碳化硅陶瓷及制備工藝

1、碳化硅陶瓷性能及制造工藝        碳化硅（SiC）陶瓷，具有抗氧化性強(qiáng)，耐磨性能好，硬度高，熱穩(wěn)定性好，高溫強(qiáng)度大，熱膨脹系數(shù)小，熱導(dǎo)率大以及抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性。因此，已經(jīng)在石油、化工、機(jī)械、航天、核能等領(lǐng)域大顯身手，日益受到人們的重視。例如，SiC陶瓷可用作各類軸承、滾珠、噴嘴、密封件、切削工具、燃汽渦輪機(jī)葉片、渦輪增壓器轉(zhuǎn)子、反射屏和火箭燃燒室內(nèi)襯等等。SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。SiC是共價鍵很強(qiáng)的化合物，SiC中Si-鍵的離子性僅左右。因此，SiC強(qiáng)度高、彈性模量大，具有優(yōu)良的耐磨損性能

2、。純SiC不會被、和等酸溶液以及等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發(fā)生氧化，但氧化時表面形成的會抑制氧的進(jìn)一步擴(kuò)散，故氧化速率并不高。在電性能方面，SiC具有半導(dǎo)體性，少量雜質(zhì)的引入會表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性。此外，SiC還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性。 SiC具有和兩種晶型。SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和分別組成面心立方晶格；SiC存在著、和等余種多型體，其中，多型體為工業(yè)應(yīng)用上最為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于時，SiC以SiC形式存在。當(dāng)高于時，SiC緩慢轉(zhuǎn)變成SiC的各種多型體。SiC在左右容易生成；和多型體均需在以上的高溫才易生成；對于SiC，即使溫度超

3、過，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。 現(xiàn)就SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡述如下：一、SiC粉末的合成： SiC在地球上幾乎不存在，僅在隕石中有所發(fā)現(xiàn)，因此，工業(yè)上應(yīng)用的SiC粉末都為人工合成。目前，合成SiC粉末的主要方法有：、法：  這是工業(yè)上采用最多的合成方法，即用電將石英砂和焦炭的混合物加熱至左右高溫反應(yīng)制得。因石英砂和焦炭中通常含有和等雜質(zhì)，在制成的SiC中都固溶有少量雜質(zhì)。其中，雜質(zhì)少的呈綠色，雜質(zhì)多的呈黑色。、化合法：  在一定的溫度下，使高純的硅與碳黑直接發(fā)生反應(yīng)。由此

4、可合成高純度的SiC粉末。、熱分解法：  使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機(jī)硅聚合物在的溫度范圍內(nèi)發(fā)生分解反應(yīng)，由此制得亞微米級的SiC粉末。、氣相反相法：  使SiCl和SiH等含硅的氣體以及CH、CH、CH和（Cl等含碳的氣體或使CHSiCl、（CH） SiCl和Si(CH)等同時含有硅和碳的氣體在高溫下發(fā)生反應(yīng)，由此制備納米級的SiC超細(xì)粉。二、碳化硅陶瓷的燒結(jié)、無壓燒結(jié)  1974年美國公司通過在高純度SiC細(xì)粉中同時加入少量的和，采用無壓燒結(jié)工藝，于2020成功地獲得高密度SiC陶瓷。目前，該工藝已成為制備SiC陶瓷的主要方法。美國公司研究者認(rèn)為：晶界能與表面

5、能之比小于1.732是致密化的熱力學(xué)條件，當(dāng)同時添加和后，固溶到SiC中，使晶界能降低，把SiC粒子表面的SiO2還原除去，提高表面能，因此和的添加為SiC的致密化創(chuàng)造了熱力學(xué)方面的有利條件。然而，日本研究人員卻認(rèn)為SiC的致密并不存在熱力學(xué)方面的限制。還有學(xué)者認(rèn)為，SiC的致密化機(jī)理可能是液相燒結(jié)，他們發(fā)現(xiàn)：在同時添加和的SiC燒結(jié)體中，有富的液相存在于晶界處。關(guān)于無壓燒結(jié)機(jī)理，目前尚無定論。  以SiC為原料，同時添加和，也同樣可實(shí)現(xiàn)SiC的致密燒結(jié)。  研究表明：單獨(dú)使用和作添加劑，無助于SiC陶瓷充分致密。只有同時添加和時，才能實(shí)現(xiàn)SiC陶瓷的高密度化。為了SiC的

6、致密燒結(jié)，SiC粉料的比表面積應(yīng)在以上，且氧含量盡可能低。的添加量在0.5左右，的添加量取決于SiC原料中氧含量高低，通常的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。  最近，有研究者在亞微米SiC粉料中加入Al2O3和，在溫度下實(shí)現(xiàn)的致密燒結(jié)。由于燒結(jié)溫度低而具有明顯細(xì)化的微觀結(jié)構(gòu)，因而，其強(qiáng)度和韌性大大改善。、熱壓燒結(jié)  年代中期，美國公司就開始研究、等金屬添加物對SiC熱壓燒結(jié)的影響。實(shí)驗表明：和是促進(jìn)SiC熱壓致密化的最有效的添加劑。  有研究者以Al2O3為添加劑，通過熱壓燒結(jié)工藝，也實(shí)現(xiàn)了的致密化，并認(rèn)為其機(jī)理是液相燒結(jié)。此外，還有研究者分別以、或與，Al2

7、O3和、Al2O3和、與作添加劑，采用熱壓燒結(jié)，也都獲得了致密SiC陶瓷。  研究表明：燒結(jié)體的顯微結(jié)構(gòu)以及力學(xué)、熱學(xué)等性能會因添加劑的種類不同而異。如：當(dāng)采用或的化合物為添加劑，熱壓SiC的晶粒尺寸較小，但強(qiáng)度高。當(dāng)選用作添加劑，熱壓SiC陶瓷具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)。、熱等靜壓燒結(jié)：  近年來，為進(jìn)一步提高SiC陶瓷的力學(xué)性能，研究人員進(jìn)行了SiC陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以和為添加劑，采用熱等靜壓燒結(jié)工藝，在便獲得高密度SiC燒結(jié)體。更進(jìn)一步，通過該工藝，在和壓力下，成功實(shí)現(xiàn)無添加劑SiC陶瓷的致密燒結(jié)。  研究表明：當(dāng)SiC粉末的粒徑小于時，即使不引

8、入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結(jié)，在即可使其致密化。如選用比表面積為的SiC超細(xì)粉，采用熱等靜壓燒結(jié)工藝，在便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。  另外，Al2O3是熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷的有效添加劑。而的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結(jié)致密化不起作用，過量的甚至?xí)种芐iC陶瓷的燒結(jié)。、反應(yīng)燒結(jié)： SiC的反應(yīng)燒結(jié)法最早在美國研究成功。反應(yīng)燒結(jié)的工藝過程為：先將SiC粉和石墨粉按比例混勻，經(jīng)干壓、擠壓或注漿等方法制成多孔坯體。在高溫下與液態(tài)Si接觸，坯體中的與滲入的Si反應(yīng)，生成SiC，并與SiC相結(jié)合，過量的Si填充于氣孔，從而得到無孔致密的反應(yīng)燒結(jié)體。反應(yīng)燒結(jié)SiC通常

9、含有的游離Si。因此，為保證滲Si的完全，素坯應(yīng)具有足夠的孔隙度。一般通過調(diào)整最初混合料中SiC和的含量，SiC的粒度級配，的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當(dāng)?shù)乃嘏髅芏取?#160; 實(shí)驗表明，采用無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)的SiC陶瓷具有各異的性能特點(diǎn)。如就燒結(jié)密度和抗彎強(qiáng)度來說，熱壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷相對較多，反應(yīng)燒結(jié)SiC相對較低。另一方面，SiC陶瓷的力學(xué)性能還隨燒結(jié)添加劑的不同而不同。無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷對強(qiáng)酸、強(qiáng)堿具有良好的抵抗力，但反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷對等超強(qiáng)酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看，當(dāng)溫度低于時，幾乎所有SiC陶瓷強(qiáng)度均有所提高；當(dāng)溫度超過時，反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷抗彎強(qiáng)度急劇下降。（這是由于燒結(jié)體中含有一定量