模電課件第一章

1、2021-12-21電子電路基礎n北京郵電大學 電子工程學院n信息與電子技術研究室：王衛(wèi)東nEmail：n課件下載網(wǎng)址：2021-12-21推薦教材n電子電路基礎-劉寶玲-高等教育出版社n模擬電子技術基礎（第四版）-華成英、童詩白高等教育出版社n電子技術基礎（模擬部分第五版）-康華光高等教育出版社n電子線路（第五版）-謝嘉奎-高等教育出版社2021-12-21課程目的n學習常用半導體器件的外部特性，掌握放大、波形變換等單元電路的工作原理、性能特點、基本分析方法n培養(yǎng)對集成電路的運用能力和基本的工程估算能力2021-12-21考察方法n考試期中考試、期末考試n作業(yè)周三交作業(yè)(請同學們注意，在作業(yè)

2、本上要寫清自己的姓名、班級及學號)n實驗虛擬仿真實驗2021-12-21知識構架n第一章半導體基礎知識及二極管電路n第二章雙極型晶體管及其放大電路n第三章場效應晶體管及其放大電路n第四章小信號放大電路的頻率特性n第五章反饋放大電路n第六章模擬集成電路及其應用n第七章脈沖信號的產(chǎn)生與處理電路2021-12-21第一章半導體基礎知識及二極管電路n半導體的基本特性n半導體二極管的工作原理及特性n半導體二極管電路2021-12-21能力要求n理解半導體導電載流子的概念n理解PN結(jié)及二極管的單向?qū)щ娦詎掌握二極管的模型和伏安特性n熟悉基本的二極管參數(shù)2021-12-211.1半導體的基本特性n物質(zhì)根據(jù)導

3、電能力(電阻率)的區(qū)分u導體109cm（如塑料、陶瓷、天然礦物油、空氣等）u半導體10-3cm0K時，半導體本征激發(fā)產(chǎn)生的游離自由電子回到空穴中的過程n熱平衡狀態(tài)n本征激發(fā)和復合在一定的溫度下達到的動態(tài)平衡n溫度一定時，載流子濃度一定2021-12-211.1.1本征半導體n載流子濃度n電子濃度nn空穴濃度pn本征載流子濃度:本征半導體中電子和空穴的濃度，只和溫度和材料有關n熱平衡狀態(tài):n0=p0=nin0p0=ni22021-12-211.1.1本征半導體n本征載流子濃度和溫度的關系本征載流子中載流子濃度與環(huán)境的溫度密切相關，所以本征半導體工作具有熱不穩(wěn)定性2021-12-211.1.2摻雜

4、產(chǎn)生兩種半導體n本征半導體的特點n電子濃度=空穴濃度n載流子濃度低，導電性差n溫度穩(wěn)定性差n雜質(zhì)半導體n摻入某些微量元素，改善半導體的導電性n摻入雜質(zhì)的本征半導體稱為雜質(zhì)半導體本征半導體N型半導體P型半導體摻雜2021-12-211.1.2摻雜產(chǎn)生兩種半導體nN型半導體：在本征半導體中摻入磷等五價元素在N型半導體中，自由電子是多數(shù)載流子，主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價磷原子因帶正電荷而稱為正離子，因此五價雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。熱平衡時自由電子濃度：00DDnNpN2021-12-21nN型半導體示意圖2021-12-211.1.2摻雜產(chǎn)生兩種半導體nP

5、型半導體：在本征半導體中摻入硼等三價元素在P型半導體中，空穴是多數(shù)載流子，主要由雜質(zhì)原子提供；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。提供空穴的三價硼原子因帶負電荷而稱為負離子，因此三價雜質(zhì)原子也稱為受主雜質(zhì)。2021-12-21nP型半導體示意圖2021-12-211.1.2摻雜產(chǎn)生兩種半導體n雜質(zhì)對半導體導電性的影響n摻雜對本征半導體的導電性有很大影響nT=300K時，本征硅的電子和空穴濃度：n=p=1.5*1010/cm3n摻雜后N型半導體中自由電子濃度：n=5*1016/cm3n摻雜后N型半導體中空穴濃度：p=4.5*103/cm3n本征硅的原子濃度4.96*1022/cm3濃度基本上依次

6、相差106/cm3200innp2021-12-211.1.3半導體中載流子的兩種運動n載流子在半導體中的運動n載流子的擴散運動n熱平衡狀態(tài)：溫度不變，且無其他激發(fā)，載流子濃度分布均勻n非熱平衡狀態(tài)：n若半導體某部分受到光照，或者從某一區(qū)域注入載流子，使載流子濃度分布不均勻，熱平衡狀態(tài)被破壞n載流子的擴散運動形成擴散電流2021-12-211.1.3半導體中載流子的兩種運動n載流子在半導體中的運動n載流子的漂移運動n原因：載流子在電場作用下產(chǎn)生定向運動n載流子的漂移運動形成漂移電流，電場越強，電流越大n半導體相當于一個電阻，稱為體電阻，電阻值取決于摻雜濃度、半導體的形狀、溫度等載流子的漂移運動

7、外電路的電流空穴漂移電流電子漂移電流2021-12-211.2半導體二極管的工作原理及特性n半導體二極管是利用雜質(zhì)半導體制成的，其核心器件是PN結(jié)本征半導體摻雜N型半導體P型半導體PN結(jié)摻入五價雜質(zhì)元素，電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子熱激發(fā)產(chǎn)生電子-空穴對，直至熱平衡；載流子：電子和空穴摻入三價雜質(zhì)元素，空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子2021-12-211.2.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦訮區(qū)N區(qū)空穴負離子正離子自由電子空間電荷區(qū)內(nèi)建電場E低電勢高電勢濃度差多子擴散和少子漂移達到動態(tài)平衡，兩種半導體結(jié)合的離子薄層形成空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱為耗盡層、阻擋層

8、。多子擴散運動空間電荷區(qū)形成內(nèi)建電場PN結(jié)的形成PNPNPNPNPNPNPNPNPNPNP P P PNP PNP PNP P PNP PNP P P P P P PNP P PNP P PNP PNP PNP PNP P PNP P PNP PNP PNP PNP PN雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)內(nèi)建電場阻止多子擴散 內(nèi)建電場促使少子漂移n動態(tài)平衡情況下的PN結(jié)2021-12-211.2.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦詎動態(tài)平衡情況下的PN結(jié)n若T不變，交界面兩側(cè)空間電荷量，空間電荷區(qū)寬度，內(nèi)建電場E等參數(shù)維持不變，漂移與擴散運動達到動態(tài)平衡n空間電荷區(qū)內(nèi)仍然存在載流子，但濃度遠小于中性區(qū)內(nèi)載流子濃度20

9、21-12-211.2.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦詎接觸電勢差V（電位勢壘，勢壘）n由于PN結(jié)內(nèi)電荷和內(nèi)建電場的存在，空間電荷區(qū)形成的電位差稱為接觸電位差n在室溫下，硅的電位差：0.60.8V鍺的電位差：0.20.3Vn溫度升高，電位差減??；溫度每升高1，電位差大約下降22.5mV2VlnADiN NkTqn摻雜濃度本征濃度2021-12-211.2.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦詎勢壘寬度WD(1)動態(tài)平衡時(2)摻雜濃度與勢壘寬度成反比DnpWWW1/22ADADNNVqN NDTVWnApDWNWN勢壘區(qū)的寬度主要分布在摻雜濃度較低的一側(cè)2021-12-211.2.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦詎PN結(jié)加正

10、向電壓的導電情況nP區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，PN結(jié)正偏nE外與E內(nèi)方向相反，削弱了內(nèi)電場的作用n阻擋層內(nèi)合成電場減小n多子擴散運動加強n空間電荷區(qū)變窄n形成正向電流，方向P-NnE外越大，電流越大nPN結(jié)呈現(xiàn)低阻性/(1)DTVDsiI e2021-12-211.2.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦詎PN結(jié)加反向電壓時的導電情況nN區(qū)的電位高于P區(qū)的電位，PN結(jié)反偏nE與E方向相同，加強了內(nèi)電場的作用n阻擋層內(nèi)合成電場增大n空間電荷區(qū)變寬n漂移電流大于擴散電流在一定溫度下，本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流恒定，基本上與所加的反向電壓大小無關，這個電流稱為反向飽和電流IS2021-12

11、-211.2.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦詎PN結(jié)的重要特性：單向?qū)щ娦詎PN結(jié)正偏時呈低阻，反偏時呈高阻nPN結(jié)具有單向?qū)щ娦?021-12-211.2.2二極管的結(jié)構和類型n在PN結(jié)上加上引線和封裝即為二極管n分類：點接觸型、面接觸性、平面型(1)點接觸型二極管二極管的電路符號點接觸型二極管的PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。2021-12-211.2.2二極管的結(jié)構和類型n(2)面接觸型二極管n(3)平面型二極管面接觸型二極管PN結(jié)面積大，用于低頻大電流整流電路。平面型用于集成電路制造工藝，PN結(jié)面積可大可小，用于整流和開關電路2021-12-211.2.3二極管的伏安特性n二

12、極管的電流方程00()nppnsnpD nD pIqALL室溫下：硅Is6V雪崩擊穿電壓具有正溫度系數(shù)2021-12-211.2.4二極管的反向擊穿特性n電擊穿：齊納擊穿n產(chǎn)生條件n摻雜濃度很高的PN結(jié)n反向電壓足夠大n產(chǎn)生機理n對于摻雜濃度很高的PN結(jié)，空間電荷區(qū)較窄；n隨場強加大，這個場強可能把空間電荷區(qū)中的原子的價電子直接從共價鍵拉出，形成大量電子-空穴對n擊穿電壓V(BR)時，導通，截止，因此，被限制在了；當0時，和都截止，=同理可以分析rDVsmVR2021-12-211.3.3二極管模擬電路n穩(wěn)壓電路n利用PN結(jié)的反向擊穿特性，制成穩(wěn)壓二極管，在工作時反接并串入一電阻，起到限流保護

13、作用。穩(wěn)壓管反向擊穿特性曲線越陡，穩(wěn)壓性能越好2021-12-21例1.3.4在下圖所示穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中，已知電源電壓Vs=10V，穩(wěn)壓管穩(wěn)定電壓VZ=6V，最小穩(wěn)定電流Izmin=5mA，最大穩(wěn)定電流Izmax=25mA；負載電阻RL=600。試求限流電阻R的取值范圍。2021-12-21例1.3.4解：穩(wěn)壓管工作在反偏擊穿狀態(tài)，因此所以電阻R上的電壓因而限流電阻R的取值范圍為114267。/6/6000.0110LZLIVRAAmA(106)4RSZVVVVVmax3min426715 10RRVRI min3max411435 10RRVRI (525)10(1535)RZLIIImAmAmA2021-12-211.3.3二極管模擬電路n開關電路n基本邏輯運算：與邏輯運算(邏輯乘)n表達式F=ABn邏輯與門：實現(xiàn)“與”邏輯運算的電路二極管與門電路和符號表示與邏輯真值表ABF000100010111(以下部分請參考課件自行了解)2021-12-211.3.3二極管模擬電路n開關電路n基本邏輯運算：或邏輯運算(邏輯加)n表達式F=A+Bn邏輯或門：實現(xiàn)“或”邏輯運算的電路