二極管三極管場效應管試題_第1頁
二極管三極管場效應管試題_第2頁
二極管三極管場效應管試題_第3頁
免費預覽已結(jié)束,剩余1頁可下載查看

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、半導體器件測試題一、填空(40分)1、純凈的半導體稱為 ,它的導電能力很 _。在純凈的半導體中摻入少量的價元素,可形成P型半導體,又稱型半導體,其中多數(shù)載流子為,少數(shù)載流子為。2、如圖,這是 材料的二極管的 曲線,在正向電壓超過 V 后,二極管開始導通,這個電壓稱為 _ 電壓。正常導通后,此管的正向壓降約 為V。當反向電壓增大到V時,即稱為電壓。其中穩(wěn)壓管一般工作在區(qū)。,具體指:給二極管加 電壓,二極管導通;3、二極管的重要特性是 給二極管加電壓,二極管截止。兩種類型,4、 二極管的主要參數(shù)有 、和。5、 晶體三極管是控制器件。三極管按材料分為和而每一種又有 和兩種結(jié)構(gòu)形式。6、三極管有放大作

2、用的外部條件是發(fā)射結(jié) ,集電結(jié) 。工作在飽和區(qū)時發(fā)射結(jié)偏;集電結(jié)_偏。7、三極管的輸出特性可分三個區(qū)域,當三極管工作于 時,lc=0 ;當三極管工作于 區(qū)時,關(guān)系式lc= 3 lb才成立;當三極管工作在 區(qū)時Vce 0。8、 三極管的電流分配關(guān)系是 。9、 場效應管是利用電壓來控制電流大小的半導體器件。10、 場效應管的轉(zhuǎn)移特性曲線是指在一定的 下,和之間的關(guān)系。場應管的輸出特性曲線劃分為 、和三個區(qū)。、判斷題( 14 分)1、 ()將P型半導體和N型半導體簡單的接觸并連在一起,就會形成PN結(jié)。2、 ( )P型半導體帶正電,N型半導體帶負電。3、()硅的導通電壓為 0.3V,鍺的導通電壓為 0

3、.7V。4、( )二極管在使用中必須防止進入電擊穿區(qū)而燒壞二極管。5、( )二極管只要加上了正向電壓,就一定能導通。6、( )三極管的中 ICEO 的值體現(xiàn)了溫度穩(wěn)定性,越大說明三極管熱穩(wěn)定性越高。7、( )對于三極管來說,只要發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏就工作在放大狀態(tài)。8、( )三極管可以用兩個二極管來替代。9、( )三極管有放大作用,把基極能量放大成集電極電流輸出。10、( )硅三極管比鍺三極管穩(wěn)定。11、( )場效應管是電流控制型器件。12、( )結(jié)型場效應管可分為增強型與耗盡型兩種。13、()場效應管的跨導反映了厶 Vgs對厶Id的控制能力。14、( )開啟電壓 VT 是耗盡型場效應管和重要

4、參數(shù)。三、選擇題( 26 分)1、 半導體的導電能力()。A.與導體相同B.與絕緣體相同C.介乎導體和絕緣體之間2、 當溫度升高時,半導體的導電能力將()。A.增強B 減弱C.不變3、P型半導體中空穴數(shù)量遠比電子多得多,因此該半導體應()。A.帶正電B.帶負電C.不帶電4、將PN結(jié)加適當?shù)恼螂妷?,則空間電荷區(qū)將()。A.變寬B.變窄C.不變5、 電路如圖所示 ,所有二極管均為理想元件,則D1 、 D2 、 D3 的工作狀態(tài)為()A.D1導通,D2、D3截止B.D1、D2截止,D3導通0V LQ 12VDiR3Vd3-D26、二極管的死區(qū)電壓隨環(huán)境溫度的升高而()。A.增大B.不變C.減小7、

5、測 得電路中工作在放大區(qū)的某晶體管三個極的電位分別為0V、0.7V和4.7V,則該管為()。A.NPN型鍺管 B.PNP型鍺管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管8、工作在放大狀態(tài)的晶體管,各極的電位應滿足()。A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏B.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏C.發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均反偏D.發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏9、某效應管的符號如圖所示,則該場效應管應為()。A.P溝道耗盡型B.P溝道增強型C.N溝道增強型 10、某場效應管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示,則此場效應管為()A.絕緣柵N溝道耗盡型B.絕緣柵P溝道耗盡型C.絕緣柵N溝道增強型gs/V常數(shù)C.防止漏、源極間造成短路,ICBO, U BE 的變化情況11、在焊接場效應管時,電烙鐵需要有外接地線或先斷電后再快速焊接,其原因是()A.防止過熱燒壞B.防止柵極感應電壓過高而造成擊穿 12、晶體管參數(shù)受溫度影響較大,當溫度升高時,晶體管的c.和Ube減小,Icbo增大d. , Icbo , Ube都增大四、分析計算題(22分)1、如圖,Vi、V2為理想二極管。分析ViV2狀態(tài)求Vab ( 5分)Vi12VV21K6V2、圖中,V為硅二極管。求 S分別與A、B接通時V的狀態(tài)和Vmn的值(5 分)*T10V10V1、3、判斷圖示三極管的工作狀態(tài)。(6分)4、場效應管的轉(zhuǎn)移特性

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論