化學(xué)成長(zhǎng)記2130

1、化學(xué)成長(zhǎng)記（21）晶體與非晶體1、晶體：把內(nèi)部 在空間按照一定規(guī)律做周期性排列構(gòu)成的固體物質(zhì)叫晶體。2、按照構(gòu)成晶體微粒間的作用不同，將晶體分為： 晶體、 晶體、 晶體、 晶體。注：晶體不一定都具有規(guī)則的幾何外形如K2Cr2O4粉末 具有規(guī)則的幾何外形的固體不一定是晶體，如玻璃、塑料 石墨是混合晶體。3、自范性： 4、各向異性： 5、晶體具有 的熔沸點(diǎn)；晶體具有能使X-射線產(chǎn)生 的現(xiàn)象6、晶體與非晶體對(duì)比 晶體非晶體自范性各向異性是否有固定熔點(diǎn)是否產(chǎn)生X-射線衍射練習(xí)：下列關(guān)于晶體的說法中，不正確的是（ ）A凡具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體B晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的基本單元C晶體內(nèi)部粒子按一定規(guī)律周

2、期性重復(fù)排列D晶體盡量采用緊密堆積方式，以使其變得比較穩(wěn)定化學(xué)成長(zhǎng)記（22）晶胞1、晶胞： 2、一般說來，晶胞都是 ，它在晶體 排列。3、均攤法頂 點(diǎn)徹面棱心底面棱心面 心體 心正三棱柱化學(xué)成長(zhǎng)記（23）分子晶體1、 分子晶體： 2、分子晶體構(gòu)成微粒 ；微粒間作用力 或 ；3、分子晶體的物理性質(zhì)：具有較 的熔沸點(diǎn)、較 的揮發(fā)性和較 的硬度。常見的分子晶體 4、若分子間作用力只是 ，則分子采取 堆積，每一個(gè)分子周圍緊鄰有 個(gè)分子，晶胞名稱為 。例如CO2；如果分子間還存在氫鍵，由于氫鍵具有 ，必然要對(duì)晶體構(gòu)型產(chǎn)生影響，如干冰。在干冰晶體中，每個(gè)水分子周圍只有 個(gè)緊鄰的水分子，在四面體中心的每個(gè)水

3、分子與四面體頂角的水分子相吸引，這一排列使冰晶體中水分子利用率 ，留有相當(dāng)大的 ，故密度比水小。5、在干冰晶胞中，每一個(gè)CO2分子周圍，離該分子最近且距離相等的CO2分子有 個(gè)，每一個(gè)晶胞平均有 個(gè)CO2分子；每個(gè)水分子與 個(gè)水分子形成氫鍵，平均每個(gè)水分子能形成 個(gè)氫鍵。6、分子晶體熔沸點(diǎn)高低比較規(guī)律：1）分子晶體分子間作用力越大，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越 ，反之越 ；2）具有 的分子晶體，熔沸點(diǎn)反常地高，例如：H2OH 2S；3）組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，若相對(duì)分子質(zhì)量越 則分子間作用力越 ，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。4）、對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)不相同的物質(zhì)，則比較熔沸點(diǎn)高低的方法：先比較狀態(tài) ；看是否有 ；比較分子

4、量 ；再看是否有極性，若極性越 ?；瘜W(xué)成長(zhǎng)記（24）原子晶體晶體類型原子晶體分子晶體概念構(gòu)成微粒微粒間的作用晶體類型熔沸點(diǎn)硬度溶解性導(dǎo)電性熔化時(shí)破壞的作用力實(shí)例練習(xí)：金剛石的晶胞中每一個(gè)碳被 個(gè)碳原子包圍，碳原子采取 雜化，以共價(jià)鍵形成 ；晶體中C原子C-C鍵數(shù)目之比為 ，金剛石中最小的碳環(huán)由 個(gè)碳原子構(gòu)成且不在同一平面上；而SiO2中Si 原子與Si-O鍵之比為 最小由 構(gòu)成?；瘜W(xué)成長(zhǎng)記（25）金屬晶體1、金屬晶體： ，構(gòu)成微粒 、微粒間的作用力為 。在金屬晶體中有陽(yáng)離子沒有 ，因而含有陽(yáng)離子的晶體中不一定含有 。用 理論可以解釋金屬的 性、 性、 性以及具有金屬光澤。2、金屬晶體物理性質(zhì)特

5、點(diǎn)：熔沸點(diǎn)一般較 、硬度較 、具有良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和延展性。3、金屬原子在二維空間有兩中放置方式，分別為 、 其配位數(shù)分別為 、 ；在三維空間又有哪四種堆積 、 、 、 。4、金屬的四種堆積模型對(duì)比：堆積模型代表空間利用率配位數(shù)晶胞非密置層簡(jiǎn)單立方Po型 體心立方K型 密置層立方密堆Mg型 面心密堆Cu型 化學(xué)成長(zhǎng)記（26）離子晶體1、離子晶體： ，構(gòu)成微粒為 ，微粒間的作用力為 ，離子晶體中不一定含有金屬元素，例如 ，離子晶體中一定含有 鍵，同時(shí)有陽(yáng)離子的晶體不一定是 晶體，也可能是 晶體。2、 典型的離子晶體的比較晶體類型NaCl型CsCl型CaF2型ZnS型晶 胞 配位數(shù)每個(gè)離子周圍

6、相同的離子數(shù)Na+ 個(gè)Na+Cl- 個(gè)Cl-Cs+ 個(gè)Cs+Cl- 個(gè)Cl-Ca2+ Ca2+F- 個(gè)F-Zn2+ Zn2+S2- 個(gè)S2-3、晶格能： ，最能體現(xiàn)離子晶體 性的數(shù)據(jù)，一般晶格能越大，形成的離子晶體就越 ，熔點(diǎn)越高硬度就越 。4、影響因素：離子半徑 離子電荷 5、配位數(shù)： ；決定因素：幾何因素 ；電荷因素 。化學(xué)成長(zhǎng)記（27）幾種晶體熔沸點(diǎn)對(duì)比晶體類型熔沸點(diǎn)比較的方法分子晶體分子晶體熔化時(shí)只克服分子間的作用力，分子間的作用力越 ，熔沸點(diǎn)越 。若組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體 ；若組成和結(jié)構(gòu)不同的分子晶體 原子晶體原子晶體熔化時(shí)克服共價(jià)鍵，共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越 鍵能則越 ；晶體的熔沸點(diǎn)越 。例

7、如：金剛石金剛砂（SiC）晶體硅晶體鍺金屬晶體金屬晶體熔化時(shí)克服金屬鍵，若金屬原子的價(jià)電子越 離子的半徑越 ，則金屬鍵越 ，晶體的熔沸點(diǎn)越 。例如：LiNa，NaMgAl。離子晶體離子晶體熔化時(shí)克服離子鍵，陰陽(yáng)離子電荷數(shù)越 ，離子半徑越 ，金屬鍵越 ，晶體的熔沸點(diǎn)越 例如：MgONaCi ，KFKClKBrKI?；瘜W(xué)成長(zhǎng)記（28）分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成微粒間作用力作用力強(qiáng)弱強(qiáng)弱判斷熔沸點(diǎn)硬度導(dǎo)熱、電性溶解性機(jī)械加工（填良、不良）延展性舉例化學(xué)成長(zhǎng)記（29）按要求完成下面各題：1、按能級(jí)組順序?qū)懗鰳?gòu)造原理：1S 2S 2P 2、按能層順序?qū)懗鰳?gòu)造原理：1S 2S 2P 3、比較下面

8、多電子原子軌道的能量高低(用、=或連接)1）1S 3d 2) 3S 3P 3d 3) 2P 3P 4P 4) 3Px 3Py 3Pz4、寫出下列原子的核外電子排布式：21Sc 23V 24Cr 25Mn 26Fe 29Cu 30Zn 33As 35Br 36Kr 化學(xué)成長(zhǎng)記（30）1、能量最低原理：原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，簡(jiǎn)稱能量最低原理。2、構(gòu)造原理（略）3、泡利原理 4、洪特規(guī)則 洪特規(guī)則的特例：當(dāng)同一能級(jí)上的電子排布為 充滿（p6、d10、f14）、 充滿（p3、d5、f7）、 空（p0、d0、f0）時(shí)，具有較低的能量和較大的穩(wěn)定性。5、以下列出的是一些

9、原子的2p能級(jí)和3d能級(jí)中電子排布的情況。試判斷，哪些違反了泡利不相容原理，哪些違反了洪特規(guī)則。(1) (2) (3) (4) (5)違反泡利不相容原理的有 ，違反洪特規(guī)則的有 。6、基態(tài)碳原子的核外電子排布為1s22s22p2,p軌道上電子排布方式正確的為 （ ）A B C D化學(xué)成長(zhǎng)記（31）下面是元素周期表的框架，完成下面問題：1）在上圖中正確標(biāo)出周期數(shù)及族序數(shù)符號(hào)2）在金屬與非金屬的分界線兩旁正確書寫出對(duì)應(yīng)元素的名稱3）在上表中方框中填寫第四周期各元素的名稱4）將上表正確分區(qū)并填入表內(nèi)5）正確書寫各區(qū)元素外圍電子排布式化學(xué)成長(zhǎng)記（32）1、在酸性高錳酸鉀溶液中滴入H2C2O4(草酸)溶

10、液，觀察到的現(xiàn)象是 ；離子反應(yīng)方程式為 ，剛開始反應(yīng)慢，后突然加快，是什么原因 ；若減小草酸濃度，反應(yīng)速率會(huì) 2、 向盛有Na2S2O3溶液的試管中滴加稀硫酸，觀察到的現(xiàn)象是 ；化學(xué)反應(yīng)方程式為 3、 Fe3+的檢驗(yàn)方法 Fe2+的檢驗(yàn)方法 若要檢驗(yàn)Fe3+和Fe2+混合液中的Fe2+方法為 若向FeCl3溶液中滴加KSCN溶液，溶液變?yōu)?色，該反應(yīng)體系中存在的平衡是 ，若將上述溶液分為四份編號(hào)為1、2、3、4，向其分別加飽和FeCl3溶液、加KSCN溶液、加KCl固體、加Fe粉后，現(xiàn)象依次為 、 、 、 化學(xué)成長(zhǎng)記（33）在中和熱的測(cè)定實(shí)驗(yàn)中：1）在該實(shí)驗(yàn)中，使用到的玻璃儀器有 種，分別是

11、；2）若大燒杯上如不蓋上硬紙板，測(cè)得的中和熱偏 若用環(huán)形玻璃攪拌棒攪拌時(shí)不慎將碎紙片弄濕，測(cè)得的中和熱偏 實(shí)驗(yàn)中若該用60ml0.5mol/L的鹽酸和50ml 0.55 mol/L的氫氧化鈉溶液進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)際測(cè)出的熱比中和熱偏 ，而中和熱數(shù)值 （填“偏大”“偏小”“不變”）當(dāng)溫度低于10時(shí)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果會(huì)產(chǎn)生比較大的誤差，此時(shí)是偏 ，為什么 化學(xué)成長(zhǎng)記（34）1、將少量無色的無水硫酸銅晶體于一試管中，用蒸餾水溶解溶液呈藍(lán)色，有關(guān)離子方程式為 ，指出Cu(H2O)42+中存在那些作用力 ；向盛有硫酸銅溶液的試管中加氨水，現(xiàn)象為 ，有關(guān)離子方程式為 ，若繼續(xù)滴加氨水，現(xiàn)象為 ，有關(guān)離子方程式為 ；若加

12、入極性較小的乙醇溶劑，現(xiàn)象為 ，該晶體的化學(xué)式為 。2、在氯化鈉溶液中加如少量的硝酸銀溶液，現(xiàn)象為 ，有關(guān)離子方程式為 ，若繼續(xù)滴加氨水，現(xiàn)象為 ，有關(guān)離子方程式為 ，最后加入適量的稀硝酸，現(xiàn)象為 ，有關(guān)離子方程式為 ，試比較H2O、H+、Ag+與NH3結(jié)合能力的大小順序 。3、在硝酸銀溶液中加入氨水至過量，現(xiàn)象為先 后 ，有關(guān)離子方程式為 ， 化學(xué)成長(zhǎng)記（35）下面措施會(huì)對(duì)水的電離產(chǎn)生什么樣的影響？請(qǐng)?zhí)顚懴旅娴谋砀駜?nèi)容平衡移動(dòng)的方 向C(H+)變化C(OH-)變化C(H+)與C(OH-)的關(guān)系溶液的酸堿性Kw的變 化升 溫加入少量硫酸加少量的NaOH(s)加少量的NH4Cl(s)加少量的Na

13、Ac(s)加少量的Na化學(xué)成長(zhǎng)記（36）化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的方向1、焓判據(jù) 多數(shù)反應(yīng)是自發(fā)反應(yīng)，如 ，也有一些吸熱反應(yīng)也是自發(fā)的，如 ；2、熵 ，熵判據(jù) ，熵增： 序變 序的過程。熵值的大小判斷：氣體 液體 固體，與 成正比3、復(fù)合判據(jù)在一定條件下，一個(gè)化學(xué)反應(yīng)能否自發(fā)進(jìn)行，既與反應(yīng) 有關(guān)，又與 有關(guān)。G= 若H0、 S0 反應(yīng)；若H0、S0 反應(yīng)若H0、S0 反應(yīng)；若H0、S0 反應(yīng)化學(xué)成長(zhǎng)記（37）1、第一電離能 比較下面元素第一電離能的大?。篖i、Be、B、C、N、O、F、Ne： ，同一周期元素，稀有氣體第一電離能最 ，其中IIA IIIA、VA VIA2、電負(fù)性 ，隨著原子序數(shù)的遞增，元素原

14、子的電負(fù)性呈現(xiàn) 周期性變化，周期表從左往右，元素電負(fù)性逐漸變 ，周期表從上往下，元素電負(fù)性逐漸變 。4、 填寫出下面元素電負(fù)性數(shù)值：F 、O 、N 、C 、H Cl 、S 、Al 、Si 、Li 化學(xué)成長(zhǎng)記（38）常見的等電子體類 型實(shí) 例空 間 構(gòu) 型雙原子10電子等電子體N2直線形三原子16電子等電子體CO2直線形三原子18電子等電子體NO2-V形四原子24電子等電子體NO3-平面三角形五原子48電子等電子體SiF4正四面體（4個(gè)6鍵）化學(xué)成長(zhǎng)記（39）1、價(jià)層電子對(duì)互斥理論價(jià)層電子對(duì)互斥理論基本內(nèi)容1）價(jià)層電子對(duì)包括 和 ，由于它們間相互排斥作用盡可能彼此遠(yuǎn)離；2）當(dāng)中心原子的價(jià)電子部分參與成