使用DS18B20溫度傳感器測溫

1、第11章 使用DS18B20溫度傳感器測溫11.1 概述現(xiàn)實生產(chǎn)生活中，小到測量體溫的溫度計，大到航天飛機的溫控系統(tǒng)，處處都離不開溫度測量。工業(yè)生產(chǎn)中的三大指標（流量、壓力、溫度）之一就是溫度，溫度測量可以說是無處不在，遍布了我們生活生產(chǎn)的方方面面。DS18B20溫度傳感器是美國DALLAS半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的數(shù)字化溫度傳感器，它與以往模擬量溫度傳感器不同，數(shù)字化是其一大特點，它能將被測環(huán)境溫度直接轉(zhuǎn)化為數(shù)字量，并以串行數(shù)據(jù)流的形式傳輸給單片機等微處理器去處理。DS18B20溫度傳感器的另一個主要特點是它是單總線的，即它與單片機等微處理器連接時，只需占用一個I/O管腳，并且不再需要其它任何外部元器

2、件，這大大簡化了它與但單片機之間的接口電路。11.2 DS18B20溫度傳感器介紹目前，使用最普遍的DS18B20溫度傳感器是三腳TO-92直插式封裝這一種，這種封裝的DS18B20實物如圖11-1所示?？梢钥吹剿w積很小，只有三只管腳，外形與一般的三極管極其相似。圖11-2是其三腳TO-92直插式封裝圖，表11-1列出了DS18B20各個引腳的定義。 如圖11-1 如圖11-2 表11-1 DS18B20引腳定義。引腳號引腳定義1GND接地端2DQ數(shù)據(jù)輸入輸出端3電源端 1、DS18B20溫度傳感器特性簡介獨特的單總線（一條線）接口，與微處理器通信只需一個I/O管腳，且硬件連接無需其它外部元

3、件；測量結(jié)果直接輸出數(shù)字量，可直接與微處理器通信；供電電壓范圍3.0V5.5V；在寄生電源方式下可有數(shù)據(jù)線供電；測溫范圍-55+125；在-10+85范圍內(nèi)，測量精度可達±0.5；可編程的912位測溫分辨率，對應(yīng)的可分辨溫度值分別為0.5，0.25，0.125，0.0625；12位分辨率時的溫度測量轉(zhuǎn)換最長時間（上限）只有750ms；每一片DS18B20都有自己獨一無二的芯片號碼；多片DS18B20可以并聯(lián)在一條數(shù)據(jù)總線上實現(xiàn)不同地點的多點組網(wǎng)；應(yīng)用范圍包括溫度調(diào)控，工業(yè)現(xiàn)場測溫，消費類產(chǎn)品，溫度計及熱敏系統(tǒng)等。2、DS18B20溫度傳感器測溫工作原理DS18B20的核心功能就是測量

4、被測環(huán)境溫度并直接轉(zhuǎn)換成為數(shù)字量。我們使用DS18B20測溫，就是要將DS18B20轉(zhuǎn)換成的數(shù)字量溫度值從DS18B20內(nèi)部讀出，送入單片機進行處理，所以了解DS18B20內(nèi)部的存儲器的結(jié)構(gòu)和組成是必要的。另外，控制DS18B20測溫和讀取溫度值的指令也是必不可少的。以下就從這兩個方面逐個說明。DS18B20內(nèi)部的存儲器籠統(tǒng)而言，可以說DS18B20內(nèi)部的存儲器有三個。一個是64位光刻ROM；另一個是中間結(jié)果暫存RAM；第三個是E2RAM。64位光刻ROM前面已經(jīng)提及，每一片DS18B20都有一個獨一無二的號碼，用于唯一標識當前這片DS18B20。這個號碼是DS18B20的生產(chǎn)廠家DALLAS

5、公司在生產(chǎn)該片DS18B20時固化在其內(nèi)部ROM中的，共有64位，所以稱為64位光刻ROM號碼，其數(shù)據(jù)格式如圖11-3所示。 圖11-3 64位光刻ROM數(shù)據(jù)格式這64位號碼由三部分組成，分別是64位號碼中的最低8位，64位號碼中的中間48位和64位號碼中的最高8位。其中，64位號碼中的最低8位對每一片DS18B20而言都相同，其值是0x28H，稱為家族代碼。這個值是專門分配給DS18B20家族的，用以區(qū)別不同的單總線設(shè)備家族。64位號碼中的中間48位是唯一標識當前這片DS18B20的產(chǎn)品序列號。任意兩片DS18B20的家族代碼都是0x28H，但它們的48位產(chǎn)品序列號絕對不相同，這48位一般稱

6、為48位序列號。64位號碼中的最高8位是從前面的56位（8位+48位=56位）計算出的CRC碼，這8位一般不大用，所以此處一筆帶過，讀者可以不予理睬。中間結(jié)果暫存RAM中間結(jié)果暫存RAM共有8個字節(jié)，其結(jié)構(gòu)如圖11-4所示。圖11-4中間結(jié)果暫存RAM其中，字節(jié)地址0是所測溫度數(shù)值的低8位，字節(jié)地址1是所測溫度數(shù)值的高8位，字節(jié)地址2是設(shè)定溫度的上限值，字節(jié)地址3是設(shè)定溫度的下限值，字節(jié)地址4是配置寄存器字節(jié)。字節(jié)地址5,6,7保留。這8個字節(jié)中，除字節(jié)地址0,1,4以外的5個字節(jié)幾乎不使用，所以可以忽略，重點掌握字節(jié)地址0,1,4就足夠了。字節(jié)地址0和字節(jié)地址1中存放的就是測量的溫度值，字節(jié)

7、地址1中存放的是高8位，字節(jié)地址0中存放的是低8位。它們中的溫度數(shù)據(jù)存儲格式如圖11-5所示。其中，高5位是符號位S。若5個S全為0則表示溫度是正值，由于是正值，補碼與原碼相同，余下的11位按圖示各位的權(quán)重計算所得數(shù)值就是所測溫度值；若5個S全為1，則余下11位的補碼對應(yīng)的數(shù)值就是所測溫度值，這個溫度值自然是零度以下，是負值。在實際計算溫度值時，在得到11位數(shù)值原碼值以后，再乘以0.0625就得到所測的溫度值。這樣計算的原因是：可以將圖11-5中的小數(shù)點（在權(quán)重20和2-1之間）向右移動4位，即整個數(shù)值擴大了24=16倍，要使與原值相等，自然需要再除以16，即相當于乘以0.0625。圖11-5

8、 溫度數(shù)據(jù)存儲格式字節(jié)地址4是配置寄存器字節(jié)。前面已經(jīng)提及，DS18B20的測溫有9位，10位，11位，12位四種分辨率，實際測溫時選用哪種分辨率是可以通過具體編程來設(shè)定，DS18B20出廠時設(shè)定的默認測溫分辨率是12位。字節(jié)地址4配置寄存器字節(jié)的數(shù)據(jù)格式如圖11-6所示。其中的R1和R0的四種組合一一對應(yīng)9位，10位，11位，12位四種分辨率。對應(yīng)關(guān)系如表11-2所示。附帶說明的是，一般選用出廠時設(shè)定的默認測溫分辨率12位，不用改動。圖11-6 配置寄存器字節(jié)的數(shù)據(jù)格式表11-2 R1和R0的四種組合與測溫分辨率的關(guān)系E2RAME2RAM的結(jié)構(gòu)如圖11-7所示?？梢钥吹剑珽2RAM是中間結(jié)果

9、暫存RAM中字節(jié)地址位2,3,4的三個字節(jié)內(nèi)容的拷貝或者說是備份，以備數(shù)據(jù)的完備性需要。這個存儲器一般不使用，故可以忽略不予考慮。圖11-7 E2RAM的結(jié)構(gòu)綜上所述，在不改變測溫出廠分辨率（12位）的前提下，DS18B20內(nèi)部存儲器中，我們需關(guān)注的就只有64位光刻ROM和中間結(jié)果暫存RAM中用于存放溫度值的字節(jié)地址0和字節(jié)地址1了。DS18B20的指令DS18B20的指令可分為三大類，第一類是與64位光刻ROM相關(guān)聯(lián)的一系列指令，第二類是與中間結(jié)果暫存RAM相關(guān)聯(lián)的溫度值讀取等一些相關(guān)指令，第三類就是控制溫度轉(zhuǎn)換的控制類指令。上面剛剛提到，在不改變測溫出廠分辨率（12位）的前提下，DS18B

10、20內(nèi)部存儲器中，我們只需關(guān)注64位光刻ROM和中間結(jié)果暫存RAM中字節(jié)地址0和字節(jié)地址1中的溫度值?？紤]到DS18B20的指令集中，部分指令極少使用，此處僅就常用的、關(guān)鍵指令做解釋說明，其余指令請讀者查閱參考其它相關(guān)資料。與64位光刻ROM相關(guān)的指令讀64位光刻ROM號碼指令【0x33H】 本條指令用于讀取唯一標識當前這片DS18B20的64位號碼，但要求總線上只能有一片DS18B20，否則會出現(xiàn)多片DS18B20沖突的問題；匹配64位光刻ROM號碼指令【0x55H】本條指令主要用在單總線上掛接多片DS18B20的情況下，此時，執(zhí)行本指令0x55H后，緊跟其后的是一64位光刻ROM號碼（特別

11、注意：在輸入64位光刻ROM號碼時，低位在前），這一64位光刻ROM號碼將與單總線上每一片DS18B20的64位光刻ROM號碼進行比對，號碼匹配的那一片DS18B20將執(zhí)行后續(xù)的指令，例如轉(zhuǎn)換溫度、讀取溫度值等指令；而號碼不匹配的那些DS18B20將不執(zhí)行任何指令，繼續(xù)等待下去，直到總線復(fù)位后再等待下一次被匹配的機會。跳過64位光刻ROM號碼匹配指令【0xCCH】可以設(shè)想，如果總線上只有一片DS18B20掛接其上，執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)換指令、讀取溫度值指令等只能是針對這一片DS18B20而言。如果先讀取其64位光刻ROM號碼，再去匹配64位光刻ROM號碼，顯然是畫蛇添足，多此一舉，所以完全可以跳過64位

12、光刻ROM號碼的匹配環(huán)節(jié)，直接執(zhí)行轉(zhuǎn)換溫度、讀取溫度值等指令。需要說明的是，不需要執(zhí)行匹配時，不用執(zhí)行上一條0x55H指令，但必須執(zhí)行跳過指令，即執(zhí)行0xCCH指令完成跳過功能。搜索64位光刻ROM指令【0xF0H】 當總線上掛接多片DS18B20芯片時，執(zhí)行本指令可以搜索當前掛接在總線上的DS18B20芯片的個數(shù)，并識別它們的64位光刻ROM號碼，便于后續(xù)方便操作各個DS18B20芯片。與中間結(jié)果暫存RAM相關(guān)的溫度數(shù)值讀取指令讀中間結(jié)果暫存RAM指令【0xBEH】單片機發(fā)出并執(zhí)行讀中間結(jié)果暫存RAM指令0xBEH后，就可以從字節(jié)地址0開始，每次讀取一個字節(jié)，依次讀取中間結(jié)果暫存RAM的8個

13、字節(jié)中的數(shù)據(jù)。由于溫度值只保存在前面兩個字節(jié)中，所以實際讀取中只讀取兩個字節(jié)就可以了?？刂茰囟绒D(zhuǎn)換指令啟動溫度轉(zhuǎn)換指令【0x44H】本指令是啟動溫度轉(zhuǎn)換指令，轉(zhuǎn)換結(jié)束后的溫度值被存入中間結(jié)果暫存RAM的字節(jié)地址0（低8位）和字節(jié)地址1（高8位）中。然后就可以從中讀取溫度值了。DS18B20的通信規(guī)則僅用一條線通信的DS18B20的系統(tǒng)，在與微處理器通信時，其數(shù)據(jù)的傳輸規(guī)則不同于一般芯片，其數(shù)據(jù)傳輸規(guī)則的特殊性表現(xiàn)在每次操作都要按部就班的執(zhí)行以下四個步驟：第一步初始化DS18B20；第二步向DS18B20發(fā)送與64位光刻ROM相關(guān)的指令；第三步執(zhí)行與中間結(jié)果暫存RAM相關(guān)指令（包括控制溫度轉(zhuǎn)換指

14、令）；第四步是數(shù)據(jù)處理。以下針對主要的三個操作：讀取64位光刻ROM號碼操作，啟動DS18B20溫度轉(zhuǎn)換操作，讀取溫度操作，細化上述四個步驟。讀取64位光刻ROM號碼操作第一步：初始化DS18B20；第二步：單片機向DS18B20發(fā)送讀64位光刻ROM號碼指令0x33H；第三步：由于讀取64位光刻ROM號碼操作不涉及中間結(jié)果暫存RAM，此步驟就什么都不做；第四步：單片機從單總線上一位接著一位地讀取，共64位，得到64位光刻ROM號碼（注意：低位在前）。啟動DS18B20溫度轉(zhuǎn)換操作第一步：初始化DS18B20；第二步：單片機向DS18B20發(fā)送跳過64位光刻ROM號碼匹配指令0xCCH（假設(shè)只

15、有一片DS18B20掛接在總線上）；第三步：單片機向DS18B20發(fā)送啟動溫度轉(zhuǎn)換指令0x44H；第四步：本操作只啟動溫度轉(zhuǎn)換，無數(shù)據(jù)處理，故本步驟什么都不做。讀取溫度操作第一步：初始化DS18B20；第二步：單片機向DS18B20發(fā)送跳過64位光刻ROM號碼匹配指令0xCCH（假設(shè)只有一片DS18B20掛接在總線上）；第三步：單片機向DS18B20發(fā)送讀中間結(jié)果暫存RAM指令0xBEH；第四步：單片機從單總線上一位接著一位地讀取，連續(xù)讀取兩個字節(jié)的數(shù)據(jù)（低字節(jié)在前，高位在前），得到溫度值的低字節(jié)和高字節(jié)數(shù)據(jù)。此處還需要解釋說明兩點：1、DS18B20的操作時序很嚴格，特別是延時，要比較精確才

16、行。所以以上每一步驟后都緊跟一段延時，具體延時時間多長，后面的初始化、讀寫操作等時序會給出詳細說明。2、由于DS18B20是單總線的，只有一條線與單片機的一個I/O管腳相連接。初始化、指令數(shù)據(jù)、64位光刻ROM號碼、溫度值等等數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)中，有些是從單片機到DS18B20，有些是從DS18B20到單片機，但都是（也只能）借助這一條總線在傳輸，所以數(shù)據(jù)是在單片機與DS18B20之間一位一位地串行傳輸?shù)?。DS18B20的初始化、數(shù)據(jù)讀寫操作時序前面已經(jīng)提及，由于DS18B20是單總線的，所以其操作時序很嚴格，特別是延時，要比較精確才行。DS18B20的初始化DS18B20的初始化時序如圖11-8

17、所示。圖11-8 DS18B20的初始化時序DS18B20的初始化時序是：首先是單片機發(fā)送一低電平到單一數(shù)據(jù)總線上，將單總線拉低，拉低的時間至少是480s，但不能超過960s。實際中一般取750s左右；然后，單片機釋放單總線的控制權(quán)，轉(zhuǎn)而準備被動地去接收DS18B20發(fā)送來的數(shù)據(jù)。此時，焊接在單總線上5K的上拉電阻將單總線由低電平拉高到高電平，此電平從低到高的上升沿被DS18B20捕捉到以后，單總線轉(zhuǎn)而由DS18B20控制了；當DS18B20控制了總線時，在等待1560s以后，DS18B20將單總線再次拉低，作為向單片機做出的回應(yīng)，表明自己（DS18B20）已經(jīng)就緒，準備接收后續(xù)的指令等等。D

18、S18B20將單總線拉低的時間至少是60s，但不能超過240s。隨后，DS18B20釋放但總線，單總線上5K的上拉電阻再次將將單總線由低電平拉高到高電平。此時DS18B20的初始化完成。具體到程序設(shè)計時，可以簡化初始化過程。實現(xiàn)如下：首先，單片機發(fā)送一低電平到單一數(shù)據(jù)總線上，將單總線拉低，拉低的時間750s左右，這750s= 480s+40s+230s，其中480s是單片機將總線拉低所需的最少時間，40s是單片機釋放總線后DS18B20等待時間（大約），230s是DS18B20的反饋回應(yīng)的低電平時間。這樣處理的目的是忽略DS18B20的反饋回應(yīng)，改為延時處理，原因是單片機將總線拉低后，何時釋放

19、總線不太好把握，自然不太好確定何時接收DS18B20的反饋回應(yīng)的低電平，采用延時以后，至于單片機何時釋放總線、DS18B20等待多長時間、DS18B20發(fā)回應(yīng)低電平多長一段時間后又釋放總線，使總線又被上拉電阻拉高，這期間的細節(jié)可以不考慮。但這些過程結(jié)束后，單總線是高電平就行，所以進入下一步驟：拉高總線。然后，單片機發(fā)送一高電平到單一數(shù)據(jù)總線上，將單總線拉高，拉高的時間500s左右；單片機向DS18B20寫數(shù)據(jù) 單片機向DS18B20寫一位數(shù)據(jù)的時序圖如圖11-9所示。圖11-9 單片機向DS18B20寫一位數(shù)據(jù)的時序單片機向DS18B20寫一位數(shù)據(jù)的時序：首先，單片機將單總線拉低（延時時間小于

20、15s）然后，如果單片機向DS18B20寫的數(shù)是二進制數(shù)0，則單片機繼續(xù)將單總線拉低，讓DS18B20采樣當前單總線上的數(shù)據(jù)（低電平，即數(shù)據(jù)0），此總線拉低的延時時間最大45s，因為單片機向DS18B20寫一位數(shù)據(jù)的時間必須在60s內(nèi)完成；如果單片機向DS18B20寫的數(shù)是二進制數(shù)1，則單片機釋放總線，由外接上拉電阻將單總線拉高供DS18B20采樣當前單總線上的數(shù)據(jù)（高電平，即數(shù)據(jù)1）。實際編程中將上拉電阻拉高總線更改為單片機將單總線拉高，都是高電平，無所謂是誰拉高的。同樣，此拉高的延時時間最大也是45s，以此保證單片機向DS18B20寫一位數(shù)據(jù)的時間必須在60s內(nèi)；最后，單片機再次將單總線拉

21、高，準備下一位數(shù)據(jù)寫入DS18B20，一般在總線拉高后延時10s 左右。具體程序設(shè)計時，實現(xiàn)如下：單片機將單總線拉低，延時15s；如果寫0：單片機將單總線拉低，延時60s； 如果寫1：單片機將單總線拉高，延時40s；單片機將單總線拉高，延時10s；單片機從DS18B20讀數(shù)據(jù)單片機從DS18B20讀一位數(shù)據(jù)的時序如圖11-10所示。圖11-10 單片機從DS18B20讀一位數(shù)據(jù)的時序從圖11-10可以看到，單片機從DS18B20讀一位數(shù)據(jù)時序比較嚴格，留給單片機采樣窗口很窄，單片機從DS18B20讀取一位二進制數(shù)據(jù)的時間必須要控制在開始讀以后的15s以內(nèi)。具體分析如下：首先，單片機將單總線拉低

22、，拉低后的延時時間極短，一般在1s以內(nèi)；然后，單片機釋放單總線，由DS18B20將單總線拉低，或者由外接上拉電阻將單總線拉高，共單片機去采樣0或者1。需要強調(diào)的是：此時單總線被拉低或者拉高不是由單片機控制拉低或者拉高，單片機此時是讀取這些高低電平的。整個拉低或者拉高電平的持續(xù)時間只有15-2=13s左右，單片機此時應(yīng)抓緊時間去讀取，否則電平就要發(fā)生變化。具體程序設(shè)計時，實現(xiàn)如下：首先，單片機將單總線拉低，拉低后的延時時間極短，一般在1s以內(nèi)；然后，單片機將單總線拉高，這一點不是單片機從DS18B20讀一位數(shù)據(jù)的時序要求決定的，而是51單片機的I/O口在輸入數(shù)據(jù)前必須先寫1決定的。為了使單片機I

23、/O口讀取數(shù)據(jù)穩(wěn)定，此處一般延時8s左右；最后，單片機讀取單總線上的數(shù)據(jù)。11.3 DS18B20溫度傳感器測溫實例1功能要求：單片機與一片DS18B20連接，在1602液晶屏第一行顯示所測的溫度值（數(shù)據(jù)已處理過）及中間結(jié)果暫存RAM的字節(jié)地址0和字節(jié)地址1的溫度值（數(shù)據(jù)未處理），在1602液晶屏第二行顯示該片DS18B20的64位光刻ROM號碼。#include <reg51.h> #include <intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit RS=P20; sbit R

24、W=P21; sbit E=P22; sbit DQ=P23; uint temp; uchar wdL,wdH; static uchar sn8=0; uchar code b2hex="0123456789ABCDEF"/*void wrcmd1602(uchar cmd) uchar m; RW=0; RS=0; P1=cmd; for(m=0;m<=7;m+);/延時25us E=1; for(m=0;m<=7;m+);/延時25us E=0; void wrdata1602(uchar shuju) uchar m; RW=0; RS=1; P1=s

25、huju; for(m=0;m<=7;m+);/延時25us E=1; for(m=0;m<=7;m+);/延時25us E=0; void init1602(void) RW=0; E=0; wrcmd1602(0x38); wrcmd1602(0x0c); wrcmd1602(0x06); wrcmd1602(0x01); void disp1602(uchar x,uchar y,uchar ch) wrcmd1602(0x80+x*0x40+y); wrdata1602(ch);/*/void init18b20(void) uchar m; DQ=0; for(m=0;m

26、<=90;m+); /延時732us DQ=1; for(m=0;m<=65;m+); /延時532us void wrcmd18b20(uchar cmd18b20) bit sendbit; uchar i,m; for(i=1;i<=8;i+) sendbit=cmd18b20&0x01; cmd18b20=cmd18b20>>1; if(sendbit=0) DQ=0; for(m=0;m<=2;m+);/延時12us DQ=0; for(m=0;m<=20;m+); /延時66usDQ=1;for(m=0;m<=2;m+);/延

27、時12us else DQ=0; for(m=0;m<=1;m+);/延時9us DQ=1; for(m=0;m<=10;m+);/延時36us DQ=1;for(m=0;m<=1;m+);/延時9us bit rdbit18b20(void) uchar m; bit onebit; DQ=0; _nop_(); DQ=1; /單片機的I/O口要輸入，必須先寫入1 for(m=0;m<=1;m+);/延時9us onebit=DQ; for(m=0;m<=10;m+);/延時36us return(onebit);uchar rdbyte18b20(void)

28、uchar i,j; uint wenduzhi=0; for(i=1;i<=8;i+) j=rdbit18b20();wenduzhi=(j<<7)|(wenduzhi>>1); return(wenduzhi); void stconv18b20(void) uchar m,n; init18b20();for(m=0;m<=1;m+);/延時9uswrcmd18b20(0xCC);for(m=0;m<=1;m+);/延時9uswrcmd18b20(0x44);for(n=0;n<=250;n+) for(m=0;m<=250;m+);

29、for(n=0;n<=250;n+) for(m=0;m<=250;m+); /延時760ms uint rdwendu(void) init18b20(); wrcmd18b20(0xCC); wrcmd18b20(0xBE); wdL=rdbyte18b20(); wdH=rdbyte18b20(); temp=wdH; temp=temp<<8; temp=temp|wdL; temp=(uint)(float)temp*0.0625*10+0.5); return(temp); void rd18b20rom(void) uchar j; init18b20()

30、; wrcmd18b20(0x33); for(j=0;j<=7;j+) snj=rdbyte18b20(); _nop_(); /*/main() uint t,k; init1602(); rd18b20rom(); for(k=0;k<=7;k+) disp1602(1,2*k,b2hex(snk&0xf0)>>4); disp1602(1,2*k+1,b2hexsnk&0x0f); while(1) stconv18b20(); t=rdwendu(); disp1602(0,0,t/100+'0'); disp1602(0,1,

31、t/10%10+'0'); disp1602(0,2,'.'); disp1602(0,3,t%10+'0'); disp1602(0,5,39); disp1602(0,6,'C'); disp1602(0,14,b2hex(wdL&0xf0)>>4); disp1602(0,15,b2hexwdL&0x0f); disp1602(0,12,b2hex(wdH&0xf0)>>4); disp1602(0,13,b2hexwdH&0x0f); 11.4 DS18B20溫度傳感

32、器測溫實例2功能要求：單片機與四片DS18B20連接，在1602液晶屏第一行起始位置顯示“1：”，緊接著顯示第一片DS18B20所測溫度值，在1602液晶屏第一行中間位置起顯示“2：”緊接著顯示第二片DS18B20所測溫度值，在1602液晶屏第二行起始位置顯示“3：”，緊接著顯示第三片DS18B20所測溫度值，在1602液晶屏第二行中間位置起顯示“4：”緊接著顯示第四片DS18B20所測溫度值。#include <reg51.h> #include <intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned

33、 int sbit RS=P20; sbit RW=P21; sbit E=P22; sbit DQ=P23; uint temp; uchar wdL,wdH; uchar code sn8= 0x28,0x0D,0x3F,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x39, 0x28,0xE7,0x50,0x2C,0x03,0x00,0x00,0xA1, 0x28,0xB2,0x40,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x18, 0x28,0xD1,0x45,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x50; uchar code b2hex="0123456789ABCDE

34、F" /* void wrcmd1602(uchar cmd) uchar m; RW=0; RS=0; P1=cmd; for(m=0;m<=7;m+);/延時25us E=1; for(m=0;m<=7;m+);/延時25us E=0; void wrdata1602(uchar shuju) uchar m; RW=0; RS=1; P1=shuju; for(m=0;m<=7;m+);/延時25us E=1; for(m=0;m<=7;m+);/延時25us E=0; void init1602(void) RW=0; E=0; wrcmd1602(0

35、x38); wrcmd1602(0x0c); wrcmd1602(0x06); wrcmd1602(0x01); void disp1602(uchar x,uchar y,uchar ch) wrcmd1602(0x80+x*0x40+y); wrdata1602(ch); /*/void init18b20(void) uchar m; DQ=0; for(m=0;m<=90;m+); /延時732us DQ=1; for(m=0;m<=65;m+); /延時532us void wrcmd18b20(uchar cmd18b20) bit sendbit; uchar i,m

36、; for(i=1;i<=8;i+) sendbit=cmd18b20&0x01; cmd18b20=cmd18b20>>1; if(sendbit=0) DQ=0; for(m=0;m<=2;m+);/延時12us DQ=0; for(m=0;m<=20;m+); /延時66usDQ=1;for(m=0;m<=2;m+);/延時12us else DQ=0; for(m=0;m<=1;m+);/延時9us DQ=1; for(m=0;m<=10;m+);/延時36us DQ=1;for(m=0;m<=1;m+);/延時9us bi

37、t rdbit18b20(void) uchar m; bit onebit; DQ=0; _nop_(); DQ=1; for(m=0;m<=1;m+);/延時9us onebit=DQ; for(m=0;m<=10;m+);/延時36us return(onebit); uchar rdbyte18b20(void) uchar i,j; uint wenduzhi=0; for(i=1;i<=8;i+) j=rdbit18b20(); wenduzhi=(j<<7)|(wenduzhi>>1); return(wenduzhi); /*/void match18b20(uchar n) uchar i; init18b20(); wrcmd18b20(0x55); for(i=0;i<=7;i+) wrcmd18b20(snni); _nop_(); /* void stconv18b20(void) uchar m,n; init18b