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文檔簡(jiǎn)介
1、材科基礎(chǔ)核心題一、填空題0001.燒結(jié)過(guò)程的主要傳質(zhì)機(jī)制有_、_、_ 、_,當(dāng)燒結(jié)分別進(jìn)行四種傳質(zhì)時(shí),頸部增長(zhǎng)x/r與時(shí)間t的關(guān)系分別是_、_、_ 、_。0002.晶體的對(duì)稱要素中點(diǎn)對(duì)稱要素種類有_、_、_ 、_ ,含有平移操作的對(duì)稱要素種類有_ 、_ 。0003.晶族、晶系、對(duì)稱型、結(jié)晶學(xué)單形、幾何單形、布拉菲格子、空間群的數(shù)目分別是 _、_ 、_ 、_ 、_ 、_ 。0004.晶體有兩種理想形態(tài),分別是 _和 _。0005.晶體是指內(nèi)部質(zhì)點(diǎn) 排列的固體。0006.以NaCl晶胞中(001)面心的一個(gè)球(Cl-離子)為例,屬于這個(gè)球的八面體空隙數(shù)為 ,所以屬于這個(gè)球的四面體空隙數(shù)為 。000
2、7.與非晶體比較晶體具有自限性、 、 、 、 和穩(wěn)定性。0008.一個(gè)立方晶系晶胞中,一晶面在晶軸X、Y、Z上的截距分別為2a、1/2a 、2/3a,其晶面的晶面指數(shù)是 。0009.固體表面粗糙度直接影響液固濕潤(rùn)性,當(dāng)真實(shí)接觸角 時(shí),粗糙度越大,表面接觸角 ,就越容易濕潤(rùn);當(dāng) ,則粗糙度 ,越不利于濕潤(rùn)。0010.硼酸鹽玻璃中,隨著Na2O(R2O)含量的增加,橋氧數(shù) ,熱膨脹系數(shù)逐漸下降。當(dāng)Na2O含量達(dá)到15%16%時(shí),橋氧又開(kāi)始 ,熱膨脹系數(shù)重新上升,這種反常現(xiàn)象就是硼反?,F(xiàn)象。0011.晶體結(jié)構(gòu)中的點(diǎn)缺陷類型共分 、 和 三種,CaCl2中Ca2+進(jìn)入到KCl間隙中而形成點(diǎn)缺陷的反應(yīng)式
3、為 。0012.固體質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散的推動(dòng)力是_。0013.本征擴(kuò)散是指_,其擴(kuò)散系數(shù)D_,其擴(kuò)散活化能由_和_ 組成。0014.析晶過(guò)程分兩個(gè)階段,先_后_。0015.晶體產(chǎn)生Frankel缺陷時(shí),晶體體積_,晶體密度_;而有Schtty缺陷時(shí),晶體體積_,晶體密度_。一般說(shuō)離子晶體中正、負(fù)離子半徑相差不大時(shí),_是主要的;兩種離子半徑相差大時(shí),_是主要的。0016.少量CaCl2在KCl中形成固溶體后,實(shí)測(cè)密度值隨Ca2+離子數(shù)/K離子數(shù)比值增加而減少,由此可判斷其 缺陷反應(yīng)式為_(kāi)。 0017.Tg是_,它與玻璃形成過(guò)程的冷卻速率有關(guān),同組分熔體快冷時(shí)Tg比慢冷時(shí)_ ,淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度_,熱
4、膨脹系數(shù)_。 0018.同溫度下,組成分別為:(1) 0.2Na2O0.8SiO2 ;(2) 0.1Na2O0.1CaO0.8SiO2 ;(3) 0.2CaO0.8SiO2 的三種熔體,其粘度大小的順序?yàn)開(kāi)。0019.三T圖中三個(gè)T代表_, _,和_。 0020.粘滯活化能越_ ,粘度越_ 。硅酸鹽熔體或玻璃的電導(dǎo)主要決定于_ 。0021.0.2Na2O-0.8SiO2組成的熔體,若保持Na2O含量不變,用CaO置換部分SiO2后,電導(dǎo)_。0022.在Na2OSiO2熔體中加入Al2O3(Na2O/Al2O3(3)(1)0019.時(shí)間溫度相轉(zhuǎn)變 0020.大(小) 大(?。?結(jié)構(gòu)參數(shù)Y0021
5、.降低0022.降低 0023.1/3 0024.立方面心格子。0025.共頂方式。0026.晶體體積。0027.遠(yuǎn)程無(wú)序。0028.獨(dú)立存在。0029.曲率中心。0030.螢石。0031.一級(jí)偏微商。0032.有效躍遷頻率。0033.表面能的降低。0034.化學(xué)位梯度 0035.(1)屬非均相反應(yīng),參與反應(yīng)的固相相互接觸是反應(yīng)發(fā)生化學(xué)作用和物質(zhì)輸送的先決條件。(2)固相反應(yīng)開(kāi)始溫度遠(yuǎn)低于反應(yīng)物的熔點(diǎn)或系統(tǒng)低共熔點(diǎn)溫度。(泰曼溫度)。(3)存在多晶轉(zhuǎn)變時(shí),此轉(zhuǎn)變也常是反應(yīng)開(kāi)始變得明顯的溫度。(海德華溫度)0036.變薄 ,減少,MoO3的升化過(guò)程,MoO3 粒徑0036.由晶體內(nèi)本身的熱缺陷引
6、起質(zhì)點(diǎn)遷移的擴(kuò)散,DD0exp(-Q/RT),空位形成能,空位遷移能0038.缺陷濃度, 00039.易位 ,環(huán)形擴(kuò)散 , 空位擴(kuò)散 ,間隙擴(kuò)散 ,準(zhǔn)間隙擴(kuò)散 ,空位擴(kuò)散,空位形成能 ,空位遷移能0040.成核,生長(zhǎng),生長(zhǎng)0041.成長(zhǎng)成核,調(diào)幅分解,正,慢,連續(xù)非球形,不穩(wěn)定0042.略0043. ,減少,DGK*=1/2DGK0044.NaCl,m3m,F(xiàn)m3m,高級(jí),立方,6,40045. AgCl KClCu2S,Cu2S,AgCl0046.組群狀,鏈狀,層狀,架狀,島狀。0047.顆粒重排,氣孔填充,晶粒生長(zhǎng);傳質(zhì)方式不同,傳質(zhì)速率不同,達(dá)到相同致密燒結(jié)體的溫度不同。0048.蒸發(fā)-
7、凝聚,擴(kuò)散,流動(dòng),溶解-沉淀;壓力差,空位濃度差,應(yīng)力-應(yīng)變,溶解度差。0049.蒸發(fā)-凝聚,粉末體球形顆粒凸面與顆粒接觸點(diǎn)頸部之間的蒸氣壓差,零。0050.缺氧條件下非計(jì)量化合物空位擴(kuò)散, 本征擴(kuò)散 ,非化學(xué)計(jì)量擴(kuò)散 ,非本征擴(kuò)散或雜質(zhì)擴(kuò)散0051.,原始物料粒度不均勻,燒結(jié)溫度偏高,成型壓力不均勻,局部有不均勻。0052. 面心立方,八,1,2,6,棱,4。0053. 間隙原子、空位、雜質(zhì)原子;, ,,二、判斷題0001Na2O-SiO2系統(tǒng)中隨SiO2含量的增加,熔體的粘度將降低。 ( )0002擴(kuò)散的推動(dòng)力是濃度梯度,所有擴(kuò)散系統(tǒng)中,物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴(kuò)散。( )0003晶粒
8、正常長(zhǎng)大是小晶粒吞食大晶粒,反常長(zhǎng)大是大晶粒吞食小晶粒。( )0004固溶體是在固態(tài)條件下,一種物質(zhì)以原子尺寸溶解在另一種物質(zhì)中形成的單相均勻的固體。( )0005在熱力學(xué)平衡條件下,二元凝聚系統(tǒng)最多可以3相平衡共存,它們是一個(gè)固相、一個(gè)液相和一個(gè)氣相。( )0006純物質(zhì)在一定壓力下的熔點(diǎn)是定值。( )0007純液體在一定溫度下的蒸汽壓為定值。( )0008純物質(zhì)在一定溫度下,固、液、氣可以三相平衡共存。( )0009粉狀物料的表面能大于多晶燒結(jié)體的晶界能,這是燒結(jié)過(guò)程的推動(dòng)力。( )0010燒結(jié)過(guò)程中,如果晶界移動(dòng)速率等于氣孔擴(kuò)散速率,可達(dá)到燒結(jié)體致密化。( )0011.逆擴(kuò)散的推動(dòng)力是濃
9、度梯度.( )0012.成核-生成相變亞穩(wěn)區(qū)0.( )0013. 分開(kāi)單位面積的粘附表面所需的功。粘附性越好,粘附功越小。 ( )0014. 問(wèn):螺位錯(cuò)可以攀移。( )0015. 濃度差會(huì)引起擴(kuò)散,擴(kuò)散總是從高濃度處向低濃度處進(jìn)行 。( )0016. 多晶轉(zhuǎn)變點(diǎn)一定不會(huì)是析晶終點(diǎn),過(guò)渡點(diǎn)一定不會(huì)是析晶終點(diǎn)。( )0001答:不正確。粘度增加。0002答:不正確。擴(kuò)散也可以從低濃度向高濃度進(jìn)行。0003答:不正確。都是晶界移動(dòng)的結(jié)果。正常長(zhǎng)大是晶粒平均尺寸增加,反常長(zhǎng)大是個(gè)別大晶粒尺寸異常增加。0004答:正確。0005.答:不正確。兩個(gè)固相和一個(gè)液相。0006答:正確。根據(jù)相律F=C-P+2,
10、C=1。熔化時(shí)P=2,F(xiàn)=1-2+2,當(dāng)壓力確定后溫度就確定了。0007答:正確。0008答:不正確。固、液、氣可以三相平衡時(shí),自由度F=0,這是外界條件(溫度和壓力)都是確定的特定值,不能隨意變化,因此溫度不能任意指定。0009答:正確。0010答:不正確。晶粒正常生長(zhǎng)時(shí),晶界移動(dòng)受到雜質(zhì)或氣孔的牽制,為了利用晶界作為原子移動(dòng)的快速通道,希望氣孔維持在晶界或三個(gè)晶粒的交匯點(diǎn)上,晶界移動(dòng)速率等于氣孔擴(kuò)散速率,晶界在牽制氣孔移動(dòng)的同時(shí),氣孔作為空位源而快速向燒結(jié)體外排除。隨著燒結(jié)進(jìn)行,氣孔率逐漸減小,氣孔內(nèi)氣壓不斷提高,當(dāng)內(nèi)氣壓增至2/r時(shí),即其孔內(nèi)氣壓等于燒結(jié)推動(dòng)力,燒結(jié)就停止了,繼續(xù)升高溫度
11、,氣孔內(nèi)氣壓2/r,氣孔膨脹而出現(xiàn)反致密化過(guò)程。0011答:不對(duì),是化學(xué)位梯度。 0012.答:不對(duì)。相反。0013. 答:不對(duì)。 WAB=A+B-AB,粘附性越好,粘附功越大。0014.答:不正確。螺型位錯(cuò)只能滑移。螺型位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)時(shí),螺型位錯(cuò)的移動(dòng)方向與位錯(cuò)線垂直,也與柏氏矢量垂直。對(duì)于螺型位錯(cuò),由于位錯(cuò)線與柏氏矢量平行,故它的滑移不限于單一的滑移面上。對(duì)于螺型位錯(cuò),另一滑移面上去繼續(xù)滑移,這一過(guò)程稱為交滑移。0015.答:不正確。擴(kuò)散的基本推動(dòng)力是化學(xué)位梯度,只不過(guò)在一般情況下以濃度梯度的方式表現(xiàn)出來(lái);擴(kuò)散是從高化學(xué)位處流向低化學(xué)位處,最終系統(tǒng)各處的化學(xué)位相等。如果低濃度處化學(xué)勢(shì)高,則可進(jìn)行
12、負(fù)擴(kuò)散,如玻璃的分相過(guò)程。0016.答:正確。三、名詞解釋0001晶體 0002等同點(diǎn) 0003空間點(diǎn)陣 0004 結(jié)點(diǎn)0005晶體定向 0006晶體常數(shù) 0007對(duì)稱 0008對(duì)稱型0009晶類 0010單形 0011聚形 0012布拉菲格子 0013晶胞 0014空間群 015單鍵強(qiáng) 0016分化和縮聚 0017網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)中間體、網(wǎng)絡(luò)改性體 0018凝聚系統(tǒng) 0019介穩(wěn)平衡0020低共熔點(diǎn) 0021雙升點(diǎn) 0022雙降點(diǎn) 0023馬鞍點(diǎn)0024連線規(guī)則 0025切線規(guī)則 0026三角形規(guī)則 0027重心規(guī)則 0028穩(wěn)定擴(kuò)散與不穩(wěn)定擴(kuò)散 0029本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)散0030自擴(kuò)散與
13、互擴(kuò)散 0031擴(kuò)散系數(shù)與擴(kuò)散通量0032配位數(shù)與配位體 0033同質(zhì)多晶與多晶轉(zhuǎn)變0034位移性轉(zhuǎn)變與重建性轉(zhuǎn)變 0035弗倫克爾缺陷與肖特基缺陷0036刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò) 0037晶子學(xué)說(shuō)和無(wú)規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說(shuō)0038晶體場(chǎng)理論 0039配位場(chǎng)理論 0040螢石型和反螢石型0041類質(zhì)同晶和同質(zhì)多晶 0042二八面體型與三八面體型0043同晶取代與陽(yáng)離子交換 0044尖晶石與反尖晶石0045米勒指數(shù) 0046離子晶體的晶格能 0047離子極化 0048鐵電效應(yīng)0049壓電效應(yīng) 0050硼反常現(xiàn)象 0051熔體、玻璃體 0052界核半徑0053無(wú)序擴(kuò)散 0054燒結(jié)宏觀定義 0055非均相成核 0
14、056礦化劑0057晶界結(jié)構(gòu) 0058橋氧離子 0059吸附 0060表面能:0061初次再結(jié)晶 0062二次再結(jié)晶 0063晶粒長(zhǎng)大名詞解釋參考答案0001晶體是內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間成周期性重復(fù)排列的固體。或晶體是具格子構(gòu)造的固體。0002等同點(diǎn)晶體結(jié)構(gòu)中在同一取向上幾何環(huán)境和物質(zhì)環(huán)境皆相同的點(diǎn)稱為等同點(diǎn)。0003空間點(diǎn)陣是表示晶體結(jié)構(gòu)中各類等同點(diǎn)排列規(guī)律的幾何圖形?;蚴潜硎揪w內(nèi)部結(jié)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)重復(fù)規(guī)律 的幾何圖形。0004空間點(diǎn)陣中的陣點(diǎn),稱為結(jié)點(diǎn)。0005晶體定向就是在晶體中確定坐標(biāo)軸(稱晶軸)及軸單位或軸率(軸單位之比)。0006晶體常數(shù):晶軸軸率或軸單位,軸角。表示晶體結(jié)構(gòu)特征的參數(shù)(a
15、、b、c,(bc)、(ac)、(ab))稱為晶胞常數(shù),晶胞參數(shù)也即晶體常數(shù)。0007對(duì)稱是指物體相同部分作有規(guī)律的重復(fù)。0008對(duì)稱型晶體結(jié)構(gòu)中所有點(diǎn)對(duì)稱要素(對(duì)稱面、對(duì)稱中心、對(duì)稱軸和旋轉(zhuǎn)反伸軸)的集合稱為對(duì)稱型,也稱點(diǎn)群。0009晶類將對(duì)稱型相同的晶體歸為一類,稱為晶類。0010單形是由一組同形等大的晶面所組成,這些晶面可以借助其所屬對(duì)稱型的對(duì)稱要素彼此實(shí)現(xiàn)重復(fù)。也就是說(shuō),單形是由對(duì)稱要素聯(lián)系起來(lái)的一組晶面的集合。0011聚形含有兩個(gè)或兩個(gè)以上單形的晶形稱為聚形。0012所有晶體結(jié)構(gòu)的空間點(diǎn)陣可劃分成十四種類型的空間格子,這14種空間格子稱布拉菲格子。0013任何晶體都對(duì)應(yīng)一種布拉菲格子,
16、因此任何晶體都可劃分出與此種布拉菲格子平行六面體相對(duì)應(yīng)的部分,這一部分晶體就稱為晶胞。晶胞是能夠反映晶體結(jié)構(gòu)特征的最小單位。0014空間群是指一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)中所有對(duì)稱要素集合。0015單鍵強(qiáng)即為各種化合物分解能與該種化合物配位數(shù)的商。0016分化過(guò)程:架狀SiO4斷裂稱為熔融石英的分化過(guò)程。縮聚過(guò)程:分化過(guò)程產(chǎn)生的低聚化合物相互發(fā)生作用,形成級(jí)次較高的聚合物,次過(guò)程為縮聚過(guò)程。 0017網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)中間體、網(wǎng)絡(luò)改性體網(wǎng)絡(luò)形成體:正離子是網(wǎng)絡(luò)形成離子,對(duì)應(yīng)氧化物能單獨(dú)形成玻璃。即凡氧化物的單鍵強(qiáng)度 335kJ/mol者稱為網(wǎng)絡(luò)形成體,這類氧化物能單獨(dú)行成玻璃。 網(wǎng)絡(luò)變性體:?jiǎn)捂I強(qiáng)度250kJ/
17、mol,這類氧化物不能形成玻璃,但能改變網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),從而使玻璃性質(zhì)改變,即稱為網(wǎng)絡(luò)變形體。網(wǎng)絡(luò)中間體:?jiǎn)捂I強(qiáng)度介于250335kJ/mol,這類氧化物的作用介于網(wǎng)絡(luò)形成體和網(wǎng)絡(luò)改性體之間,稱為網(wǎng)絡(luò)中間體。0018凝聚系統(tǒng):不含氣相或氣相可以忽略的系統(tǒng)。0019介穩(wěn)平衡:即熱力學(xué)非平衡態(tài),能量處于較高狀態(tài),經(jīng)常出現(xiàn)于硅酸鹽系統(tǒng)中。0020低共熔點(diǎn):是一種無(wú)變量點(diǎn),系統(tǒng)冷卻時(shí)幾種晶相同時(shí)從熔液中析出,或加熱時(shí)同時(shí)融化。0021雙升點(diǎn):處于交叉位的單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。0022雙降點(diǎn):處于共軛位的雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。0023馬鞍點(diǎn):三元相圖界線上溫度最高點(diǎn),同時(shí)又是二元系統(tǒng)溫度的最低點(diǎn)。0024連線規(guī)則:將一界線(或其延長(zhǎng)
18、線)與相應(yīng)的連線(或其延長(zhǎng)線)相交,其交點(diǎn)是該界線上的溫度最高點(diǎn)。0025切線規(guī)則:將界線上某一點(diǎn)所作的切線與相應(yīng)的連線相交,如交點(diǎn)在連線上,則表示界線上該處具有共熔性質(zhì);如交點(diǎn)在連線的延長(zhǎng)線上,則表示界線上該處具有轉(zhuǎn)熔性質(zhì),遠(yuǎn)離交點(diǎn)的晶相被回吸。0026三角形規(guī)則:原始熔體組成點(diǎn)所在副三角形的三個(gè)頂點(diǎn)表示的物質(zhì)即為其結(jié)晶產(chǎn)物;與這三個(gè)物質(zhì)相應(yīng)的初初晶區(qū)所包圍的三元無(wú)變量點(diǎn)是其結(jié)晶結(jié)束點(diǎn)。0027重心規(guī)則:如無(wú)變點(diǎn)處于其相應(yīng)副三角形的重心位,則該無(wú)變點(diǎn)為低共熔點(diǎn):如無(wú)變點(diǎn)處于其相應(yīng)副三角形的交叉位,則該無(wú)變點(diǎn)為單轉(zhuǎn)熔點(diǎn);如無(wú)變點(diǎn)處于其相應(yīng)副三角形的共軛位,則該無(wú)變點(diǎn)為雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。0028穩(wěn)定擴(kuò)散
19、與不穩(wěn)定擴(kuò)散:擴(kuò)散過(guò)程中任一點(diǎn)濃度隨時(shí)間變化稱為不穩(wěn)定擴(kuò)散。0029本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)散:由此點(diǎn)缺陷引起的擴(kuò)散為本征擴(kuò)散,主要出現(xiàn)了肖特基和弗蘭克爾點(diǎn)缺陷。由不等價(jià)離子造成晶格空位,由此引起的質(zhì)點(diǎn)遷移稱為非本征擴(kuò)散。0030自擴(kuò)散: 互擴(kuò)散:0031擴(kuò)散系數(shù): 擴(kuò)散通量:0032配位數(shù):晶體結(jié)構(gòu)中與一個(gè)離子直接相鄰的異號(hào)離子數(shù)。配位體:晶體結(jié)構(gòu)中與某一個(gè)陽(yáng)離子直接相鄰、形成配位關(guān)系的各個(gè)陰離子中心連線所構(gòu)成的多面體。0033同質(zhì)多晶:同一化學(xué)組成在不同外界條件下(溫度、壓力、pH值等),結(jié)晶成為兩種以上不同結(jié)構(gòu)晶體的現(xiàn)象。多晶轉(zhuǎn)變:當(dāng)外界條件改變到一定程度時(shí),各種變體之間發(fā)生結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,從一種變
20、體轉(zhuǎn)變成為另一種變體的現(xiàn)象。0034位移性轉(zhuǎn)變:不打開(kāi)任何鍵,也不改變?cè)幼钹徑呐湮粩?shù),僅僅使結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變,原子從原來(lái)位置發(fā)生少許位移,使次級(jí)配位有所改變的一種多晶轉(zhuǎn)變形式。重建性轉(zhuǎn)變:破壞原有原子間化學(xué)鍵,改變?cè)幼钹徑湮粩?shù),使晶體結(jié)構(gòu)完全改變?cè)瓨拥囊环N多晶轉(zhuǎn)變形式。0035當(dāng)晶體熱振動(dòng)時(shí),一些能量足夠大的原子離開(kāi)平衡位置而擠到晶格點(diǎn)的間隙中,形成間隙原子,而原來(lái)位置上形成空位,這種缺陷稱為弗倫克爾缺陷。如果正常格點(diǎn)上原子,熱起伏后獲得能量離開(kāi)平衡位置,躍遷到晶體的表面,在原正常格點(diǎn)上留下空位,這種缺陷稱為肖特基缺陷。0036滑移方向與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為刃型位錯(cuò)。位錯(cuò)線與滑移方向相互平
21、行的位錯(cuò)稱為螺型位錯(cuò)。0037晶子學(xué)說(shuō):玻璃內(nèi)部是由無(wú)數(shù)“晶子”組成,微晶子是帶有晶格變形的有序區(qū)域。它們分散在無(wú)定形介中質(zhì),晶子向無(wú)定形部分過(guò)渡是逐漸完成時(shí),二者沒(méi)有明顯界限。 無(wú)規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說(shuō):凡是成為玻璃態(tài)的物質(zhì)和相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)一樣,也是由一個(gè)三度空間網(wǎng)絡(luò)所構(gòu)成。這種網(wǎng)絡(luò)是由離子多面體(三角體或四面體)構(gòu)筑起來(lái)的。晶體結(jié)構(gòu)網(wǎng)是由多面體無(wú)數(shù)次有規(guī)律重復(fù)構(gòu)成,而玻璃中結(jié)構(gòu)多面體的重復(fù)沒(méi)有規(guī)律性。0038晶體場(chǎng)理論:認(rèn)為在晶體結(jié)構(gòu)中,中心陽(yáng)離子與配位體之間是離子鍵,不存在電子軌道的重迭,并將配位體作為點(diǎn)電荷來(lái)處理的理論。0039配位場(chǎng)理論:除了考慮到由配位體所引起的純靜電效應(yīng)以外,還考慮了共價(jià)成
22、鍵的效應(yīng)的理論。0040螢石型:CaF2型結(jié)構(gòu)中,Ca2+按面心立方緊密排列,F(xiàn)-占據(jù)晶胞中全部四面體空隙。反螢石型:陽(yáng)離子和陰離子的位置與CaF2型結(jié)構(gòu)完全相反,即堿金屬離子占據(jù)F-的位置,O2-占據(jù)Ca2+的位置。0041類質(zhì)同象:物質(zhì)結(jié)晶時(shí),其晶體結(jié)構(gòu)中部分原有的離子或原子位置被性質(zhì)相似的其它離子或原子所占有,共同組成均勻的、呈單一相的晶體,不引起鍵性和晶體結(jié)構(gòu)變化的現(xiàn)象。同質(zhì)多晶:同一化學(xué)組成在不同熱力學(xué)條件下形成結(jié)構(gòu)不同的晶體的現(xiàn)象。0042二八面體型:在層狀硅酸鹽礦物中,若有三分之二的八面體空隙被陽(yáng)離子所填充稱為二八面體型結(jié)構(gòu)。三八面體型:在層狀硅酸鹽礦物中,若全部的八面體空隙被陽(yáng)
23、離子所填充稱為三八面體型結(jié)構(gòu)。0043同晶取代:雜質(zhì)離子取代晶體結(jié)構(gòu)中某一結(jié)點(diǎn)上的離子而不改變晶體結(jié)構(gòu)類型的現(xiàn)象。陽(yáng)離子交換:在粘土礦物中,當(dāng)結(jié)構(gòu)中的同晶取代主要發(fā)生在鋁氧層時(shí),一些電價(jià)低、半徑大的陽(yáng)離子(如K+、Na+等)將進(jìn)入晶體結(jié)構(gòu)來(lái)平衡多余的負(fù)電荷,它們與晶體的結(jié)合不很牢固,在一定條件下可以被其它陽(yáng)離子交換。0044正尖晶石:在AB2O4尖晶石型晶體結(jié)構(gòu)中,若A2+分布在四面體空隙、而B(niǎo)3+分布于八面體空隙,稱為正尖晶石;反尖晶石:若A2+分布在八面體空隙、而B(niǎo)3+一半分布于四面體空隙另一半分布于八面體空隙,通式為B(AB)O4,稱為反尖晶石。0045米勒指數(shù)0046離子晶體的晶格能0
24、047離子極化:指正、負(fù)離子在電場(chǎng)作用下,使正,負(fù)電荷重心不重合,并產(chǎn)生偶極距的現(xiàn)象。0048鐵電效應(yīng)0049壓電效應(yīng)0050當(dāng)數(shù)量不多的堿金屬氧化物同B2O3一起熔融時(shí),堿金屬所提供的氧不像熔融SiO2玻璃中作為非橋氧出現(xiàn)在結(jié)構(gòu)中,而是使硼轉(zhuǎn)變?yōu)橛蓸蜓踅M成的硼氧四面體。致使B2O3玻璃從原來(lái)二度空間層狀結(jié)構(gòu)部分轉(zhuǎn)變?yōu)槿瓤臻g的架狀結(jié)構(gòu),從而加強(qiáng)了網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),并使玻璃的各種物理性能變好。0051熔體特指加熱到較高溫度才能液化的物質(zhì)的液體,即較高熔點(diǎn)物質(zhì)的液體。熔體快速冷卻則變成玻璃體玻璃體。0052聚集的原子群超過(guò)一定尺寸能夠穩(wěn)定存在的最小的晶體顆粒半徑。 0053無(wú)化學(xué)位梯度、濃度梯度、無(wú)外場(chǎng)
25、推動(dòng)力,由熱起伏引起的擴(kuò)散。質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散是無(wú)序的、隨機(jī)的。 0054粉體在一定溫度作用下,發(fā)生團(tuán)結(jié),使氣孔率下降,致密度提高,強(qiáng)度增大,晶粒增長(zhǎng),這種現(xiàn)象即為燒結(jié)。 0055母液中存在某界面(空位、雜質(zhì)、位錯(cuò)),成核會(huì)優(yōu)先在界面上進(jìn)行,這種成核系統(tǒng)為非均相成核。 0056在固相反應(yīng)中加入少量非反應(yīng)物,反應(yīng)過(guò)程中不與反應(yīng)物起化學(xué)反應(yīng)只起加速反應(yīng)作用的物質(zhì)。 0057晶界結(jié)構(gòu)是指晶界在多晶體中的形狀、結(jié)構(gòu)和分布。0058橋氧離子:指一個(gè)氧離子與兩個(gè)硅離子的連結(jié)起來(lái),此氧離子稱為橋氧離子。 0059固體和液體表面存在大量不飽和鍵的原子和離子,它們都能吸引外來(lái)的原子、離子、分子的這一現(xiàn)象。0060當(dāng)T,
26、P及組成不變的條件下,增加單位表面積對(duì)系統(tǒng)所做的功。 0061初次再結(jié)晶是指從塑性變形的、具有應(yīng)變的基質(zhì)中,生長(zhǎng)出新的無(wú)應(yīng)變晶粒的成核和長(zhǎng)大過(guò)程。 0062當(dāng)坯體中有若于大晶粒存在時(shí),這些大晶粒邊數(shù)較多,晶界曲率較大,能量較高,使晶界可以越過(guò)雜質(zhì)或氣孔而繼續(xù)移向鄰近小晶粒的曲率中心。晶粒的進(jìn)一步生長(zhǎng),增大了晶界的曲率使生長(zhǎng)過(guò)程不斷加速,直到大晶粒的邊界相互接觸為止。這個(gè)過(guò)程稱為二次再結(jié)晶或異常的晶粒長(zhǎng)大。0063在燒結(jié)中、后期,細(xì)小晶粒逐漸長(zhǎng)大,而一些晶粒的長(zhǎng)大過(guò)程也是另一部分晶粒的縮小或消失過(guò)程,其結(jié)果是平均晶粒尺寸增加。這一過(guò)程并不依賴于初次再結(jié)晶過(guò)程;晶粒長(zhǎng)大不是小晶粒的相互粘接,而是晶
27、界移動(dòng)的結(jié)果。其含義的核心是晶粒平均尺寸增加。三、 選擇題690001.材料科學(xué)的核心內(nèi)容是: A.成分 B.理論 C.工藝設(shè)計(jì) D.結(jié)構(gòu)與性能0002.“材料科學(xué)”的概念是什么時(shí)候明確提出的: A.20世紀(jì)50年代 B.19世紀(jì)80年代 C.21世紀(jì) D.20世紀(jì)40年代00003.材料是人類文明進(jìn)步的里程碑,按照材料的使用,人類文明階段的順序?yàn)椋?A.青銅器時(shí)代,石器時(shí)代,陶器時(shí)代,鐵器時(shí)代。 B.石器時(shí)代,青銅器時(shí)代,陶器時(shí)代,鐵器時(shí)代。 C.石器時(shí)代,陶器時(shí)代,青銅器時(shí)代,鐵器時(shí)代。 D.陶器時(shí)代,青銅器時(shí)代,石器時(shí)代,鐵器時(shí)代。0004.面角守恒定律中的守恒指: A.能量守恒 B.晶
28、面夾角相等 C.晶面指數(shù)相同 D.晶格常數(shù)相同0005.晶面通常被面網(wǎng)密度大的晶面所包圍,這稱為 A.布拉維法則 B.晶面法則 C.能量最低法則 D.平衡法則0006.晶體中不可能存在的對(duì)稱軸是: A.一次對(duì)稱軸 B.三次對(duì)稱軸 C.四次對(duì)稱軸 D.五次對(duì)稱軸0007.晶體學(xué)中,3L4表示: A.三個(gè)四次軸 B.四個(gè)三次軸 C.三個(gè)反映面 D.三個(gè)對(duì)稱軸0008.在晶體結(jié)構(gòu)中,種類、性質(zhì)及其周圍環(huán)境完全相同的質(zhì)點(diǎn)位置稱為: A.格點(diǎn) B.點(diǎn)缺陷 C.等同點(diǎn) D.陣點(diǎn)0009.晶體的本質(zhì)特征是: A.內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間周期排列 B.具有規(guī)則的幾何外形 C.具有對(duì)稱性 D.具有各向異性0010.如
29、果某晶體具有9個(gè)對(duì)稱面,應(yīng)表示為: A.P9 B.9P C.P9 D.P90011.與Li2的對(duì)稱操作等效的對(duì)稱操作為: A.C B.2P C.P D.P+C0012.空間格子是一種_。 A.幾何圖形 B.有限圖形 C.無(wú)限圖形 D.等同點(diǎn)的周期排列0013.布拉維法則認(rèn)為,晶體通常被_的晶面所包圍。 A.面網(wǎng)密度大 B.面網(wǎng)密度小 C.面網(wǎng)密度居中0014.晶體的基本性質(zhì)主要包括_種。 A.3 B.4 C.5 D.60015.晶體的宏觀對(duì)稱要素中,對(duì)稱面的對(duì)稱操作是_。 A.旋轉(zhuǎn) B.反伸 C.反映 D.旋轉(zhuǎn)反映0016.晶體的宏觀對(duì)稱要素中,對(duì)稱軸的對(duì)稱操作是_。 A.旋轉(zhuǎn) B.反伸 C.
30、旋轉(zhuǎn)反伸 D.旋轉(zhuǎn)反映0017.晶體的對(duì)稱軸除一次軸L1外,允許存在的其它軸次有_種。 A.3 B.4 C.5 D.60018.旋轉(zhuǎn)反伸軸Li2可以等效表達(dá)為: A.C B.P C.L2C D.PC0019.旋轉(zhuǎn)反伸軸Li3可以等效表達(dá)為: A.C B.P C.L3C D.L3P0020.旋轉(zhuǎn)反映軸Ls2可以等效表達(dá)為: A.C B.Li1 C.L2C D.L2P 0021.對(duì)晶體進(jìn)行宏觀對(duì)稱要素組合分析,可得到_種點(diǎn)群。 A.23 B.32 C.230 D.340022.晶體的宏觀對(duì)稱要素中,對(duì)稱中心的對(duì)稱操作是。 A.旋轉(zhuǎn) B.反伸 C.反映 D.旋轉(zhuǎn)反伸0023.晶體的宏觀對(duì)稱要素中,倒
31、轉(zhuǎn)軸的對(duì)稱操作是。 A.旋轉(zhuǎn) B.反伸 C.旋轉(zhuǎn)反伸 D.旋轉(zhuǎn)反映0024.晶體的宏觀對(duì)稱要素中,映轉(zhuǎn)軸的對(duì)稱操作是。 A.旋轉(zhuǎn) B.反映 C.旋轉(zhuǎn)反伸 D.旋轉(zhuǎn)反映0025.晶體上可以存在_對(duì)稱面。 A.1個(gè) B.任意多個(gè) C.最多9個(gè) D.0個(gè)0026.晶體上可以有_對(duì)稱中心。 A.1個(gè) B.多個(gè) C.最多9個(gè) D.0個(gè)0027.旋轉(zhuǎn)反伸軸Li6可以等效表達(dá)為: A.L6C B.PC C.L3C D.L3P0028.旋轉(zhuǎn)反映軸Ls3可以等效表達(dá)為: A.C B.Li6 C.L3C D.L3P0029.旋轉(zhuǎn)反映軸Ls6可以等效表達(dá)為: A.Li6 B.Li3 C.L3C D.L3P0030.
32、對(duì)稱型(點(diǎn)群)可以劃分出_個(gè)晶族。 A.5 B.3 C.4 D.60031.四方晶系的晶體常數(shù)特征為: A.a b c,= 90 B.a = b c,=90 C.a = b = c,=90 D.a b c, 900032.斜方晶系的晶體常數(shù)特征為: A.a b c,= 90 B.a = b c,=90 C.a = b = c,=90 D.a b c, 900033.下面的晶面指數(shù)是: A.(hkl) B.uvw C.hkl D.(hkl)0034.下面的晶帶符號(hào)是: A.(hkl) B.uvw C.hkl D.uvw0035.三斜晶系的布拉維格子有_種。 A.1 B.2 C.3 D.40036
33、.斜方晶系的布拉維格子有_種。 A.1 B.2 C.3 D.40037.六方晶系的布拉維格子有_種。 A.1 B.2 C.3 D.40038.晶體的微觀對(duì)稱要素是_。 A.對(duì)稱面 B.滑移面 C.螺旋軸 D.對(duì)稱軸0039.螺旋軸按基轉(zhuǎn)角不同可分為_(kāi)種。 A.2 B.3 C.4 D.50040.對(duì)晶體所有對(duì)稱要素進(jìn)行組合分析,可得到_種空間群。 A.240 B.220 C.230 D.2100041.若有n個(gè)等大球體作最緊密堆積,將有_個(gè)八面體空隙存在。 A.2n B.2n1 C.n1 D.n0042.對(duì)稱型(點(diǎn)群)可以劃分出_個(gè)晶系。 A.5 B.6 C.7 D.80043.立方晶系的晶體常
34、數(shù)特征為: A.a b c,= 90 B.a = b c,=90 C.a = b = c,=90 D.a b c, 900044.三斜晶系的晶體常數(shù)特征為: A.a b c,= 90 B.a = b c,=90 C.a = b = c,=90 D.a b c, 90 0045.下面的晶向指數(shù)是: A.(hkl) B.uvw C.hkl D.uvw0046.單斜晶系的布拉維格子有_ 種。 A.1 B.2 C.3 D.40047.滑移面按平移方向和平移距離可分為_(kāi)種。 A.3 B.4 C.5 D.60048.螺旋軸共有_ 種。 A.10 B.11 C.12 D.130049.屬于等大球體最緊密堆積
35、的方式是: A.體心立方堆積 B.面心立方堆積 C.體心四方堆積 D.六方堆積0050.四方晶系的布拉維格子有_種。 A.1 B.2 C.3 D.40051.若有n個(gè)等大球體作最緊密堆積,將有_個(gè)四面體空隙存在。 A.2n B.2n1 C.n1 D.n0052.物質(zhì)的結(jié)合鍵可分為_(kāi)大類。 A.1 B.2 C.3 D.40053.物質(zhì)的結(jié)合鍵具體鍵型共有_種。 A.3 B.4 C.5 D.60054.范德華力來(lái)源于_種效應(yīng)。 A.1 B.2 C.3 D.40055.范德華力與距離的_ 次方成反比。 A.4 B.6 C.7 D.80056.對(duì)于穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),可能存在的配位數(shù)有_個(gè)。 A.4 B.6 C.7 D.8 0057.當(dāng)配位多面體為四面體時(shí),正負(fù)離子半徑比為: A.0-0.155 B.0.155-0.225 C.0.225-0.414 D.0.732-10058.當(dāng)配位多面體為八面體時(shí)
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