內(nèi)存(圖文并茂)

1、內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存固定卡口內(nèi)存固定卡口 金手指金手指內(nèi)存顆粒內(nèi)存顆粒內(nèi)存腳定位缺口內(nèi)存腳定位缺口SPDSPD內(nèi)存的外觀圖：內(nèi)存的外觀圖：內(nèi)存顆粒內(nèi)存顆粒（奇偶檢驗）（奇偶檢驗）例：例：samsungk4h280838b-tcb0samsungk4h280838b-tcb0主要含義：主要含義：第第1 1位位芯片功能芯片功能k k，代表是內(nèi)存芯片。，代表是內(nèi)存芯片。第第2 2位位芯片類型芯片類型4 4，代表，代表dramdram。第第3 3位位芯片的更進一步的類型說明，芯片的更進一步的類型說明，s s代表代表sdramsdram、h h代表代表ddrddr、g g代表代表sgramsgram。第第4 4

2、、5 5位位容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。的刷新速率，也會使用不同的編號。6464、6262、6363、6565、6666、6767、6a6a代表代表64mbit64mbit的容量；的容量；2828、2727、2a2a代表代表128mbit128mbit的容量；的容量；5656、5555、5757、5a5a代表代表256mbit256mbit的容的容量；量；5151代表代表512mbit512mbit的容量。的容量。第第6 6、7 7位位數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，0808代表代表8 8位數(shù)據(jù)；位數(shù)據(jù)；1616代

3、表代表1616位數(shù)據(jù)；位數(shù)據(jù)；3232代表代表3232位數(shù)據(jù)；位數(shù)據(jù)；6464代表代表6464位數(shù)據(jù)。位數(shù)據(jù)。第第1111位位連線連線“-”-”。第第1414、1515位位芯片的速率，如芯片的速率，如6060為為6ns6ns；7070為為7ns7ns；7b7b為為7.5ns(cl=3)7.5ns(cl=3)；7c7c為為7.5ns(cl=2)7.5ns(cl=2)；8080為為8ns8ns；1010為為10ns(66mhz)10ns(66mhz)。 一條三星一條三星ddrddr內(nèi)存，使用內(nèi)存，使用1616片片samsungk4h280838b-samsungk4h280838b-tcb0tcb

4、0顆粒封裝。顆粒編號第顆粒封裝。顆粒編號第4 4、5 5位位“28”28”代表該顆粒是代表該顆粒是128mbits128mbits，第，第6 6、7 7位位“08”08”代表該顆粒是代表該顆粒是8 8位數(shù)據(jù)帶寬，位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128mbits128mbits（兆數(shù)位）（兆數(shù)位）1616片片/8bits=256mb/8bits=256mb（兆字節(jié)）。（兆字節(jié)）。注：注：“bit”bit”為為“數(shù)位數(shù)位”，“b”b”即字節(jié)即字節(jié)“byte”byte”，一個字節(jié)為，一個字節(jié)為8 8位則計算時除以位則計算時除以8 8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算

5、，文中所舉的例子中。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非有兩種情況：一種是非eccecc內(nèi)存，每內(nèi)存，每8 8片片8 8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種就可以組成一條內(nèi)存；另一種eccecc內(nèi)存，在每內(nèi)存，在每6464位數(shù)據(jù)之后，位數(shù)據(jù)之后，還增加了還增加了8 8位的位的eccecc校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有程中，不計算校驗位，具有eccecc功能的功能的1818片顆粒的內(nèi)存條

6、實片顆粒的內(nèi)存條實際容量按際容量按1616乘。在購買時也可以據(jù)此判定乘。在購買時也可以據(jù)此判定1818片或者片或者9 9片內(nèi)存片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是顆粒貼片的內(nèi)存條是eccecc內(nèi)存。內(nèi)存。內(nèi)存簡介內(nèi)存簡介 內(nèi)存，通常叫內(nèi)存條，是用于存放內(nèi)存，通常叫內(nèi)存條，是用于存放當前待處理和日常信息的半導體芯片。當前待處理和日常信息的半導體芯片。因為計算機系統(tǒng)中因為計算機系統(tǒng)中CPUCPU工作時要與其他工作時要與其他設備進行數(shù)據(jù)交換，但其他設備的速度設備進行數(shù)據(jù)交換，但其他設備的速度卻大大低于卻大大低于CPUCPU的速度，如各種板卡、的速度，如各種板卡、硬盤等，所以就需要一種工作效率較快硬盤等，所以就需

7、要一種工作效率較快的設備在其中完成數(shù)據(jù)暫時存儲和交換的設備在其中完成數(shù)據(jù)暫時存儲和交換工作，這便是內(nèi)存的作用，內(nèi)存最常扮工作，這便是內(nèi)存的作用，內(nèi)存最常扮演的角色就是為硬盤與演的角色就是為硬盤與CPUCPU傳遞數(shù)據(jù)之傳遞數(shù)據(jù)之用。用。 內(nèi)存芯片內(nèi)存芯片 內(nèi)存芯片也就是常說的內(nèi)存顆粒，是內(nèi)存芯片也就是常說的內(nèi)存顆粒，是整條內(nèi)存的關(guān)鍵部件。內(nèi)存顆粒是內(nèi)存整條內(nèi)存的關(guān)鍵部件。內(nèi)存顆粒是內(nèi)存的性能、速度、容量的決定因素。的性能、速度、容量的決定因素。 SPD SPD是從是從PC100PC100時代誕生的一個小芯時代誕生的一個小芯片，共有片，共有8 8個引腳，它實際上是一個個引腳，它實際上是一個EEOR

8、OMEEOROM可擦寫存儲器，它的容量有可擦寫存儲器，它的容量有256256字節(jié)，可以寫入一點信息，包括內(nèi)字節(jié)，可以寫入一點信息，包括內(nèi)存的標準工作狀態(tài)、速度、響應時間等，存的標準工作狀態(tài)、速度、響應時間等，以協(xié)調(diào)計算機系統(tǒng)更好地工作。以協(xié)調(diào)計算機系統(tǒng)更好地工作。 內(nèi)存固定卡口內(nèi)存固定卡口 內(nèi)存插到主板上后，主板上的插槽會內(nèi)存插到主板上后，主板上的插槽會有兩個卡口扣住內(nèi)存，這個缺口是用于有兩個卡口扣住內(nèi)存，這個缺口是用于內(nèi)存固定。內(nèi)存固定。內(nèi)存固定卡口內(nèi)存固定卡口 金手指金手指 一根根黃色的接觸點是內(nèi)存與主一根根黃色的接觸點是內(nèi)存與主板內(nèi)存插槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是板內(nèi)存插槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是

9、靠它們來傳輸?shù)?，通常稱為金手指。靠它們來傳輸?shù)?，通常稱為金手指。金手指金手指 內(nèi)存腳定位缺口內(nèi)存腳定位缺口 內(nèi)存的腳上有這樣一到兩個缺口，內(nèi)存的腳上有這樣一到兩個缺口，這個缺口一是用來防止內(nèi)存插反的（通這個缺口一是用來防止內(nèi)存插反的（通常處于不對稱位置）常處于不對稱位置）; ;二是用來區(qū)分不同二是用來區(qū)分不同的內(nèi)存。的內(nèi)存。內(nèi)存腳定位缺口內(nèi)存腳定位缺口 奇偶校驗與奇偶校驗與ECCECC內(nèi)存內(nèi)存 ECCECC的英文全稱是的英文全稱是“ Error Error Checking and Correcting”Checking and Correcting”（錯誤（錯誤檢查和糾正），從這個名稱就可以

10、看出檢查和糾正），從這個名稱就可以看出它的主要功能就是它的主要功能就是“發(fā)現(xiàn)并糾正錯誤發(fā)現(xiàn)并糾正錯誤”。 是整個計算機系統(tǒng)在工作時更趨于安全是整個計算機系統(tǒng)在工作時更趨于安全穩(wěn)定穩(wěn)定。 為了能檢測和糾正內(nèi)存軟錯誤，首先出現(xiàn)的是為了能檢測和糾正內(nèi)存軟錯誤，首先出現(xiàn)的是內(nèi)存內(nèi)存“奇偶校驗奇偶校驗”。內(nèi)存中最小的單位是比特，也。內(nèi)存中最小的單位是比特，也稱為稱為“位位”，位有只有兩種狀態(tài)分別以，位有只有兩種狀態(tài)分別以1 1和和0 0來標示，來標示，每每8 8個連續(xù)的比特叫做一個字節(jié)（個連續(xù)的比特叫做一個字節(jié)（bytebyte）。不帶奇）。不帶奇偶校驗的內(nèi)存每個字節(jié)只有偶校驗的內(nèi)存每個字節(jié)只有8 8位

11、，如果其某一位存位，如果其某一位存儲了錯誤的值，就會導致其存儲的相應數(shù)據(jù)發(fā)生變儲了錯誤的值，就會導致其存儲的相應數(shù)據(jù)發(fā)生變化，進而導致應用程序發(fā)生錯誤。而奇偶校驗就是化，進而導致應用程序發(fā)生錯誤。而奇偶校驗就是在每一字節(jié)（在每一字節(jié)（8 8位）之外又增加了一位作為錯誤檢位）之外又增加了一位作為錯誤檢測位。在某字節(jié)中存儲數(shù)據(jù)之后，在其測位。在某字節(jié)中存儲數(shù)據(jù)之后，在其8 8個位上存?zhèn)€位上存儲的數(shù)據(jù)是固定的，因為位只能有兩種狀態(tài)儲的數(shù)據(jù)是固定的，因為位只能有兩種狀態(tài)1 1或或0 0，假設存儲的數(shù)據(jù)用位標示為假設存儲的數(shù)據(jù)用位標示為1 1、1 1、1 1、0 0、0 0、1 1、0 0、1 1，那么

12、把每個位相加（，那么把每個位相加（1 11 11 10 00 01 10 01 15 5），結(jié)果是奇數(shù)，那么在校驗位定義為），結(jié)果是奇數(shù)，那么在校驗位定義為1 1，反之為反之為0 0。當。當CPUCPU讀取存儲的數(shù)據(jù)時，它會再次把讀取存儲的數(shù)據(jù)時，它會再次把前前8 8位中存儲的數(shù)據(jù)相加，計算結(jié)果是否與校驗位位中存儲的數(shù)據(jù)相加，計算結(jié)果是否與校驗位相一致。從而一定程度上能檢測出內(nèi)存錯誤，奇偶相一致。從而一定程度上能檢測出內(nèi)存錯誤，奇偶校驗只能檢測出錯誤而無法對其進行修正，同時雖校驗只能檢測出錯誤而無法對其進行修正，同時雖然雙位同時發(fā)生錯誤的概率相當?shù)?，但奇偶校驗卻然雙位同時發(fā)生錯誤的概率相當?shù)停?/p>

13、但奇偶校驗卻無法檢測出雙位錯誤無法檢測出雙位錯誤。 內(nèi)存的分類 我們通常所說的內(nèi)存就是指RAM，根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理 RAM又可分為兩類：靜態(tài)RAM（Static RAM ）和動態(tài)RAM（Dynamic RAM ）。 我們現(xiàn)在使用 的RAM基本都 是動態(tài)RAM， 其大致可分為 一下幾種類型： FPM(FastFPM(Fast Page Mode) Page Mode)內(nèi)存內(nèi)存 FPM(快頁模式)是較早的個人計算機普遍使用的內(nèi)存，它每隔3個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。現(xiàn)在已很少見到使用這種內(nèi)存的計算機系統(tǒng)了 EDO(ExtendedEDO(Extended Data Out) Data Out)內(nèi)存

14、內(nèi)存 EDO(擴展數(shù)據(jù)輸出)內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30，達到60ns。EDO內(nèi)存主要用于72線的SIMM內(nèi)存條，以及采用EDO內(nèi)存芯片的PCI顯示卡。 SDRAM(SynchronousSDRAM(Synchronous DRAM) DRAM)內(nèi)存內(nèi)存 SDRAM(同步動態(tài)隨機存儲器)是目前奔騰計算機系統(tǒng)普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內(nèi)存相比速度能提高50。 RDRAM(RambusRD

15、RAM(Rambus DRAM) DRAM)內(nèi)存內(nèi)存 RDRAM(存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器)是Rambus公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設計的新型DRAM，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。 DDR DDR內(nèi)存內(nèi)存 DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR ；DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)， 因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率 是工

16、作頻率的兩倍。 DDR2 DDR2內(nèi)存內(nèi)存 DDR2 DDR2 是是 DDR SDRAM DDR SDRAM 內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它在在 DDR DDR 內(nèi)存技術(shù)的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更內(nèi)存技術(shù)的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更快（可達快（可達 667MHZ 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良 . .它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，也就是說: DDR2內(nèi)存每個時鐘 能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)， 并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度 運行。 Flash

17、 Memory Flash Memory(閃速存儲器)是一種新型半導體存儲器，主要特點是在不加電的情況下長期保持存儲的信息。就其本質(zhì)而言，F(xiàn)lash Memory屬于EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型，既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫，功耗很小。內(nèi)存的工作原理 1.內(nèi)存尋址 首先，內(nèi)存從CPU獲得查找某個數(shù)據(jù)的指令，然后再找出存取資料的位置時（這個動作稱為“尋址”），它先定出橫坐標（也就是“列地址”）再定出縱坐標（也就是“行地址”），這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常準確地定出這個地方。對于電腦系統(tǒng)而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判

18、讀該地址的信號，橫坐標有橫坐標的信號（也就是RAS信號，Row Address Strobe）縱坐標有縱坐標的信號（也就是CAS信號，Column Address Strobe），最后再進行讀或?qū)懙膭幼?。因此，?nèi)存在讀寫時至少必須有五個步驟：分別是畫個十字（內(nèi)有定地址兩個操作以及判讀地址兩個信號，共四個操作）以及或讀或?qū)懙牟僮?，才能完成?nèi)存的存取操作。 2.內(nèi)存?zhèn)鬏?為了儲存資料，或者是從內(nèi)存內(nèi)部讀取資料，CPU都會為這些讀取或?qū)懭氲馁Y料編上地址（也就是我們所說的十字尋址方式），這個時候，CPU會通過地址總線（Address Bus）將地址送到內(nèi)存，然后數(shù)據(jù)總線（Data Bus）就會把對應的

19、正確數(shù)據(jù)送往微處理器，傳回去給CPU使用。 3.存取時間 所謂存取時間，指的是CPU讀或?qū)憙?nèi)存內(nèi)資料的過程時間，也稱為總線循環(huán)（bus cycle）。以讀取為例，從CPU發(fā)出指令給內(nèi)存時，便會要求內(nèi)存取用特定地址的特定資料，內(nèi)存響應CPU后便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數(shù)據(jù)為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，內(nèi)存回復指令，并丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數(shù)來表示速度，比如6ns的內(nèi)存實際頻率為16ns166MHz（如果是

20、DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2 667）。 4.內(nèi)存延遲 內(nèi)存的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等于下列時間的綜合：FSB同主板芯片組之間的延遲時間(1個時鐘周期)，芯片組同DRAM之間的延遲時間(1個時鐘周期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘周期,用于決定正確的行地址)，CAS延遲時間 (2-3時鐘周期,用于決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘周期來傳送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)從DRAM輸出緩存通過芯片組到CPU的延遲時間(2個時鐘周期)。一般的說明內(nèi)存延遲涉及四個參數(shù)CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延遲，RAS（Row A

21、ddress Strobe列地址控制器）toCAS延遲，RAS Precharge（RAS預沖電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了內(nèi)存從接受指令到完成傳輸結(jié)果的過程中的延遲。大家平時見到的數(shù)據(jù)3336中，第一參數(shù)就是CAS延遲（CL3）。當然，延遲越小速度越快。 內(nèi)存的工作指標 內(nèi)存是計算機系統(tǒng)的主要部件之一，其性能影響著所配置計算機系統(tǒng)的性能；許多指標都與內(nèi)存有關(guān)，加之本身的性能指標就很多，這里只介紹幾個最常用的，也是最重要的指標。 容量容量 內(nèi)存條容量大小有多種規(guī)格，早期的30線內(nèi)存條有256K、1M、4M、8M

22、多種容量，72線的EDO內(nèi)存則多為4M、8M、16M，而168線的SDRAM內(nèi)存大多為16M、32M、64M、128MB和512MB容量，甚至更高。 速度速度 內(nèi)存條的速度一般用存取一次數(shù)據(jù)的時間(單位一般用ns)來作為性能指標，時間越短，速度就越快。普通內(nèi)存速度只能達到70ns80ns，EDO內(nèi)存速度可達到60ns，而SDRAM內(nèi)存速度則已達到7ns。1ns=1000MHz, 6ns=166MHz1ns=1000MHz, 6ns=166MHz7ns=143MHz, 10ns=100MHz7ns=143MHz, 10ns=100MHz 內(nèi)存的奇偶校驗內(nèi)存的奇偶校驗 為檢驗存取數(shù)據(jù)是否準確無誤，

23、內(nèi)存條中每8位容量能配備1位做為奇偶校驗位，并配合主板的奇偶校驗電路對存取的數(shù)據(jù)進行正確校驗。不過，而在實際使用中有無奇偶校驗位，對系統(tǒng)性能并沒有什么影響，所以目前大多數(shù)內(nèi)存條上已不再加裝校驗芯片。 內(nèi)存的電壓內(nèi)存的電壓 內(nèi)存的電壓是指內(nèi)存在工作時所需要的工作電壓，F(xiàn)PM內(nèi)存和EDO內(nèi)存均使用5V電壓，而SDRAM則使用3.33.5V之間電壓，而DDR使用2.5V電壓。 數(shù)據(jù)寬度和帶寬數(shù)據(jù)寬度和帶寬 內(nèi)存的數(shù)據(jù)位寬度是指內(nèi)存在一個時鐘周期內(nèi)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以“bit”為單位； 內(nèi)存帶寬是指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率，計算方法是：運行頻率數(shù)據(jù)帶寬/8，之所以要除以8，是因為每8個bit(比特)等于一個Byte(字節(jié))。 內(nèi)存的線數(shù) 內(nèi)存的線數(shù)是指內(nèi)存條與主板接觸點的個數(shù)，這些觸點就是金手指，有30線、72線、168線、184線等。72線、168線和184線內(nèi)存條數(shù)據(jù)寬度分別為8位、32位和64位。 CASCAS CAS等待時間是指縱向地址脈沖的反應時間,也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范內(nèi)存的重要標志之一。比如現(xiàn)在大多數(shù)的SDRAM在外頻為100MHz時都能運行于CAS Latency = 2或3的模式下，這時的讀取數(shù)據(jù)的延遲時間可以是二個時鐘周期也可以是三個時鐘周期，若為二個時鐘周期就會有更高的效能。但為了使機器能工作在穩(wěn)定的情況下，有時要求CAS的值不能過小。 額定可用頻率（GUF)