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文檔簡介
1、一. 填空題(30分)1. 電力電子技術學科是由 , , 構成的交叉學科。電力技術,電子技術,控制技術2. 電力變換的基本類型為 , , , 。交流-直流變換,直流-交流變換,直流-直流變換,交流-交流變換3. 開關型電力電子變換器有 , 兩大類應用領域。開關型電力電子變換電源,開關型電力電子補償控制器4. P型半導體中主要的導電載流子是 ,少數(shù)的導電載流子是 。空穴,電子5. N型半導體中主要的導電載流子是 ,少數(shù)的導電載流子是 。電子,空穴6. 一個電力二極管的額定電流為100A,則其允許通過的正弦半波電流幅值為 ,允許通過任意波形電流的有效值為 。314A,157A7. 一個晶閘管的額定
2、電流為100A,則其允許通過的正弦半波電流幅值為 ,允許通過任意波形電流的有效值為 。314A,157A8. 雙極結型電力晶體管安工作原理的不同可以分為 , 兩類。雙極結型晶體管,場效應晶體管9. 按控制方式分類,雙極結型晶體管屬 型控制器件,場效應晶體管屬 型控制器件。電流,電壓10. 場效應晶體管正常工作時,參與導電的載流子只有一種, 或者 。電子,空穴11. 雙極結型晶體管正常工作時,參與導電的載流子只有兩種, 和 。電子,空穴12. 電力晶體管正常工作時,其開通時間和關斷時間越短,在開關過程中其功耗就 ,并且可以在更高 下工作。 越小,頻率13. 場效應晶體管有三個電極,它們分別是柵極
3、, 和 。漏極,源極14. P型場效應晶體管是單極型器件,其導電溝道N中導電的載流子是 ;并且其通態(tài)導電時等效電阻具有 的溫度系數(shù),電流既有 的溫度系數(shù)。正,負15. 雙結型電力晶體管是雙極型器件,其通態(tài)導電時等效電阻具有 的溫度系數(shù),電流既有 的溫度系數(shù)。負,正16. IGBT是三端口器件,具有三個電極,它們分別是門極, 和 。發(fā)射極,集電極17. LC濾波器的電感L對交流高頻電壓和電流呈高 ,對直流暢通 ;LC濾波器的電容C對交流高頻電流阻抗很 ,對直流電流阻抗為 。阻抗,無阻;很小,無限大18. 逆變器按逆變結構的不同,可分為單相半橋,單相全橋, 和 逆變器。推挽式,三相橋式19. 整流
4、器按控制原理的不同可分為 和 。相控整流,高頻PWM整流20. 單相橋式全控整流電路的控制角的取值范圍為 ,導通角的取值范圍為 。0-,-21. 三相橋式全控整流電路的控制角的取值范圍為 ,導通角的取值范圍為 。0-120,-22. 晶閘管作開關器件的交流/交流變換器可分為兩大類,分別為 和 。相控直接變換器,交流斬波調(diào)壓器23. 對于控制系統(tǒng)與主電路之間的電氣隔離,可以通過 和 來實現(xiàn)。脈沖變壓器,光電耦合器24. 電力電子變換與控制系統(tǒng)在運行不正常時會發(fā)生過電流,在這里過電流會在 和 兩種情況下發(fā)生。過載,短路25. P-MOSFET器件的通態(tài)電阻具有 溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用;IGBT器件
5、的通態(tài)電阻具有 溫度系數(shù),也易于并聯(lián)使用。正,負26. 濾波器可分為輸入濾波器, 和 三種。輸出濾波器,中間濾波器27. 根據(jù)濾波器處理對象的不同,可分為, 和 兩種。電壓濾波器,電流濾波器28. UPS按工作方式的不同可分為在線雙變換式, 和 三種。后備式,在線互動式29. 補償控制器按接入電網(wǎng)方式的不同,可分為 和 兩種。串聯(lián)補償控制器,并聯(lián)補償控制器30. 補償控制器中按開關元件的不同,可分為 和 補償控制器。晶閘管相控型,高頻開關PWM全控型1.電力變換通??煞譃?, , , 四類。2.具有自關斷能力的電力電子器件主要有 管、 管和 管。3.按電力電子器件被控制電路信號所控制的程度,可
6、將電力電子器件分為 , ,以及全控型器件三類。4.電力電子器件按內(nèi)部載流子參與導電的情況,可分為單極型器件, , 三類。5.功率開關管的損耗主要包括兩方面。一方面是 ;另一方面是 ;當電路工作頻率很高的時候還要考慮 損耗。6.單相半波可控整流電路的晶閘管控制角移相范圍為 , 晶閘管控制角為 時整流輸出電壓平均值最大。7.斬波電路可有三種控制方式,分別為混合型調(diào)制, , 。8.根據(jù)載波和信號波是否同步及載波比的變化情況,PWM調(diào)制方式可分為 , 兩種。1. 交流變直流;交流變交流;直流變直流;直流變交流。2. IGBT;MOSFET;GTO;GTR等。3. 半控型器件;不可控器件。4. 雙極型器
7、件;復合型器件。5. 通態(tài)損耗;斷態(tài)損耗;開關損耗。6. 180o;0。7. 脈沖寬度調(diào)制;頻率調(diào)制。8. 同步調(diào)制;異步調(diào)制。1.交流變直流被稱為 , 直流變交流被稱為 。2.IGBT是三端口器件,具有柵極, , 。3.電力電子器件在實際應用中,一般由 , 和以電力電子器件為核心的主電路組成一個系統(tǒng)。4.根據(jù)驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間有效信號的波形,可將電力電子器件分為 , 兩類。5.晶閘管是三端口器件,具有陽極, , 。6.整流電路按組成器件可分為不可控, , 三種。7.電力電子裝置中可能發(fā)生的過電壓分為 , 兩類。8.一般而言,換流方式可分為 , , , 四種。9.根據(jù)電
8、路中主要的開關元件是零電壓開通還是零電流關斷,可以將軟開關電路分為 , 兩類。 1. 整流;逆變。 2. 集電極;發(fā)射極。3. 控制電路;驅(qū)動電路。 4. 脈沖觸發(fā)型;電平控制型。5. 陰極;門極。 6. 半控;全控。7. 外因過電壓;內(nèi)因過電壓。 8. 器件換流;電網(wǎng)換流;負載換流;強迫換流。9. 零電壓電路;零電流電路。二. 簡答題(15分)1. 什么是電壓型逆變電路?什么是電流型逆變電路? 直流側是電壓源的稱為電壓型逆變電路,直流側是電流源的稱為電流型逆變電路。2. 什么是異步調(diào)制?什么是同步調(diào)制?載波信號和調(diào)制信號不保持同步的調(diào)制方式為異步調(diào)制;載波比為常數(shù),且變頻時使載波信號和調(diào)制信
9、號保持同步的調(diào)制方式為同步調(diào)制。3. 信息電子技術中半導體器件工作在什么狀態(tài),電力電子技術中半導體器件工作在什么狀態(tài)。信息電子技術中半導體器件工作在放大及開關狀態(tài);電力電子技術中半導體器件工作在開關狀態(tài)。4. 電力二極管的單向?qū)щ娦灾傅氖鞘裁?電力二極管的單向?qū)щ娦灾傅氖钱旊娏ΧO管的PN結外加陽極正向偏置電壓時,表現(xiàn)為正向?qū)ǎ实妥钁B(tài);當電力二極管的PN結外加陽極反向偏置電壓時,表現(xiàn)為反向截止,呈高阻態(tài)。5. 試簡要說明晶閘管導通的條件,怎樣才能使晶閘管由導通變?yōu)殛P斷。在晶閘管陽極與陰極之間外加一定正向偏置電壓的條件下,在其門極外加觸發(fā)電流高于擎住電流時導通;在晶閘管陽極與陽極之間外加一定
10、正向偏置電壓的條件下,在其門極外加觸發(fā)電流低于最小維持電流時關斷,或者去掉陽極與陽極之間的正向偏置電壓也能使其關斷。6. 什么叫電導調(diào)制效應。 對于場效應晶體管,通過改變其柵極和源極之間外加電壓的大小,從而控制漏極電流的控制作用,叫做電導調(diào)制效應。三. 作圖題(15分)1.畫出下列元件的圖形符號: (1)GTO (2)IGBT (3) SCR (4)雙向SCR (5)MOSFET(N) (2)整流二極管 (2)逆導晶閘管 (3)電力晶體管 (4)光控晶閘管 (5) P型MOSFET 2.畫出三相半波可控整流電路帶電阻負載,當時,試畫出電壓波形及電路原理圖。 2.畫出單相半波可控整流電路帶電阻負
11、載,當時,試畫出電壓波形及電路原理圖。 四. 填空題(40分)1. 如下圖所示,圖中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試分別計算各波形的電流平均值Id和電流有效值I。 圖 1 圖 22.如圖3所示單相橋式全控整流電路,U2=100伏,負載R=2歐,L值極大,當控制角時,試求: (1)畫出ud,id和i2的波形;(2)求整流輸出平均值電壓Ud。電流Id以及變壓器二次電流有效值I2。3.如圖4所示的升壓斬波電路,已知E=50伏,R=25歐,L值與C值都極大。采用PWM控制方式,當T=50us,ton=30us時,試計算輸出電壓平均值Uo和輸出電流平均值Io。 圖
12、3 圖 41.解:1). 2). 2.解:1). 2).Ud= 0.9U2cosa= 0.9*100*cos60o= 45(伏). Id= Ud/ R= 45/2 =22.5 (安).I2= Id=Ud/ R= 45/2 =22.5 (安).3.解:1). Uo = (E*T)/ toff=(50*50) / 20= 125(伏).2). Io = Uo/R = 125/ 25= 5(安).1.如下圖所示,圖中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試分別計算各波形的電流平均值Id和電流有效值I。(15分) 圖 1 圖 22.如圖3所示單相橋式全控整流電路,U2=200伏,負載R=70歐,L值極大,反電動勢E=20伏,當控制角時,試求: (1)畫出ud,id和i2的波形;(2)求整流輸出平均值電壓Ud。電流Id以及變壓器二次電流有效值I2。3.如圖4所示的降壓斬波電路,已知E=200伏,R=10歐,L值極大,Em=50伏。采用PWM控制方式,當T=40us,ton=20us時,試計算輸出電壓平均值Uo和輸出電流平均值Io。 圖3 圖 4 1.解:1). 2). 2.解
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