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文檔簡介
1、太陽能光伏組件遮擋特性研究2011-05-09 15:08:17 來源:太陽能光伏網(wǎng) 眾所周知,晶體硅太陽電池組件的表面陰影、焊接不良及單體電池功率不匹配等因素是導(dǎo)致輸出功率降低的主要原因,研究這些因素的影響不僅對制造晶體硅太陽電池組件有指導(dǎo)作用,而且也有利于人們正確判斷光伏發(fā)電系統(tǒng)輸出降低或失效的原因。 國外曾經(jīng)有人報(bào)道一些在現(xiàn)場用了10到15年的組件電特性已經(jīng)惡化。其I-V特性曲線已經(jīng)和一些普通的光伏組件差別很大,而這種變化的I-V曲線可以用來分析晶體硅太陽電池組件輸出降低的原因。
2、本文主要討論了遮擋部分電池組件輸出特性的影響,并用計(jì)算機(jī)對核過程進(jìn)行了模擬。一、模擬方法在晶體硅太陽電池組件中,當(dāng)有電池被遮擋時(shí),組件的輸出特性可以用下式表示: 這些參數(shù)估算時(shí)可以用一下參數(shù)代替:n=1.96,I0=3.86X10-5(A),Rsh=15.29()。a=2.0x10-3,Vbr=-21.29(V),nn=3.R3=0.008. 組件中有電池被遮蓋時(shí)的電路可以用圖片三來表示,正常的電池和被遮蓋住的電池在組建中是串聯(lián)關(guān)系,因此電壓V和電流I滿足以下等式:
3、;
4、;
5、0; 組件中電池被遮擋時(shí)的模擬電路其中,Iph1代表組件中普通電池的光電流,Iph2代表遮擋電池產(chǎn)生的光電流,與等式(2)中的遮擋透過率有關(guān)系,例如,當(dāng)遮擋透過率為35%時(shí),Iph2是Iph1的0.35倍。通過解(3)-(6)式可以計(jì)算出I
6、-V的特性。二、實(shí)驗(yàn)圖2(a)和(b)是通過改變陰影透過率的情況下分別計(jì)算和實(shí)際測量的I-V特性曲線。當(dāng)組件上的一個(gè)電池用不同的透過率(一個(gè)組件由36塊電池組成)時(shí),短路電流大致變化不大。結(jié)果是透過率越低,電流隨著電壓的升高下降越快。另一方面,開路電壓基本上相同。由圖可看出:測量結(jié)果與計(jì)算的結(jié)果相吻合。
7、0;
8、60; 圖2以遮擋透過率為變量的I-V特性曲線(遮擋電池?cái)?shù):1)(a)計(jì)算結(jié)果,(b)測量結(jié)果圖3(a)和(b)是通過改變遮擋的電池書目(陰影透過率都為35%)來計(jì)算和測量I-V的特性。隨著電池遮擋數(shù)目的增多,短路電流明顯變低,然而開路電壓變化不是很大。由圖可看出:測量與計(jì)算的結(jié)果相吻合。
9、0; 圖3以遮擋電池?cái)?shù)目為變量的I-V特性曲線(遮擋透過率為35%),(a)計(jì)算結(jié)果,(b)測量結(jié)果。 圖4是不同輻照度下測試I-V特性。其中一片電池上覆蓋有陰影,并且陰影的透過率為35%。隨著輻照度的提高,在短路電流附近電流下降比例變大。圖5是不同輻照度下測試的I-V特性,在一個(gè)組件上有3塊電池有陰影(陰影透過率都為35%)。在這種情況下,在短路電流附近電
10、流下降很小。 圖6是在同一輻照度,陰隱透過率為35%情況下,通過改變組件遮擋的位置測出來的I-V特性曲線。遮擋數(shù)目為3塊(一塊組件36塊電池)。由I-V曲線圖可以看出雖然遮擋面積一樣,但不同的位置其I-V曲線表現(xiàn)不同的,但是開路電壓均相等。
11、; 圖6 位置不同而測定的I-V曲線(曲線1為遮擋的連續(xù)三塊電池;曲線2為遮擋的連續(xù)兩塊電池和一塊間隔開的電池;曲線3為遮擋的三塊分別間隔開的電池)三、結(jié)論本文利用計(jì)算機(jī)模擬和組件測試儀研究了由于電池的遮擋而引起的組件功
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