE腐蝕操作記錄1次每批做片前光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2 氧化層腐

22、蝕速率67550/min膜厚測試儀5點/片1片/每班光刻SPC控制通知工程師 3腐蝕液溫度201設(shè)備自動檢測1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 測試膜厚儀1剩余氧化層參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡通知工程師 11二次去膠等離子去膠 915/A10001壓力 PRE=20.7Torr控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師制程控制9二次光刻顯影DNS、TEL、SVG9 2MFC氣體流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 H2SO4+H2O23#液清洗槽1換酸周期參照“MOS光刻3#液去膠作

23、業(yè)指導(dǎo)書”光刻去膠登記表1次每批做片前光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2去膠液溫度標(biāo)準(zhǔn)溫度145度，控制范圍125-170；溫度計1次1次/班光刻光刻清洗溫度檢控表通知工程師 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 12柵前氧化H2SO4+H2O2 清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspectcleaning recor

24、d1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 柵前氧化 2#，18#1洗管干洗管道/10天1次，濕法洗管/每月1次工藝記錄，洗管記錄1次每2月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫9001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：40.20

25、LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試1氧化層厚度Tox：40025膜厚測試儀 (1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師制程控制11二次去膠等離子去膠 915/A100010 13柵前注入柵前注入

26、350D-1/350D-21設(shè)備SPC監(jiān)控83.514.5 /RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2初始真空5.00E-06面板顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類350D-1:22.50.5350D-2：22.50.5操作人員確認(rèn)一次每批注入員工做片前檢查確認(rèn)分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常片隔離，通知工藝處理 4掃描波形主波形成M狀，X軸Y軸波形3個波峰一致，左右對齊操作人員確認(rèn)一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 5能量/

27、劑量100kev 2E12面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 6注入束流1.5uA到2uA面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 14柵退火H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspectcleaning record1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H

28、2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 1#液清洗清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師制程控制11 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上

29、貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF20秒清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次

30、每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 柵退火5#，20#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每2月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫11501控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師制程控制14柵退火1#液清洗清洗臺12 1顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試

31、記錄通知工程師 2CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試 膜厚儀1膜厚測試Tox：35025A膜厚測試儀 (1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 15柵氧化腐蝕10:1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：10 按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 3漂酸時間250秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用

32、4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 測試 膜厚儀1剩余氧化層參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” RCA清洗（不用HF）清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散工藝流程卡通知工程師 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上

33、顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師制程控制14柵退火柵退火5#，20#13 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比HCL：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個

34、數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 柵氧化（加陪片）1#，17#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每2月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫8001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴

35、散顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1氧化層厚度Tox：85030膜厚測試儀 (1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 16多晶硅淀積多晶硅淀積(柵氧化后1小時內(nèi)進爐）27#，28#1多晶硅厚度6300300膜厚測試儀5點/片 1次/批擴散工藝流程卡暫停異常設(shè)備做片,通知工藝工程師 2漏率20mt/min面板顯示1次1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表暫停異常設(shè)備做片,通知工藝工程師 3淀積溫度爐口：5975爐中：6065爐尾：6185面板顯示口、中、里位置做片時每隔1小

36、時記錄1次 擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 4淀積壓力30030mt面板顯示1次/爐1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師制程控制15柵氧化RCA清洗（不用HF）清洗臺14 5硅烷流量11010ml/min流量計測試儀1次/爐1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 測試膜厚儀1膜層厚度參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測SPC控制參照“檢驗卡” 17多晶擴散H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散工藝流程卡通知工程

37、師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspectcleaning record1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 多晶摻雜（POLYDIFF，加陪片）29#，30

38、#1洗管濕法洗管，1次/每120爐工藝記錄，洗管記錄1次每120爐擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫8901控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置做片時每隔1小時記錄1次 擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：30.6LL-O2：36030mlL-N2：35030ml控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5POLY R口R口：204使用RS75四探針測試儀測試5點/片1片/爐擴散SPC控制通知工程師 漂酸清洗臺1換液周期12小時做片前查看擴散工序

39、清洗記錄換液時間和累計做片量Inspectcleaning record1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2配比HF(1.5L)：H2O(30L)=1：20按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制制程控制16多晶硅淀積多晶硅淀積(柵氧化后1小時內(nèi)進爐）27#，28#15 3漂酸時間3分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 測試 膜厚儀1膜層厚度參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 18POLY光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認(rèn)項目腔體溫度：2203設(shè)備自動檢測1次 每月光

40、刻點檢記錄通知工程師 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢記錄通知工程師 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房 2勻膠程序G線程序操作界面顯示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師 3光刻膠厚度12000200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953 設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 5光刻膠液面高于規(guī)定下限設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警更換新膠瓶 6設(shè)備排風(fēng)大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面數(shù)值顯示1次每班光刻點檢記錄

41、通知工程師 對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)光強：I-Line光強大于400，均勻性3.5%光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 平整度：MAX-MIN40，相鄰點的極差20光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 聚焦偏移： TPR：0.3um顯微鏡檢查1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 互套：倍率、旋轉(zhuǎn)絕對值不大于1.5光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 2光刻機空調(diào)溫度 230.5界面顯示1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 3

42、確認(rèn)掩膜版信息 MES掩膜板信息與所使用掩膜版名稱一致目視 1次每批 光刻工藝流程卡更正，培訓(xùn)操作者光刻版操作規(guī)范，班組加強管理制程控制17多晶擴散漂酸清洗臺16 4確認(rèn)曝光時間根據(jù)各機臺標(biāo)簽操作界面顯示1次每批 光刻工藝流程卡填寫NCW記錄，硅片隔離，工藝工程師確認(rèn)，返工 5樣片檢驗參照“檢驗卡”顯微鏡、紫光燈5點1片/批 光刻MOS光刻檢驗樣片記錄表通知工程師 顯影DNS、TEL、SVG1顯影液溫度222溫控箱界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2確認(rèn)儲罐內(nèi)顯影液容量高于最低液面刻度線液面高度指示計顯示報警1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警停機，加液 3確認(rèn)使用程序 MES信息程序

43、名與設(shè)備使用程序名一致操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡停機，更改程序 鏡檢顯微鏡1圖形檢查參照“檢驗卡”顯微鏡參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 19POLY刻蝕堅膜烘箱1堅膜烘箱溫度12010C溫度計1次每周刻蝕點檢記錄通知工程師 P5000刻蝕P50001刻蝕速率，射頻，壓力，氣體流量，顆粒度55-65A/s；300W ；100MT；CF4=40sccmCL2=36SCCMHBr=90sccmHe/O2=6sccm 顆粒度在0.25尺徑要小于100個膜厚儀測試、控制面板

44、顯示、MFC流量校準(zhǔn)、顆粒度測試儀速率監(jiān)控每天一次，MFC流量校準(zhǔn)一周一次每周刻蝕點檢記錄通知工程師 測試膜厚儀1膜層厚度參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 20POLY去膠等離子去膠 915/A10001壓力 PRE=20.7Torr控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 2MFC氣體流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 H2SO4+H2O23#液清洗槽1換酸周期參照“MOS光刻3#液去膠作業(yè)指導(dǎo)書”光刻去膠登記表1次 每次運行光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2去膠液溫度標(biāo)準(zhǔn)溫度

45、145度，控制范圍125-170；溫度計1次1次/班光刻光刻清洗溫度檢控表通知工程師 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 21P- 注入P-注入350D-1/350D-2/300XP1設(shè)備SPC監(jiān)控94090 /RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理 制程控制18POLY光刻對位I7、I8、I9、I1117 2初始真空5.00E-06面板顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類350D-1:13.

46、00.5350D-2：13.00.5300XP：12.00.5操作人員確認(rèn)一次每批注入員工做片前檢查確認(rèn)分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常片隔離，通知工藝處理 4掃描波形主波形成M狀，X軸Y軸波形3個波峰一致，左右對齊操作人員確認(rèn)一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 5能量/劑量 80kev 5.5E13面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 6注入束流7015 uA面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 22P-擴散H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，

47、報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspectcleaning record1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 1#液清洗清洗臺1煮酸時間10分鐘面

48、板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師制程控制21P- 注入P-注入350D-1/350D-2/300XP1設(shè)備SPC監(jiān)控94090 /RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理18 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用

49、，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 P-擴散4#，6#，21#1洗管干洗管道/1周

50、2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每1月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫11501控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4Llo O2：50025mL控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，57

51、6測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1氧化層厚度Tox：70050A膜厚測試儀 (1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 23N+光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認(rèn)項目腔體溫度：2203設(shè)備自動檢測1次 每月光刻點檢記錄通知工程師 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢記錄通知工程師制程控制22P-擴散1#液清洗清洗臺19 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房 2勻膠程序G線程序操作界面顯示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師 3光刻膠厚度12000

52、200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953 設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 5光刻膠液面高于規(guī)定下限設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警更換新膠瓶 6設(shè)備排風(fēng)大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面數(shù)值顯示1次每班光刻點檢記錄通知工程師 對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)光強：I-Line光強大于400，均勻性3.5%光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 平整度：MAX-MIN40，相鄰點的極差20光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 聚焦偏移： TPR：0.3um顯微鏡檢查1次每周光刻光刻機參數(shù)測

53、試登記表通知工程師 互套：倍率、旋轉(zhuǎn)絕對值不大于1.5光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻機測試 1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 2光刻機空調(diào)溫度 230.5界面顯示1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 3確認(rèn)掩膜版信息 MES掩膜板信息與所使用掩膜版名稱一致目視 1次每批 光刻工藝流程卡更正，培訓(xùn)操作者光刻版操作規(guī)范，班組加強管理 4確認(rèn)曝光時間根據(jù)各機臺標(biāo)簽操作界面顯示1次每批 光刻工藝流程卡填寫NCW記錄，硅片隔離，工藝工程師確認(rèn)，返工 5樣片檢驗參照“檢驗卡”顯微鏡、紫光燈5點1片/批 光刻MOS光刻檢驗樣片記錄

54、表通知工程師 顯影DNS、TEL、SVG1顯影液溫度222溫控箱界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2確認(rèn)儲罐內(nèi)顯影液容量高于最低液面刻度線液面高度指示計顯示報警1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警停機，加液 3確認(rèn)使用程序 MES信息程序名與設(shè)備使用程序名一致操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡停機，更改程序 鏡檢顯微鏡1圖形檢查參照“檢驗卡”顯微鏡參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”制程控制23N+光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認(rèn)項目20 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡” 24N+磷注入堅膜 烘箱1

55、烘箱堅膜溫度12015溫度計一次每月一次注入烘箱點檢停止做片，隔離，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2堅膜時間30min計時器一次無注入工藝流程卡停止做片，隔離，通知工藝，設(shè)備工程師處理 N+注入160-7/1801設(shè)備SPC監(jiān)控202 /RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2初始真空2.00E-05面板顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類160-7:310.5180:500.5操作人員確認(rèn)一次每批注入員工做片前檢查確認(rèn)分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常

56、片隔離，通知工藝處理 4大盤轉(zhuǎn)速95010 r/min操作人員確認(rèn)一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 5能量/劑量 100kev 5E15面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 6注入束流41 MA面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 25N+去膠等離子去膠 915/A10001壓力 PRE=20.7Torr控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 2MFC氣體流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 H2SO4+H2O23

57、#液清洗槽1換酸周期參照“MOS光刻3#液去膠作業(yè)指導(dǎo)書”光刻去膠登記表1次 每次運行光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2去膠液溫度標(biāo)準(zhǔn)溫度145度，控制范圍125-170；溫度計1次1次/班光刻光刻清洗溫度檢控表通知工程師 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”制程控制23N+光刻21 26LTOH2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清

58、洗記錄換液時間和累計做片量Inspectcleaning record1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照設(shè)備上貼的配比標(biāo)簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液

59、前查看配比標(biāo)簽停用，重新配制 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 LTO7#，23#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每1月擴散洗管記錄通知工程師制程控制22 2爐溫9001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4

60、排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1氧化層厚度Tox：陪片dx=28050 N區(qū)：dx=1000100P區(qū)：dx=800100膜厚測試儀 (1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 27P+注入P+注入160-8/160-7/180/GSD1設(shè)備SPC監(jiān)控33030 /RS75一片每天一次