如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

1、如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源中。理解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，進(jìn)步模塊電源的功率；但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET損耗的同時(shí)兼顧模塊電源的EMI性能。開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1通態(tài)損耗；2導(dǎo)通損耗；3關(guān)斷損耗；4驅(qū)動(dòng)損耗；5吸收損耗。隨著模塊電源的體積減小，需要將開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)一步進(jìn)步，進(jìn)而導(dǎo)致開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗的增加，例如，300kHz的驅(qū)動(dòng)頻率下，

2、開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗的比例已經(jīng)是總損耗主要部分了。MOSFET導(dǎo)通與關(guān)斷過(guò)程中都會(huì)產(chǎn)生損耗，在這兩個(gè)轉(zhuǎn)換過(guò)程中，漏極電壓與漏極電流、柵源電壓與電荷之間的關(guān)系如圖1和圖2所示，現(xiàn)以導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程為例進(jìn)展分析：totl區(qū)間：柵極電壓從0上升到門(mén)限電壓Uth，開(kāi)關(guān)管為導(dǎo)通，無(wú)漏極電流通過(guò)這一區(qū)間不產(chǎn)生損耗；t1-t2區(qū)間：柵極電壓到達(dá)Vth，漏極電流ID開(kāi)始增加，到t2時(shí)刻到達(dá)最大值，但是漏源電壓保持截止時(shí)高電平不變，從圖1可以看出，此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大；t2-t3區(qū)間：從t2時(shí)刻開(kāi)始，漏源電壓VDS開(kāi)始下降，引起密勒電容效應(yīng)，使得柵極電壓不能上升而出現(xiàn)平臺(tái)，t2-t3時(shí)刻電

3、荷量等于Qgd，t3時(shí)刻開(kāi)始漏極電壓下降到最小值；此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大。t3-t4區(qū)間：柵極電壓從平臺(tái)上升至最后的驅(qū)動(dòng)電壓模塊電源一般設(shè)定為12V，上升的柵壓使導(dǎo)通電阻進(jìn)一步減少，MOSFET進(jìn)入完全導(dǎo)通狀態(tài)；此時(shí)損耗轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通損耗。關(guān)斷過(guò)程與導(dǎo)通過(guò)程相似，只不過(guò)是波形相反而已；關(guān)于MOSFET的導(dǎo)通損耗與關(guān)斷損耗的分析過(guò)程，有很多文獻(xiàn)可以參考，這里直接引用?張興柱之MOSFET分析?的總結(jié)公式如下：備注：tr為上升時(shí)間，f為開(kāi)關(guān)頻率，tf為下降時(shí)間，Qg為柵極電荷，VGS為柵極驅(qū)動(dòng)電壓，PCDs為MOSFET體二極管損耗。MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系1

4、通過(guò)降低模塊電源的驅(qū)動(dòng)頻率減少M(fèi)OSFET的損耗從MOSFET的損耗分析可以看出，開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)頻率越高，導(dǎo)通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動(dòng)損耗會(huì)相應(yīng)增大，但是高頻化可以使得模塊電源的變壓器磁芯更小，模塊的體積變得更小，所以可以通過(guò)開(kāi)關(guān)頻率去優(yōu)化開(kāi)通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，但是高頻化卻會(huì)引起嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。金升陽(yáng)DC/DC R3產(chǎn)品，采用跳頻控制方法，在輕負(fù)載情況下，通過(guò)降低模塊電源的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低驅(qū)動(dòng)損耗，從而進(jìn)一步進(jìn)步輕負(fù)載條件下的效率，使得系統(tǒng)在待機(jī)工作下，更節(jié)能，進(jìn)一步進(jìn)步蓄電池供電系統(tǒng)的工作時(shí)間，并且還可以降低EMI的輻射問(wèn)題；2 通過(guò)降低，來(lái)減少M(fèi)OSFET的損耗典型的小功率模塊電源小于

5、50W大多采用的電路拓?fù)錁?gòu)造為反激形式，典型的控制電路如圖3所示；從MOSFET的損耗分析還可以知道：tr與開(kāi)通損耗成正比、tf與關(guān)斷損耗成正比；所以可以通過(guò)減少tr、tf來(lái)減少M(fèi)OSFET的損耗。通常情況下，可以減小MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻Rg來(lái)減少tr、tf時(shí)間，但是此優(yōu)化方法卻帶來(lái)嚴(yán)重的EMI問(wèn)題；以金升陽(yáng)URB2405YMD-6WR3產(chǎn)品為例來(lái)說(shuō)明此項(xiàng)問(wèn)題：1URB2405YMD-6WR3采用10Q的MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻，裸機(jī)輻射測(cè)試結(jié)果如下：2URB2405YMD-6WR3采用O的驅(qū)動(dòng)電阻，裸機(jī)輻射測(cè)試結(jié)果如下：從兩種不同的驅(qū)動(dòng)電阻測(cè)試結(jié)果來(lái)看，雖然都可以通過(guò)EN55022的輻射騷擾度

6、的CLASS A等級(jí)，但是采用O的驅(qū)動(dòng)電阻，在程度極化方向測(cè)試結(jié)果的余量是缺乏3dB的，該方案設(shè)計(jì)不能被通過(guò)。3 通過(guò)降低吸收電路損耗來(lái)減少損耗在模塊電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中，變壓器的漏感總是存在的，采用反激拓?fù)涫綐?gòu)造，往往在MOSFET截止過(guò)程中，MOSFET的漏極往往存在著很大的電壓尖峰，一般情況下，MOSFET的電壓設(shè)計(jì)余量是足夠承受的，為了進(jìn)步整體的電源效率，一些電源廠家是沒(méi)有增加吸收電路吸收電路如圖3標(biāo)注RCD吸收電路和RC吸收電路來(lái)吸收尖峰電壓的。但是，不注意這些吸收電路的設(shè)計(jì)往往也是導(dǎo)致EMI設(shè)計(jì)不合格的主要原因。以金升陽(yáng)URF2405P-6WR3的吸收電路采用如圖3中的RC吸收電路為例：1驅(qū)動(dòng)電阻Rg為27，無(wú)RC吸收電路，輻射騷擾度測(cè)試結(jié)果如下：2驅(qū)動(dòng)電阻為27；吸收電路為電阻R和C5.1470pF，輻射騷擾度測(cè)試結(jié)果如下：從兩種不同的吸收電路方案測(cè)試結(jié)果來(lái)看，不采用吸收電路的方案，是不能通過(guò)EN55022輻射騷擾度的CLASS A等級(jí)，而采用吸收電路，那么可以解決輻射騷擾度實(shí)驗(yàn)不通過(guò)的問(wèn)題，通過(guò)不同的RC組合方式可進(jìn)一步降低輻射騷擾?？偨Y(jié)MOSFET的功耗優(yōu)化工作實(shí)際上是一個(gè)系統(tǒng)工程，部分優(yōu)化方案甚至?xí)绊慐MI的特性變化。上述案例中，金升陽(yáng)R3系列產(chǎn)品將節(jié)能環(huán)保的理念深化到電源的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，很好地平衡了電源整體效率與EMI特性，從