電容參數(shù)X5R,X7R,Y5V,COG 詳解

1、電容參數(shù)：X5R，X7R，Y5V，COG 詳解在我們選擇無極性電容式，不知道大家是否有注意到電容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的參數(shù)，有些摸不著頭腦，本人特意為此查閱了相關(guān)的文獻，現(xiàn)在翻譯出來奉獻給大家。這類參數(shù)描述了電容采用的電介質(zhì)材料類別，溫度特性以及誤差等參數(shù)，不同的值也對應著一定的電容容量的范圍。具體來說，就是：X7R常用于容量為3300pF0.33uF的電容，這類電容適用于濾波，耦合等場合，電介質(zhì)常數(shù)比較大，當溫度從0°C變化為70°C時，電容容量的變化為±15%；Y5P與Y5V常用于容量為150pF2nF的電容，溫度范圍比較寬，隨著溫

2、度變化，電容容量變化范圍為±10%或者+22%/-82%。對于其他的編碼與溫度特性的關(guān)系，大家可以參考表4-1。例如，X5R的意思就是該電容的正常工作溫度為-55°C+85°C，對應的電容容量變化為±15%。表4-1 電容的溫度與容量誤差編碼低溫高溫容量變化X: -55 °C4: +65 °CA: ±1.0%Y: -30 °C5: +85 °CB: ±1.5%Z: +10 °C6: +105 °CC: ±2.2%7: +125 °CD: ±3.3

3、%8: +150 °CE: ±4.7%9: +200 °CF: ±7.5%P: ±10%R: ±15%S: ±22%T: +22% -33%U: +22% -56%V: +22% -82%下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用 以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公 司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介

4、質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。一 、NPO電容器NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55到+125時容量變化為0±30ppm/，電容量隨頻率的變化小于±0.3C。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%， 相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO

5、電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。二 X7R電容器X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55到+125時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%C，表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積

6、下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。三 Z5U電容器Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷 單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。Z5U電容器的其他技術(shù)指標如下:工作溫度范圍 +10 - +85

7、溫度特性 +22% - -56% 介質(zhì)損耗 最大 4% 四 Y5V電容器Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30到85范圍內(nèi)其容量變化可達+22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7F電容器。Y5V電容器的取值范圍如下表所示Y5V電容器的其他技術(shù)指標如下:工作溫度范圍 -30 - +85 溫度特性 +22% - -82% 介質(zhì)損耗 最大 5% 貼片電容器命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。NPO,X7R及Y5V電容的特性及主要用途NPO的特性及主要用途屬1類陶瓷介質(zhì)，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨時間、溫度、電壓變化，適用于高可靠、高穩(wěn)定的高額、特高頻場合。特

8、性：電容范圍 1pF0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)環(huán)境溫度： -55+125 組別：CG溫度特性： 0±30ppm/損耗角正切值： 15x10-4絕緣電阻： 10G抗電強度： 2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：50毫安X7R的特性及主要用途屬2類陶瓷介質(zhì)，電氣性能較穩(wěn)定，隨時間、溫度、電壓的變化，其特性變化不明顯，適用于要求較高的耦合、旁路、源波電路以及10兆周以下的頻率場合。特性：電容范圍 300pF3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)環(huán)境溫度： -55+125 組別：2X1溫度特性： ±15%損耗角正切值： 100Vol

9、ts: 2.5% max50Volts: 2.5% max25Volts: 3.0% max16Volts: 3.5% max10Volts: 5.0% max絕緣電阻： 4G或 100S/C (單位：M)抗電強度： 2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：50毫安Y5V的特性及主要用途屬 2類陶瓷介質(zhì)，具有很高的介電系數(shù)，能較容易做到小體積，大容量，其容量隨溫度變化比較明顯，但成本較低。廣泛應用于對容量，損耗要求不高的場合。特性：電容范圍 1000pF22uF (0.3V 1KHz)環(huán)境溫度： -30+85溫度特性： ±22%-82%損耗角正切值： 50Volts: 3.5% 25Volts: 5.0% 16Volts: 7.0%絕緣電阻： 4G或 100S/C (單位：M)抗電強度： 2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：50毫安獨石電容的特性2009-10-22 15:22:40體積小，漏電流小，容量穩(wěn)定，性能可靠，溫度特性好，頻率特性好。  一般電容隨著頻率的上升,電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律，獨石電容下降比較少，容量比較穩(wěn)定。 2層聚乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。 有感獨石電容的特點：電容量大