微機(jī)保護(hù)裝置電磁兼容要求詳解一

1、技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)1微機(jī)保護(hù)裝置電磁兼容要求（一）微機(jī)保護(hù)裝置電磁兼容要求（一） 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)2課程內(nèi)容l電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)l發(fā)射試驗(yàn)限值要求 l抗擾度試驗(yàn)限值要求l發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)3電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)l電磁環(huán)境 electromagnetic environment :存在于給定場(chǎng)所的所有電磁現(xiàn)象的總和。l電磁噪聲 electromagnetic noise :一種明顯不傳送信息的時(shí)變電磁現(xiàn)象，它可能與有用信號(hào)疊加或組合 l無(wú)用信號(hào) unwanted signal:可能損害有用信號(hào)接收的信號(hào)。 l干擾信號(hào) interferi

2、ng signal :損害有用信號(hào)接收的信號(hào) 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)4電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)l電磁兼容性EMC（Electro Magnetic Compatibility），是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無(wú)法忍受的電磁干擾的能力。因此，EMC包括兩個(gè)方面的要求：一方面是指設(shè)備在正常運(yùn)行過(guò)程中對(duì)所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過(guò)一定的限值；另一方面是指設(shè)備對(duì)所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度，即電磁敏感性。lEMC 包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是電磁干擾和電磁抗干擾； 技術(shù)中心

3、基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)5電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ) lEMI（ Electro Magnetic interference），電），電磁干擾度，描述一產(chǎn)品對(duì)其他產(chǎn)品的電磁輻射磁干擾度，描述一產(chǎn)品對(duì)其他產(chǎn)品的電磁輻射干擾程度，是否會(huì)影響其周?chē)h(huán)境或同一電氣干擾程度，是否會(huì)影響其周?chē)h(huán)境或同一電氣環(huán)境內(nèi)的其它電子或電氣產(chǎn)品的正常工作；環(huán)境內(nèi)的其它電子或電氣產(chǎn)品的正常工作；lEMI又包括傳導(dǎo)干擾又包括傳導(dǎo)干擾CE（conduction emission）和輻射干擾）和輻射干擾RE(radiation emission) 。統(tǒng)稱(chēng)為發(fā)射試驗(yàn)統(tǒng)稱(chēng)為發(fā)射試驗(yàn)。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)6電磁兼容的常用

4、術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)lEMS（ Electro Magnetic susceptibility），），電磁抗干擾度，描述一電子或電氣產(chǎn)品是否會(huì)電磁抗干擾度，描述一電子或電氣產(chǎn)品是否會(huì)受其周?chē)h(huán)境或同一電氣環(huán)境內(nèi)其它電子或電受其周?chē)h(huán)境或同一電氣環(huán)境內(nèi)其它電子或電氣產(chǎn)品的干擾而影響其自身的正常工作。氣產(chǎn)品的干擾而影響其自身的正常工作。lEMS又包括靜電抗干擾又包括靜電抗干擾ESD，射頻抗擾度，射頻抗擾度，電快速瞬變脈沖群抗擾度，浪涌抗擾度，電壓電快速瞬變脈沖群抗擾度，浪涌抗擾度，電壓暫降抗擾度等統(tǒng)稱(chēng)為暫降抗擾度等統(tǒng)稱(chēng)為抗擾度試驗(yàn)抗擾度試驗(yàn)。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)7電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容

5、的常用術(shù)語(yǔ) l系統(tǒng)間干擾系統(tǒng)間干擾:由其它系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁騷擾對(duì)一由其它系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁騷擾對(duì)一個(gè)系統(tǒng)造成的電磁干擾個(gè)系統(tǒng)造成的電磁干擾;l系統(tǒng)內(nèi)干擾系統(tǒng)內(nèi)干擾:由本系統(tǒng)內(nèi)部電磁騷擾引起的電由本系統(tǒng)內(nèi)部電磁騷擾引起的電磁干擾。磁干擾。l性能降低性能降低 :裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的工作性能與正裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的工作性能與正常性能的非期望偏離常性能的非期望偏離。l對(duì)騷擾的抗擾性對(duì)騷擾的抗擾性 :裝置、設(shè)備或系統(tǒng)面臨電磁裝置、設(shè)備或系統(tǒng)面臨電磁騷擾不降低運(yùn)行性能的能力。騷擾不降低運(yùn)行性能的能力。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)8電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ) l上面講到的都是上面講到的都是EMC的通用術(shù)語(yǔ)；

6、當(dāng)檢驗(yàn)一的通用術(shù)語(yǔ)；當(dāng)檢驗(yàn)一個(gè)產(chǎn)品是否符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)就要通過(guò)相應(yīng)的試個(gè)產(chǎn)品是否符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)就要通過(guò)相應(yīng)的試驗(yàn)來(lái)判定。每一種試驗(yàn)都有標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)設(shè)備、標(biāo)驗(yàn)來(lái)判定。每一種試驗(yàn)都有標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)設(shè)備、標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)程序、標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)報(bào)告等以保證試驗(yàn)的可準(zhǔn)試驗(yàn)程序、標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)報(bào)告等以保證試驗(yàn)的可再現(xiàn)性能。所以定義了相當(dāng)多的標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)。再現(xiàn)性能。所以定義了相當(dāng)多的標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)。l下面介紹一些下面介紹一些EMC試驗(yàn)的相關(guān)術(shù)語(yǔ)。試驗(yàn)的相關(guān)術(shù)語(yǔ)。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)9電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ) l輔助電源端口 auxiliary power supply port 被試裝置的交流或直流輔助激勵(lì)量輸入口l 通信端口 co

7、mmunication port 采用低功率信號(hào)并與被試裝置固定連接的通信和（或）控制系統(tǒng)的端口。l 外殼端口 enclosure port 電磁場(chǎng)可能輻射或沖擊通過(guò)的被試裝置的物理邊界技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)10電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ) l被試裝置EUT equipment under test 被試驗(yàn)的裝置?？梢允且恢焕^電器或一臺(tái)保護(hù)裝置或者一面保護(hù)屏。l功能地接口 functional earth port 被試裝置上的除了以電氣安全為目的之外的與大地連接的端口。也就是我們常說(shuō)的數(shù)字地GND和模擬地AGND以及24V地-24V.應(yīng)該還包括DC220開(kāi)入公共地技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件

8、部?jī)?nèi)部培訓(xùn)11電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ) l輸入端口 input port 用于對(duì)被試裝置激勵(lì)或控制，以實(shí)現(xiàn)其功能的端口，例如電流互感器、電壓互感器、狀態(tài)量輸入、模擬量輸入。電介質(zhì)和光介質(zhì)輸入同等對(duì)待。 l輸出端口 output port 用于輸出被試裝置所產(chǎn)生的預(yù)定變化（例如觸點(diǎn)、光耦、模擬量以及光模塊輸出）。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)12電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ) l端口 port 被試裝置與外部電磁環(huán)境的特定接口；如下圖技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)13課程內(nèi)容l電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)l發(fā)射試驗(yàn)限值要求 l抗擾度試驗(yàn)限值要求l發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)14發(fā)

9、射試驗(yàn)限值要求發(fā)射試驗(yàn)限值要求 l適用范圍：電力系統(tǒng)使用的保護(hù)、測(cè)控裝置以適用范圍：電力系統(tǒng)使用的保護(hù)、測(cè)控裝置以及配套使用的控制、監(jiān)視和過(guò)程接口設(shè)備。而及配套使用的控制、監(jiān)視和過(guò)程接口設(shè)備。而且這些設(shè)備是且這些設(shè)備是有電子電路構(gòu)成的有電子電路構(gòu)成的。限制要求僅。限制要求僅為型式試驗(yàn)，生產(chǎn)時(shí)根據(jù)需求可以是全部或者為型式試驗(yàn)，生產(chǎn)時(shí)根據(jù)需求可以是全部或者部分項(xiàng)目。部分項(xiàng)目。l規(guī)定限值的目的：規(guī)定限值的目的： 規(guī)定EUT可能對(duì)其他設(shè)備產(chǎn)生干擾的電磁發(fā)射限制和試驗(yàn)方法。確保不超過(guò)某個(gè)限制而妨礙其他設(shè)備正常工作。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)15發(fā)射試驗(yàn)限值要求發(fā)射試驗(yàn)限值要求 1 l輻射發(fā)射：輻射發(fā)射：

10、 1 限值測(cè)量距離為限值測(cè)量距離為10米米 2 在在30MHz230MHz頻率范圍內(nèi)要求發(fā)射限頻率范圍內(nèi)要求發(fā)射限值值50dB準(zhǔn)峰值。在準(zhǔn)峰值。在230MHz1000MHz限值不限值不超過(guò)超過(guò)57dB準(zhǔn)峰值準(zhǔn)峰值. 3 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.16 4 測(cè)試對(duì)象為外殼端口。測(cè)試對(duì)象為外殼端口。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)16發(fā)射試驗(yàn)限值要求發(fā)射試驗(yàn)限值要求 1 l輻射發(fā)射：輻射發(fā)射： 5 測(cè)試距離為測(cè)試距離為EUT到測(cè)試儀器探測(cè)點(diǎn)；到測(cè)試儀器探測(cè)點(diǎn)；10米。米。 6 外殼端口不僅僅指外殼端口不僅僅指EUT外殼，還包括通訊端外殼，還包括通訊端口及部分連線(xiàn)。比如以太網(wǎng)線(xiàn)?？诩安糠诌B

11、線(xiàn)。比如以太網(wǎng)線(xiàn)。 7 外殼指裝置所有外殼，設(shè)備可以對(duì)裝置進(jìn)行外殼指裝置所有外殼，設(shè)備可以對(duì)裝置進(jìn)行3個(gè)方位任意調(diào)節(jié)。個(gè)方位任意調(diào)節(jié)。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)17發(fā)射試驗(yàn)限值要求發(fā)射試驗(yàn)限值要求 2 l傳導(dǎo)發(fā)射：傳導(dǎo)發(fā)射： 1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.16 3 主要測(cè)試設(shè)備電源產(chǎn)生各種諧波對(duì)外界的污主要測(cè)試設(shè)備電源產(chǎn)生各種諧波對(duì)外界的污染。如果電源質(zhì)量差不但對(duì)外界干擾，常常也染。如果電源質(zhì)量差不但對(duì)外界干擾，常常也會(huì)導(dǎo)致本裝置性能下降，嚴(yán)重的會(huì)出現(xiàn)故障。會(huì)導(dǎo)致本裝置性能下降，嚴(yán)重的會(huì)出現(xiàn)故障。 4 NDS-801就出現(xiàn)過(guò)這

12、樣的問(wèn)題。就出現(xiàn)過(guò)這樣的問(wèn)題。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)18發(fā)射試驗(yàn)限值要求發(fā)射試驗(yàn)限值要求 2 l傳導(dǎo)發(fā)射：傳導(dǎo)發(fā)射： 頻率范圍限值要求0.15MHz 0.50MHz79dB(uV)準(zhǔn)峰值 66dB(uV)平均值0.50MHz 5MHz73dB(uV)準(zhǔn)峰值 60dB(uV)平均值5MHz30MHz73dB(uV)準(zhǔn)峰值 60dB(uV)平均值技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)19課程內(nèi)容l電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)l發(fā)射試驗(yàn)限值要求 l抗擾度試驗(yàn)限值要求l發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)20抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 1 l輻射射頻電磁場(chǎng)：輻射射頻電磁場(chǎng)： 1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為外殼端口試驗(yàn)

13、目標(biāo)為外殼端口 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.9 3 主要測(cè)試設(shè)備受到激勵(lì)或處于來(lái)自主要測(cè)試設(shè)備受到激勵(lì)或處于來(lái)自80MHz到到1GHz的頻率范圍工作的輻射源發(fā)出的磁場(chǎng)中的頻率范圍工作的輻射源發(fā)出的磁場(chǎng)中能正確工作。本實(shí)驗(yàn)不考慮便攜式發(fā)射機(jī)試驗(yàn)，能正確工作。本實(shí)驗(yàn)不考慮便攜式發(fā)射機(jī)試驗(yàn)，因其工作不能掃頻，所以試驗(yàn)不可再現(xiàn)。因其工作不能掃頻，所以試驗(yàn)不可再現(xiàn)。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)21抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 1 l輻射射頻電磁場(chǎng)：輻射射頻電磁場(chǎng)： 4 限值要求：未調(diào)制波為限值要求：未調(diào)制波為10V/m有效值；有效值； 調(diào)幅波為調(diào)幅波為80%AM(1KHz)；

14、技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)22抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 2 l靜電放電：靜電放電： 1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為外殼端口試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為外殼端口 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.14 3 主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受靜電放電影響下主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受靜電放電影響下會(huì)誤動(dòng)作。會(huì)誤動(dòng)作。 4 試驗(yàn)方法有接觸放電和空氣放電；試驗(yàn)方法有接觸放電和空氣放電；技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)23抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 2 l靜電放電：靜電放電： 5 實(shí)施方案有直接施加和間接施加；間接施加實(shí)施方案有直接施加和間接施加；間接施加就是對(duì)就是對(duì)EUT附近的耦合面實(shí)施放電，以模擬人附近的耦合面實(shí)施放電

15、，以模擬人員對(duì)員對(duì)EUT附近的物體的放電。附近的物體的放電。 6 宜采用直接施加方法，優(yōu)先采用接觸放電，宜采用直接施加方法，優(yōu)先采用接觸放電，EUT表面為非導(dǎo)體時(shí)采用空氣放電，間接施加表面為非導(dǎo)體時(shí)采用空氣放電，間接施加法對(duì)靜態(tài)法對(duì)靜態(tài)EUT不適用。不適用。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)24抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 2 l靜電放電：靜電放電： 7 試驗(yàn)嚴(yán)酷等級(jí)規(guī)定了試驗(yàn)嚴(yán)酷等級(jí)規(guī)定了4個(gè)等級(jí)；我們保護(hù)裝個(gè)等級(jí)；我們保護(hù)裝置適用置適用3級(jí)：接觸放電級(jí)：接觸放電6KV，空氣放電，空氣放電8KV；容許上浮容許上浮5%。 8 我們的目標(biāo)一般定在我們的目標(biāo)一般定在4級(jí)：接觸放電級(jí)：接觸放電8KV

16、，空氣放電空氣放電15KV； 9 放電發(fā)生器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定誤差為放電發(fā)生器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定誤差為15%技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)25抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 3 l射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾：射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾： 1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口、通訊端口、輸入試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口、通訊端口、輸入和輸出端口、功能地端口。和輸出端口、功能地端口。 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.17 3 主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受到頻率范圍主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受到頻率范圍0.15MHz80MHz的射頻電磁場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷的射頻電磁場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾時(shí)能正確工作。擾時(shí)能正確工作。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)26抗擾

17、度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 3 l射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾：射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾： 4 試驗(yàn)限制：未調(diào)制波為試驗(yàn)限制：未調(diào)制波為10V/m有效值；有效值； 調(diào)幅波為調(diào)幅波為80%AM(1KHz)； 5 各個(gè)功能端口的試驗(yàn)限制一樣，方法也一樣。各個(gè)功能端口的試驗(yàn)限制一樣，方法也一樣。 6 要求要求EUT在所有頻點(diǎn)掃描時(shí)具有規(guī)定限制內(nèi)在所有頻點(diǎn)掃描時(shí)具有規(guī)定限制內(nèi)的正常性能，能夠正確動(dòng)作和復(fù)歸。的正常性能，能夠正確動(dòng)作和復(fù)歸。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)27抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 4 l快速瞬變：快速瞬變： 1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口、通信端口、輸入試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口、通信端口、

18、輸入和輸出端口、功能地端口。和輸出端口、功能地端口。 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.10 3 主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受到諸如感性負(fù)載主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受到諸如感性負(fù)載斷開(kāi)、觸點(diǎn)彈跳等引起的重復(fù)性快速瞬變（或斷開(kāi)、觸點(diǎn)彈跳等引起的重復(fù)性快速瞬變（或者脈沖群）騷擾時(shí)能正確工作。者脈沖群）騷擾時(shí)能正確工作。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)28抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 4 l快速瞬變：快速瞬變： 4 連接線(xiàn)始終小于連接線(xiàn)始終小于10米的建議不進(jìn)行試驗(yàn)。米的建議不進(jìn)行試驗(yàn)。 5 設(shè)備在機(jī)柜內(nèi)互聯(lián)的連線(xiàn)視為系統(tǒng)內(nèi)部電纜設(shè)備在機(jī)柜內(nèi)互聯(lián)的連線(xiàn)視為系統(tǒng)內(nèi)部電纜不應(yīng)進(jìn)行試驗(yàn)。不應(yīng)進(jìn)行試

19、驗(yàn)。 6 驗(yàn)收準(zhǔn)則：保護(hù)和命令控制在規(guī)定限值內(nèi)性驗(yàn)收準(zhǔn)則：保護(hù)和命令控制在規(guī)定限值內(nèi)性能正常，測(cè)量在試驗(yàn)期間性能暫時(shí)下降，試驗(yàn)?zāi)苷＃瑴y(cè)量在試驗(yàn)期間性能暫時(shí)下降，試驗(yàn)后自行恢復(fù)，數(shù)據(jù)無(wú)丟失。后自行恢復(fù)，數(shù)據(jù)無(wú)丟失。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)29抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 4 l快速瞬變：快速瞬變： 7 驗(yàn)收準(zhǔn)則：人機(jī)接口在試驗(yàn)期間性能暫時(shí)下驗(yàn)收準(zhǔn)則：人機(jī)接口在試驗(yàn)期間性能暫時(shí)下降或功能喪失，試驗(yàn)后自行恢復(fù)，數(shù)據(jù)不丟失。降或功能喪失，試驗(yàn)后自行恢復(fù)，數(shù)據(jù)不丟失。 數(shù)據(jù)通訊在試驗(yàn)期間誤碼率可能增加，但傳數(shù)據(jù)通訊在試驗(yàn)期間誤碼率可能增加，但傳輸數(shù)據(jù)無(wú)丟失。輸數(shù)據(jù)無(wú)丟失。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)

20、部培訓(xùn)30抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 4 l快速瞬變：快速瞬變： 8 限值要求：標(biāo)準(zhǔn)分為限值要求：標(biāo)準(zhǔn)分為A級(jí)和級(jí)和B級(jí)，我們要求級(jí)，我們要求為為A級(jí)。各種端口的試驗(yàn)電壓峰值和重復(fù)率也級(jí)。各種端口的試驗(yàn)電壓峰值和重復(fù)率也不同。標(biāo)準(zhǔn)允許峰值誤差為不同。標(biāo)準(zhǔn)允許峰值誤差為10%。見(jiàn)下表。見(jiàn)下表。我們?cè)囼?yàn)時(shí)的我們?cè)囼?yàn)時(shí)的重復(fù)率要把重復(fù)率要把2.5kHz 5kHz 100kHz 全部做一遍。全部做一遍。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)31抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 4 被試端口峰值電壓kV10%重復(fù)率kHz 10%功能地42.5輔助電源42.5輸入和輸出42.5通信25技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部

21、內(nèi)部培訓(xùn)32抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 5 l1MHz脈沖群：脈沖群： 1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口、通信端口、輸入試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口、通信端口、輸入和輸出端口。和輸出端口。 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.13 3 主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受到短峰值電壓較主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受到短峰值電壓較高的騷擾電壓脈沖群（包含高的騷擾電壓脈沖群（包含1MHz和和100KHz）可能影響裝置的性能。可能影響裝置的性能。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)33抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 5 l1MHz脈沖群：脈沖群： 4 產(chǎn)生機(jī)理：在輔助電路中，閉合或斷開(kāi)某一產(chǎn)生機(jī)理：在輔助電路中，

22、閉合或斷開(kāi)某一開(kāi)關(guān)時(shí)，特別是在操作高壓變電站的斷路器或開(kāi)關(guān)時(shí)，特別是在操作高壓變電站的斷路器或隔離開(kāi)關(guān)時(shí)，由于電路狀態(tài)的突然變化可能產(chǎn)隔離開(kāi)關(guān)時(shí)，由于電路狀態(tài)的突然變化可能產(chǎn)生這些電壓。生這些電壓。 5 作用部位：裝置的電路端子間、電路與地間作用部位：裝置的電路端子間、電路與地間或者不同電路之間?；蛘卟煌娐分g。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)34抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 5 l1MHz脈沖群：脈沖群： 6 騷擾電壓頻率：一般為一連串的衰減震蕩波騷擾電壓頻率：一般為一連串的衰減震蕩波或單向脈沖，頻率或單向脈沖，頻率5KHz到幾到幾MHz，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)采用采用1MHz試驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證裝置

23、在這方面的抗騷擾試驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證裝置在這方面的抗騷擾能力。我國(guó)采用能力。我國(guó)采用1MHz和和100KHz試驗(yàn)。試驗(yàn)。 7 試驗(yàn)波第一峰值上升時(shí)間試驗(yàn)波第一峰值上升時(shí)間,隔離開(kāi)關(guān)和斷路器隔離開(kāi)關(guān)和斷路器動(dòng)作第一峰值上升時(shí)間在動(dòng)作第一峰值上升時(shí)間在50ns到到100ns之間；之間；為保持試驗(yàn)一致性規(guī)定使用為保持試驗(yàn)一致性規(guī)定使用75ns。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)35抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 5 l1MHz脈沖群：試驗(yàn)限值要求脈沖群：試驗(yàn)限值要求 被試端口差模峰值電壓kV10%共模峰值電壓kV10%輔助電源12.5輸入和輸出12.5通信01技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)36抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾

24、度試驗(yàn)限值要求 5 l1MHz脈沖群：脈沖群： 8 試驗(yàn)方法：每一回路應(yīng)獨(dú)立進(jìn)行試驗(yàn)并檢查試驗(yàn)方法：每一回路應(yīng)獨(dú)立進(jìn)行試驗(yàn)并檢查實(shí)驗(yàn)結(jié)果。實(shí)驗(yàn)結(jié)果。 9 驗(yàn)收準(zhǔn)則：特性量低于動(dòng)作值時(shí)，裝置不動(dòng)驗(yàn)收準(zhǔn)則：特性量低于動(dòng)作值時(shí)，裝置不動(dòng)作；特性量高于動(dòng)作值時(shí)，裝置滿(mǎn)足規(guī)定性能作；特性量高于動(dòng)作值時(shí)，裝置滿(mǎn)足規(guī)定性能要求，且在騷擾期間不應(yīng)釋放。試驗(yàn)后裝置應(yīng)要求，且在騷擾期間不應(yīng)釋放。試驗(yàn)后裝置應(yīng)滿(mǎn)足有關(guān)性能要求。滿(mǎn)足有關(guān)性能要求。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)37抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 6 l浪涌試驗(yàn)：浪涌試驗(yàn)： 1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口、功能地、通信端試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口、功能地、通信

25、端口、輸入和輸出端口。口、輸入和輸出端口。 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.18 3 主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受到開(kāi)關(guān)斷開(kāi)或雷主要測(cè)試設(shè)備在被激勵(lì)并受到開(kāi)關(guān)斷開(kāi)或雷擊產(chǎn)生的浪涌電壓在電源和互連線(xiàn)上產(chǎn)生的高擊產(chǎn)生的浪涌電壓在電源和互連線(xiàn)上產(chǎn)生的高能量騷擾時(shí)能正確工作。能量騷擾時(shí)能正確工作。并不檢驗(yàn)絕緣耐受高并不檢驗(yàn)絕緣耐受高電壓的能力。電壓的能力。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)38抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 6 l浪涌試驗(yàn)：浪涌試驗(yàn)： 4 浪涌定義：沿線(xiàn)路（或電路）傳送的電流、浪涌定義：沿線(xiàn)路（或電路）傳送的電流、電壓或功率的瞬態(tài)波，其特征是先快速上升、電壓或功率的瞬態(tài)波，其特

26、征是先快速上升、后緩慢下降。后緩慢下降。 5 所有用于提供所有用于提供EUT正確工作的信號(hào)及輔助設(shè)正確工作的信號(hào)及輔助設(shè)備必須足夠去耦，以保證實(shí)驗(yàn)波形僅施加到備必須足夠去耦，以保證實(shí)驗(yàn)波形僅施加到EUT上。上。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)39抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 6 l浪涌試驗(yàn)：浪涌試驗(yàn)： 6 EUT應(yīng)進(jìn)行單獨(dú)試驗(yàn)，與試驗(yàn)設(shè)備連線(xiàn)小于應(yīng)進(jìn)行單獨(dú)試驗(yàn)，與試驗(yàn)設(shè)備連線(xiàn)小于2米。米。EUT距離其他金屬部件至少距離其他金屬部件至少0.5米。米。 7 連線(xiàn)距離小于連線(xiàn)距離小于10米、光纖通信口不進(jìn)行試驗(yàn)米、光纖通信口不進(jìn)行試驗(yàn) 8 低阻抗電流端口、雙絞線(xiàn)不進(jìn)行差模試驗(yàn)。低阻抗電流端口、雙絞

27、線(xiàn)不進(jìn)行差模試驗(yàn)。 9 試驗(yàn)應(yīng)進(jìn)行要求的所有電壓，從低到高全部試驗(yàn)應(yīng)進(jìn)行要求的所有電壓，從低到高全部滿(mǎn)足要求。滿(mǎn)足要求。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)40抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 6 l浪涌試驗(yàn)：試驗(yàn)限值要求線(xiàn)線(xiàn)間浪涌試驗(yàn)：試驗(yàn)限值要求線(xiàn)線(xiàn)間 被試端口差模峰值電壓kV10%共模峰值電壓kV10%輔助電源0.5 1.0 0.5 1.0 2.0輸入和輸出0.5 1.00.5 1.0 2.0通信不試驗(yàn)0.5 1.0技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)41抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 6 l浪涌試驗(yàn)：浪涌試驗(yàn)： 10 線(xiàn)對(duì)地應(yīng)逐次單獨(dú)施加，多個(gè)完全相同的線(xiàn)對(duì)地應(yīng)逐次單獨(dú)施加，多個(gè)完全相同的電路

28、只需施加其中電路只需施加其中3個(gè)回路即可；每個(gè)試驗(yàn)點(diǎn)個(gè)回路即可；每個(gè)試驗(yàn)點(diǎn)應(yīng)進(jìn)行正負(fù)極性各應(yīng)進(jìn)行正負(fù)極性各5次試驗(yàn)，最大重復(fù)率應(yīng)為次試驗(yàn)，最大重復(fù)率應(yīng)為1次、分鐘。次、分鐘。 11 EUT在整個(gè)試驗(yàn)期間均符合抗擾性，試驗(yàn)在整個(gè)試驗(yàn)期間均符合抗擾性，試驗(yàn)結(jié)束后仍符合相關(guān)性能要求表明試驗(yàn)合格。結(jié)束后仍符合相關(guān)性能要求表明試驗(yàn)合格。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)42抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 7 l輔助激勵(lì)量中斷：輔助激勵(lì)量中斷： 1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口。試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為輔助電源端口。 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.11 3 主要測(cè)試設(shè)備的交直流電源要求。本部分包主要測(cè)試設(shè)備的

29、交直流電源要求。本部分包含含交流電壓暫降、短時(shí)中斷、電壓變化交流電壓暫降、短時(shí)中斷、電壓變化 ；電壓紋波 ；直流電壓暫降、短時(shí)中斷、電壓變化 。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)43抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 7 l輔助激勵(lì)量中斷：輔助激勵(lì)量中斷： 4 輔助電源端口：輔助電源端口：被試裝置的交流或直流輔助被試裝置的交流或直流輔助激勵(lì)量輸入口激勵(lì)量輸入口 ，不包含PT和CT連接線(xiàn)。 5 試驗(yàn)電壓等級(jí)：試驗(yàn)電壓等級(jí)：按產(chǎn)品技術(shù)要求宜評(píng)價(jià)電壓按產(chǎn)品技術(shù)要求宜評(píng)價(jià)電壓的最大值或最小值的最大值或最小值 ，并在額定電壓范圍的最大值和最小值之間進(jìn)行試驗(yàn)。例如：額定電壓范圍為100（120 %）V200（1

30、20 %） V的產(chǎn)品宜在80 V和240 V下試驗(yàn) 。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)44抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 7 l輔助激勵(lì)量中斷：輔助激勵(lì)量中斷： 6 一般實(shí)驗(yàn)要求：一般實(shí)驗(yàn)要求：EUT處于靜態(tài)，部分輸入輸處于靜態(tài)，部分輸入輸出量處于激勵(lì)狀態(tài)、出量處于激勵(lì)狀態(tài)、應(yīng)適合任何通信方式應(yīng)適合任何通信方式 。 7 本實(shí)驗(yàn)集合了多個(gè)試驗(yàn)方法和標(biāo)準(zhǔn)，建議試本實(shí)驗(yàn)集合了多個(gè)試驗(yàn)方法和標(biāo)準(zhǔn)，建議試驗(yàn)時(shí)仔細(xì)研究驗(yàn)時(shí)仔細(xì)研究GB/T17626.11 1729三個(gè)標(biāo)準(zhǔn) 8 試驗(yàn)限值要求和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)見(jiàn)附件。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)45抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 8 l工頻抗擾度：工頻抗擾度：

31、1 試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為直流狀態(tài)輸入端口。試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)為直流狀態(tài)輸入端口。 2 引用標(biāo)準(zhǔn)為引用標(biāo)準(zhǔn)為GB/T 14598.19 3 主要測(cè)試設(shè)備的額定頻率受到激勵(lì)并受到施主要測(cè)試設(shè)備的額定頻率受到激勵(lì)并受到施加于直流狀態(tài)輸入的短時(shí)、傳導(dǎo)性的共模和差加于直流狀態(tài)輸入的短時(shí)、傳導(dǎo)性的共模和差模工頻騷擾時(shí)能正確工作。模工頻騷擾時(shí)能正確工作。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)46抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 8 l工頻抗擾度：工頻抗擾度： 4 短時(shí)騷擾持續(xù)時(shí)間不小于短時(shí)騷擾持續(xù)時(shí)間不小于10秒。直流狀態(tài)輸秒。直流狀態(tài)輸入總是用多芯屏蔽或雙絞線(xiàn)時(shí)不需要進(jìn)行差模入總是用多芯屏蔽或雙絞線(xiàn)時(shí)不需要進(jìn)行差模試驗(yàn)；長(zhǎng)度小于試驗(yàn)

32、；長(zhǎng)度小于10米也不需要試驗(yàn)。米也不需要試驗(yàn)。 5 試驗(yàn)室，施加的輔助電源的激勵(lì)量應(yīng)等于額試驗(yàn)室，施加的輔助電源的激勵(lì)量應(yīng)等于額定值。定值。 6 試驗(yàn)時(shí)可將試驗(yàn)電壓從零升至試驗(yàn)電壓，結(jié)試驗(yàn)時(shí)可將試驗(yàn)電壓從零升至試驗(yàn)電壓，結(jié)束時(shí)再將電壓從試驗(yàn)電壓降至零。束時(shí)再將電壓從試驗(yàn)電壓降至零。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)47抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 8 l工頻抗擾度：工頻抗擾度： 7 試驗(yàn)時(shí)應(yīng)將直流狀態(tài)量未被激勵(lì)時(shí)施加以驗(yàn)試驗(yàn)時(shí)應(yīng)將直流狀態(tài)量未被激勵(lì)時(shí)施加以驗(yàn)證其不誤動(dòng)。證其不誤動(dòng)。 8驗(yàn)收準(zhǔn)則：實(shí)驗(yàn)過(guò)程中顯示其抗擾性；試驗(yàn)驗(yàn)收準(zhǔn)則：實(shí)驗(yàn)過(guò)程中顯示其抗擾性；試驗(yàn)完成后仍符合有關(guān)性能。完成后仍符合

33、有關(guān)性能。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)48抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)限值要求 8 l工頻抗擾度：工頻抗擾度： 9 試驗(yàn)限值分為試驗(yàn)限值分為A級(jí)和級(jí)和B級(jí)；級(jí)； A適用于大接地適用于大接地故障電流的變電站。以及直流輸入通過(guò)故障電流的變電站。以及直流輸入通過(guò)“開(kāi)環(huán)開(kāi)環(huán)”與一次設(shè)備輔助觸點(diǎn)連接的情況。與一次設(shè)備輔助觸點(diǎn)連接的情況。 B級(jí)適用于級(jí)適用于小接地故障電流的變電站以及有布線(xiàn)保證了直小接地故障電流的變電站以及有布線(xiàn)保證了直流開(kāi)入不與流開(kāi)入不與“開(kāi)環(huán)開(kāi)環(huán)”回路連接的情況。比如信回路連接的情況。比如信號(hào)往返在一條多芯線(xiàn)纜。號(hào)往返在一條多芯線(xiàn)纜。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)49抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾

34、度試驗(yàn)限值要求 8 l工頻抗擾度：工頻抗擾度： 10 工頻騷擾的背景：變電站故障時(shí)，接地系工頻騷擾的背景：變電站故障時(shí)，接地系統(tǒng)中將流過(guò)一個(gè)很大的電流，于是變電站不同統(tǒng)中將流過(guò)一個(gè)很大的電流，于是變電站不同部分及其對(duì)地之間的電勢(shì)將上升。設(shè)備之間的部分及其對(duì)地之間的電勢(shì)將上升。設(shè)備之間的信號(hào)線(xiàn)纜會(huì)感應(yīng)到具有電源頻率的共模電壓，信號(hào)線(xiàn)纜會(huì)感應(yīng)到具有電源頻率的共模電壓，而不對(duì)稱(chēng)回路將產(chǎn)生差模電壓。即使沒(méi)有接地而不對(duì)稱(chēng)回路將產(chǎn)生差模電壓。即使沒(méi)有接地故障，當(dāng)電源線(xiàn)和信號(hào)平行而又接近時(shí)也會(huì)產(chǎn)故障，當(dāng)電源線(xiàn)和信號(hào)平行而又接近時(shí)也會(huì)產(chǎn)生干擾。生干擾。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)50抗擾度試驗(yàn)限值要求抗擾度試驗(yàn)

35、限值要求 8l工頻抗擾度工頻抗擾度 試驗(yàn)等級(jí)差模開(kāi)路有效值10%共模開(kāi)路有效值10%A級(jí)150 V 300 VB級(jí)100 V300 V技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)51課程內(nèi)容l電磁兼容的常用術(shù)語(yǔ)l發(fā)射試驗(yàn)限值要求 l抗擾度試驗(yàn)限值要求l發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)52發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法 1 l繼電保護(hù)裝置要求的發(fā)射試驗(yàn)主要有輻射發(fā)射繼電保護(hù)裝置要求的發(fā)射試驗(yàn)主要有輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射兩種。和傳導(dǎo)發(fā)射兩種。 其中輻射發(fā)射適應(yīng)其中輻射發(fā)射適應(yīng)30MHz到到1000MHz；傳導(dǎo)；傳導(dǎo)發(fā)射適應(yīng)發(fā)射適應(yīng)0.15 MHz到到30MHz；主要考量裝置；主要考量裝置產(chǎn)生的輻射對(duì)外

36、界的干擾。產(chǎn)生的輻射對(duì)外界的干擾。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)53發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法 2l繼電保護(hù)裝置要求的發(fā)射試驗(yàn)主要有輻射發(fā)射繼電保護(hù)裝置要求的發(fā)射試驗(yàn)主要有輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射兩種。和傳導(dǎo)發(fā)射兩種。 避免輻射超標(biāo)，電氣設(shè)計(jì)時(shí)主要考慮：盡量避免輻射超標(biāo)，電氣設(shè)計(jì)時(shí)主要考慮：盡量降低系統(tǒng)頻率，尤其是外露的部分，高頻信號(hào)降低系統(tǒng)頻率，尤其是外露的部分，高頻信號(hào)包含時(shí)鐘線(xiàn)盡量被地線(xiàn)包圍。結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)把高包含時(shí)鐘線(xiàn)盡量被地線(xiàn)包圍。結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)把高頻電路放在系統(tǒng)中央，外殼少留空隙，散熱孔頻電路放在系統(tǒng)中央，外殼少留空隙，散熱孔大小要根據(jù)系統(tǒng)頻率計(jì)算后預(yù)留。這里主要介大小要根據(jù)系統(tǒng)頻率計(jì)算后

37、預(yù)留。這里主要介紹試驗(yàn)方法，相應(yīng)的設(shè)計(jì)方法請(qǐng)看相關(guān)書(shū)籍。紹試驗(yàn)方法，相應(yīng)的設(shè)計(jì)方法請(qǐng)看相關(guān)書(shū)籍。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)54發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法 3l發(fā)射試驗(yàn)的一般測(cè)量要求。發(fā)射試驗(yàn)的一般測(cè)量要求。 試驗(yàn)場(chǎng)地試驗(yàn)場(chǎng)地應(yīng)使被試設(shè)備的發(fā)射區(qū)別于環(huán)境噪應(yīng)使被試設(shè)備的發(fā)射區(qū)別于環(huán)境噪聲；可以通過(guò)在聲；可以通過(guò)在EUT未被激勵(lì)時(shí)測(cè)量環(huán)境噪聲未被激勵(lì)時(shí)測(cè)量環(huán)境噪聲的等級(jí)來(lái)確定。要求環(huán)境噪聲低于規(guī)定限值的等級(jí)來(lái)確定。要求環(huán)境噪聲低于規(guī)定限值6dB，如果某些頻帶環(huán)境噪聲不合格，可以采，如果某些頻帶環(huán)境噪聲不合格，可以采用以下方法用以下方法EUT是合格的?？梢园咽呛细竦??？梢园袳UT放在介放在

38、介于于10m和和3m之間的距離試驗(yàn)，按照以下方法之間的距離試驗(yàn)，按照以下方法折算。折算。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)55發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法 4l發(fā)射試驗(yàn)的一般測(cè)量要求。發(fā)射試驗(yàn)的一般測(cè)量要求。 近距離試驗(yàn)折算公式近距離試驗(yàn)折算公式 L2=L1(d1/d2), 根據(jù)根據(jù)EUT實(shí)際位置折算到實(shí)際位置折算到10米處，確認(rèn)米處，確認(rèn)EUT發(fā)射是否符合限值。發(fā)射是否符合限值。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)56發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法 5l發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)程序發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)程序 1 EUT的一般配置：應(yīng)將輔助激勵(lì)量和輸入的一般配置：應(yīng)將輔助激勵(lì)量和輸入激勵(lì)量的額定值施加于激勵(lì)量的額定

39、值施加于EUT的相應(yīng)回路。所施的相應(yīng)回路。所施加的值應(yīng)代表正常的工作靜止?fàn)顟B(tài)。加的值應(yīng)代表正常的工作靜止?fàn)顟B(tài)。EUT不應(yīng)不應(yīng)處于暫態(tài)動(dòng)作狀態(tài)，也不應(yīng)處于動(dòng)作后狀態(tài)。處于暫態(tài)動(dòng)作狀態(tài)，也不應(yīng)處于動(dòng)作后狀態(tài)。這時(shí)應(yīng)為設(shè)備短暫的動(dòng)作狀態(tài)的發(fā)射沒(méi)有意義這時(shí)應(yīng)為設(shè)備短暫的動(dòng)作狀態(tài)的發(fā)射沒(méi)有意義 2 所有信號(hào)源和電源應(yīng)置于試驗(yàn)場(chǎng)地之外。所有信號(hào)源和電源應(yīng)置于試驗(yàn)場(chǎng)地之外。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)57發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法 6l發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)程序發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)程序 3 EUT放置在距地面放置在距地面0.8m的不導(dǎo)電的桌面上的不導(dǎo)電的桌面上單獨(dú)進(jìn)行試驗(yàn)。單獨(dú)進(jìn)行試驗(yàn)。EUT使用在專(zhuān)用機(jī)柜內(nèi)的情

40、況使用在專(zhuān)用機(jī)柜內(nèi)的情況下，試驗(yàn)時(shí)下，試驗(yàn)時(shí)EUT可以仍然處于機(jī)柜內(nèi)?？梢匀匀惶幱跈C(jī)柜內(nèi)。 4 外接布線(xiàn)應(yīng)在外接布線(xiàn)應(yīng)在EUT一側(cè)走線(xiàn)，然后向上或一側(cè)走線(xiàn)，然后向上或向下。向下。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)58發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法 7l發(fā)射試驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)報(bào)告發(fā)射試驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)報(bào)告 報(bào)告應(yīng)包括但不局限于以下：報(bào)告應(yīng)包括但不局限于以下： 1 EUT的標(biāo)志和配置；的標(biāo)志和配置； 2 實(shí)驗(yàn)條件；實(shí)驗(yàn)條件； 3 EUT的安裝與定位；的安裝與定位； 4 所用連接導(dǎo)線(xiàn)類(lèi)型、數(shù)量以及所用連接導(dǎo)線(xiàn)類(lèi)型、數(shù)量以及EUT的端口的端口 5 EUT設(shè)備的動(dòng)作條件設(shè)備的動(dòng)作條件技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)59發(fā)射試驗(yàn)

41、的試驗(yàn)方法發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法 8l發(fā)射試驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)報(bào)告發(fā)射試驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)報(bào)告 報(bào)告應(yīng)包括但不局限于以下：報(bào)告應(yīng)包括但不局限于以下： 6 所用的測(cè)量設(shè)備以及整定值比如帶寬、步長(zhǎng)、所用的測(cè)量設(shè)備以及整定值比如帶寬、步長(zhǎng)、 測(cè)量時(shí)間等；測(cè)量時(shí)間等； 7 每個(gè)頻率點(diǎn)的發(fā)射等級(jí)；每個(gè)頻率點(diǎn)的發(fā)射等級(jí)； 8 試驗(yàn)結(jié)論；試驗(yàn)結(jié)論； 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)60傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法 1l傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn) 1測(cè)試場(chǎng)地：測(cè)試場(chǎng)地： A一間屏蔽室內(nèi)；一間屏蔽室內(nèi)；B或者在一金屬接地平板或者在一金屬接地平板上；該平板應(yīng)超出被試設(shè)備邊界至少上；該平板應(yīng)超出被試設(shè)備邊界至少0.5m，最小尺寸最小尺寸2

42、mX2m。C借用輻射發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)借用輻射發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室。驗(yàn)室。檢測(cè)中心使用的為檢測(cè)中心使用的為B場(chǎng)地。場(chǎng)地。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)61傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法 2l傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn) 2測(cè)量接收機(jī)：測(cè)量接收機(jī)： 測(cè)量接收機(jī)應(yīng)符合測(cè)量接收機(jī)應(yīng)符合GB/T 6113.1的要求。一的要求。一般都是購(gòu)買(mǎi)設(shè)備，這里不再仔細(xì)研究。般都是購(gòu)買(mǎi)設(shè)備，這里不再仔細(xì)研究。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)62傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法 3l傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn) 3 線(xiàn)路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)（線(xiàn)路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)（LISN）：）： 傳導(dǎo)性端子干擾電壓的測(cè)量應(yīng)使用傳導(dǎo)性端子干擾電壓的測(cè)量應(yīng)使用50

43、歐姆歐姆/50uH的的V形網(wǎng)絡(luò)用以隔離形網(wǎng)絡(luò)用以隔離EUT和激勵(lì)線(xiàn)路的和激勵(lì)線(xiàn)路的噪聲。噪聲。V形網(wǎng)絡(luò)應(yīng)保證與形網(wǎng)絡(luò)應(yīng)保證與EUT最近點(diǎn)不小于最近點(diǎn)不小于0.8m，通過(guò)，通過(guò)1米長(zhǎng)的線(xiàn)纜連接與米長(zhǎng)的線(xiàn)纜連接與EUT。其參考。其參考地應(yīng)使用盡可能短的導(dǎo)體與接地平板相連。地應(yīng)使用盡可能短的導(dǎo)體與接地平板相連。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)63傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法 4l傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn) 4 線(xiàn)路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)（線(xiàn)路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)（LISN）：）： 傳導(dǎo)性端子干擾電壓的測(cè)量應(yīng)使用傳導(dǎo)性端子干擾電壓的測(cè)量應(yīng)使用50歐姆歐姆/50uH的的V形網(wǎng)絡(luò)用以隔離形網(wǎng)絡(luò)用以隔離EUT和激勵(lì)線(xiàn)路的和激

44、勵(lì)線(xiàn)路的噪聲。噪聲。V形網(wǎng)絡(luò)應(yīng)保證與形網(wǎng)絡(luò)應(yīng)保證與EUT最近點(diǎn)不小于最近點(diǎn)不小于0.8m，通過(guò)，通過(guò)1米長(zhǎng)的線(xiàn)纜連接與米長(zhǎng)的線(xiàn)纜連接與EUT。其參考。其參考地應(yīng)使用盡可能短的導(dǎo)體與接地平板相連。地應(yīng)使用盡可能短的導(dǎo)體與接地平板相連。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)64傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法 5l傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn) 5 安全地：安全地： 安全所需要的地應(yīng)接到人工電源網(wǎng)絡(luò)的參安全所需要的地應(yīng)接到人工電源網(wǎng)絡(luò)的參考地上，一般規(guī)定該線(xiàn)長(zhǎng)考地上，一般規(guī)定該線(xiàn)長(zhǎng)1m，布線(xiàn)應(yīng)平行電，布線(xiàn)應(yīng)平行電源線(xiàn)，間隔不能大于源線(xiàn)，間隔不能大于0.1m。EUT其他安全接其他安全接地線(xiàn)全部連接到地線(xiàn)全部連接到

45、V形網(wǎng)絡(luò)的參考地上。形網(wǎng)絡(luò)的參考地上。技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)65傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法 6l傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn) 6 傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)量：測(cè)量只在輔助電源的連接傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)量：測(cè)量只在輔助電源的連接上進(jìn)行。如果接收機(jī)的讀數(shù)在限值附近波動(dòng)，上進(jìn)行。如果接收機(jī)的讀數(shù)在限值附近波動(dòng)，在每一測(cè)量頻率讀數(shù)應(yīng)對(duì)讀數(shù)觀(guān)察至少在每一測(cè)量頻率讀數(shù)應(yīng)對(duì)讀數(shù)觀(guān)察至少15秒，秒，同時(shí)將最高的讀數(shù)記錄下來(lái)，而任何短暫的、同時(shí)將最高的讀數(shù)記錄下來(lái)，而任何短暫的、孤立的讀數(shù)應(yīng)忽略不計(jì)。孤立的讀數(shù)應(yīng)忽略不計(jì)。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)66傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法傳導(dǎo)發(fā)射的試驗(yàn)方法 7l傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn) 7 傳導(dǎo)發(fā)射的合格判據(jù)：如果試驗(yàn)中測(cè)量的數(shù)傳導(dǎo)發(fā)射的合格判據(jù)：如果試驗(yàn)中測(cè)量的數(shù)值不超過(guò)值不超過(guò)傳導(dǎo)發(fā)射限值要求，在被認(rèn)為符合標(biāo)準(zhǔn)；對(duì)具有某種類(lèi)型的相同模塊各一個(gè)的EUT的評(píng)審結(jié)果適用于具有多個(gè)那些類(lèi)型模塊配置的情況。因?yàn)閷?shí)踐證明來(lái)自相同模塊的發(fā)射是不疊加的。不疊加原理也適用與多個(gè)相同的度量繼電器構(gòu)成的保護(hù)裝置。 技術(shù)中心基礎(chǔ)硬件部?jī)?nèi)部培訓(xùn)67輻射發(fā)射的試驗(yàn)方法輻射發(fā)射的試驗(yàn)方法 1l輻射發(fā)射試驗(yàn)輻射發(fā)射試驗(yàn) 1測(cè)試場(chǎng)地：試驗(yàn)場(chǎng)地應(yīng)是平