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文檔簡介

1、1.曝光工程工藝曝光工程工藝 -1. 4Mask工藝簡介 -2. 光刻工藝原理及流程 -3. 曝光工藝原理 -4. 曝光作業(yè)流程 -5. GTM工藝簡介 -6. 曝光機裝置結構. 相關檢查工程相關檢查工程 -1. AFM檢查 -2. MMM檢查 -3. SEN檢查 -4. AOI檢查. 曝光工程不良及對策曝光工程不良及對策 -1. SD-short / K-mura -2.圖形偏移 -3. 共通缺陷目錄目錄2.曝光工程曝光工程工藝工藝Al/Mo電極G-MASKG-WE素基板Al/Mo電極SiNx保護層低速a-Si高速a-Sina-SiCr電極（D.S）DI-MASKD1-WE I/PR-DED

2、2-WECH-DE PA-CVD SiNx膜C-MASKC-DEITOSourceDrainPI-MASK 4Mask工藝簡介工藝簡介完成完成TFT制作制作3 光刻工藝原理及流程光刻工藝原理及流程.曝光工程工藝曝光工程工藝4 曝光工藝原理曝光工藝原理.曝光工程工藝曝光工程工藝5 曝光曝光Pattern轉寫轉寫Mask Pattern曝光時Pattern反轉Plate Pattern.曝光工程工藝曝光工程工藝6 曝光作業(yè)流程曝光作業(yè)流程右圖：OPT-3模式的曝光工藝流程Lot開始Mask對位基板進入曝光基板送出Lot終了基板預對位基板本對位ADC計測下一個Shot下一片基板G層曝光以后.曝光工程

3、工藝曝光工程工藝7 GTM工藝簡介工藝簡介Cr電極（D.S）DIMask光刻膠未充分曝光（半曝光）.曝光工程工藝曝光工程工藝85 Mask工藝和工藝和4 Mask工藝的比較工藝的比較.曝光工程曝光工程工藝工藝9 曝光裝置結構曝光裝置結構.曝光工程工藝曝光工程工藝10 AFM檢查檢查CH殘厚. 相關檢查工程相關檢查工程AFM掃描軌跡n光刻膠殘膜11. . 相關檢查工程相關檢查工程n宏觀MURAn微觀像素觀察n配列、預對位精度n重合精度nPattern變換n對位MarknSheet ID、Panel ID MMM檢查檢查12. . 相關檢查工程相關檢查工程nPattern尺寸n重合精度 SEN檢查檢查13. . 相關檢查工程相關檢查工程n共通缺陷nPR起因基板劃傷 AOI檢查檢查14. . 曝光工程不良及對策曝光工程不良及對策nSD-shortnK-mura對 策：DI工程曝光量調整15. . 曝光工程不良及對策曝光工程不良及對策n圖形偏移對 策：對應工

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