項(xiàng)目一元器件識(shí)別與檢測(cè)

1、1模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)長(zhǎng)春職業(yè)技術(shù)學(xué)院長(zhǎng)春職業(yè)技術(shù)學(xué)院2緒緒 論論 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)是電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)、通信是電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)、通信工程專業(yè)、電子信息工程專業(yè)以及物理學(xué)專業(yè)本、專科的一工程專業(yè)、電子信息工程專業(yè)以及物理學(xué)專業(yè)本、?？频囊婚T(mén)重要的專業(yè)核心課，具有很強(qiáng)的綜合性、技術(shù)性和實(shí)用性。門(mén)重要的專業(yè)核心課，具有很強(qiáng)的綜合性、技術(shù)性和實(shí)用性。該課程的研究對(duì)象是電子元器件及其組成的電路（包括分立、該課程的研究對(duì)象是電子元器件及其組成的電路（包括分立、集成電路）。主要研究常用半導(dǎo)體器件、基本集成電路）。主要研究常用半導(dǎo)體器件、基本放大電路放大電路、多、多級(jí)級(jí)

2、放大電路放大電路、集成運(yùn)算、集成運(yùn)算放大電路放大電路、放大電路放大電路的頻率響應(yīng)、的頻率響應(yīng)、放放大電路大電路中的反饋、信號(hào)的運(yùn)算和處理、波形的發(fā)生和信號(hào)的中的反饋、信號(hào)的運(yùn)算和處理、波形的發(fā)生和信號(hào)的變換、功率變換、功率放大電路放大電路等內(nèi)容。模擬電路已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于國(guó)等內(nèi)容。模擬電路已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域并極大地促進(jìn)了相關(guān)領(lǐng)域的迅速發(fā)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域并極大地促進(jìn)了相關(guān)領(lǐng)域的迅速發(fā)展，特別是模擬電路中的新器件、新技術(shù)、新方法的廣泛應(yīng)展，特別是模擬電路中的新器件、新技術(shù)、新方法的廣泛應(yīng)用，使得電子測(cè)量和探索自然規(guī)律的實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)入了一個(gè)新用，使得電子測(cè)量和探索自然規(guī)律的實(shí)

3、驗(yàn)方法進(jìn)入了一個(gè)新階段，因此階段，因此模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)具有重要的地位和作用。具有重要的地位和作用。 3模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)與其他課程的聯(lián)系：與其他課程的聯(lián)系： 本課程的先修課程是普通物理、電路分析基礎(chǔ)等。本課程的先修課程是普通物理、電路分析基礎(chǔ)等。原子物理部分中的核外電子運(yùn)動(dòng)的規(guī)律、原子的能級(jí)、原子物理部分中的核外電子運(yùn)動(dòng)的規(guī)律、原子的能級(jí)、殼層結(jié)構(gòu)、能帶理論由普通物理講授，本課程在此基礎(chǔ)上進(jìn)殼層結(jié)構(gòu)、能帶理論由普通物理講授，本課程在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步研究半導(dǎo)體器件的原理和性能。一步研究半導(dǎo)體器件的原理和性能。電壓源、電流源、受控源等概念，基爾霍夫定律、疊加電壓源、電流

4、源、受控源等概念，基爾霍夫定律、疊加定理，戴維南定理和諾頓定理，以及定理，戴維南定理和諾頓定理，以及RC電路時(shí)間常數(shù)等概念電路時(shí)間常數(shù)等概念由電路分析基礎(chǔ)（電工學(xué)）講授，本課程應(yīng)用上述內(nèi)容分析由電路分析基礎(chǔ)（電工學(xué)）講授，本課程應(yīng)用上述內(nèi)容分析討論具體的電子電路等內(nèi)容。討論具體的電子電路等內(nèi)容。同步課程：數(shù)字電子技術(shù)（數(shù)字電路與邏輯設(shè)計(jì)）同步課程：數(shù)字電子技術(shù)（數(shù)字電路與邏輯設(shè)計(jì)）后續(xù)課程：微機(jī)原理、高頻電路等。后續(xù)課程：微機(jī)原理、高頻電路等。4課程教學(xué)目標(biāo)：課程教學(xué)目標(biāo)： 1、掌握模擬電路中的基本概念，電子元器件的功能和使用。、掌握模擬電路中的基本概念，電子元器件的功能和使用。2、掌握組成模

5、擬電路的各種單元電路（放大、振蕩等）的工作、掌握組成模擬電路的各種單元電路（放大、振蕩等）的工作原理、性能和特點(diǎn)。原理、性能和特點(diǎn)。3、掌握模擬電路的基本原理、基本分析方法和計(jì)算方法，例如、掌握模擬電路的基本原理、基本分析方法和計(jì)算方法，例如放大電路、反饋電路等基本分析方法，使學(xué)生具有一定的電放大電路、反饋電路等基本分析方法，使學(xué)生具有一定的電路分析、計(jì)算的能力。路分析、計(jì)算的能力。4、在實(shí)驗(yàn)技能方面，能比較熟練地掌握模擬電子電路常用測(cè)試、在實(shí)驗(yàn)技能方面，能比較熟練地掌握模擬電子電路常用測(cè)試儀器的使用方法與基本測(cè)試技術(shù)，對(duì)電子線路的基本單元電儀器的使用方法與基本測(cè)試技術(shù)，對(duì)電子線路的基本單元電

6、路具有初步設(shè)計(jì)、安裝和調(diào)試的能力。路具有初步設(shè)計(jì)、安裝和調(diào)試的能力。5、適當(dāng)引入近些年來(lái)電子技術(shù)的新器件、新技術(shù)、新方法，以、適當(dāng)引入近些年來(lái)電子技術(shù)的新器件、新技術(shù)、新方法，以利于學(xué)生了解電子技術(shù)的新發(fā)展，擴(kuò)展知識(shí)面，開(kāi)闊視野。利于學(xué)生了解電子技術(shù)的新發(fā)展，擴(kuò)展知識(shí)面，開(kāi)闊視野。5教學(xué)內(nèi)容與要求（教學(xué)內(nèi)容與要求（64學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)+實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)30學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）學(xué)分：學(xué)分：4+2 第一章第一章 常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件 （6學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)+習(xí)題課習(xí)題課2學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第二章第二章 基本放大電路基本放大電路 （10學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)+習(xí)題課習(xí)題課2學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第三章第三章 多級(jí)放大電路多級(jí)放大電路 （4學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第四

7、章第四章 集成運(yùn)算放大電路集成運(yùn)算放大電路 （2學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第五章第五章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) （4學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第六章第六章 放大電路中的反饋放大電路中的反饋 （8學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第七章第七章 信號(hào)的運(yùn)算和處理信號(hào)的運(yùn)算和處理 （8學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第八章第八章 波形的發(fā)生和信號(hào)的轉(zhuǎn)換波形的發(fā)生和信號(hào)的轉(zhuǎn)換 （8學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第九章第九章 功率放大電路功率放大電路 （4學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第十章第十章 直流電源直流電源 （4學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)）第十一章第十一章 模擬電子電路讀圖模擬電子電路讀圖 （2學(xué)時(shí)）學(xué)時(shí)） （了解）（了解）6參考書(shū)目參考書(shū)目n模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第三版）清華大學(xué)電子學(xué)教

8、研組編，（第三版）清華大學(xué)電子學(xué)教研組編，童詩(shī)白、華成英主編，高等教育出版社，童詩(shī)白、華成英主編，高等教育出版社，2001n模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)典型例題及習(xí)題解答典型例題及習(xí)題解答 王正奎編著王正奎編著 聊大聊大n模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)明教程模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)明教程華成英主編，清華大學(xué)出版社華成英主編，清華大學(xué)出版社2006n模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)明教程模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)明教程（第二版）清華大學(xué)電子學(xué)教研組（第二版）清華大學(xué)電子學(xué)教研組編，楊素行主編，高等教育出版社編，楊素行主編，高等教育出版社，1998n模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，華中理工大學(xué)電子學(xué)教研室編，陳大，華中理工大學(xué)電子學(xué)教研室編，陳大

9、欽主編，高等教育出版社，欽主編，高等教育出版社，2000n電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ)（模擬部分）第四版，華中理工大學(xué)電子學(xué)（模擬部分）第四版，華中理工大學(xué)電子學(xué)教研室編，康華光主編：高等教育出版社，教研室編，康華光主編：高等教育出版社，1999n模擬電子技術(shù)常見(jiàn)題型解析及模擬題模擬電子技術(shù)常見(jiàn)題型解析及模擬題張疇先張疇先 主編，西北工主編，西北工業(yè)大學(xué)出版社業(yè)大學(xué)出版社 7項(xiàng)目一項(xiàng)目一 元器件的識(shí)別與檢測(cè)元器件的識(shí)別與檢測(cè) 1.1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 1.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 1.3 雙極型晶體管雙極型晶體管 1.4 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管重點(diǎn)掌握：基本概念，晶體二極管的伏安特性

10、重點(diǎn)掌握：基本概念，晶體二極管的伏安特性及主要參數(shù)、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)管輸入、輸及主要參數(shù)、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)管輸入、輸出特性及主要參數(shù)。出特性及主要參數(shù)。不要將注意力過(guò)多放在管子內(nèi)部，而以理解外不要將注意力過(guò)多放在管子內(nèi)部，而以理解外特性為主。特性為主。81.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體的基本知識(shí)導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體：導(dǎo)體：容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體：絕緣體：幾乎不導(dǎo)電的物質(zhì)稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料幾乎不導(dǎo)電的物質(zhì)稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。和石英等。半導(dǎo)體：半導(dǎo)體：導(dǎo)電特性介于導(dǎo)體和絕緣

11、體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體導(dǎo)電特性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體, , 如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如：其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如： 當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯變化。當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯變化。 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使它的導(dǎo)電能力明顯往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使它的導(dǎo)電能力明顯改變。例如：室溫下，在純硅中參入百萬(wàn)分之一的硼，可以使改變。例如：室溫下，在純硅中參入百萬(wàn)分之一的硼，可以使

12、硅的導(dǎo)電能力提高硅的導(dǎo)電能力提高5050萬(wàn)倍。萬(wàn)倍。91.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)GeSi通過(guò)一定的工藝過(guò)程，可以將半導(dǎo)體制成通過(guò)一定的工藝過(guò)程，可以將半導(dǎo)體制成晶體晶體?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅(14)和鍺和鍺(32)，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體：純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體10在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)

13、原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子。，共用一對(duì)價(jià)電子。硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：11硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共價(jià)鍵共用電子對(duì)共用電子對(duì)+4+4+4+4+4+4表示除去表示除去價(jià)電子后的價(jià)電子后的正離子正離子形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。定結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。原子規(guī)則排列，

14、形成晶體。共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛束縛電子電子，常溫下束縛電子很難，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為脫離共價(jià)鍵成為自由電子自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。導(dǎo)電能力很弱。12二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理在絕對(duì)在絕對(duì)0度度（T=0K）和沒(méi)和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí)有外界激發(fā)時(shí), ,價(jià)電子完全被價(jià)電子完全被共價(jià)鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中共價(jià)鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒(méi)有可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即沒(méi)有可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即載流子載流子），它的導(dǎo)電能力

15、為），它的導(dǎo)電能力為 0，相當(dāng)于絕緣體。相當(dāng)于絕緣體。在常溫下，由于熱激發(fā)在常溫下，由于熱激發(fā), ,使一些價(jià)電子獲得足夠的能量使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自自由電子由電子，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為個(gè)空位，稱為空穴空穴。1.1.載流子、自由電子和空穴載流子、自由電子和空穴+4+4+4+4自由自由電子電子空穴空穴束縛電子束縛電子本征半導(dǎo)體中本征半導(dǎo)體中自由電子自由電子和和空穴空穴總是成對(duì)出現(xiàn)的，而且數(shù)量相總是成對(duì)出現(xiàn)的，而且數(shù)量相等，稱為等，稱為電子空穴對(duì)。電子空穴對(duì)。132.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+

16、4+4在電場(chǎng)力的作用下，自由電在電場(chǎng)力的作用下，自由電子作定向移動(dòng)，空穴也會(huì)吸子作定向移動(dòng)，空穴也會(huì)吸引附近的價(jià)電子來(lái)依次填補(bǔ)引附近的價(jià)電子來(lái)依次填補(bǔ),結(jié)果相當(dāng)于空穴也作定向移結(jié)果相當(dāng)于空穴也作定向移動(dòng)，而空穴的移動(dòng)相當(dāng)于正動(dòng)，而空穴的移動(dòng)相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此也可以認(rèn)電荷的移動(dòng)，因此也可以認(rèn)為空穴是為空穴是載流子載流子。自由電子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中如果與自由電子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中如果與空穴相遇就會(huì)填補(bǔ)空穴而消失空穴相遇就會(huì)填補(bǔ)空穴而消失,稱為稱為復(fù)合復(fù)合；在一定的溫度下，；在一定的溫度下，熱激發(fā)產(chǎn)生的自由電子與空穴熱激發(fā)產(chǎn)生的自由電子與空穴對(duì)，與復(fù)合的自由電子與空穴對(duì)，與復(fù)合的自由電子與空穴對(duì)數(shù)目相等，

17、故達(dá)到對(duì)數(shù)目相等，故達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度，在一定溫度下載流子的濃度，在一定溫度下,載流子的濃度是一定的，載流子的濃度是一定的，溫度溫度越高，載流子的濃度越高，越高，載流子的濃度越高，本本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：組成： 自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流，電流， 空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流自由電子自由電子和和空穴空穴都參與導(dǎo)電都參與導(dǎo)電141.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)

18、，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加了。雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加了。P 型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素(如硼如硼)構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。N 型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)元素在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)元素( (如磷如磷) )構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。15一、一、N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體多余電子因不受共價(jià)鍵的束縛成為多余電子因不受共價(jià)鍵的束縛成為自由電子自由電子，同時(shí)磷原子就成為同時(shí)磷原子就成為不能移動(dòng)的帶正電的離子，稱為不能移動(dòng)的帶

19、正電的離子，稱為施主原子。施主原子。另外另外N 型半導(dǎo)體中還有少量的空穴，其濃度遠(yuǎn)小于自由電子的濃型半導(dǎo)體中還有少量的空穴，其濃度遠(yuǎn)小于自由電子的濃度，所以把自由電子稱為度，所以把自由電子稱為多數(shù)載流子多數(shù)載流子，空穴稱為空穴稱為少數(shù)載流子，少數(shù)載流子，簡(jiǎn)簡(jiǎn)稱稱多子多子和和少子少子。在本征半導(dǎo)體中摻入在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)元素五價(jià)元素多余電子多余電子磷原子磷原子+N型硅表示型硅表示16二、二、P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體P 型半導(dǎo)體中空穴是型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子多數(shù)載流子，電子是電子是少少數(shù)載流子數(shù)載流子。當(dāng)附近硅原子的外層電子由于熱運(yùn)動(dòng)填補(bǔ)空穴時(shí)，硼原子成當(dāng)附近硅原子的外層電子由于熱運(yùn)動(dòng)填補(bǔ)空穴

20、時(shí)，硼原子成為不可移動(dòng)的負(fù)離子。硼原子稱為為不可移動(dòng)的負(fù)離子。硼原子稱為受主原子受主原子。在本征半導(dǎo)體中摻入在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素三價(jià)元素空穴空穴硼原子硼原子P型硅表示型硅表示17三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體雜質(zhì)雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子近似認(rèn)為多子濃度濃度與所摻雜質(zhì)濃度相等與所摻雜質(zhì)濃度相等。18一一. PN 結(jié)的形成結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上在同一片半導(dǎo)體基片上采用不同的摻

21、雜工藝分采用不同的摻雜工藝分別制造別制造P 型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N 型半導(dǎo)體，由于濃度的型半導(dǎo)體，由于濃度的不同，經(jīng)過(guò)載流子的不同，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)擴(kuò)散散，在它們的交界面處，在它們的交界面處就形成了就形成了PN 結(jié)。結(jié)。PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦越Y(jié)具有單向?qū)щ娦?.1.3 PN 結(jié)結(jié)19由于濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為由于濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在電場(chǎng)力的作用下，載流子的運(yùn)動(dòng)稱為在電場(chǎng)力的作用下，載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)。隨著擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，隨著擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，但有利于少子的漂移，當(dāng)擴(kuò)散的多子阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的

22、進(jìn)行，但有利于少子的漂移，當(dāng)擴(kuò)散的多子和漂移的少子數(shù)目相等時(shí)，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成和漂移的少子數(shù)目相等時(shí)，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成PN 結(jié)。結(jié)?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層。空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子。空間電荷區(qū)，也稱耗盡層。空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子。P 區(qū)中的電子和區(qū)中的電子和 N 區(qū)中的空穴（都是少子），數(shù)量有限，因區(qū)中的空穴（都是少子），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。此由它們形成的電流很小。201 1、PN 結(jié)正向偏置結(jié)正向偏置P P 正正N N 負(fù)負(fù), ,導(dǎo)通導(dǎo)通內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)變薄變薄+REPN+_內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，能夠形的擴(kuò)散加強(qiáng)，能夠形成較大的擴(kuò)散電流。成

23、較大的擴(kuò)散電流。二二. PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?12 2、PN 結(jié)反向偏置結(jié)反向偏置P負(fù)負(fù)N 正，截止正，截止內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)變厚變厚內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，多子的內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電只能形成較小的反向電流。流。+NP+_RE反向反向 飽和電流飽和電流22三、三、PN 結(jié)的電流方程結(jié)的電流方程)1(kTquSeIi)1(TUuSeIi由理論分析知由理論分析知，PN 結(jié)外加電壓結(jié)外加電壓 u 與流過(guò)的電流與流過(guò)的電流 i 的關(guān)系為：的關(guān)系為：其中其中, IS 為反向飽和電流，為反向飽和

24、電流，q為電子電量，為電子電量，k為為玻爾茲曼常數(shù)，玻爾茲曼常數(shù)，T為熱力學(xué)溫度。將為熱力學(xué)溫度。將 kT/q 用用 UT代代替，得：替，得：常溫下（常溫下（T=300K），）， UT26mV23四、四、PN 結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性UI正向特性正向特性（u0）反向特性反向特性（u0）反向擊穿部分反向擊穿部分PN 結(jié)處于反向偏置時(shí)，反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向結(jié)處于反向偏置時(shí)，反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象稱電流急劇增加，這種現(xiàn)象稱反向擊穿。反向擊穿。)1(TUuSeIi五、五、PN 結(jié)的電容效應(yīng)（了解）結(jié)的電容效應(yīng)（了解）在一定條件下，在一定條件下，PN 結(jié)具有電容效應(yīng)：

25、勢(shì)壘電容，擴(kuò)散電容結(jié)具有電容效應(yīng)：勢(shì)壘電容，擴(kuò)散電容241.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型：高頻、小功率整流高頻、小功率整流面接觸型面接觸型：整流：整流符號(hào)符號(hào)平面型平面型：大功率整流、開(kāi)關(guān)大功率整流、開(kāi)關(guān)1.2.1 二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)251.2.2 二極管的二極管的伏安特性伏安特性開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓Uon:硅管硅管0.5V，鍺管鍺管0.1V導(dǎo)通電壓導(dǎo)通電壓: 硅管硅管0.60.8V,鍺管鍺管0.10.3V反向擊穿反向擊穿電壓電壓UBR)1(TUuSeIiUI死區(qū)電壓死區(qū)電壓26

26、溫度對(duì)二極管伏安特性的影響溫度對(duì)二極管伏安特性的影響在室溫附近，在室溫附近，溫度溫度每升高每升高1，正向壓，正向壓降減小降減小2 22.5mV2.5mV，溫度每升高溫度每升高10，反向電流大約增大反向電流大約增大一倍。一倍。可見(jiàn)，可見(jiàn)，二極二極管的特性對(duì)溫度很管的特性對(duì)溫度很敏感。敏感。溫度升高，正向曲線左移，反向曲線下移。溫度升高，正向曲線左移，反向曲線下移。271.2.3 二極管的二極管的主要參數(shù)主要參數(shù) P151. 最大整流電流最大整流電流 IF二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。2. 最高反向工作電壓最高反向工作電壓U

27、R二極管工作時(shí)允許外加的最大反向電壓。通常二極管工作時(shí)允許外加的最大反向電壓。通常UR是擊穿是擊穿電壓電壓UBR的一半。的一半。3. 反向電流反向電流IR4. 最高工作頻率最高工作頻率 fM指二極管加反向電壓且未擊穿時(shí)的反向電流。指二極管加反向電壓且未擊穿時(shí)的反向電流。二極管工作的上限頻率。二極管工作的上限頻率。二極管的應(yīng)用：二極管的應(yīng)用：主要利用它的單向?qū)щ娦?，?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。主要利用它的單向?qū)щ娦?，?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。28 1. 理想模型理想模型3. 折線模型折線模型 2. 恒壓降模型恒壓降模型1.2.4 二極管的二極管的等效電路（等效模型）等效電路（等效模型）一一.

28、由伏安特性折線化得到的等效電路由伏安特性折線化得到的等效電路29若若RVI ，則，則DUV 若若RUVION則則ONDUURrUVIDON精確計(jì)算精確計(jì)算DIOUVU例：例： P17 UD=0.7VS斷開(kāi)時(shí)：斷開(kāi)時(shí)：D導(dǎo)通導(dǎo)通VVV3 . 57 . 06VVUO122S閉合時(shí)：閉合時(shí)：D截止截止30理想二極管：理想二極管：開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓=0 V，導(dǎo)通壓降，導(dǎo)通壓降=0 V。二極管：二極管：開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓=0 .5V，導(dǎo)通壓降，導(dǎo)通壓降 0.7V(硅二極管硅二極管)RLuiuouiuott1：二極管半波整流：二極管半波整流二極管應(yīng)用二極管應(yīng)用電路舉例：312、 二極管與門(mén)電路二極管與門(mén)電路0

29、V3VYABVCC=+5VD13k3kRD2&ABY=ABVAVBVY0V0V0V3V3V0V3V3V電壓功能表電壓功能表0.7V0.7V0.7V3.7V硅管硅管 UD=0.7V323 3、 二極管或門(mén)電路二極管或門(mén)電路0V3VABYDD12R3k3kABY=A+B11電壓功能表電壓功能表VAVBVY0V0V0V3V3V0V3V3V0V2.3V2.3V2.3V硅管硅管 UD=0.7V33二二. 二極管的微變等效電路二極管的微變等效電路當(dāng)二極管外加正向電壓時(shí)，當(dāng)二極管外加正向電壓時(shí)，將有一直流電流，用將有一直流電流，用 二極管特性二極管特性曲線上的點(diǎn)曲線上的點(diǎn)Q表示。表示。DDdiur

30、rd 稱為微變電阻稱為微變電阻二極管的動(dòng)態(tài)電阻可用右圖表示：二極管的動(dòng)態(tài)電阻可用右圖表示：DTIU若在若在Q點(diǎn)基礎(chǔ)上外加微小的變化量點(diǎn)基礎(chǔ)上外加微小的變化量,則可用以則可用以Q點(diǎn)為切點(diǎn)的直線來(lái)近似點(diǎn)為切點(diǎn)的直線來(lái)近似.即將二極管等效為一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻即將二極管等效為一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻rd 。34電路波形分析電路波形分析直流電壓源和交流電壓源直流電壓源和交流電壓源同時(shí)作用的二極管電路同時(shí)作用的二極管電路同學(xué)們可參看典型例題習(xí)題解答同學(xué)們可參看典型例題習(xí)題解答 上冊(cè)第一章例題。上冊(cè)第一章例題。V+ui-uD351.2.5 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管UIIZIZmax UZ IZ曲曲線線越越陡陡,電電壓壓越越穩(wěn)穩(wěn)定

31、定.UZ穩(wěn)壓二極管工作在二極管特性曲線的反向擊穿部分穩(wěn)壓二極管工作在二極管特性曲線的反向擊穿部分動(dòng)態(tài)電阻：動(dòng)態(tài)電阻：ZZIUZrrz 越小，穩(wěn)壓性能越小，穩(wěn)壓性能越好。越好。+-符號(hào)：符號(hào)：（IZmin）外接負(fù)載電阻外接負(fù)載電阻穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流36（2）穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZ、（3）額定功耗）額定功耗maxZZZMIUP穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù):P18-19（1）穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓 UZ（5）溫度系數(shù)溫度系數(shù) 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的系數(shù)。穩(wěn)壓值受溫度變化影響的系數(shù)。（4）動(dòng)態(tài)電阻）動(dòng)態(tài)電阻ZZIUZr37穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例：穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例：P20UoIZDZ

32、RILIRUIRL5mA2 5mA, V,6maxminZZZIIU如圖所示電路，穩(wěn)壓管的如圖所示電路，穩(wěn)壓管的輸入電壓輸入電壓UI=10V，負(fù)載電阻，負(fù)載電阻RL=600，求限流電阻求限流電阻R的取值的取值范圍范圍。解：解：LZZZILZZIRRRUIUUIIUUIU R II IZLR01.04600/6610ZZIIZIR-UUU ZOUU 38得得代代入入上上式式將將，mAImAIZZ25,5maxmin22701. 0005. 0401. 04minmaxRIR11401. 0025. 0401. 04maxminRIR限流電阻限流電阻R的取值范圍為的取值范圍為114 227 01.

33、04ZIR39一、一、 發(fā)光二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管有足夠大的正向電流流過(guò)時(shí)，發(fā)光二極管有足夠大的正向電流流過(guò)時(shí)，能發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光。能發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光。外形外形符號(hào)符號(hào)1.2.6 其它類型的二極管其它類型的二極管 P20 -2240二、二、 光電二極管光電二極管光電二極管是一種把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件，光電二極管是一種把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件，它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。IU照度增加照度增加41結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：1 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高2 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大3 基區(qū)很薄，

34、一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度最低基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度最低1.3 雙極型晶體管雙極型晶體管(半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管)1.3.1 基本結(jié)構(gòu)和類型基本結(jié)構(gòu)和類型晶體管的幾種常見(jiàn)外形晶體管的幾種常見(jiàn)外形由兩個(gè)由兩個(gè)PN 結(jié)背靠背組成結(jié)背靠背組成發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極基極基極發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū)集電區(qū)集電區(qū)42becNNP基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極NPN型型PNP集電極集電極基極基極發(fā)射極發(fā)射極bcePNP型型發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū)集電區(qū)集電區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)431.3.2 晶體管的電流放大作用晶體管的電流放大作用becNNPVBBRbIE基區(qū)空穴向

35、發(fā)射基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略區(qū)的擴(kuò)散可忽略IEP進(jìn)入進(jìn)入P P 區(qū)的電子少區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流復(fù)合，形成電流I IB B 多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏, ,發(fā)射發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流射極電流I IE E。一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)VCCRCICN從基區(qū)擴(kuò)從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電散來(lái)的電子作為少子作為少子，漂移子，漂移進(jìn)入集電進(jìn)入集電區(qū)被收集，區(qū)被收集，形成形成IC。集電結(jié)反偏，有少子集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流形成的反向電流 ICBOICBOIENIBNIC=IC

36、N+ICBOIB=IBN+IEP-ICBOIBIE=IEN+IEP44becNNPVBBRbIEIB進(jìn)入進(jìn)入P P 區(qū)的電子少區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流復(fù)合，形成電流I IB B 多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏, ,發(fā)射發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流射極電流I IE E。一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)VCCRCIC從基區(qū)擴(kuò)從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電散來(lái)的電子作為少子作為少子，漂移子，漂移進(jìn)入集電進(jìn)入集電區(qū)被收集，區(qū)被收集，形成形成IC。IEIBIE=IC+IBICBCII45二、晶體管的電流分

37、配關(guān)系二、晶體管的電流分配關(guān)系IC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP ICBO=IB- ICBOIE=IEN+IEPIE=IC+IB三、晶體管的共射電流放大系數(shù)三、晶體管的共射電流放大系數(shù)ICN 與與 IB 之比稱為之比稱為直流直流電流放大電流放大系數(shù)系數(shù)BCCBOBCBOCBCNIIIIIIIICEOBCBOBCIIIII1BCIIBEII146要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。在前面電路的基礎(chǔ)上，若有交流電壓在前面電路的基礎(chǔ)上，若有交流電壓U UI I 輸入，則在輸入，則在IB 的基礎(chǔ)上疊加動(dòng)態(tài)電流的基礎(chǔ)上疊加動(dòng)態(tài)電

38、流iB，在，在IC 的基礎(chǔ)上疊加動(dòng)態(tài)電流的基礎(chǔ)上疊加動(dòng)態(tài)電流iC， iC與與iB之比稱為交流電流放大系數(shù)：之比稱為交流電流放大系數(shù)：BCii在一定范圍內(nèi)在一定范圍內(nèi)47IBIEIC總結(jié)：總結(jié)：IEICIBIBIE=IC+IBBCIIBEII 1BCII481.3.3 晶體管的共射特性曲線晶體管的共射特性曲線iCmA AVVUCEUBERbiBVCCVBB 實(shí)驗(yàn)線路實(shí)驗(yàn)線路RCbBBBEBRiVuCCCCECRiVu49一、一、輸入特性曲線輸入特性曲線UCE 1VIB( A)UBE(V)204060800.40.8導(dǎo)通壓降：導(dǎo)通壓降：硅管硅管U UBE BE 0.60.8V,0.60.8V,鍺管

39、鍺管U UBE BE 0.10.3V0.10.3VUCE=0VUCE =0.5V開(kāi)啟電壓：開(kāi)啟電壓：硅管硅管0.5V0.5V，鍺管鍺管0.1V0.1V。常數(shù)CEUBEBufi50二、二、輸出特性曲線輸出特性曲線iC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A放大區(qū)放大區(qū)I IC C= =I IB B截止區(qū)截止區(qū),IB0,IC0常數(shù)BICECufi飽和區(qū)飽和區(qū)ICIBCCCCECRiVu臨界飽和臨界飽和UCE=UBEUBC=051輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn)輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn):(1) 截止區(qū)：截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏發(fā)射結(jié)反偏UBEUON , UCEUBE

40、IE=IC+IB， IC= IB , 且且 IC = IB(3) 飽和區(qū)：飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。UBEUON , UCE UBE IC IB，UCE 0.3V 臨界飽和時(shí)，臨界飽和時(shí)， UCE=UBE UBC=0倒置狀態(tài)倒置狀態(tài)（反偏狀態(tài)）：發(fā)射結(jié)反偏；（反偏狀態(tài)）：發(fā)射結(jié)反偏；集電結(jié)正偏。即集電結(jié)正偏。即c、e互換，互換，IE=IB， Ic=IE+IB,但是但是=0.010.02bec52例例1： =50， VCC =12V， Rb =70k ，RC =6k ，UBE=0.7V 分析分析VBB = -2V，2V，5V時(shí)晶體時(shí)晶體管的工作狀態(tài)。管的工作狀態(tài)。解

41、：解：當(dāng)當(dāng)VBB = -2V時(shí)：時(shí)：UBEVON，晶體管導(dǎo)通晶體管導(dǎo)通9mA01. 0707 . 02bBEBBBRUVI0.95mA9mA01050.IIBCmA2612maxCCCCRVIIC最大飽和電流：最大飽和電流：ICVON，晶體管導(dǎo)通晶體管導(dǎo)通mA2maxCIIC最大飽和電流：最大飽和電流：IC ICmax 工作在飽和區(qū)工作在飽和區(qū)。mA061. 0707 . 05bBEBBBRUVI5mA03mA061050.IIBCCCCCECRiVuVKV3 . 6mA05. 3612或者：假設(shè)工作在放大區(qū)或者：假設(shè)工作在放大區(qū)假設(shè)錯(cuò)誤，工作在飽和區(qū)假設(shè)錯(cuò)誤，工作在飽和區(qū)。541.3.4 晶

42、體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)共射直流電流放大倍數(shù)：共射直流電流放大倍數(shù)：BCII_工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在直流上工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在直流上的交流信號(hào)。基極電流的變化量為的交流信號(hào)。基極電流的變化量為 IB，相應(yīng)的集相應(yīng)的集電極電流變化為電極電流變化為 IC，則交流電流放大倍數(shù)為：則交流電流放大倍數(shù)為：BiiC1. 電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)和和 _例：例：UCE=6V時(shí)時(shí)：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006. 05 . 13 . 2BCii在以后的計(jì)

43、算中，一般在以后的計(jì)算中，一般作近似處理：作近似處理： =3 .3806. 03 . 2_BCII552.集集- -基極反向飽和電流基極反向飽和電流ICBOICBO是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)反偏由少子的漂移形是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的成的反向飽和電流。反向飽和電流。受溫度變化的影響較大。受溫度變化的影響較大。 AICBO563. 基極開(kāi)路時(shí)基極開(kāi)路時(shí), ,集集- -射極間的穿透電流射極間的穿透電流ICEObecNNPICBOICEO= IBP+ICBO =(1+ ) ICBO IBP IBPICBO進(jìn)入進(jìn)入N區(qū)，區(qū)，形成形成IBP根據(jù)放大關(guān)系，根據(jù)放大關(guān)系，由于由于IBP的存在的

44、存在, ,必有電流必有電流 IBP。集電結(jié)反集電結(jié)反偏有偏有ICBOICEO受溫度影響很大受溫度影響很大, ,當(dāng)溫度上升時(shí)，當(dāng)溫度上升時(shí)，ICEO增加很快，所以增加很快，所以IC也也相應(yīng)增加。相應(yīng)增加。三極管的三極管的溫度特性較差溫度特性較差。574.集電極最大電流集電極最大電流ICM集電極電流集電極電流IC大到一定程度時(shí)，會(huì)導(dǎo)致三極管大到一定程度時(shí)，會(huì)導(dǎo)致三極管的的 值下降，當(dāng)值下降，當(dāng) 值下降到正常值的三分之二時(shí)的集值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為電極電流即為ICM。5.反向擊穿電壓反向擊穿電壓UCBO：發(fā)射極開(kāi)路時(shí)：發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極集電極- -基極間的反向擊穿電壓基極間的反向

45、擊穿電壓UCEO：基極開(kāi)路時(shí)集電極：基極開(kāi)路時(shí)集電極- -發(fā)射極間的反向擊穿電壓發(fā)射極間的反向擊穿電壓UEBO：集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極：集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓基極間的反向擊穿電壓586. 集電極最大允許功耗集電極最大允許功耗PCM集電極電流集電極電流IC 流過(guò)三極管所流過(guò)三極管所產(chǎn)生的功耗為產(chǎn)生的功耗為PC =ICUCEPC太大必定導(dǎo)太大必定導(dǎo)致結(jié)溫上升致結(jié)溫上升,所所以以PC 有限制。有限制。PC PCMICUCEPCM=ICUCE=常數(shù)常數(shù)ICMU(BR)CEO安全工作區(qū)安全工作區(qū)591.3.5 溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響1、對(duì)、對(duì)ICBO的影響

46、：的影響：溫度升高，溫度升高， ICBO增大增大2、對(duì)輸入特性的影響、對(duì)輸入特性的影響3、對(duì)輸出特性的影響、對(duì)輸出特性的影響60由由PNP型三極管組成的基本放大電路：型三極管組成的基本放大電路：ICIBVCCRbVBBcbeRCIEICU CE0UBEIB電源電壓為負(fù)。同樣具有三個(gè)區(qū)：電源電壓為負(fù)。同樣具有三個(gè)區(qū)：放大區(qū)放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏飽和區(qū)飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)，集電結(jié)均正偏發(fā)射結(jié)，集電結(jié)均正偏截止區(qū)：截止區(qū)： |UBE| VONPNP特特性性曲曲線線611.3.6 光電三極管光電三極管光電三極管根據(jù)光照的強(qiáng)度來(lái)控制集電極電流的大小光電三極管根據(jù)光照的強(qiáng)度來(lái)控制集

47、電極電流的大小光電三極管的等效電路、符號(hào)和外形光電三極管的等效電路、符號(hào)和外形62光電三極管的輸出特性曲線光電三極管的輸出特性曲線631.4 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，它僅靠多數(shù)載流子導(dǎo)回路電流的一種半導(dǎo)體器件，它僅靠多數(shù)載流子導(dǎo)電電,又稱單極型晶體管。又稱單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管不但具有雙極型晶體管體積小、重量輕、場(chǎng)效應(yīng)管不但具有雙極型晶體管體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且具有壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且具有輸入阻抗高、噪聲低、熱輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、能耗低穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、能耗低