氣隙位置對電感參數(shù)的影響及改進_第1頁
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1、氣隙位置對電感參數(shù)的影響及改進除了用鐵粉芯作磁芯的電感外，一般電感（Flyback變壓器為耦合電感）。氣隙的位置對電感參數(shù)有較大影響，下面基于有限元計算對此問題進行分析并給出一種新結構之磁芯。 為方便起見，從一EE型的Flyback變壓器開始分析，其內(nèi)部磁場分為如下幾個部分：主磁通，旁路磁通及擴散磁通 電感器的損耗由旁路磁通及擴散磁通引起。由于主磁通與線圈平面平行（假定線圈為銅箔且沒有端部效應），它不會引入電流密度J的變化，從而不影響線圈內(nèi)電流的分布，此時線圈內(nèi)電流由線圈自己決定。但旁路磁通與擴散磁通深入線圈，使鐵芯窗口內(nèi)的磁場分布不再均勻，從而引起電流的重新分布，使電流集中在某一處。 如果，

2、我們以氣隙至磁軛的距離與磁芯中柱高度之比（hg/h）為變量，可得出氣隙在不同位置時電感器損耗變化圖如下： 由此圖可知，氣隙在中間時損耗最小，在兩端時損耗最大，差別可達100%。這也就是我們通常EE Core用得比EI Core多的一個原因吧！ 有沒有辦法將氣隙優(yōu)化且工藝方便？答案是肯定的： 在以上影響電感損耗的兩部分磁通中，擴散磁通與氣隙形狀有關，與位置關系不大，當然當它在兩端時由于磁路長度發(fā)生一定變化，還是有所變化的。為簡化問題，此部分以后再作詳細討論。那么，就只有旁路磁通的影響了。通過下面的分析，可以得出，旁路磁通的大小是與磁芯高度方向上的平均磁壓降密切相關的。當氣隙處于中間與兩端時，磁壓分布如下圖所示： 圖a中的平均磁壓降為IN/2，b為IN/4。 假定旁路磁通與底邊平行，又由于B=dU*u0/w，可知，a中的磁密必定大于b中的磁密，磁場方向與線圈垂直。 下面是損耗與平均磁壓降的關系： 可得出磁壓降越低，損耗越低的結論。 由此，如果我們可以將磁壓降降得更低，就可得到損耗更低的電感！ 由于它將氣隙交錯布置，使磁壓降在高度方向上出現(xiàn)二次轉(zhuǎn)折，僅

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