(感應(yīng))鼠籠式電機(jī)設(shè)計

1、企業(yè)課程（電機(jī)學(xué)）實習(xí)與實訓(xùn)報告電氣2014級“卓班”企業(yè)課程（電機(jī)學(xué)）實習(xí)與實訓(xùn)報告評語：考 勤（10）守 紀(jì)（10）實習(xí)報告（20）實訓(xùn)過程（20）實訓(xùn)報告（30分）小組答辯（10）總成績（100）專 業(yè)： 電氣工程及其自動化 班 級： 電氣1401 姓 名： 學(xué) 號： 指導(dǎo)教師： 自動化與電氣工程學(xué)院2016 年7月 15日1 實習(xí)報告1.1 實習(xí)項目時間：2016-7-12，14.0015.30 地點(diǎn)：指導(dǎo)教師：實習(xí)內(nèi)容：了解變壓器生產(chǎn)與制造的工藝流程及測試方法變壓器就是一種利用電磁互感應(yīng)，變換電壓，電流和阻抗的器件。變壓器由鐵心（或磁芯）和線圈組成。鐵心是變壓器中主要的此路部分。通常

2、由含硅量較高，表面涂有絕緣漆的熱軋或冷軋硅鋼片疊裝而成。變壓器的鐵心是閉合結(jié)構(gòu)。其中套線圈的部分稱為心柱，不套線圈只起閉合磁路作用的部分稱為鐵軛。按冷卻方式分類:干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。干式和油浸式變壓器有很大區(qū)別。油浸變壓器的應(yīng)用范圍很廣?？梢栽趹魞?nèi)，也可以載戶外。油浸變壓器特別適合戶外，干式變壓器適用于室內(nèi)。油變接納在獨(dú)立的變電場合。地區(qū)天氣比較濕潤悶熱地區(qū)，易利用油變。要是利用在干變得環(huán)境下，必須配合有逼迫風(fēng)冷卻設(shè)置裝備的部署。我國正在設(shè)置裝備部署的特高壓1000kV試驗線路，接納的肯定是油浸式變壓器。變壓器油的主要作用是絕緣作用，變壓器油具有比

3、空氣高得多的絕緣強(qiáng)度。絕緣材料浸在油中，不僅可提高絕緣強(qiáng)度，而且還可以免受潮氣的侵蝕。散熱作用，變壓器油的比熱容打，常用作冷卻劑。消狐作用，在變壓器的有載調(diào)壓開關(guān)上，觸頭切換時會發(fā)生電弧。由于變壓器油導(dǎo)熱性能好，且在電弧的高溫作用下能分觸大量空氣，產(chǎn)生較大壓力，從而提高了介質(zhì)的滅弧性能，使電弧很快熄滅。 圖1變壓器鐵心 圖2 變壓器繞組1.2 體會這是我們即將結(jié)束大二、步入大三生活學(xué)習(xí)的最后一個實習(xí)。是我們對電機(jī)學(xué)這門專業(yè)基礎(chǔ)課程進(jìn)行更為深入了解、學(xué)習(xí)的難得可貴的機(jī)會。宏宇變壓器公司這個專業(yè)性極強(qiáng)的工廠，讓我們變壓器生產(chǎn)與制造工藝等有了或多或少的了解與認(rèn)識。在此次企業(yè)課程中，我們看到了工廠對電

4、機(jī)設(shè)備、變壓器的設(shè)計以及制作，了解了這些設(shè)備的組成和運(yùn)轉(zhuǎn)過程，熟悉了設(shè)備的設(shè)計、制作、組裝與調(diào)試。通過變壓器公司的參觀實習(xí)以及工作人員的講解我進(jìn)一步認(rèn)識了變壓器的工作原理與結(jié)構(gòu)組成，同時也讓我認(rèn)識到了對電機(jī)學(xué)這門學(xué)科學(xué)習(xí)方面的不足，需要更加努力的學(xué)習(xí)。企業(yè)課程實習(xí)雖然只有短短一天的時間，但對我們的影響確實深遠(yuǎn)的。這次企業(yè)課程實習(xí)拓展了我們的知識面，接觸了很多有用的新名詞、新術(shù)語，同時了解到了我們以后的工作環(huán)境，讓我對電氣工程及其自動化這個專業(yè)有了更深入的了解，也為我們將要進(jìn)行的專業(yè)課的學(xué)習(xí)奠定了基礎(chǔ)。2 實訓(xùn)報告2.1 設(shè)計題目設(shè)計題目：外殼防護(hù)等級：IP54 冷卻方式：IC411 已知參數(shù)：

5、 額定功率：5.5kW 額定電壓：380V 接法：三角形 相數(shù)：3 頻率：50 同步轉(zhuǎn)速：1500r/min 要求達(dá)到的指標(biāo)： 額定效率：85.0% 額定功率因數(shù)：0.83 起動電流倍數(shù)：7.0 起動轉(zhuǎn)矩倍數(shù)：2.3 最大轉(zhuǎn)矩倍數(shù)：2.32.2 設(shè)計思路參考計算機(jī)輔助電機(jī)設(shè)計的第三章內(nèi)容開展。并在電機(jī)設(shè)計中找到相對應(yīng)電機(jī)的技術(shù)數(shù)據(jù)。我們通過技術(shù)數(shù)據(jù)確定了定轉(zhuǎn)子的槽型以及一些待確定值的范圍。然后我們按照確定電動機(jī)的尺寸，磁路計算，額定工作性能參數(shù)和起動性能參數(shù)計算的流程進(jìn)行設(shè)計。在第一階段，我按照書中的公式進(jìn)行手算。在手算的過程中，我們清楚地了解了電機(jī)設(shè)計的流程，但進(jìn)行完手算后，我們的主要性能指

6、標(biāo)沒有達(dá)到預(yù)期的結(jié)果。于是，我們依照電機(jī)原理與設(shè)計的MATLAB分析進(jìn)行編程，編完程序后，我們經(jīng)過性能校核計算，發(fā)現(xiàn)一些設(shè)計方案不滿足性能指標(biāo)，于是我們對設(shè)計變量進(jìn)行調(diào)整，重新校核，直到指標(biāo)達(dá)到要求為止。電機(jī)的設(shè)計綜合各方面的因素，運(yùn)用有關(guān)設(shè)計方法，來完成的設(shè)計。先估計好所需的設(shè)計參數(shù)，依程序步驟計算產(chǎn)品的性能。根據(jù)設(shè)計結(jié)果再對設(shè)計參數(shù)人為進(jìn)行選擇調(diào)整。 (1)主要尺寸的確定。主要尺寸是指電機(jī)感應(yīng)實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換的有效部分的尺寸的經(jīng)驗值或通過適當(dāng)?shù)剡x擇電磁負(fù)荷A（線負(fù)荷）與B（氣隙磁密），然后參考推薦的數(shù)據(jù)選用適當(dāng)?shù)模ㄖ饕叽绫龋?，則可算得Dil和lef，由KD（定子內(nèi)外徑比）估算定子外徑。根據(jù)該

7、機(jī)座的中心高，還需考慮到硅鋼片的合理套裁等，還需對原來計算的尺寸進(jìn)行修正。 (2)磁路計算。磁路計算是根據(jù)產(chǎn)生電機(jī)滿載電動勢所需的每極主磁通，求取磁路各段的磁通密度和磁位降，以求得所需的勵磁磁動勢和勵磁電流。磁路計算的目的在于確定產(chǎn)生主磁場所必須的磁化力或勵磁磁動勢，并進(jìn)而計算勵磁電流以及電機(jī)的空載特性。通過磁路計算還可以校核電機(jī)各部分磁通密度的選擇是否合適。(3)損耗以及工作性能計算，主要尺寸、氣隙以及定轉(zhuǎn)子繞組和鐵心設(shè)計好以后，就要進(jìn)行工作性能計算和啟動性能計算，以便于設(shè)計任務(wù)書或技術(shù)條件中規(guī)定的性能指標(biāo)相比較，在此基礎(chǔ)上對前面的設(shè)計進(jìn)行必要的調(diào)整。啟動性能計算，三相感應(yīng)電動機(jī)的起動性能主

8、要是指起動轉(zhuǎn)矩和起動電流對相應(yīng)額定值的影響。我國國家標(biāo)準(zhǔn)對各種類型的感應(yīng)電機(jī)的起動性能都有具體規(guī)定。2.3 計算流程圖感應(yīng)電機(jī)的電磁計算與優(yōu)化大致可分為以下幾個步驟：(1)預(yù)選初始設(shè)計變量，得到初始設(shè)計方案；(2)性能指標(biāo)校核；(3)調(diào)整有關(guān)設(shè)計變量；(4)挑選最佳方案；根據(jù)大致步驟得感應(yīng)電機(jī)的電磁計算與優(yōu)化的流程圖如圖3所示。圖3 電磁計算與優(yōu)化流程圖2.4 MATLAB程序及運(yùn)行結(jié)果程序及運(yùn)行結(jié)果見附錄一。2.5 A相繞組展開圖A相繞組展開圖如圖4所示。 圖4 A相繞組展開圖繞組選用的是單層交叉式疊繞組，槽數(shù)Z=36，2p=4，y1=8，y2=7。2.6 設(shè)計計算結(jié)果感應(yīng)電機(jī)的電磁計算與優(yōu)

9、化計算結(jié)果如表1所示。表1 感應(yīng)電機(jī)的電磁計算與優(yōu)化計算結(jié)果定子內(nèi)徑(cm)氣隙長度(cm)鐵芯長度(cm)每槽導(dǎo)線數(shù)槽滿率13.640.03912.254577.8%導(dǎo)線并繞根數(shù)線徑(mm)定子齒磁通密度(T)轉(zhuǎn)子齒磁通密度(T)氣隙磁通密度(T)定子電流密度(A/mm²)2-0.901.481.560.685.10轉(zhuǎn)子導(dǎo)條電流密度(A/mm²)熱負(fù)荷(A/cm·A/mm²)定子繞組銅重(kg)鑄鋁轉(zhuǎn)子鋁重(kg)鋼芯硅鋼片重(kg)2.881346.15.981.4840.47滿載效率功率因數(shù)最大轉(zhuǎn)矩倍數(shù)啟動電流倍數(shù)啟動轉(zhuǎn)矩倍數(shù)85.5%0.832.

10、445.032.313.小結(jié)通過這次課程設(shè)計，我們學(xué)會了：1) 通過本設(shè)計熟悉了感應(yīng)電機(jī)的設(shè)計過程。2) 了解并掌握了MATLAB方法和技術(shù)，熟悉了電機(jī)設(shè)計的基本操作。3) 升化了我們的理論水平，鍛煉了我們理論聯(lián)系實際的能力。4) 使我們具備了對電機(jī)安全性評價有了一定的認(rèn)識。5) 還有很重要的一點(diǎn)就是，分析問題，解決問題的能力，并不是有問題后把希望寄托在老師或?qū)W霸身上，而是要自己從問題的根源進(jìn)行分析，排除無關(guān)可能，然后逐漸找出問題，并解決問題?；仡櫰鸫舜握n程設(shè)計，我們?nèi)愿锌H多，從選題到定稿，從理論到實踐，在接近兩周的時間里，可以說得是苦多于甜，但是可以學(xué)到很多很多的的東西，同時不僅可以鞏固了

11、以前所學(xué)過的知識，而且學(xué)到了很多在書本上所沒有學(xué)到過的知識。通過這次課程設(shè)計使我懂得了合作的重要性，理論與實際相結(jié)合是很重要的，只有理論知識是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，只有把所學(xué)的理論知識與實踐相結(jié)合起來，從理論中得出結(jié)論，才能真正為社會服務(wù)，從而提高自己的實際動手能力和獨(dú)立思考的能力。在設(shè)計的過程中遇到問題，可以說得是困難重重，這畢竟第一次做的，難免會遇到過各種各樣的問題，同時在設(shè)計的過程中發(fā)現(xiàn)了自己的不足之處，對以前所學(xué)過的知識理解得不夠深刻，掌握得不夠牢固。通過這次課程設(shè)計之后，一定把以前所學(xué)過的知識重新溫故。 為期兩周的課程設(shè)計終于結(jié)束了，這段時間是我在大學(xué)期間不可多得的美好記憶。它給了我們很多的感

12、受和經(jīng)驗，讓我們在飽受酸甜苦辣的同時也體會到集體的力量和成功的喜悅。參考文獻(xiàn)1 湯蘊(yùn)璆. 電機(jī)學(xué)M.北京:高等教育出版社,2011.2 胡巖,武建文,李德成.小型電動機(jī)現(xiàn)代實用設(shè)計手冊M.北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2001.3 戴文進(jìn)，張景明.電機(jī)設(shè)計M.北京:清華大學(xué)出版社,2010.4 陳世坤.電機(jī)設(shè)計M.西安:西安交通大學(xué)出版社,1982.附錄1 感應(yīng)電機(jī)的電磁計算與優(yōu)化 MATLAB程序及附圖1 MATLAB程序%第一部分 電動機(jī)的主要尺寸和氣隙參數(shù)%myflag1=0; %myflagl myflagl=l是雙層槽絕緣占面積，myflagl =O是單層槽絕緣占面積myflag2=0; %

13、myflag2 myflag2=1是平底槽，myflag2=0是圓底槽myflag3=0; %myflag3 myflag3=1是平底槽，myflag3=0是圓底槽myflag4=1; %myflag4 myflag4=1是圓底槽，myflag4=0是半開口平底槽，其它為開口平底槽myflag5=0; %myflag5 myflag5=1是半開口槽和半閉口槽，myflag5=0是開口槽 myflag6=4; %myflag6 myflag6=1是二級防護(hù)式，myflag6=2是四級及以上防護(hù)式，myflag6=3是二級封閉型自扇冷式，myflag6=4是四級及以上封閉型自扇冷式myflag7=

14、1; %myflag7 myflag7=1是半閉口槽，myflag7=0是開口槽PN=5500; %額定輸出功率Un=380; %額定電壓f=50; %額定頻率cos_phi=0.85; %功率因數(shù)eta_1=0.83; %效率m1=3; %相數(shù)p=2; %磁極對數(shù)q1=3; %定子每極每相槽數(shù)UN_phi=Un;Ikw=PN/(m1*UN_phi); %功電流Z1=2*m1*p*q1; %定子槽數(shù)Z2=32; %轉(zhuǎn)子槽數(shù)Zp1=Z1/(2*p); %定子每極槽數(shù)Zp2=Z2/(2*p); %轉(zhuǎn)子每極槽數(shù)KB_2=0.931+0.0108*log10(PN)-0.013*p; %滿載電勢標(biāo)幺值

15、，經(jīng)驗公式p_1=KB_2*PN/(eta_1*cos_phi); %電機(jī)計算功率alpha_p_1=0.68; %計算極弧系數(shù)，參考推薦的數(shù)據(jù)選用適當(dāng)?shù)闹礙nm_1=1.10; %氣隙磁場的波形系數(shù)Kdp1_1=0.9598; %基波繞組系數(shù)A_1=26000; %電磁負(fù)荷，對于外殼表面冷卻IP54，IC411的電機(jī)，A的取值范圍為200-350A/cmB_delta_1=0.7; %氣隙磁密，異步電機(jī)，該值的取值范圍為0.6-0.8Tn_1=1440; %電機(jī)轉(zhuǎn)速，異步電機(jī)的轉(zhuǎn)速總是略小于同步轉(zhuǎn)速V=6.1*1*p_1/(alpha_p_1*Knm_1*Kdp1_1*A_1*B_delta

16、_1*n_1); %有效體積Lambda=1.2; %主要尺寸比，根據(jù)參考文獻(xiàn)【計算機(jī)輔助電機(jī)設(shè)計】表3-1選取Di1_1=(2*p*V/(Lambda*pi)(1/3); %定子內(nèi)徑Di1_D=0.647; %定子鐵心內(nèi)外徑比，根據(jù)參考文獻(xiàn)【計算機(jī)輔助電機(jī)設(shè)計】表3-1選取D1_1=Di1_1/(Di1_D); %定子外徑D1=D1_1; %定子沖片外徑Di1=D1*(Di1_D); %定子沖片內(nèi)徑lef=V/(Di12); %定子鐵心li=lef-0.006; %鐵心凈長，經(jīng)驗公式delta=0.3*(0.4+7*sqrt(Di1*li)*(1/103); %氣隙長度lef=li+2*de

17、lta; %鐵心長度D2=Di1-2*delta; %轉(zhuǎn)子外徑Di2=0.048; %轉(zhuǎn)子內(nèi)經(jīng)，由轉(zhuǎn)軸直徑?jīng)Q定tau=pi*Di1/(2*p); %極距t1=pi*Di1/Z1; %定子齒距t2=pi*D2/Z2; %轉(zhuǎn)子齒距bsk=t1; %轉(zhuǎn)子斜槽寬alpha_1=1; %并聯(lián)支路數(shù)N_phi1_1=(eta_1*cos_phi*pi*Di1*A_1)/(m1*Ikw); %每相串聯(lián)導(dǎo)體數(shù)Ns_1=(m1*alpha_1*N_phi1_1)/Z1; %每槽導(dǎo)體數(shù)Ns1=floor(Ns_1); %向下取整N_phi1=Ns1*Z1/(m1*alpha_1); %每相串聯(lián)導(dǎo)體數(shù)N1=N_ph

18、i1/2; %每相串聯(lián)匝數(shù)J1_1=5.0; %繞組線規(guī)設(shè)計I1_1=Ikw/eta_1/cos_phi; %定子電流初步估計值NA=I1_1/(alpha_1*J1_1); %NA=Ni1_1*Ac1_1Ni1_1=2; %并繞根數(shù)Ac1_1=NA/2; d=0.90*10(-3); %線徑Bi_1=1.4; %齒部磁通密度，該值范圍為1.3-1.6Tbi_11=t1*B_delta_1/0.95/Bi_1; %定子齒寬估算值Bf_1=1.25; %軛部磁通密度，該值范圍為1.2-1.5Thf_1=tau*alpha_p_1*B_delta_1/2/0.95/Bf_1; %定子軛部高度估算值

19、h=0.005; %槽鍥h01=0.0008; h21=0.0141;b01=0.0035;b11=0.0067;h11=(b11-b01)/2*sqrt(3)/3;r21=0.0041;bi1_1=pi*(Di1+2*h01+2*h11+2*h21)/Z1-2*r21; %定子齒寬的最大值bi1_2=pi*(Di1+2*h01+2*h11)/Z1-b11; %定子齒寬的最小值bi1=(bi1_1-bi1_2)/3+bi1_2; %定子齒寬hs1=h01+h21+h11+r21;hs_1=h01+h21+h11;As=(2*r21+b11)*(hs_1-h)/2+pi*r21*r21/2; %

20、槽面積Delta_t=0.0003;% myflagl=l是雙層槽絕緣占面積，myflagl =0是單層槽絕緣占面積switch myflag1 case 1 At=Delta_t*(2*hs_1+pi*r21+2*r21+b11); case 0 At=Delta_t*(2*hs_1+pi*r21);endAef=As-At; Sf=2*Ns1*d2/Aef; %槽滿率alpha=p*2*pi/Z1; %槽距角Kd1=sin(q1*alpha/2)/(q1*sin(alpha/2); %分布系數(shù)Kp1=1; %短距系數(shù)Kdp1=Kd1*Kp1; %繞組系數(shù)KI=0.88; %參考【電機(jī)設(shè)計下

21、冊】表11-10I2_1=KI*I1_1*3*N_phi1*Kdp1/Z2; %轉(zhuǎn)子導(dǎo)條電流JB_1=2.97; %轉(zhuǎn)子導(dǎo)條電密AB_1=I2_1/JB_1; %導(dǎo)條截面積Bi_2=1.3; %估計值bi_2=t2*B_delta_1/0.95/Bi_2; %轉(zhuǎn)子齒寬估算值Bf_2=1.25; %估計值hf_2=tau*alpha_p_1*B_delta_1/2/0.95/Bf_2; %轉(zhuǎn)子軛部計算高度估計值h02=0.0005;h22=0.023;b02=0.001;b12=0.0055;h12=(b12-b02)/2*sqrt(3)/3;r22=b12/2;bi2=pi*(D2-2*2/3

22、*(h02+h12+h22)/Z2-b12; %轉(zhuǎn)子齒寬hs2=h02+h22+h12+r22;IR_1=I2_1*Z2/(2*pi*p); %端環(huán)電流JR_1=0.6*JB_1; %端環(huán)電密AR_1=IR_1/JR_1; %端環(huán)所需面積AR=260; %端環(huán)設(shè)計后實際面積%第二部分 磁路計算%KE_1=0.923; %滿載電動勢比值，通常在0.85-0.95的范圍內(nèi)設(shè)定E1=0.923*UN_phi; %E1為滿載相電動勢Ks_1=1.15; %飽和系數(shù)，一般在1.2-1.4范圍內(nèi)選取Knm=1.0975; %氣隙磁場的波形系數(shù)Phi=E1/(4*Knm*Kdp1*f*N1); %每極磁通K

23、fe=0.95; Ai1=Kfe*li*bi1*Zp1; %定子每極下齒部截面積Ai2=Kfe*li*bi2*Zp2; %轉(zhuǎn)子每極下齒部截面積%myflag2=1是平底槽 myflag2=0是圓底槽switch myflag2 case 1 hf1_1=(D1-Di1)/2-hs1; case 0 hf1_1=(D1-Di1)/2-hs1+r21/3;end %定子軛部計算高度%myflag3=1是平底槽 myflag3=0是圓底槽 switch myflag3 case 1 hf2_2=(D2-Di2)/2-hs2; case 0 hf2_2=(D2-Di2)/2-hs2+r22/3;end

24、 %轉(zhuǎn)子軛部計算高度 Af1=Kfe*li*hf1_1; %定子軛部截面積Af2=Kfe*li*hf2_2; %轉(zhuǎn)子軛部截面積tau=pi*Di1/2/p;A_delta=tau*lef; %空氣隙截面積alpha_p1=0.68; %計算極弧系數(shù)Fs=1/alpha_p1; %波幅系數(shù)B_s=Fs*Phi/A_delta; %氣隙磁密Bi1=Fs*Phi/Ai1; %定子齒磁密Bi2=Fs*Phi/Ai2; %轉(zhuǎn)子齒磁密B_delta=Fs*Phi/A_delta; %空氣隙磁密Hi1=10.14; %查表Bi2=1.56;Hi2=15; %磁場強(qiáng)度 %myflag5 =1是半開口槽和半閉開

25、口槽 myflag5 =0是開口槽 switch myflag5 case 1 K_delta=t1*(4.4*delta+0.75*b01)/(t1*(4.4*delta+0.75*b01)-b012); case 0 K_delta=t1*(5*delta+b01)/(t1*(5*delta+b01)-b012);enddelta_ef=K_delta*delta; %有效氣隙長度%myflag4=1是圓底槽 myflag4=0是半開口平底槽 其它為開口平底槽switch myflag4 case 1 Li1=(h11+h21)+r21/3; Li2=(h12+h22)+r22/3; ca

26、se 0 Li1=h11+h21; Li2=h12+h22; otherwise Li1=Hs1; %Li1定子齒部磁路計算長度 Li2=h12+h22; %Li2轉(zhuǎn)子齒部磁路計算長度end Lf1_1=pi*(D1-hf1_1)/(2*p*2); %定子軛部磁路計算長度Lf2_1=pi*(Di2+hf2_2)/(2*p*2); %轉(zhuǎn)子軛部磁路計算長度mu_0=1.25*10(-6); F_delta=K_delta*delta*B_delta/mu_0; %空氣隙磁壓降Fi1=Hi1*Li1*100; %定子齒部磁壓降Fi2=Hi2*Li2*100; %轉(zhuǎn)子齒部磁壓降Ks=(F_delta+

27、Fi1+Fi2)/F_delta; %飽和系數(shù)，修正Ks參數(shù)=1.2%Bf1=Phi/2/Af1; %定子軛磁密Bf2=Phi/2/Af2; %轉(zhuǎn)子軛磁密Cf_1=hf1_1/tau;Cf_2=hf2_2/tau;Cf1=0.68;Cf2=0.25; %軛部磁位降校正系數(shù)Hf1=8.75;Hf2=16; %軛部磁場強(qiáng)度Ff1=Cf1*Hf1*Lf1_1*100; %定子軛部磁壓降Ff2=Cf2*Hf2*Lf2_1*100; %轉(zhuǎn)子軛部磁壓降F0=F_delta+Fi1+Fi2+Ff1+Ff2; %總磁壓降Im=2*p*F0/(0.9*m1*N1*Kdp1); %滿載磁化電流Im_=Im/Ikw

28、; %滿載磁化電流標(biāo)幺值Xm_=1/Im_; %勵磁電抗標(biāo)幺值%第三部分 參數(shù)計算%d1=0.02; %線圈直線部分伸出鐵心長度lb=li+2*d1; %直線部分長Kc=1.2;beta_=0.85;tau_v=pi*(Di1+2*(h01+h11)+h21+r21)/(2*p)*beta_;lc=lb+Kc*tau_v; %單層線圈le=2*d1+Kc*tau_v; %單層線圈端部平均長Cx=4*pi*f*mu_0*(N1*Kdp1)2*lef*PN/(m1*p*(UN_phi)2); %漏抗系數(shù)Ku1=1.0;KL1=1.0;lambda_u1=h01/b01+2*h11/(b01+b11

29、);lambda_L1=0.765; %查表lambda_s1=Ku1*lambda_u1+KL1*lambda_L1;Xs1_=2*m1*p*li*lambda_s1/(Z1*Kdp12*lef)*Cx; %定子槽漏抗Sigma_s=0.0129;X_delta1_=m1*tau*Sigma_s/(pi2*delta_ef*Kdp12*Ks)*Cx; %定子諧波漏抗 Sigma_s從附錄8中查出XE1_=0.47*(le-0.64*tau_v)/(lef*Kdp12)*Cx; %雙層繞組 XE1表示定子端部漏抗X_sigma1_=Xs1_+X_delta1_+XE1_; %定子漏抗X_sig

30、ma1_=0.07064;lambda_u2=h02/b02;lambda_L=1.86; %轉(zhuǎn)子槽比漏抗 lambda_u2，lambda_L查附錄四lambda_L2=2*h12/(b02+b12)+lambda_L;lambda_s2=lambda_u2+lambda_L2;Xs2_=2*m1*p*li*lambda_s2/(Z2*lef)*Cx; %轉(zhuǎn)子槽漏抗Sigma_R=0.013;X_delta2_=m1*tau*Sigma_R/(pi2*delta_ef*Ks)*Cx; %轉(zhuǎn)子諧波漏抗 Sigma_R從參考文獻(xiàn)（電機(jī)設(shè)計）圖4-11或附錄九DR=D2-0.012;XB2_=0.

31、757/lef*DR/2/p*Cx; %轉(zhuǎn)子端部漏抗 見參考文獻(xiàn)（電機(jī)設(shè)計）圖附1-5Xsk_=0.5*(bsk/t2)2*X_delta2_; %轉(zhuǎn)子斜槽漏抗X_sigma2_=Xs2_+X_delta2_+XB2_+Xsk_; %轉(zhuǎn)子漏抗X_sigma_=X_sigma1_+X_sigma2_ ; %總漏抗Ac1_1=Ac1_1*10(-6);rho_0=0.0217*(1/106);R1=rho_0*(2*N1*lc/(2*Ac1_1*alpha_1); %rho_0為銅的電阻率R1_=R1*Ikw/UN_phi; %定子相電阻標(biāo)幺值C=1.05;rho_1=8.9*103; %銅的密度

32、Gw=C*lc*Ns1*Z1*Ac1_1*2*rho_1; %定子繞組重量，C為考慮導(dǎo)線絕緣和引線重量的系數(shù)，rho_1為導(dǎo)線密度KFe=0.95;rho_F_1=7.8*103;GFe=KFe*li*(D1+delta)2*rho_F_1; %GFe為硅鋼片重量KB=1.04;rho=0.0434*(1/106);AB=AB_1*10(-6);RB_1=rho*KB*li/AB*(4*m1*(N1*Kdp1)2)/Z2; %導(dǎo)條電阻折算值 KB是疊片不整齊造成導(dǎo)條電阻增加的系數(shù) rho為電阻率RR_1=rho*DR/10(-6)/(2*pi*p2*AR)*4*m1*(N1*Kdp1)2; %

33、端環(huán)電阻折算值RB_=RB_1*Ikw/UN_phi; %導(dǎo)條電阻標(biāo)幺值RR_=RR_1*Ikw/UN_phi; %端環(huán)電阻標(biāo)幺值R2_=RB_+RR_; %轉(zhuǎn)子電阻標(biāo)幺值%第四部分 工作性能計算%I1p_=1/eta_1; %定子電流有功分量Xms_=0.408;sigma_1=1+X_sigma_/Xms_;Ix_=sigma_1*X_sigma_*I1p_2*(1+(sigma_1*X_sigma_*I1p_)2); %電抗電流分量I1Q_=Im_+Ix_;KE=1-(I1p_*R1_+I1Q_*X_sigma1_); %滿載電動勢EP=1-Im_*X_sigma1_;Bi10=EP/K

34、E*Bi1;Bi20=EP/KE*Bi2;Bf10=EP/KE*Bf1;Bf20=EP/KE*Bf2;B_delta0=EP/KE*B_delta;Hi10=9.2;Hi20=13.9;Hf20=27.24;Hf10=15.66;Fi10=Hi10*Li1*100;Fi20=Hi20*Li2*100;Ff10=Cf1*Hf10*Lf1_1*100;Ff20=Cf2*Hf20*Lf2_1*100;F_delta_0=K_delta*delta*B_delta0/mu_0;F00=F_delta_0+Fi10+Fi20+Ff10+Ff20;Im0=2*p*F00/(0.9*m1*N1*Kdp1);

35、I1_=sqrt(I1p_2+I1Q_2); %定子電流計算公式I1=I1_*Ikw;J1=I1/(alpha_1*2*Ac1_1)*10(-6); %定子電流密度A1=m1*N_phi1*I1/(pi*Di1); %線負(fù)荷A1J1=A1*J1/100; %熱負(fù)荷I2_=sqrt(I1p_2+Ix_2); %轉(zhuǎn)子導(dǎo)條電流I2=I2_*Ikw*m1*N_phi1*Kdp1/Z2;IR=I2*Z2/(2*pi*p);JB=I2/AB*10(-6);JR=IR/AR; %轉(zhuǎn)子導(dǎo)條電流密度Pcu1_=I1_2*R1_; %定子銅耗標(biāo)幺值Pcu1=Pcu1_*PN; %定子銅耗PA12_=I2_2*R2

36、_;PA12=PA12_*PN;Ps_=0.05;Ps=Ps_*PN;switch myflag6 case 1 Pfw=5.5*(3/p)2*(D2)3*103; case 2 Pfw=6.5*(3/p)2*(D2)3*103; case 3 Pfw=13*(1-D1)*(3/p)2*(D2)3*103; case 4 Pfw=(3/p)2*(D1)4*104;endPfw_=Pfw/PN;rho_Fe_1=7.8*103;Gi=2*p*Ai1*Li1*rho_Fe_1;Gf=4*p*Af1*Lf1_1*rho_Fe_1;Phei=4.088; %齒單位鐵損耗Phef=6.943; %扼單位

37、鐵損耗PFei=Phei*Gi;PFef=Phef*Gf;%myflag7 myflag7=1是半閉口槽，myflag7=0是開口槽switch myflag7 case 1 %半閉口槽 k1=2.5; k2=2; case 0 %開口槽 k1=3.0; k2=2.5;endPFe=k1*Phei+k2*Phef; %總鐵耗PFe_=PFe/PN; %標(biāo)幺值Sigma_p_=Pcu1_+PA12_+Ps_+Pfw_+PFe_; %電機(jī)總損耗標(biāo)幺值PN1_=1+Sigma_p_;GAl=1.48;eta=1-Sigma_p_/PN1_; %效率cos_phi=I1p_/I1_; %功率因數(shù)PFe

38、tr=(1-1/2)*PFei;PFetf=(1-1/2.5)*PFef;PFer_=(PFetr+PFetf)/PN;SN=PA12_/(1+PA12_+PFer_+Ps_+Pfw_); %額定轉(zhuǎn)差率n_N=60*f/p*(1-SN); %額定轉(zhuǎn)速Tm_=(1-SN)/(2*(R1_+sqrt(R1_2+X_sigma_2); %最大轉(zhuǎn)矩倍數(shù)%第五部分 啟動性能計算%Ist_1=2.83*Tm_*Ikw; %啟動電流假定值Fst=Ist_1*Ns1/alpha_1*0.707*(Ku1+Kd12*Kp1*Z1/Z2)*sqrt(EP);beta_0=0.64+2.5*sqrt(delta/(

39、t1+t2);BL=mu_0*Fst/2/delta/beta_0;Kx=0.51;Cs1=(t1-b01)*(1-Kx);Cs2=(t2-b02)*(1-Kx);Delta_lanbdau1=(h01+0.58*h11)/b01*(Cs1/(Cs1+1.5*b01);lambda_s1_st=Ku1*(lambda_u1-Delta_lanbdau1)+KL1*lambda_L1;X_s1_st=lambda_s1_st/lambda_s1*Xs1_; %啟動時定子槽漏抗X_delta1_st=Kx*X_delta1_; %定子諧波漏抗XB1_=0.3350*Cx;X_sigma1_st=X_s1_st+X_delta1_st+XB1_; %定子啟動漏抗bB_bs2=1;rho_B=0.0434*(1/106);hB=0.0284;bB=1;bs2=1;xi=1.987*(1/103)*hB*sqrt(bB/bs2)*(f/rho_B);Kf=2.05;Kx=0.778;D