單相全控橋式晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)阻感性負(fù)載

1、目 錄摘要11 前言12 系統(tǒng)方案及主電路設(shè)計(jì)22.1 方案選擇22.2 系統(tǒng)流程框圖42.3 主電路的設(shè)計(jì)42.3.1 整流電路及波形圖42.3.2 工作原理52.3.3 整流電路的參數(shù)計(jì)算62.4 晶閘管元件的選擇72.5 性能指標(biāo)分析93 觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)94 保護(hù)電路的設(shè)計(jì)104.1 保護(hù)電路的論證與選擇114.2 過(guò)流保護(hù)114.3 過(guò)壓保護(hù)13心得體會(huì)16參考文獻(xiàn)17致謝18摘要：整流電路技術(shù)在工業(yè)生產(chǎn)上應(yīng)用極廣。如調(diào)壓調(diào)速直流電源、電解及電鍍的直流電源等。1前言2 系統(tǒng)方案及主電路設(shè)計(jì)2.1 方案選擇我們知道，單相整流電路形式是各種各樣的，可分為單相橋式相控整流電路和單相橋式半控整

2、流電路，整流的結(jié)構(gòu)也是比較多的。因此在做設(shè)計(jì)之前我們主要考慮了以下幾種方案：方案一：?jiǎn)蜗鄻蚴桨肟卣麟娐冯娐泛?jiǎn)圖如下： 圖1 單相橋式半控整流電路對(duì)每個(gè)導(dǎo)電回路進(jìn)行控制，相對(duì)于全控橋而言少了一個(gè)控制器件，用二極管代替，有利于降低損耗！如果不加續(xù)流二極管，當(dāng)突然增大至180°或出發(fā)脈沖丟失時(shí)，由于電感儲(chǔ)能不經(jīng)變壓器二次繞組釋放，只是消耗在負(fù)載電阻上，會(huì)發(fā)生一個(gè)晶閘管導(dǎo)通而兩個(gè)二極管輪流導(dǎo)通的情況，這使成為正弦半波，即半周期為正弦，另外半周期為為零，其平均值保持穩(wěn)定，相當(dāng)于單相半波不可控整流電路時(shí)的波形，即為失控。所以必須加續(xù)流二極管，以免發(fā)生失控現(xiàn)象。方案二：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣麟娐冯娐泛?jiǎn)

3、圖如下：圖 2單相橋式全控整流電路 此電路對(duì)每個(gè)導(dǎo)電回路進(jìn)行控制，無(wú)須用續(xù)流二極管，也不會(huì)失控現(xiàn)象，負(fù)載形式多樣，整流效果好，波形平穩(wěn)，應(yīng)用廣泛。變壓器二次繞組中，正負(fù)兩個(gè)半周電流方向相反且波形對(duì)稱，平均值為零，即直流分量為零，不存在變壓器直流磁化問(wèn)題，變壓器的利用率也高。 方案三：?jiǎn)蜗喟氩煽卣麟娐罚弘娐泛?jiǎn)圖如下： 圖 3 單相半波可控整流電路此電路只需要一個(gè)可控器件，電路比較簡(jiǎn)單，VT的a 移相范圍為180°0。但輸出脈動(dòng)大，變壓器二次側(cè)電流中含直流分量，造成變壓器鐵芯直流磁化。為使變壓器鐵心不飽和，需增大鐵心截面積，增大了設(shè)備的容量。實(shí)際上很少應(yīng)用此種電路。 方案四：?jiǎn)蜗嗳?/p>

4、可控整流電路：電路簡(jiǎn)圖如下：圖 4 單相全波可控整流電路此電路變壓器是帶中心抽頭的，結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，只要用2個(gè)可控器件，單相全波只用2個(gè)晶閘管，比單相全控橋少2個(gè)，因此少了一個(gè)管壓降，相應(yīng)地，門極驅(qū)動(dòng)電路也少2個(gè)，但是晶閘管承受的最大電壓是單相全控橋的2倍。不存在直流磁化的問(wèn)題，適用于輸出低壓的場(chǎng)合作綜上所述，針對(duì)他們的優(yōu)缺點(diǎn)，我們采用方案二，即單相橋式全控整流電路。 2.2 系統(tǒng)流程框圖根據(jù)方案選擇與設(shè)計(jì)任務(wù)要求，畫(huà)出系統(tǒng)電路的流程框圖如圖5所示。整流電路主要由驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和整流主電路組成。根據(jù)設(shè)計(jì)任務(wù)，在此設(shè)計(jì)中采用單相橋式全控整流電路帶阻感性負(fù)載。輸入過(guò)電流保護(hù)整流主電路過(guò)電壓保護(hù)驅(qū)

5、動(dòng)觸發(fā)電路輸出圖 5 系統(tǒng)流程框圖2.3 主電路的設(shè)計(jì)2.3.1 整流電路及波形圖圖 6 單相橋式全控整流電路圖（阻感負(fù)載）2OwtOwtOwtudidi2OwtOwtuVT1,4OwtOwtIdIdIdIdIdiVT2,3iVT1,4u工作原理： 在電源電壓正半周期間，VT1、VT2承受正向電壓，若在時(shí)觸發(fā)，VT1、VT2導(dǎo)通，電流經(jīng)VT1、負(fù)載、VT2和T二次側(cè)形成回路，但由于大電感的存在，過(guò)零變負(fù)時(shí)，電感上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)使VT1、VT2繼續(xù)導(dǎo)通，直到VT3、VT4被觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)，VT1、VT2承受反相電壓而截止。輸出電壓的波形出現(xiàn)了負(fù)值部分。在電源電壓負(fù)半周期間，晶閘管VT3、VT4承受正向

6、電壓，在時(shí)觸發(fā)，VT3、VT4導(dǎo)通，VT1、VT2受反相電壓截止，負(fù)載電流從VT1、VT2中換流至VT3、VT4中在時(shí)，電壓過(guò)零，VT3、VT4因電感中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)一直導(dǎo)通，直到下個(gè)周期VT1、VT2導(dǎo)通時(shí)，VT3、VT4因加反向電壓才截止。值得注意的是，只有當(dāng)時(shí)，負(fù)載電流才連續(xù)，當(dāng)時(shí)，負(fù)載電流不連續(xù)，而且輸出電壓的平均值均接近零，因此這種電路控制角的移相范圍是。整流電路的參數(shù)計(jì)算1）整流輸出電壓的平均值可按下式計(jì)算 = （公式1）當(dāng)=0時(shí)，取得最大值,即= 0.9 。從=100可以而得出=90V，=90o時(shí)，=0。角的移相范圍為90o。2）整流輸出電壓的有效值為= =100V （公式2）3）

7、整流電流的平均值和有效值分別為 （公式3） （公式4）4)在一個(gè)周期內(nèi)每組晶閘管各導(dǎo)通180°，兩組輪流導(dǎo)通，變壓器二次電流是正、負(fù)對(duì)稱的方波，電流的平均值和有效值相等，其波形系數(shù)為1。流過(guò)每個(gè)晶閘管的電流平均值和有效值分別為： （公式5） （公式6）5)晶閘管在導(dǎo)通時(shí)管壓降=0,故其波形為與橫軸重合的直線段；VT1和VT2加正向電壓但觸發(fā)脈沖沒(méi)到時(shí)，VT3、VT4已導(dǎo)通，把整個(gè)電壓加到VT1或VT2上，則每個(gè)元件承受的最大可能的正向電壓等于;VT1和VT2反向截止時(shí)漏電流為零，只要另一組晶閘管導(dǎo)通，也就把整 個(gè)電壓加到VT1或VT2上，故兩個(gè)晶閘管承受的最大反向電壓也為。2.4晶閘

8、管元件的選擇由于單相橋式全控整流帶電感性負(fù)載主電路主要元件是晶閘管，所以選取元件時(shí)主要考慮晶閘管的參數(shù)及其選取原則。1).晶閘管的主要參數(shù)如下：額定電壓UTn通常取UDRM和URRM中較小的，再取靠近標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級(jí)作為晶閘管型的額定電壓。在選用管子時(shí)，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的23倍，以保證電路的工作安全。晶閘管的額定電壓 UTn （23）UTM （公式7）UTM ：工作電路中加在管子上的最大瞬時(shí)電壓 額定電流IT(AV) IT(AV) 又稱為額定通態(tài)平均電流。其定義是在室溫40°和規(guī)定的冷卻條件下，元件在電阻性負(fù)載流過(guò)正弦半波、導(dǎo)通角不小于170°的電路中，結(jié)溫不超過(guò)

9、額定結(jié)溫時(shí)，所允許的最大通態(tài)平均電流值。將此電流按晶閘管標(biāo)準(zhǔn)電流取相近的電流等級(jí)即為晶閘管的額定電流。要注意的是若晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間遠(yuǎn)小于正弦波的半個(gè)周期，即使正向電流值沒(méi)超過(guò)額定值，但峰值電流將非常大，可能會(huì)超過(guò)管子所能提供的極限，使管子由于過(guò)熱而損壞。在實(shí)際使用時(shí)不論流過(guò)管子的電流波形如何、導(dǎo)通角多大，只要其最大電流有效值ITM ITn ,散熱冷卻符合規(guī)定，則晶閘管的發(fā)熱、溫升就能限制在允許的范圍。ITn ：額定電流有效值，根據(jù)管子的IT(AV) 換算出，IT(AV) 、ITM ITn 三者之間的關(guān)系： （公式8） （公式9）波形系數(shù)：有直流分量的電流波形，其有效值與平均值之比稱為該波形的波

10、形系數(shù)，用Kf表示。 （公式10）額定狀態(tài)下， 晶閘管的電流波形系數(shù) （公式11）= （公式12）晶閘管承受最大電壓為考慮到2倍裕量，取300V。晶閘管的選擇原則：、所選晶閘管電流有效值ITn 大于元件 在電路中可能流過(guò)的最大電流有效值。、 選擇時(shí)考慮（1.52）倍的安全余量。即ITn 0.707IT(AV) （1.52）ITM （公式13）因?yàn)?則晶閘管的額定電流為=10A(輸出電流的有效值為最小值，所以該額定電流也為最小值)考慮到2倍裕量,取20A.即晶閘管的額定電流至少應(yīng)大于20A.在本次設(shè)計(jì)中我選用4個(gè)KP20-4的晶閘管.、 若散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí)，則元件的額定電流應(yīng)降低使用。

11、通態(tài)平均管壓降 UT(AV) 。指在規(guī)定的工作溫度條件下，使晶閘管導(dǎo)通的正弦波半個(gè)周期內(nèi)陽(yáng)極與陰極電壓的平均值，一般在0.41.2V。 維持電流IH 。指在常溫門極開(kāi)路時(shí)，晶閘管從較大的通態(tài)電流降到剛好能保持通態(tài)所需要的最小通態(tài)電流。一般IH值從幾十到幾百毫安，由晶閘管電流容量大小而定。 門極觸發(fā)電流Ig 。在常溫下，陽(yáng)極電壓為6V時(shí)，使晶閘管能完全導(dǎo)通所需的門極電流，一般為毫安級(jí)。 斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。在額定結(jié)溫和門極開(kāi)路的情況下，不會(huì)導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的最大正向電壓上升率。一般為每微秒幾十伏。 通態(tài)電流臨界上升率di/dt。在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的最大通態(tài)電流上升率。

12、若晶閘管導(dǎo)通時(shí)電流上升太快，則會(huì)在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)，有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過(guò)熱而損壞晶閘管。2.5性能指標(biāo)分析整流電路的性能常用兩個(gè)技術(shù)指標(biāo)來(lái)衡量：一個(gè)是反映轉(zhuǎn)換關(guān)系的用整流輸出電壓的平均值表示；另一個(gè)是反映輸出直流電壓平滑程度的，稱為紋波系數(shù)。1)整流輸出電壓平均值= （公式14）2)紋波系數(shù)紋波系數(shù)用來(lái)表示直流輸出電壓中相對(duì)紋波電壓的大小，即 （公式15）3觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)晶閘管觸發(fā)主要有移相觸發(fā)、過(guò)零觸發(fā)和脈沖列調(diào)制觸發(fā)等。觸發(fā)電路對(duì)其產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖要求： 觸發(fā)信號(hào)可為直流、交流或脈沖電壓。 觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的功率（觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流）。由閘管的門極伏安特性曲線可

13、知，同一型號(hào)的晶閘管的門極伏安特性的分散性很大，所以規(guī)定晶閘管元件的門極阻值在某高阻和低阻之間，才可能算是合格的產(chǎn)品。晶閘管器件出廠時(shí)，所標(biāo)注的門極觸發(fā)電流Igt、門極觸發(fā)電壓U是指該型號(hào)的所有合格器件都能被觸發(fā)導(dǎo)通的最小門極電流、電壓值，所以在接近坐標(biāo)原點(diǎn)處以觸發(fā)脈沖應(yīng)一定的寬度且脈沖前沿應(yīng)盡可能陡。由于晶閘管的觸發(fā)是有一個(gè)過(guò)程的，也就是晶閘管的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間。只有當(dāng)晶閘管的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到晶閘管的掣住電流以上時(shí)，晶閘管才能導(dǎo)通，所以觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的寬度才能保證被觸發(fā)的晶閘管可靠的導(dǎo)通，對(duì)于電感性負(fù)載，脈沖的寬度要寬些，一般為0.5-1MS，相當(dāng)于50HZ、18度電度角。為了

14、可靠地、快速地觸發(fā)大功率晶閘管，常常在 觸發(fā)脈沖的前沿疊加上一個(gè)觸發(fā)脈沖。 觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的寬度，脈沖的前沿盡可能陡，以使元件在觸發(fā)導(dǎo)通后，陽(yáng)極電流能迅速上升超過(guò)掣住電流而維持導(dǎo)通。觸發(fā)脈沖的寬度要能維持到晶閘管徹底導(dǎo)通后才能撤掉，晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的幅值要求是：在門極上施加的觸發(fā)電壓或觸發(fā)電流應(yīng)大于產(chǎn)品提出的數(shù)據(jù)，但也不能太大，以防止損壞其控制極，在有晶閘管串并聯(lián)的場(chǎng)合，觸發(fā)脈沖的前沿越陡越有利于晶閘管的同時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通。 觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽(yáng)極電壓同步，脈沖移相范圍必須滿足電路要求。例如單相全控橋式整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，要求觸發(fā)脈沖的移項(xiàng)范圍是0度-180度，帶大電感負(fù)載時(shí)，要求移項(xiàng)范圍

15、是0度-90度；三相半波可控整流電路電阻性負(fù)載時(shí)，要求移項(xiàng)范圍是0度-90度。觸發(fā)脈沖與主電路電源必須同步。為了使晶閘管在每一個(gè)周期都以相同的控制角被觸發(fā)導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖必須與電源同步，兩者的頻率應(yīng)該相同，而且要有固定的相位關(guān)系，以使每一周期都能在同樣的相位上觸發(fā)。觸發(fā)電路同時(shí)受控于電壓Uc與同步電壓Us控制。4保護(hù)電路的設(shè)計(jì)4.1 保護(hù)電路的論證與選擇電力電子系統(tǒng)在發(fā)生故障時(shí)可能會(huì)發(fā)生過(guò)流、過(guò)壓，造成開(kāi)關(guān)器件的永久性損壞。過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)包括器件保護(hù)和系統(tǒng)保護(hù)兩個(gè)方面。檢測(cè)開(kāi)關(guān)器件的電流、電壓，保護(hù)主電路中的開(kāi)關(guān)器件，防止過(guò)流、過(guò)壓損壞開(kāi)關(guān)器件。檢測(cè)系統(tǒng)電源輸入、輸出及負(fù)載的電流、電壓，實(shí)時(shí)保護(hù)

16、系統(tǒng)，防止系統(tǒng)崩潰而造成事故。例如，R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護(hù)電路，檢測(cè)設(shè)備的輸出電壓或輸入電流，當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過(guò)允許值時(shí)，借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時(shí)內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài)，從而抑制過(guò)電壓或過(guò)電流的數(shù)值。4.2 過(guò)流保護(hù) 當(dāng)電力電子變流裝置內(nèi)部某些器件被擊穿或短路；驅(qū)動(dòng)、觸發(fā)電路或控制電路發(fā)生故障；外部出現(xiàn)負(fù)載過(guò)載；直流側(cè)短路；可逆?zhèn)鲃?dòng)系統(tǒng)產(chǎn)生逆變失?。灰约敖涣麟娫措妷哼^(guò)高或過(guò)低；均能引起裝置或其他元件的電流超過(guò)正常工作電流，即出現(xiàn)過(guò)電流。因此，必須對(duì)電力電子裝置進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪^(guò)電流保護(hù)。采用快速熔斷器作過(guò)電流保護(hù)，其接線圖（

17、見(jiàn)圖8）。熔斷器是最簡(jiǎn)單的過(guò)電流保護(hù)元件，但最普通的熔斷器由于熔斷特性不合適，很可能在晶閘管燒壞后熔斷器還沒(méi)有熔斷，快速熔斷器有較好的快速熔斷特性，一旦發(fā)生過(guò)電流可及時(shí)熔斷起到保護(hù)作用。最好的辦法是晶閘管元件上直接串快熔，因流過(guò)快熔電流和晶閘管的電流相同，所以對(duì)元件的保護(hù)作用最好，這里就應(yīng)用這一方法快熔抑制過(guò)電流電路圖如下圖8所示：圖8 快速熔短器的接入方法A型熔斷器特點(diǎn)：是熔斷器與每一個(gè)元件串連，能可靠的保護(hù)每一個(gè)元件。B型熔斷器特點(diǎn)：能在交流、直流和元件短路時(shí)起保護(hù)作用，其可靠性稍有降低C型熔斷器特點(diǎn)：直流負(fù)載側(cè)有故障時(shí)動(dòng)作，元件內(nèi)部短路時(shí)不能起保護(hù)作用對(duì)于第二類過(guò)流，即整流橋負(fù)載外電路發(fā)

18、生短路而引起的過(guò)電流，則應(yīng)當(dāng)采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。常見(jiàn)的電子保護(hù)原理圖如圖9所示：圖9 過(guò)流保護(hù)原理圖在此我們采用容阻吸收回路，即采用快速熔斷器的方法來(lái)進(jìn)行過(guò)電流保護(hù)。采用快速熔斷器是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過(guò)電流保護(hù)措施。在選擇快熔時(shí)應(yīng)考慮：（1）電壓等級(jí)應(yīng)根據(jù)熔斷后快熔實(shí)際承受的電壓來(lái)確定。（2）電流容量應(yīng)按其在主電路中的接入方式和主電路聯(lián)結(jié)形式確定?？烊垡话闩c電力半導(dǎo)體器件串聯(lián)連接，在小容量裝置中也可串接于閥側(cè)交流母線或直流母線中。（3）快熔的值應(yīng)小于被保護(hù)器件的允許值、（4）為保證熔體在正常過(guò)載情況下不熔化，應(yīng)考慮其時(shí)間電流特性。因?yàn)榫чl管的額定電流為10A,快速熔斷器的熔

19、斷電流大于1.5倍的晶閘管額定電流，所以快速熔斷器的熔斷電流為15A。 圖10過(guò)流保護(hù)4.3 過(guò)壓保護(hù)設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中，會(huì)受到由交流供電電網(wǎng)進(jìn)入的操作過(guò)電壓和雷擊過(guò)電壓的侵襲。同時(shí)，設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過(guò)電壓出現(xiàn)。過(guò)電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以抑制。見(jiàn)圖11和圖12。圖11阻容三角抑制過(guò)電壓 圖12 壓敏電阻過(guò)壓 過(guò)電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。常見(jiàn)的電子保護(hù)原圖如圖13所示：圖13 過(guò)電壓保護(hù)電路在此我們采用儲(chǔ)能元件保護(hù)即阻容保護(hù)。單相阻容保護(hù)的計(jì)算公式如下： （公式16） （公式17）S:變壓器每相平均計(jì)算容

20、量（VA）U：變壓器副邊相電壓有效值（V）i%:變壓器激磁電流百分值U%：變壓器的短路電壓百分值。當(dāng)變壓器的容量 在（10-1000）KVA里面取值時(shí)i%=（4-10）在里面取值，U%=（5-10）里面取值。電容C的單位為F，電阻的單位為歐姆電容C的交流耐壓1.5UU：正常工作時(shí)阻容兩端交流電壓有效值。根據(jù)公式算得電容值為4.8F,交流耐壓為165V，電阻值為12.86，在設(shè)計(jì)中我們?nèi)‰娙轂?F，電阻值為13。圖14晶閘管的過(guò)壓保護(hù)心得體會(huì) 隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)代社會(huì)對(duì)專業(yè)人才的要求越來(lái)越高，尤其作為電子工程專業(yè)的人員，不僅要有堅(jiān)實(shí)的理論知識(shí)，更應(yīng)該具備豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)和較強(qiáng)的動(dòng)手能力。在做電

21、力電子課程設(shè)計(jì)的過(guò)程中我們更能認(rèn)真和全面的對(duì)所學(xué)知識(shí)有一個(gè)全面和系統(tǒng)更深刻的了解和掌握。在這個(gè)過(guò)程中我們認(rèn)真的查閱了大量的資料和工具書(shū)增長(zhǎng)了我的知識(shí)，開(kāi)闊了我們的視野。 通過(guò)單相全控橋式晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)，使我加深了對(duì)整流電路的理解，讓我對(duì)電力電子該課程產(chǎn)生了濃厚的興趣。 對(duì)于一個(gè)電路的設(shè)計(jì)，首先應(yīng)該對(duì)它的理論知識(shí)很了解，這樣才能設(shè)計(jì)出性能好的電路。整流電路中，開(kāi)關(guān)器件的選擇和觸發(fā)電路的選擇是最關(guān)鍵的，開(kāi)關(guān)器件和觸發(fā)電路選擇的好，對(duì)整流電路的性能指標(biāo)影響很大。 在這次課程設(shè)計(jì)過(guò)程中，碰到的難題就是對(duì)相關(guān)參數(shù)的計(jì)算，因?yàn)樵趯W(xué)習(xí)中沒(méi)能很好的系統(tǒng)的總結(jié)相關(guān)知識(shí)。在整個(gè)課程設(shè)計(jì)中貫穿的計(jì)算過(guò)程沒(méi)能很

22、好的把握。在今后的學(xué)習(xí)中要認(rèn)真總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)電力電子課程進(jìn)行補(bǔ)充。為以后深入的學(xué)習(xí)專業(yè)知識(shí)做鋪墊。通過(guò)這次課程設(shè)計(jì)我對(duì)于文檔的編排格式、原理圖波有了一定的了解，這對(duì)于以后的畢業(yè)設(shè)計(jì)及工作需要都有頗大的幫助，在完成課程設(shè)計(jì)的同時(shí)我也在復(fù)習(xí)一遍電力電子技術(shù)這門課程，把以前一些沒(méi)弄懂的問(wèn)題基本掌握了。 參考文獻(xiàn)1何希才，新型開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用北京：科學(xué)出版社，2001:168.2黃家善，王廷才，電力電子技術(shù)M.北京：機(jī)械工業(yè)出版，2000：193.3 王兆安,黃俊.電力電子技術(shù)M(第4版).北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2000.4 王兆安,黃俊.電力電子技術(shù)M(第5版).北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2009.5 浣喜明，姚為正.電力電子技術(shù)M.北京：高等教育出版社，2004.128-1456 周淵深. 電力電子技術(shù)與