電力電子技術(shù)-西南大學(xué)2016年作業(yè)

1、第一批單選題題目說明：（10.0分）1.IGBT屬于（）控制型元件CA. A:電流CB. B:電壓CC. C:電阻CD. D:頻率（10.0分）2.觸發(fā)電路中的觸發(fā)信號(hào)應(yīng)具有（）rA. A:足夠大的觸發(fā)功率CB. B:足夠小的觸發(fā)功率CC. C:盡可能緩的前沿CD. D:盡可能窄的寬度（10.0分）3.N組晶對(duì)于單相交交變頻電路如下圖，在t1t2時(shí)間段內(nèi)，P組晶閘管變流裝置與閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（）A. A:P組阻斷，N組整流rB. B:P組阻斷，N組逆變r(jià)C. C:N組阻斷，P組整流cD. D:N組阻斷，P組逆變（10.0分）4.電流型逆變器中間直流環(huán)節(jié)貯能元件是（）CA. A:電容CB

2、. B:電感CC. C:蓄電池CD. D:電動(dòng)機(jī)的最大移相范圍是（）（10.0分）5.單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角aCA. A:90°CB. B:120°CC. C:150°rD. D:180°（10.0分）6.具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為（）CA. A:全控型器件CB. B:半控型器件CC. C:不控型器件rD. D:觸發(fā)型器件（10.0分）7.IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是（）A. A:GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFETB. B:MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTRC. C:MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管CD. D:MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO（10.0分）8.

3、從晶閘管開始承受正向電壓的到晶閘管導(dǎo)通時(shí)刻的電度角稱為（）。rA. A:控制角CB. B:延遲角rc.c：滯后角rD.D:重疊角（10.0分）9.將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能供給負(fù)載的變流器是（）CA. A:有源逆變器CB. B:A/D變換器CC. C:D/A變換器rD. D:無源逆變器（10.0分）10.已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（）rA. A:減小至維持電流以下CB. B:減小至擎住電流以下CC. C:減小至門極觸發(fā)電流以下CD. D:減小至5A以下（10.0分）11.降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V,負(fù)載電壓Uo=12V,斬波周期T=4ms,則開通時(shí)Ton=（

4、）B. B：2msC. C:3msCD. D:4ms（10.0分）12.三相半波可控整流電路的自然換相點(diǎn)是（）CA. A:交流相電壓的過零點(diǎn)CB. B:本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點(diǎn)處CC. C:比三相不可控整流電路的自然換相點(diǎn)超前30orD. D:比三相不可控整流電路的自然換相點(diǎn)滯后60o（10.0分）13.單相橋式半控整流電路中，電阻性負(fù)載，流過每個(gè)晶閘管的有效電流It=（）CA. A:11CB. B:0.51rC. C:（1/1.747）*lrD. D:1.747*l主觀填空題題目說明：（10.0分）14.過電壓產(chǎn)生的原因（）、（），可采?。ǎ?、（）和（）保護(hù)。;壓敏二級(jí)答：過電壓分

5、為外因過電壓和內(nèi)因過電壓兩類，過壓的保護(hù)器件有：穩(wěn)壓二級(jí)管管;雙向觸發(fā)二級(jí)管；（10.0分）15.設(shè)三相電源的相電壓為6,三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即（），其承受的最大正向電壓（）。答：設(shè)三相電源的相電壓為U2,三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即（？?？，其承受的最大正向電壓(?)（10.0分）16.晶閘管是硅晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，常用的外形有（）與（）。答：晶閘管是硅晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，常用的外形有（螺栓型）與（平板型）。（10.0分）17.在下圖中，（）和（）構(gòu)成降壓斬波電路使直流電動(dòng)機(jī)電動(dòng)

6、運(yùn)行，工作于第1象限；（）和（）構(gòu)成升壓斬波電路，把直流電動(dòng)機(jī)的動(dòng)能轉(zhuǎn)變成為電能反饋到電源，使電動(dòng)機(jī)作再生制動(dòng)運(yùn)行，工作于（）象限。答：在下圖中，（V1）和（VD1）構(gòu)成降壓斬波電路使直流電動(dòng)機(jī)電動(dòng)運(yùn)行，工作于第1象限；（V2）和（VD2）構(gòu)成升壓斬波電路，把直流電動(dòng)機(jī)的動(dòng)能轉(zhuǎn)變成為電能反饋到電源，使電動(dòng)機(jī)作再生制動(dòng)運(yùn)行，工作于（第2）象限。（10.0分）18.在三相半波可控整流電路中，電感性負(fù)載，當(dāng)控制角（）時(shí)，輸出電壓波形出現(xiàn)負(fù)值，因而常加續(xù)流二極管。答:在三相半波可控整流電路中，電感性負(fù)載，當(dāng)控制角（大于300）時(shí)，輸出電壓波形出現(xiàn)負(fù)值，因而常加續(xù)流二極管。（10.0分）19.逆變電路的

7、負(fù)載如果接到電源，則稱為（）逆變，如果接到負(fù)載，則稱為（）逆變。答：逆變電路的負(fù)載如果接到電源，則稱為（有源）逆變，如果接到負(fù)載，則稱為（無源）逆變。（10.0分）20.晶閘管的斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓Udsm與轉(zhuǎn)折電壓Ubo在數(shù)值大小上應(yīng)為UDSMUBO答：晶閘管的斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓Udsm與轉(zhuǎn)折電壓Ubo在數(shù)值大小上應(yīng)為UDSM<UBO（10.0分）21.請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱：電力晶體管（）；可關(guān)斷晶閘管（）；功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（）；絕緣柵雙極型晶體管（）；IGBT是（）和（）的復(fù)合管。答：電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IG

8、BT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。（10.0分）22.當(dāng)晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當(dāng)?shù)模ǎ╇妷?，使晶閘管導(dǎo)通的過程，稱為觸發(fā)。答：當(dāng)品閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當(dāng)?shù)模ㄕ颍╇妷?，使晶閘管導(dǎo)通的過程，稱為觸發(fā)。（10.0分）23.電子技術(shù)包括（）和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。答：電子技術(shù)包括（信息電子技術(shù)）和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。（10.0分）24.在三相半波可控整流電路中，電感性負(fù)載，當(dāng)控制角（）時(shí)，輸出電壓波形出現(xiàn)負(fù)值，因而常加續(xù)流二極管。答：在三相半波可控整流電路中，電感

9、性負(fù)載，當(dāng)控制角（大于300）時(shí)，輸出電壓波形出現(xiàn)負(fù)值，因而常加續(xù)流二極管。（10.0分）25.單相交流調(diào)壓電路阻感負(fù)載，設(shè)負(fù)載阻抗角為九則觸發(fā)角a的移相范圍應(yīng)為（）答：?jiǎn)蜗嘟涣髡{(diào)壓電路阻感負(fù)載，設(shè)負(fù)載阻抗角為小，則觸發(fā)角a的移相范圍應(yīng)為（6<a<1800）（10.0分）26.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為（），而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為（）。答：在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為（通態(tài)損耗），而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為（開關(guān)損耗）。論述題題目說明：（10.0分）27.單相橋式全控整流電路，U2=100V,負(fù)載中R=2Q,L值極大，當(dāng)a=30

10、°時(shí)，試求：（1）整流輸出平均電壓Ud、電流Id；（2）考慮2倍安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流；（3）變壓器二次電流有效值Lt.cosa=0,94（Nci?s30=77.9V品閘苜蝶值為血也=Hi,專慮2倍安全帶量得S=141,4乂2=軍工必f/=-7=d256-4V2一月7S6由=1.57工小海乙四廣二二17354,考慮安全裕量取九-=17.55x2=35.31.57odEF=39.0A小片:7=3?。?0.0分）28.圖中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形，各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值Il、12、13。Mta

11、)尸欄加曲的73）博1)*0.27174,-*047674,b)I金1rIsiq/ufd(由f)(7l7Al(五+1)*0.54344&=：£（，血皿，3）=1H*重06741f42XP4rf(<wr)=-g41款小/,（10.0分）29.換流重疊角的產(chǎn)生給逆變電路帶來哪些不利影響？解：由于變壓器漏感和線路電感等因素的影響，晶閘管的換流（換相）不能瞬時(shí)完成，均需一定的時(shí)間即換相重疊角T所對(duì)應(yīng)的時(shí)間。如果逆變角B<T,將使換相不能完成，造成逆變失敗。（10.0分）30.簡(jiǎn)述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正相陽極電壓，并在門極施加觸發(fā)

12、電流（脈沖）?；蛘遀AK>0且UGK>0;維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。第二批單選題題目說明：（10.0分）1.三相全控橋式整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，控制角a的有效移相范圍是（）。CA. A:0-90°B. B:30-120C. C:60-150D. D:90-150（10.0分）2.功率晶體管的安全工作區(qū)由以下4條曲線限定：集電極-發(fā)射極允許最高擊穿電壓，集電極最大允許直流功率線，集電極最大允許電流線和（）oCA. A:基極最大允許直流功率線CB. B:基極最大允許電壓線CC. C:臨界飽和線CD. D:二次擊穿功率線（1

13、0.0分）3.三相半波可控整流電路的自然換相點(diǎn)是（）。rA. A:交流相電壓的過零點(diǎn)CB. B:本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點(diǎn)處CC. C:比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)超前30°CD. D:比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)滯后60°（10.0分）4.直流斬波電路是一種（）變換電路。rA. A:AC/ACrB. B:DC/ACCC. C:DC/DCrD. D:AC/DC（10.0分）5.若晶閘管電流有效值是157A,則其額定電流為（）CA. A:157AB. B:100AC. C:80AD. D:246.5A（10.0分）6.已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的

14、電流（）。CA. A:減小至維持電流以下CB. B:減小至擎住電流以下CC. C:減小至門極觸發(fā)電流以下CD. D:減小至5A以下（10.0分）7.在晶閘管應(yīng)用電路中，為了防止誤觸發(fā)，應(yīng)使干擾信號(hào)的幅值限制在（）CA. A:可靠觸發(fā)區(qū)CB. B:不可靠觸發(fā)區(qū)CC. C:安全工作區(qū)rD. D:不觸發(fā)區(qū)（10.0分）8.降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V,負(fù)載電壓Uo=12V,斬波周期T=4ms,則開通時(shí)Ton=（）。rA. A：1msCB. B：2msrC. C:3msCD. D:4ms（10.0分）9.下列全控器件中，屬于電流控制型的器件是（）。B. B:SITC. C:GTRCD. D

15、:IGBT（10.0分）10.接有續(xù)流二極管的單相半控橋式變流電路可運(yùn)行的工作象限是（）CA. A:第二象限CB. B:第三象限CC. C:第四象限r(nóng)D. D:第一象限（10.0分）11.逆變電路是一種（）變換電路。rA. A:AC/ACrB. B:DC/ACrC. C:DC/DCcD. D:AC/DC（10.0分）12.三相橋式全控整流電路，電阻性負(fù)載時(shí)的移相范圍為（）。CA. A:0180CB. B:0150rC. C:0120CD. D:090（10.0分）13.電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路，相電壓的有效值為U2,當(dāng)控制角a03耐，整流輸出電壓平均值等于（）B. B：1.17U2sin

16、aC. C:1.41U2cosarD. D：1.41U2sina（10.0分）14.一般認(rèn)為交交變頻輸出的上限頻率（）。CA. A:與電網(wǎng)有相同的頻率CB. B:高于電網(wǎng)頻率CC. C:可達(dá)電網(wǎng)頻率的80%CD. D:約為電網(wǎng)頻率的1/21/3判斷題題目說明：（10.0分）15.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，必須注意均流問題。C正確C錯(cuò)誤（10.0分）16.并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。r正確c錯(cuò)誤（10.0分）17.有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負(fù)載。C正確（10.0分）18.三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動(dòng)頻率為300HzC正確C錯(cuò)誤（10.0分）19.變頻調(diào)速是改變電

17、動(dòng)機(jī)內(nèi)旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的速度達(dá)到改變轉(zhuǎn)速的目的。C正確C錯(cuò)誤（10.0分）20.三相半波可控整流電路，不需要用大于600小于1200的寬脈沖觸發(fā),也不需要相隔600的雙脈沖觸發(fā)，只用符合要求的相隔1200的三組脈沖觸發(fā)就能正常工作r正確c錯(cuò)誤（10.0分）21.在電路中接入單結(jié)晶體管時(shí)，若把b1、b2接反了，就會(huì)燒壞管子。r正確c錯(cuò)誤（10.0分）22.雙向晶閘管額定電流的定義，與普通晶閘管的定義相同。C正確C錯(cuò)誤（10.0分）23.逆變角太大會(huì)造成逆變失敗。（）r正確（10.0分）24.在用兩組反并聯(lián)晶閘管的可逆系統(tǒng)，使直流電動(dòng)機(jī)實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行時(shí)，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，另一組工作在逆變狀態(tài)。

18、r正確r錯(cuò)誤（10.0分）25.在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。C正確C錯(cuò)誤（10.0分）26.在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2r正確c錯(cuò)誤（10.0分）27.給晶閘管加上正向陽極電壓它就會(huì)導(dǎo)通。C正確C錯(cuò)誤（10.0分）28.變流裝置其功率因數(shù)的高低與電路負(fù)載阻抗的性質(zhì)，無直接關(guān)系。C正確C錯(cuò)誤（10.0分）29.在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時(shí)會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。r正確論述題題目說明：（10.0分）30.三相半波可控整流電路，U2=100V,帶電阻電感負(fù)載，R=5Q,L值極大，當(dāng)a=60°時(shí)，要求：畫出ud、id和ivTi的

19、波形;計(jì)算Ud、Id、IdT和IvT-t解：Ud、id和ivTi的波形如下圖：U2+«=3CUaUbUUd、Id、IdT和IVT分別如下Ud=1.17L12cos=1.17Xl00Xcos6(J=58.5(V)Id=Ud/R=58.5/5=11.7(A)IdVT=Id/3=11.7/3=3.9(A)Ivt=Id/V3=6.755(A)（10.0分）31.單相橋式全控整流電路，其整流輸出電壓中含有哪些次數(shù)的諧波？其中幅值最大的是哪一次？變壓器二次側(cè)電流中含有哪些次數(shù)的諧波？其中主要的是哪幾次？答：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣麟娐?，其整流輸出電壓中含?k（k=1、2、3）次諧波，其中幅值最大的是2

20、次諧波。變壓器二次側(cè)電流中含有2k+1（k=1、2、3）次即奇次諧波，其中主要的有3次、5次諧波。（10.0分）32.單相電壓型逆變電路中，電阻性負(fù)載和電感性負(fù)載對(duì)輸出電壓、電流有何影響？電路結(jié)構(gòu)有哪些變化？答：電阻性負(fù)載時(shí)，輸出電壓和輸出電流同相位，波形相似，均為正負(fù)矩形波。電感性負(fù)載時(shí)，輸出電壓為正負(fù)矩形波，輸出電流近似為正弦波，相位滯后于輸出電壓，滯后的角度取決于負(fù)載中電感的大小。(10.0分)33.電壓型逆變電路的主要特點(diǎn)是什么?答：電壓型逆變電路是指由電壓型直流電源供電的逆變電路。它的直流側(cè)為電壓源，或并聯(lián)有大電容，相當(dāng)于電壓源，直流側(cè)電壓基本無脈動(dòng)，直流回路呈現(xiàn)低阻抗。電壓型逆變電

21、路主要應(yīng)用于各種直流電源。電壓型逆變電路特點(diǎn)(1)直流側(cè)為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側(cè)電壓基本無脈動(dòng)；(2)輸出電壓為矩形波，輸出電流因負(fù)載阻抗不同而不同；(3)阻感負(fù)載時(shí)需提供無功。為了給交流側(cè)向直流側(cè)反饋的無功提供通道，逆變橋各臂并聯(lián)反饋二極管。電壓型逆變電路種類1、單相電壓型逆變電路(1)單相半橋電壓型逆變電路優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單，使用器件少缺點(diǎn)：交流電壓幅值Ud/2,直流側(cè)需兩電容器串聯(lián)，要控制兩者電壓均衡(2)單相全橋電壓型逆變電路，由兩個(gè)半橋電路的組合，是單相逆變電路中應(yīng)用最多的。(3)帶中心抽頭變壓器的逆變電路2、三相電壓型逆變電路三個(gè)單相逆變電路可組合成一個(gè)三相逆變電路，應(yīng)用最廣的是三相橋

22、式逆變電路。(10.0分)34.在下圖所示的升壓斬波電路中，已知E=50V,L值和C值極大，R=20Q,采用脈寬調(diào)制控制方式，當(dāng)T=40ms,t°n=25MS時(shí)，計(jì)算輸出電壓平均值U。，輸出電流平均值I。解：輸出電壓平均值為:U0=Xe=50=133.3(V)toff40-25輸出電流平均值為：6.667(A)Uo.133.3|oR20(10.0分)35.簡(jiǎn)述圖所示升壓斬波電路的基本工作原理。答：假設(shè)電路中電感L值很大，電容C值也很大。當(dāng)V處于通態(tài)時(shí)，電源E向電感L充電，充電電流基本恒定為I1,同時(shí)電容C上的電壓向負(fù)載R供電，因C值很大，基本保持輸出電壓為恒值Uo。設(shè)V處于通態(tài)的時(shí)間

23、為ton,此階段電感L上積蓄的能量為onltEI。當(dāng)V處于斷態(tài)時(shí)E和L共同向電容C充電并向負(fù)載R提供能量。設(shè)V處于斷態(tài)的時(shí)間為toff,則在此期間電感L釋放的能量為（Uo-E）IIToff。當(dāng)電路工作于穩(wěn)態(tài)時(shí)，一個(gè)周期T中電感L積蓄的能量與釋放的能量相等，即:EI1Ton=（Uo-E）I1Toff化簡(jiǎn)彳導(dǎo):Uo=TE/Toff式中的T/Toff大于等于1,輸出電壓高于電源電壓，故稱該電路為升壓斬波電路第三批判斷題題目說明：（10.0分）1.增大晶閘管整流裝置的控制角出輸出直流電壓的平均值會(huì)增大。1r正確"錯(cuò)誤（10.0分）2.兩只反并聯(lián)的50A的普通晶閘管可以用一只額定電流為100A

24、的雙向晶閘管來替代1r正確“錯(cuò)誤（10.0分）3.絕緣柵雙極型晶體管具有電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)。r正確c錯(cuò)誤（10.0分）4.并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路俗正確錯(cuò)誤（10.0分）5.應(yīng)急電源中將直流電變?yōu)榻涣麟姽粽彰?，其電路中發(fā)生的逆變”稱有源逆變。正確值錯(cuò)誤（10.0分）6.快速熔斷器必須與其它過電流保護(hù)措施同時(shí)使用。值正確錯(cuò)誤（10.0分）7.普通晶閘管內(nèi)部有兩個(gè)PN結(jié)正確修錯(cuò)誤（10.0分）8.對(duì)低電壓大電流的負(fù)載供電，應(yīng)該用帶平衡電抗器的雙反星型可控整流裝置。值正確錯(cuò)誤（10.0分）9.三相橋式半控整流電路，帶大電感性負(fù)載，有續(xù)流二極管時(shí)，當(dāng)電路出故障時(shí)會(huì)發(fā)生失控現(xiàn)

25、象。C正確C錯(cuò)誤（10.0分）10.三相半波可控整流電路，不需要用大于60小于120的寬脈沖觸發(fā)，也不需要相隔60的雙脈沖觸發(fā)，只用符合要求的相隔120的三組脈沖觸發(fā)就能正常工作。r正確c錯(cuò)誤（10.0分）11.大功率晶體管的放大倍數(shù)B都比較低。C正確C錯(cuò)誤（10.0分）12.并聯(lián)與串聯(lián)諧振式逆變器屬于負(fù)載換流方式，無需專門換流關(guān)斷電路。正確錯(cuò)誤（10.0分）13.晶閘管裝置的容量愈大，對(duì)電網(wǎng)的影響就愈小。r正確c錯(cuò)誤（10.0分）14.只要控制角a>90°,變流器就可以實(shí)現(xiàn)逆變。C正確C錯(cuò)誤主觀填空題題目說明：（10.0分）15.設(shè)三相電源的相電壓為5,三相半波可控整流電路接

26、電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即，其承受的最大正向電壓為。答：設(shè)三相電源的相電壓為U2,三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，品閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即孫、其承受的最大正向電壓為丘工。（10.0分）16.在三相半波可控整流電路中，電感性負(fù)載，當(dāng)控制角時(shí)，輸出電壓波形出現(xiàn)負(fù)值，因而常加續(xù)流二極管。答：在三相半波可控整流電路中，電感性負(fù)載，當(dāng)控制角大于300時(shí)，輸出電壓波形出現(xiàn)負(fù)值，因而常加續(xù)流二極管。（10.0分）17.三相橋式全控變流器處于整流狀態(tài)時(shí)，控制角a90°,當(dāng)工作于逆變狀態(tài)時(shí)，控制角a90°答：三相橋式全控變流器處

27、于整流狀態(tài)時(shí)，控制角a<_900,當(dāng)工作于逆變狀態(tài)時(shí)，控制角民工_900（10.0分）18.晶閘管在環(huán)境溫度為40度和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過最大正弦半波電流的平均值稱為晶閘管的通態(tài)平均電流。按標(biāo)準(zhǔn)取其整數(shù)則為晶閘管電流?？梢?，晶閘管允許流過的電流主要取決于元件的答：晶閘管在環(huán)境溫度為40度和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過最大正弦半波電流的平均值稱為晶閘管的通態(tài)平均電流。按標(biāo)準(zhǔn)取其整數(shù)則為晶閘管額定電流電流?？梢?，晶閘管允許流過的電流主要取決于元件的發(fā)熱效應(yīng)。（10.0分）19.單相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)，在逆變角B期間，處于

28、換相進(jìn)行關(guān)斷的晶閘管承受的電壓是（）答：?jiǎn)蜗嗳貥蚴阶兞麟娐饭ぷ饔谟性茨孀儬顟B(tài)，在逆變角B期間，處于換相進(jìn)行關(guān)斷的晶閘管承受的電壓是反向電壓（10.0分）20.在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中，開關(guān)速度最快的是,單管輸出功率最大的是,應(yīng)用最為廣泛的是。答：在GTRGTQIGBT與MOSFET,開關(guān)速度最快的是_MOSFET單管輸出功率最大的是GTO應(yīng)用最為廣泛的是_IGBT（10.0分）21.三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在同一橋臂上的上、下二個(gè)開關(guān)管間進(jìn)行，稱為°導(dǎo)電型答：三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在同一橋臂上的上、下二個(gè)開關(guān)管間進(jìn)行，稱為_180°導(dǎo)電型（

29、10.0分）22.如下圖，指出單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時(shí)間段電流流經(jīng)的通路（用V1,VD1,V2,VD2表示）。（1）（1）t0t1時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為;（2）t1t2時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為;（3）t2t3時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為;（4）t3t4時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為;（5）t4t5時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為;ji?力h）答：（1）0t1時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_VD1;t1t2時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為，V1;t2t3時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為，VD2_;t3t4時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為，V2;t4t5時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為VD1;（10.0分）23.多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮的問題，解決的方法是

30、答：多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮均流的問題，解決的方法是串專用均流電抗器。（10.0分）24.晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻是=措施。答：品閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是均壓措施。（10.0分）25.對(duì)于三相半波可控整流電路，換相重疊角丫與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)（）答：對(duì)于三相半波可控整流電路，換相重疊角丫與a、U2、負(fù)載電流Id以及變壓器漏抗XC有關(guān)論述題題目說明：（10.0分）26.什么是TSC?它的基本原理是什么？有何特點(diǎn)？答：TCR是晶閘管控制電抗器。TSC是晶閘管投切電容器。二者的基本原理如下：TCR是利用電抗器來吸收電網(wǎng)中的無功功率（或提供感性的無功功率），通過對(duì)晶

31、閘管開通角角的控制，可以連續(xù)調(diào)節(jié)流過電抗器的電流，從而調(diào)節(jié)TCR從電網(wǎng)中吸收的無功功率的大小。TSC則是利用品閘管來控制用于補(bǔ)償無功功率的電容器的投入和切除來向電網(wǎng)提供無功功率（提供容性的無功功率）。二者的特點(diǎn)是：TCR只能提供感性的無功功率，但無功功率的大小是連續(xù)的。實(shí)際應(yīng)用中往往配以固定電容器（FC）,就可以在從容性到感性的范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)節(jié)無功功率。TSC提供容性的無功功率，符合大多數(shù)無功功率補(bǔ)償?shù)男枰?。其提供的無功功率不能連續(xù)調(diào)節(jié)，但在實(shí)用中只要分組合理，就可以達(dá)到比較理想的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償效果。（10.0分）27.GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答：GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成兩個(gè)晶體管VI、V2,分別具有共基極電流增益和，由普通晶閘管的分析可得，+=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。+>1,兩個(gè)等效晶體管過飽和而導(dǎo)通；+<1,不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。GTO之所以能夠自行關(guān)斷，而普通晶閘管不能，是因?yàn)镚TO與普通晶閘管在設(shè)計(jì)和工藝方面有以下