LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)需要考慮這幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)

1、LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)需要考慮這幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)LED電流的大小直接影響著使用壽命，建議降額使用， 因此盡量控制小點(diǎn)，特別是 LED散熱效果不好的話，LED一 定要留足余量。LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)需要考慮這幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：一、LED電流大小LED電流的大小直接影響著使用壽命，建議降額使用， 因此盡量控制小點(diǎn)，特別是 LED散熱效果不好的話，LED一 定要留足余量。二、芯片發(fā)熱 這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA 300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗 為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。 驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來自 于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡單的計(jì)算公式為I = cvf （考慮 充電

2、的電阻效益，實(shí)際I = 2cvf ,其中c為功率MOS管的cgs 電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的 功耗，必須想辦法降低 c、v和f ,如果c、v和f不能改變， 那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引 入額外的功耗。三、功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注 意，大多數(shù)場合特別是 LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大 于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以 下幾個(gè)方面解決：1、 不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，因 為內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如 1N

3、60的cgs為250pF 左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左 右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。2、剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動(dòng)能力了，這里只談?lì)l率 的影響。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時(shí)，首 先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。不過要注意，當(dāng)頻率降 低時(shí)，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者 電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。如果電感飽和電流夠大，可以考慮將CC（連續(xù)電流模式）改變成DCM （非連續(xù)電流模式），這樣就需要增加一個(gè)負(fù)載電容了。四、工作頻率降頻這個(gè)也是用戶在調(diào)試過程中比較常見的現(xiàn)象，降頻主要 由兩個(gè)方面導(dǎo)致。輸

4、入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾 大。對(duì)于前者，注意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高，雖然負(fù)載電壓高，效率會(huì)高點(diǎn)。對(duì)于后者，可以嘗試以下幾個(gè)方面：1、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn)；2、布線干凈點(diǎn)，特別是 sense這個(gè)關(guān)鍵路徑；3、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感；4、 加RC低通濾波吧，這個(gè)影響有點(diǎn)不好，C的一致性 不好，偏差有點(diǎn)大，不過對(duì)于照明來說應(yīng)該夠了。無論如何 降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。五、電感或者變壓器的選擇多用戶反映，相同的驅(qū)動(dòng)電路，用a生產(chǎn)的電感沒有問題，用b生產(chǎn)的電感電流就變小了。遇到這種情況，要看看 電感電流波形。有的工程師沒有注意到這個(gè)現(xiàn)象，直接調(diào)節(jié) sense電阻或者工作頻率達(dá)到需要的電流，這樣做可能會(huì)嚴(yán) 重影響LED的使用壽命。所以說，在設(shè)計(jì)前，合理的計(jì)算是必須的，如果理論計(jì) 算的參數(shù)和調(diào)試參數(shù)差的有點(diǎn)遠(yuǎn)，要考慮是否降頻和變壓器 是否飽和。變壓器飽和時(shí)