201ElectrocheicalactivationofgraphitefeltelectrodeforVOredoxcoupleapplication翻譯要點(diǎn)

1、本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）外文翻譯（2013 屆）題目： 全釩氧化液流電池用集流浸漬石墨板的制備學(xué)生姓名 盧成概學(xué) 號(hào) 200801020605指導(dǎo)教師 王建黎專業(yè)班級(jí)化學(xué)工程與工藝 2009 （5）班所在學(xué)院化學(xué)工程與材料學(xué)院提交日期2012年2月浙江工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書（論文）石墨氈電極的電化學(xué)活化在 vO /VO? 氧化還原耦中的應(yīng)用 摘要在這篇文章中,對(duì)全釩氧化液流電池(VRB)中石墨氈電極的電化學(xué)活化進(jìn)行 了研究。石墨氈(GF)電極在硫酸溶液中經(jīng)過一系列電化學(xué)氧化后被完全氧化。討論了石墨氈的電化學(xué)性能，同時(shí)石墨氈的伴隨電化學(xué)氧化改變的表面性能定律也 被提出。利用掃描電子顯微鏡(SEM

2、)、x射線光電子能譜(XPS)、接觸角測(cè)量、循 環(huán)伏安法(CV)、電化學(xué)阻抗譜(EIS)表征被氧化的石墨氈的結(jié)構(gòu)、成分、表面張2 +力和電化學(xué)性能。在VO /VO2氧化還原反應(yīng)中，被氧化的石墨氈在-1560-840 mAh g下發(fā)揮了最佳的活性，在他表面達(dá)到了最高的C-OH和COO含量2 +(ca.34%)。被氧化的石墨氈上的 VO /VO2 氧化還原反應(yīng)機(jī)制也被加入討論 組。全釩氧化液流電池分別用原始石墨氈和被氧化的石墨氈作為電極在不同的充 放電電流密度下測(cè)試。用被氧化石墨氈電極做電池的庫侖效率(CE),電壓效率(VE) 和能源效率(EE)遠(yuǎn)高于用原始石墨氈的，表明用電氧化法激活石墨氈電極是

3、一種 有前景的技術(shù)。? 2012愛思唯爾有限公司版權(quán)所有1.簡(jiǎn)介與其他能源存儲(chǔ)技術(shù)相比,全釩氧化液流電池(VRB)在大規(guī)模應(yīng)用和長(zhǎng)周期 壽命方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)1-4。近年來,它的研究和開發(fā)已經(jīng)引起了相當(dāng)大的關(guān) 注。然而,電解質(zhì)的穩(wěn)定性，膜的選擇性和電極活性仍然限制了全釩氧化液流電池 性能的改進(jìn)。在很大程度上，這些因素阻礙了全釩氧化液流電池的商業(yè)化發(fā)展。 最近，在全釩氧化液流電池的電解質(zhì)5,6和膜7方面取得了顯著的進(jìn)展。全釩 氧化液流電池的電極材料的研究主要集中在碳基材料，包括碳紙11、碳纖維12、碳納米管13 - 15、石墨烯14、16、17等等。石墨氈已經(jīng)被廣泛用作 全釩氧化液流電池的電極材

4、料，這都?xì)w功于他的良好的穩(wěn)定性和高比表面積，但弱電化學(xué)活性仍然是一個(gè)缺陷，這限制了全釩氧化液流電池的電壓效率和功率密 度。因此這對(duì)于發(fā)展電極提高電化學(xué)性能的改性方法是非常重要的。石墨氈電極的各種改性方法已經(jīng)在研究,其中包括金屬電鍍18、19,熱激活20和酸處理12、21、22。電化學(xué)氧化技術(shù)對(duì)于碳基材料的表面處理是一種有效的方法。這 是因?yàn)樗梢蕴峁┰S多類型的表面含氧官能團(tuán)和增加表面粗糙度；與此同時(shí)，這技術(shù)的控制也相對(duì)簡(jiǎn)單,可以在溫和條件下進(jìn)行23。然而,全釩氧化液流電池的 石墨氈電極的電化學(xué)氧化已經(jīng)很少報(bào)道。李等人只報(bào)道了，相對(duì)于未處理的石墨氈電極全釩氧化液流電池的活性已經(jīng)得到改良。2十/在

5、目前的文章中，VO V。2氧化還原反應(yīng)中的經(jīng)過電化學(xué)氧化的石墨氈 （被氧化的石墨氈）的激活正被詳細(xì)研究。被氧化的石墨氈的表面形態(tài)、潤(rùn)濕性、 表面含氧官能團(tuán)和電化學(xué)性質(zhì)在電化學(xué)氧化程度上呈現(xiàn)正常變化。這些結(jié)果有助于理解石墨氈的電化學(xué)氧化機(jī)理，這研究也為確定全釩氧化液流電池電極活化的 最佳工藝參數(shù)提供了有用的理論指導(dǎo)。2. 實(shí)驗(yàn)2.1材料5毫米厚的 聚丙烯腈 基石墨氈 樣本由 上海七杰有限 有限公 司提供。 VOSO4 *4H 2O（ 99%）4從沈陽的海中天精細(xì)化工廠購買，濃硫酸（質(zhì)量分 數(shù)98%）來自廣州東香港化工廠。2.2樣品制備聚丙烯腈基石墨氈在電化學(xué)氧化前先切成1.5厘米X 1.5厘米大

6、小,然后所有的樣品都用蒸餾水徹底清洗然后在707C下48 h烘干。石墨氈板作為陽極,石墨板作為陰極。電化學(xué)氧化在1 M硫酸溶液中發(fā)生。石墨氈電極（1.5厘米X 1.5 厘米）用作陽極是由在兩個(gè)聚氯乙烯板片之間壓一塊石墨氈做成，其中一個(gè)聚氯乙烯板片有1.0厘米X 1.0厘米的孔，石墨氈通過孔與電解液想通。另一邊的石 墨氈與石墨片電流收集器連接。石墨氈樣品在100 mAcm2的電流密度下對(duì)不同的氧化時(shí)段進(jìn)行電氧化。發(fā)生氧化的石墨氈被拿出來用蒸餾水清洗干凈，然后在707C下48h烘干。2.3特性對(duì)于電化學(xué)表征，一個(gè)用發(fā)生氧化的石墨氈的三電極電池被作為工作電極，飽和甘汞電極（SCE）作為參比電極,石墨

7、板作為極板。循環(huán)伏安法（CV）表征在 0.015MVoSO +3M硫酸中在0.4V和1.4V之間（vs. SCE）以1 mVS，的掃描速 率進(jìn)行。電化學(xué)阻抗譜（EIS）測(cè)量是在開路電位下（OCP）,在有5mV的激勵(lì)信號(hào)的 1.5MvoSO+3M硫酸中，同時(shí)在100 kHz到10mHZ的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行。這個(gè)電 化學(xué)實(shí)驗(yàn)由PARSTAT 227電化學(xué)工作站完成（普林斯頓大學(xué)應(yīng)用研究）。表面形貌的特點(diǎn)是通過在日立 s-4800儀器上使用掃描電子顯微鏡（SEM得 到的。樣品用PHI5300XPS1行了 x射線光電子能譜（XPS）分析，而光譜是用光譜 軟件（XPS峰41）分析的。樣品的潤(rùn)濕性通過連接測(cè)角

8、計(jì)進(jìn)行分析 （JC2000D3,上 海中晨數(shù)字技術(shù)有限公司）。2.4單電池測(cè)試做一個(gè)全釩氧化液流電池單電池測(cè)試,5厘米X 5厘米大小的被氧化石墨氈 樣板同樣用如在2.2節(jié)所述的電氧化法制備。用于充放電測(cè)試的全釩氧化液流電池是由兩片石墨氈 （5厘米X 5厘米）之間 的全氟磺酸117離子交換膜（6厘米X 6厘米）夾在兩個(gè)石墨板塊之間做成的。電 極用于反應(yīng)的面積是25平方厘米。在充放電循環(huán)開始時(shí),60毫升含2M VO2的33M硫酸溶液和60毫升含2M V 的3M硫酸溶液分別注入到陰極和陽極側(cè)。為了避免石墨氈和石墨極板的腐蝕,電池充電充到2400mA同時(shí)相應(yīng)的氧化還原耦 利用率達(dá)到75%放電電壓極限被

9、控制在0.8V。全釩氧化液流電池利用電池測(cè)試 系統(tǒng)在不同的電流密度下充放電（CT-3008W- 5V3A-164,新威爾科技有限公司）。3. 結(jié)果與討論3.1利用循環(huán)伏安法通過分別測(cè)量被氧化的石墨氈在 3 M硫酸溶液和0.015M VoSO+ 3M硫酸2十/溶液中的CVs來表示被氧化的石墨氈 VO /VO2 的電化學(xué)活性。結(jié)果如圖（a）2 +和（b）所示。從圖1 （a）可以看到，沒有VO 'VO? 的被氧化石墨氈的CVs的氧化電流只有1.1到1.4 V（vs.SCE）之間。這氧化電流來自氧氣發(fā)生反應(yīng)。比較圖1（a）和（b），不僅顯示在1.1和1.4 V之間的氧化電流,在0.9-1.0

10、V4浙江工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書（論文）和0.7-0.8 V 也分別有陽極最高峰 0和還原峰R。因此，陽極峰0和還原峰R與 VO /V02 氧化還原反應(yīng)相符。此外，圖i(b)表明,未經(jīng)處理的樣品有最大的 峰電位缺口(Ep)和最低的氧化還原峰電流密度，這可能表明未經(jīng)處理的樣品對(duì) vO /VO2 氧化還原反應(yīng)表現(xiàn)出最糟糕的電化學(xué)活性和完全不可逆性。這個(gè)結(jié)果表明,被氧化的石墨氈VO2 /VO2 耦電化學(xué)活性顯著增強(qiáng),這可以歸因于被 氧化的石墨氈表面含氧官能團(tuán)的形成。含氧官能團(tuán)提供VO /VO2 氧化還原反 應(yīng)的活性部位。此外，如圖1(b)所示,還原峰電位和還原峰電流密度和氧化程度 一起變化不大，但

11、氧化峰電流密度和電化學(xué)氧化程度一起表現(xiàn)出顯著的改變。從 圖1(c)可以看到,氧化峰電流密度和電化學(xué)氧化程度一起變化。圖1(c)顯示了三個(gè)相同樣品不同氧化程度的氧化峰電流密度。從圖1(c)可以看出，同一氧化程度的被氧化的石墨氈的氧化峰電流密度差不多。氧化程度從 1 2 亠0到560 mAhg ，VO2到V02的氧化峰電流密度逐漸增加。在 -1560mAh*g到840mAh*g 之間氧化峰電流密度變化不大。然而,當(dāng)氧化 程度在之后還不斷增加時(shí)，氧化峰電流密度下降。這些規(guī)則可能是由于氧化程度 從0到560mAh*g不斷增加含氧官能團(tuán)的濃度增加。表面的含氧官能團(tuán)可以2+ 、 亠提供更多的活性部位給 V

12、O 到vo2的氧化反應(yīng)。表面含氧官能團(tuán)的濃度在氧 化程度560-840 mAh - g '作為活性部位達(dá)到飽和。當(dāng)氧化程度不斷增加,含氧 官能團(tuán)的含量由于進(jìn)一步氧化成二氧化碳而下降。3.2電化學(xué)阻抗譜研究我們進(jìn)行了 EIS測(cè)量進(jìn)一步了解電極結(jié)構(gòu)和在不同的電化學(xué)氧化程度被氧 化的石墨氈電極表面的電荷轉(zhuǎn)移性能。圖2展示了在1.5M V0SO+3M硫酸溶液中的石墨氈電極和被氧化的石墨 氈電極在開路電位的奈奎斯特圖。所有的奈奎斯特圖包括高頻率時(shí)的半圓部分和 低頻率時(shí)的線性部分，表明電化學(xué)過程被電荷轉(zhuǎn)移和擴(kuò)散步驟混合控制。高頻率 時(shí)的半弧起因于在電解質(zhì)/電極界面的電荷轉(zhuǎn)移反應(yīng)。半圓弧的半徑表示電

13、荷轉(zhuǎn) 移電阻。低頻率的線性部分可以歸為擴(kuò)散過程與發(fā)生在電極的三維孔隙通道的VO /VO2 擴(kuò)散（12、25）。從圖2可以看到，未經(jīng)處理的石墨氈電極有最大的半弧半徑，表明未經(jīng)處理高頻半弧的幅度隨著氧化程的石墨氈因?yàn)閂O /VO2 有最大的電荷轉(zhuǎn)移電阻。度從OmAh*g增加到560mAh*g逐漸變小。然而,當(dāng)氧化程度繼續(xù)增長(zhǎng) 到ii20mAh*g半弧增加。它表明,石墨氈電極電化學(xué)氧化可以有效地減少2 +VO VO2 電荷轉(zhuǎn)移電阻，電荷轉(zhuǎn)移電阻隨著氧化程度從0到560mAh g 而下降，電荷轉(zhuǎn)移電阻由于進(jìn)一步氧化而增加。這些規(guī)則都與圖 1（b）中的cv的 變化一致6浙江工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論

14、文)il0-4O-&0.81,01.21.4Potential (vs.SCE)/VWnireiited20 m Ati/g 40 jrt Ah/g2 SO mAh/g 560 mAh/g840 mAh/gI 1 20 mAh/e40iva>SUQPs匕(5201 UnlrcaCcd2 2Om Ahg3 MOmAh/g4 28OmAh/g5 56OmAh/g二朽6 8-lOmAh/fi 57 1 1 HOni 亂 h/gc” '7口一石1,0Potential (vs.SCE)/V(6181614121OJlsd 一一啟召一<5840 nt A h 料t -44b

15、in .Aii t;一_=_=_一一_=_!一_=_=_=_S6U m 5伍_=_=_=_一_=_=_fii_sssssssss1 I 20 ni Ah/10圖1.電流密度為100mAcm-2時(shí)被氧化的石墨氈電極CV曲線的差異度在 3M硫酸中(a),0.015M V0S04 + 3 M硫酸(b),掃描率=1 mV s -1;(c)三個(gè)相同樣品在各自的氧化程度時(shí)的氧化峰電流密度。3.3 XPS分析2 +被氧化的石墨氈的VO /VO2 的活性的增加應(yīng)該與被氧化的石墨氈的表 面狀態(tài)有關(guān)。為了描述樣品的表面狀態(tài)，做XPS測(cè)量，這可以提供官能團(tuán)的直接信 息。圖3顯示了被氧化的石墨氈在不同氧化程度的 C1

16、s的XPS光譜。樣品表面基 團(tuán)的含量可以從圖3通過測(cè)量相對(duì)峰面積而結(jié)果列在表 1來獲得。如圖3所示, 碳在C1s XPS有幾個(gè)電子狀態(tài)。根據(jù)參考文獻(xiàn),在284.7 eV的主峰是歸因于石墨化碳,其他四峰是由于石墨氈結(jié)構(gòu)的缺陷(285.1 eV)12, C OH (286.3 eV)17,-COO，一C = O (286.8 eV)26 和 COOH(288.9 eV)27。根據(jù)碳纖維和石墨纖維的結(jié)構(gòu)單元(圖4)28,石墨氈的缺陷結(jié)構(gòu)應(yīng)該歸因于部分有缺陷的 碳。邊緣未飽和碳和缺陷碳是高度活躍的地區(qū)，很容易被氧化。如圖3所示,這有C-OH峰值(286.3 eV)用來被氧化的石墨氈與未經(jīng)處理的樣 品相

17、比較，這確認(rèn)了電化學(xué)活化的有效性。正如表1中所列出的，由于被氧化的石所以,C-OH對(duì)被氧化墨氈在2omAhg：有缺陷的碳的含量從34%f降到14%相比未經(jīng)處理的樣 品C-OH增加到18%對(duì)于其他官能團(tuán)含量沒有明顯的變化。隨著氧化程度從20-4 的石墨氈在2omAhg提高電化學(xué)活性發(fā)揮了關(guān)鍵作用。,C-OH,COO增 加。mAh * g到560mAh * g增加有缺陷碳的含量不斷降低.4丄然而,相較于560 mAh g，"20mAh g 時(shí)c-oh的含量降低，cooh變化不 大。從表1可以看到,C-OH和-COOH總含量隨著氧化程度從0到560mAh g 而增加，當(dāng)氧化程度從560mA

18、h*g增加到1120mAhg ，總含量降低。 趨勢(shì)與被氧化的石墨氈電極的電化學(xué)活性是一致(圖1)。這個(gè)趨勢(shì)是根據(jù)CV和2 +EIS的分析結(jié)果。被氧化的石墨氈的VO /VO2 的電化學(xué)活性隨著氧化程度從440 mAhy 到560mA g 增加，這可以歸因于c-oh和cooH的含量增加。 與560mAhg"相比該活動(dòng)，1120mAhg時(shí)的活性減少了 ,這可能是由于C-OH含量的減少。VO /VO2 氧化還原反應(yīng)在Eq.(1)表明一個(gè)氧原子參與充浙江工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書（論文）放電反應(yīng)過程，這可能是按比例插入到整個(gè)電化學(xué)反應(yīng)，所以,在電極表面的2+,c-oh和-coohT能團(tuán)能做為V

19、O ZVO2 氧化反應(yīng)活性部位，促進(jìn)釩類的反應(yīng)。2 +丄Charge丄+(1)VO H 20 -e-Discharge VO 2 2HC-OH參與VO /VO2氧化還原反應(yīng)的機(jī)理已經(jīng)由Sun和Skyllas-Kazacos20提出了 ,這表明電極表面C-OH的存在加速電子傳遞反應(yīng), 使氧傳遞過程比直接從水更容易,從而,促進(jìn)了 VO ZVO2 反應(yīng)。c-oh為V。2 離子在第一步機(jī)理從溶液運(yùn)輸?shù)诫姌O表面提供了 h，如Eq.（2）所示。2+ + +ROH 70= R O V9 H然而,COOF基團(tuán)提供2 + H 比 c-oh容易,表明coo基團(tuán)可能在VO ZVO21 1反應(yīng)中扮演了重要的角色A好。

20、盡管20mAhg 1的含量1120mAg 時(shí)較大。因此,被氧化的石墨氈表面含氧基團(tuán)向2+.VO fVO2 反應(yīng)的擬議的機(jī)制可以被顯示在圖5。,這只是解釋1120mA g 活性比20 mAh* g 時(shí)的 c-oh和 cooh的總含量大于 112omAh g'，cooh3.4形態(tài)學(xué)特征被氧化的石墨氈的改變的表面狀態(tài)，這就意味著，被氧化的石墨氈的表面結(jié)構(gòu)可能有些變化。掃描電子顯微鏡下的被氧化的石墨氈的表面形貌進(jìn)行表征，呈現(xiàn)在圖.6。如圖所示,在放大3000倍后沒什么差別。然而,在放大20000后有明顯的不同?？梢钥闯?，未經(jīng)處理的樣品的表面是光滑和清潔的。被氧化的石墨氈的表面在20mAh*g&

21、#39;出現(xiàn)少量點(diǎn)狀物質(zhì)，而在560 mAh g '有很多片狀材料。這可能是由于石墨產(chǎn)品的腐蝕在電氧化時(shí)連接被氧化的石墨氈的表面，腐蝕 產(chǎn)品隨著氧化度的增加而增加。這表明，粗糙程度和缺位隨著氧化度而增加。這些在很大程度上都有助于增加比表面積和提高表面能。然而，被氧化的石墨氈的表面在1120mAhg，在軸向方向開裂紋,這可能會(huì)降低被氧化的石墨氈作為 電極材料的電子電導(dǎo)率15200040I.5WUmreaLcdZVnhmES-S30加OZ7ohm圖2.未經(jīng)處理的石墨氈電極（a）和具有不同氧化度的被氧化的石墨氈電極組（b）在1.5MVOSO4+3硫酸中的尼奎斯特圖。圖3.被氧化的石墨氈的光電

22、子能譜C1s曲線擬合光譜與在 100mAcm-2電流密度的電化學(xué)氧化的程度的比較。圖6.未經(jīng)處理的石墨氈（a）,在電流密度100mA cm-2不同氧化度的被氧化的石墨氈（b）20mAhg-1,（c）560 mAh g -1,（d）1120 mAh g -1的掃描式電子顯微鏡圖像（比例尺：左列,10微米；右列,2微米）。圖7.未經(jīng)處理的石墨氈（a）和在電流密度100mA cm2、560mAh g-1的被氧化的石墨氈（b）的接觸角測(cè)量。浙江工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文)17fcflgs.=d1.10*90.80*7dash line: GF solid line: OGF2000 40GO 6

23、000800010000 12000 14000 ItiOOO 18000Time/s圖8.GF和OGF乍為電極的VRB單電池在不同的電流密度的充放電曲線。OGF電極的氧化程度為 560 mAh g -1。92908886903A 8075807672306840506070Cwirrent clensity/mA cm"圖.9.GF和OGF做電極的VRB在不同的電流密度的庫侖效率(CE),電壓效率(VE)和能源效率(EE)。OGF電極的氧化程度為 560 mAh g-1。浙江工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書（論文）213.5接觸角特性評(píng)估石墨氈表面狀態(tài)和結(jié)構(gòu)對(duì)潤(rùn)濕性的影響，測(cè)定在石墨氈表

24、面上接觸角的膨潤(rùn)現(xiàn)象并且呈現(xiàn)在圖.7里。如圖所示，未經(jīng)處理的石墨氈的初始接觸角1310。 接觸角隨時(shí)間變化不大。這表明，未經(jīng)處理的石墨氈表面能很低，潤(rùn)濕性很差，這 與未經(jīng)處理的氈的光滑表面形態(tài)和低峰值電流密度是一致的（圖6a）。被氧化的石墨氈在560mAhg時(shí)的初始接觸角為ii8°,小水滴在五秒內(nèi)完全消失,確 認(rèn)被氧化的石墨氈表面能大大增加和潤(rùn)濕性顯著提高。3.6全釩氧化液流電池單電池測(cè)試為了描述被氧化的石墨氈在全釩氧化液流電池中作為電極的性能，全釩氧化 液流電池單電池分別用未經(jīng)處理的石墨氈 （5cmx 5cm）和被氧化的石墨氈（5cmX 5cm）作為電極制作。被氧化的石墨氈電極的氧

25、化程度為 560mAhg。單電池在不同的電流密度的充放電曲線顯示在圖.8。通過比較用未經(jīng)處理的 石墨氈和被氧化的石墨氈作為電極的全釩氧化液流電池的充放電曲線，可以看到,后者平衡充電電壓較低而平衡放電電壓在相同電流密度時(shí)較高，從而電壓效率后者較前者高，表明石墨氈的電化學(xué)氧化在充放電過程降低了極化電阻。用未經(jīng)處理的石墨氈和被氧化的石墨氈作為電極的全釩氧化液流電池在不同電流密度的庫侖效率（CE）,電壓效率（VE）和能源效率（EE）顯示在圖.9。從圖.9 可以看到，所有密度中，后者的電壓效率比前者高4%,能源效率高5%兩者的庫 侖效率、電壓效率和能源效率與充放電電流密度一起顯示 ，表明被氧化的石墨氈

26、電極的表面氧化態(tài)在電池的不同的充電/放電條件下是穩(wěn)定的。4. 結(jié)語石墨氈在一系列的氧化度的電化學(xué)活化在這篇文章中已經(jīng)進(jìn)行詳細(xì)討論2 +VO /V02 被氧化的石墨氈的最佳電化學(xué)活性是氧化程度為560-840mAhg4的時(shí)候。被氧化的石墨氈的活性改善可以歸因于被氧化的石墨氈表 面含氧官能團(tuán)的形成，他為VO ZVO2 氧化還原反應(yīng)提供了活性中心。接觸角 測(cè)定表明，被氧化的石墨氈的潤(rùn)濕性相較未經(jīng)處理的樣品有了顯著改善，這可以歸結(jié)為含氧表面官能團(tuán)的親水和被氧化的石墨氈的表面腐蝕。被氧化的石墨氈改進(jìn)的活性顯著改善了全釩氧化液流電池阻力值。對(duì)于所有的電流密度，被氧化的石墨氈做電極的全釩氧化液流電池的庫侖效

27、率(CE),電壓效率(VE)和能源效率(EE)較高。電壓效率(VE)和能源效率(EE)高了 4-5%。因此，石墨氈用于全釩氧化 液流電池的電氧化對(duì)石墨氈電極的活性來說是有前景的科技。致謝這項(xiàng)工作由中國國家自然科學(xué)基金(20973099)、深圳科學(xué)基金杰出青年學(xué)者 們J C201104210149A)和深圳基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(JC201005310703AJC201005310712A,CXB201005250040支持。J.Xi 謝謝任教 授為接觸角分析。參考文獻(xiàn)1 W. Wang, S. Kim, B. Che n,乙 Nie, J. Zha ng, G .-G. Xia, L. Li,乙 Ya

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