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文檔簡介
1、電磁場與波電磁場與波1電磁場與波電磁場與波2 本章內(nèi)容本章內(nèi)容 3.1 靜電場基本方程與電位方程靜電場基本方程與電位方程 3.3 靜電場中的導(dǎo)體與電容靜電場中的導(dǎo)體與電容 3.4 靜電場的邊界條件靜電場的邊界條件 3.5 靜電場的邊值問題,惟一性定理靜電場的邊值問題,惟一性定理 3.6 鏡像法鏡像法 3.7 分離變量法分離變量法 靜態(tài)電磁場:靜態(tài)電磁場:場量不隨時(shí)間變化,包括:場量不隨時(shí)間變化,包括: 靜電場、恒定電場和恒定磁場靜電場、恒定電場和恒定磁場 時(shí)變情況下,電場和磁場相互關(guān)聯(lián),構(gòu)成統(tǒng)一的電磁場時(shí)變情況下,電場和磁場相互關(guān)聯(lián),構(gòu)成統(tǒng)一的電磁場 靜態(tài)情況下,電場和磁場由各自的源激發(fā),且相
2、互獨(dú)立靜態(tài)情況下,電場和磁場由各自的源激發(fā),且相互獨(dú)立 電磁場與波電磁場與波3微分形式:微分形式:本構(gòu)關(guān)系:本構(gòu)關(guān)系:1. 基本方程基本方程積分形式:積分形式:3.1 靜電場的基本方程和電位方程靜電場的基本方程和電位方程由由f即靜電場即靜電場可以用一個(gè)標(biāo)量函數(shù)的梯度來表示,用一個(gè)標(biāo)量函數(shù)的梯度來表示,標(biāo)量函數(shù)標(biāo)量函數(shù) 稱為稱為靜電場的標(biāo)量電位或簡稱電位。靜電場的標(biāo)量電位或簡稱電位。1. 電位函數(shù)的定義電位函數(shù)的定義3.1.2 電位定義電位定義電磁場與波電磁場與波42. 電位的表達(dá)式電位的表達(dá)式對于連續(xù)的體分布電荷,由對于連續(xù)的體分布電荷,由面電荷的電位:面電荷的電位: 故得故得點(diǎn)電荷的電位:點(diǎn)
3、電荷的電位:線電荷的電位:線電荷的電位:Q例(例(1.4-31.4-3)電磁場與波電磁場與波53. 電位差電位差上式兩邊從點(diǎn)上式兩邊從點(diǎn)P到點(diǎn)到點(diǎn)Q沿任意路徑進(jìn)行積分,得沿任意路徑進(jìn)行積分,得關(guān)于電位差的說明關(guān)于電位差的說明 P、Q 兩點(diǎn)間的電位差等于電場力將單位正電荷從兩點(diǎn)間的電位差等于電場力將單位正電荷從P點(diǎn)移至點(diǎn)移至Q 點(diǎn)點(diǎn) 所做的功,電場力使單位正電荷由高電位處移到低電位處;所做的功,電場力使單位正電荷由高電位處移到低電位處; 電位差也稱為電壓,可用電位差也稱為電壓,可用U 表示;表示; 電位差有確定值,只與首尾兩點(diǎn)位置有關(guān),與積分路徑無關(guān)。電位差有確定值,只與首尾兩點(diǎn)位置有關(guān),與積分
4、路徑無關(guān)。P、Q 兩點(diǎn)間的電位差兩點(diǎn)間的電位差電場力做電場力做的功的功兩端點(diǎn)乘兩端點(diǎn)乘 ,則有,則有將將電磁場與波電磁場與波6 靜電位不惟一,可以相差一個(gè)常數(shù),即靜電位不惟一,可以相差一個(gè)常數(shù),即選參考點(diǎn)選參考點(diǎn)令參考點(diǎn)電位為零令參考點(diǎn)電位為零電位確定值電位確定值( (電位差電位差) )兩點(diǎn)間電位差有定值兩點(diǎn)間電位差有定值 選擇電位參考點(diǎn)的原則選擇電位參考點(diǎn)的原則應(yīng)使電位表達(dá)式有意義;應(yīng)使電位表達(dá)式有意義;應(yīng)使電位表達(dá)式最簡單。若電荷分布在有限區(qū)域,通常取無限遠(yuǎn)應(yīng)使電位表達(dá)式最簡單。若電荷分布在有限區(qū)域,通常取無限遠(yuǎn)作電位參考點(diǎn);作電位參考點(diǎn);同一個(gè)問題只能有一個(gè)參考點(diǎn)。同一個(gè)問題只能有一個(gè)參
5、考點(diǎn)。4. 電位參考點(diǎn)電位參考點(diǎn)為使空間各點(diǎn)電位具有確定值,可以選定空間某一點(diǎn)作為參考點(diǎn),為使空間各點(diǎn)電位具有確定值,可以選定空間某一點(diǎn)作為參考點(diǎn),且令參考點(diǎn)的電位為零,由于空間各點(diǎn)與參考點(diǎn)的電位差為確定值,且令參考點(diǎn)的電位為零,由于空間各點(diǎn)與參考點(diǎn)的電位差為確定值,所以該點(diǎn)的電位也就具有確定值,即所以該點(diǎn)的電位也就具有確定值,即()CCfffff電磁場與波電磁場與波7在均勻介質(zhì)中,有在均勻介質(zhì)中,有5. 電位的微分方程電位的微分方程在在無源區(qū)域無源區(qū)域,標(biāo)量泊松方程標(biāo)量泊松方程拉普拉斯方程拉普拉斯方程2vf 020f導(dǎo)電物體上包含有效的尖點(diǎn),則這些尖點(diǎn)處的電場導(dǎo)電物體上包含有效的尖點(diǎn),則這些
6、尖點(diǎn)處的電場的大小與平滑部分的電場大小相比,結(jié)果如何?的大小與平滑部分的電場大小相比,結(jié)果如何?很多靜電場問題都是通過先求電位分布再來求電場分布。特別是,很多靜電場問題都是通過先求電位分布再來求電場分布。特別是,在大多實(shí)際靜電場問題中,空間中并不存在電荷,而只是在導(dǎo)體在大多實(shí)際靜電場問題中,空間中并不存在電荷,而只是在導(dǎo)體表面有面電荷分布,因而在空域中只需求解拉普拉斯方程。表面有面電荷分布,因而在空域中只需求解拉普拉斯方程。電磁場與波電磁場與波8bBaA兩個(gè)相連的導(dǎo)體球兩個(gè)相連的導(dǎo)體球例:一根細(xì)長導(dǎo)線將兩個(gè)半徑分別為例:一根細(xì)長導(dǎo)線將兩個(gè)半徑分別為a和和b的導(dǎo)體球連接起來,如右圖所示。的導(dǎo)體球
7、連接起來,如右圖所示。將此組合充電至帶電量將此組合充電至帶電量Q,求每個(gè)球,求每個(gè)球的帶電量和其表面電場強(qiáng)度。的帶電量和其表面電場強(qiáng)度。abQQQ 解解: 假定二導(dǎo)體球假定二導(dǎo)體球A、B相距很遠(yuǎn),相距很遠(yuǎn),使二球上的電荷仍為均勻分布;并使二球上的電荷仍為均勻分布;并且連線很細(xì),其上電荷可略,即且連線很細(xì),其上電荷可略,即 分別是分別是A A、B B球的帶電球的帶電量。量。aQ ,bQ對帶電量對帶電量Q Q的孤立導(dǎo)體球,容易求得球外離球心距離的孤立導(dǎo)體球,容易求得球外離球心距離r r處處M M點(diǎn)電場強(qiáng)點(diǎn)電場強(qiáng)度為度為24QErr取無窮遠(yuǎn)處為電位參考點(diǎn),則其電位為取無窮遠(yuǎn)處為電位參考點(diǎn),則其電位為
8、電磁場與波電磁場與波9由此,由此,A A,B B球表面的電位分別為球表面的電位分別為,44ababQQabff由于由于有細(xì)導(dǎo)線相連,二球的電位是相同有細(xì)導(dǎo)線相連,二球的電位是相同,即,即44abQQab考慮到考慮到 ,便可求得,便可求得abQQQ,ababQQ QQabab由由 知,知,A A,B B球表面的電場強(qiáng)度分別為球表面的電場強(qiáng)度分別為24QErr22,44()44()ababQQQQEEaa abbb ab關(guān)鍵點(diǎn)關(guān)鍵點(diǎn)電磁場與波電磁場與波 例例 3.1 求電偶極子的電位和電場強(qiáng)度。求電偶極子的電位和電場強(qiáng)度。 解解: 利用利用 在球坐標(biāo)系中在球坐標(biāo)系中用二項(xiàng)式展開,由于,得用二項(xiàng)式展
9、開,由于,得代入上式,得代入上式,得 表示表示電偶極矩電偶極矩,方向由,方向由負(fù)電荷指向正電荷負(fù)電荷指向正電荷。+q電偶極子電偶極子zodq2r1rr),(frP221222(/ 2)cos(/ 2)cosrrdrdrrdrdrd12cos ,cos22ddrrrr(1)1axax 電偶極子電偶極子: :一對等值異號(hào)的電荷相距一對等值異號(hào)的電荷相距一個(gè)小的距離一個(gè)小的距離d電磁場與波電磁場與波11 由球坐標(biāo)系中的梯度公式,可得到電偶極子的遠(yuǎn)區(qū)電場強(qiáng)度由球坐標(biāo)系中的梯度公式,可得到電偶極子的遠(yuǎn)區(qū)電場強(qiáng)度等位線等位線電場線電場線電偶極子的場圖電偶極子的場圖 11 ()sinE rrrrrffff
10、30 ( 2cossin )4qdrr+qzodq2r1rr),(frP電偶極子電場的特點(diǎn):電偶極子電場的特點(diǎn):1.1.遠(yuǎn)區(qū)電場按遠(yuǎn)區(qū)電場按 反比變化;反比變化;3r3.3.無無 分量遠(yuǎn)區(qū)電場具有軸對稱分量遠(yuǎn)區(qū)電場具有軸對稱性(對稱軸為性(對稱軸為 )。)。d2.2.各分量大小與方向各分量大小與方向 有關(guān);有關(guān);電磁場與波電磁場與波123.2 靜電場中的導(dǎo)體與電容靜電場中的導(dǎo)體與電容導(dǎo)體:含有大量自由電荷的物體。導(dǎo)體:含有大量自由電荷的物體。當(dāng)導(dǎo)體至于靜電場中時(shí),導(dǎo)體中將呈現(xiàn)當(dāng)導(dǎo)體至于靜電場中時(shí),導(dǎo)體中將呈現(xiàn)靜電感應(yīng)現(xiàn)象靜電感應(yīng)現(xiàn)象,形成導(dǎo),形成導(dǎo)體中電荷的重新分布。在外加電場的作用下,正電荷
11、將沿電場體中電荷的重新分布。在外加電場的作用下,正電荷將沿電場方向、負(fù)電荷沿其反方向向?qū)w表面移動(dòng),同時(shí),這些正負(fù)電方向、負(fù)電荷沿其反方向向?qū)w表面移動(dòng),同時(shí),這些正負(fù)電荷又形成與外場反向的荷又形成與外場反向的二次電場來抵消電場的作用二次電場來抵消電場的作用。最終導(dǎo)致。最終導(dǎo)致導(dǎo)體中的導(dǎo)體中的合電場為零合電場為零,電荷運(yùn)動(dòng)停止,這種狀態(tài)稱為,電荷運(yùn)動(dòng)停止,這種狀態(tài)稱為靜電平衡靜電平衡。導(dǎo)體至于靜電場中時(shí),導(dǎo)體中自由電荷的運(yùn)動(dòng)情況?導(dǎo)體至于靜電場中時(shí),導(dǎo)體中自由電荷的運(yùn)動(dòng)情況?我們的討論都限于達(dá)到平衡狀態(tài)以后的現(xiàn)象。我們的討論都限于達(dá)到平衡狀態(tài)以后的現(xiàn)象。電磁場與波電磁場與波1.1.導(dǎo)體內(nèi)部各處
12、電場強(qiáng)度均為導(dǎo)體內(nèi)部各處電場強(qiáng)度均為0 02.2.導(dǎo)體內(nèi)部不存在任何凈電荷,電荷都以面電荷形式分導(dǎo)體內(nèi)部不存在任何凈電荷,電荷都以面電荷形式分布于導(dǎo)體表面布于導(dǎo)體表面3.3.導(dǎo)體為一等位體,其表面為等位面導(dǎo)體為一等位體,其表面為等位面4.4.導(dǎo)體表面切向電場為導(dǎo)體表面切向電場為0 0,而只有法向電場分量,而只有法向電場分量E En n133.2 靜電場中的導(dǎo)體與電容靜電場中的導(dǎo)體與電容靜電場中的導(dǎo)體具有以下特征:靜電場中的導(dǎo)體具有以下特征:電磁場與波電磁場與波14任何兩個(gè)導(dǎo)體都可看作一電容器任何兩個(gè)導(dǎo)體都可看作一電容器電容器廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備的電路中:電容器廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備的電路中: 在電子
13、電路中,利用電容器來實(shí)現(xiàn)濾波、移相、隔直、旁在電子電路中,利用電容器來實(shí)現(xiàn)濾波、移相、隔直、旁 路、選頻等作用;路、選頻等作用; 通過電容、電感、電阻的排布,可組合成各種功能的復(fù)雜通過電容、電感、電阻的排布,可組合成各種功能的復(fù)雜 電路;電路; 在電力系統(tǒng)中,可利用電容器來改善系統(tǒng)的功率因數(shù),以在電力系統(tǒng)中,可利用電容器來改善系統(tǒng)的功率因數(shù),以 減少電能的損失和提高電氣設(shè)備的利用率;減少電能的損失和提高電氣設(shè)備的利用率;如何求電容器的電容?如何求電容器的電容?電磁場與波電磁場與波15 電容是導(dǎo)體系統(tǒng)的一種基本屬性,是描述導(dǎo)體系統(tǒng)電容是導(dǎo)體系統(tǒng)的一種基本屬性,是描述導(dǎo)體系統(tǒng) 儲(chǔ)存電荷儲(chǔ)存電荷能力
14、能力的物理量。的物理量。 孤立導(dǎo)體的電容定義為所帶電量孤立導(dǎo)體的電容定義為所帶電量q與其電位與其電位f f的比值,即的比值,即1. 電容電容 孤立導(dǎo)體的電容孤立導(dǎo)體的電容例:例: 真空中半徑真空中半徑a的孤立帶電導(dǎo)體球,其表面電荷量為的孤立帶電導(dǎo)體球,其表面電荷量為q,則電位則電位f f?qCf04qaf電位參考點(diǎn)為電位參考點(diǎn)為無窮遠(yuǎn)處無窮遠(yuǎn)處04Ca電磁場與波電磁場與波16 兩個(gè)帶等量異號(hào)電荷(兩個(gè)帶等量異號(hào)電荷( q)的導(dǎo)體組成的電容器,其電容為的導(dǎo)體組成的電容器,其電容為 電容的大小只與導(dǎo)體系統(tǒng)的幾何尺寸、形狀和及周圍電介質(zhì)電容的大小只與導(dǎo)體系統(tǒng)的幾何尺寸、形狀和及周圍電介質(zhì) 的特性參數(shù)
15、有關(guān),而與導(dǎo)體的帶電量和電位無關(guān)。的特性參數(shù)有關(guān),而與導(dǎo)體的帶電量和電位無關(guān)。12qqCUfflsddlEsEC電磁場與波電磁場與波17(1) 假定兩導(dǎo)體上分別帶電荷假定兩導(dǎo)體上分別帶電荷+q 和和 -q ; (2) 計(jì)算兩導(dǎo)體間的電場強(qiáng)度計(jì)算兩導(dǎo)體間的電場強(qiáng)度E; 計(jì)算電容的步驟:計(jì)算電容的步驟: (4) 求比值求比值 ,即得出所求電容。,即得出所求電容。 (3) 由由 ,求出兩導(dǎo)體間的電位差;,求出兩導(dǎo)體間的電位差;qCU或:或: (1) 假定兩導(dǎo)體間電壓假定兩導(dǎo)體間電壓U; (3) 根據(jù)根據(jù) 計(jì)算導(dǎo)體表面的電量;計(jì)算導(dǎo)體表面的電量; (2) 由由 ,求出電場強(qiáng)度,求出電場強(qiáng)度E; (4)
16、 求比值求比值 ,即得出所求電容。,即得出所求電容。qCU電磁場與波電磁場與波18 解:解:設(shè)內(nèi)導(dǎo)體的電荷為設(shè)內(nèi)導(dǎo)體的電荷為q q,則由高斯定理可求得內(nèi)外導(dǎo)體間的,則由高斯定理可求得內(nèi)外導(dǎo)體間的電場電場同心導(dǎo)體間的電壓同心導(dǎo)體間的電壓球形電容器的電容球形電容器的電容abo 例例3.2 同心球形電容器的內(nèi)導(dǎo)體半徑為同心球形電容器的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a、外導(dǎo)體半徑為、外導(dǎo)體半徑為b,其,其間填充介電常數(shù)為間填充介電常數(shù)為的均勻介質(zhì)。的均勻介質(zhì)。求此球形電容器的電容。求此球形電容器的電容。孤立導(dǎo)體球的電容孤立導(dǎo)體球的電容0011d()44baqqbaUE rabab04abqCUba當(dāng)當(dāng) 時(shí),時(shí),b 04
17、CaE rq4r2D rq4r2電磁場與波電磁場與波19 例例3.3 同軸線內(nèi)導(dǎo)體半徑為同軸線內(nèi)導(dǎo)體半徑為a,外導(dǎo)體半徑為為,外導(dǎo)體半徑為為b,內(nèi)外導(dǎo)體間,內(nèi)外導(dǎo)體間填充的介電常數(shù)為填充的介電常數(shù)為 的均勻介質(zhì),的均勻介質(zhì),求同軸線單位長度的電容。求同軸線單位長度的電容。內(nèi)外導(dǎo)體間的電位差內(nèi)外導(dǎo)體間的電位差ll 解解: 設(shè)同軸線的內(nèi)、外導(dǎo)體單位長度帶電量分別為設(shè)同軸線的內(nèi)、外導(dǎo)體單位長度帶電量分別為 和和 ,應(yīng)用高斯定理可得到內(nèi)外導(dǎo)體間任一點(diǎn)的電場強(qiáng)度為應(yīng)用高斯定理可得到內(nèi)外導(dǎo)體間任一點(diǎn)的電場強(qiáng)度為故得同軸線單位長度的電容為故得同軸線單位長度的電容為ab同軸線同軸線ln( / )2lb a12
18、F/mln( / )lCUb a電磁場與波電磁場與波20 例例 3.4 如圖所示的平行雙線傳輸線,導(dǎo)線半徑為如圖所示的平行雙線傳輸線,導(dǎo)線半徑為a,兩導(dǎo)線的,兩導(dǎo)線的軸線距離為軸線距離為D,且,且D a,求傳輸線單位長度的電容。,求傳輸線單位長度的電容。兩導(dǎo)線間的電位差兩導(dǎo)線間的電位差故單位長度的電容為故單位長度的電容為xyzxDal 解解: 設(shè)兩導(dǎo)線單位長度帶電量分別為設(shè)兩導(dǎo)線單位長度帶電量分別為 和和 。由于。由于 ,故,故可近似地認(rèn)為電荷分別均勻分布在兩可近似地認(rèn)為電荷分別均勻分布在兩導(dǎo)線的表面上。應(yīng)用高斯定理和疊加原導(dǎo)線的表面上。應(yīng)用高斯定理和疊加原理,可得到兩導(dǎo)線之間的平面上任一點(diǎn)理
19、,可得到兩導(dǎo)線之間的平面上任一點(diǎn)P 的電場強(qiáng)度為的電場強(qiáng)度為lDa001F/mln()ln()lCUDaaD a電磁場與波電磁場與波213.4 靜電場的邊界條件靜電場的邊界條件電場強(qiáng)度和電位移矢量在不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件電場強(qiáng)度和電位移矢量在不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件或或若分界面上不存在面電荷,即若分界面上不存在面電荷,即S S0 0,則,則或或12120nnSttDDEE1212nnttDDEE若媒質(zhì)若媒質(zhì)1 1為介質(zhì),媒質(zhì)為介質(zhì),媒質(zhì)2 2為導(dǎo)體,則為導(dǎo)體,則或或110nstDE電磁場與波電磁場與波22介質(zhì)介質(zhì)2 2介質(zhì)介質(zhì)1 121212E1En 在靜電平衡的情況下,導(dǎo)體內(nèi)部的電場為
20、在靜電平衡的情況下,導(dǎo)體內(nèi)部的電場為0,則導(dǎo)體表面的,則導(dǎo)體表面的邊界條件為邊界條件為 或或 場矢量的折射關(guān)系場矢量的折射關(guān)系 介質(zhì)與導(dǎo)體間的邊界條件介質(zhì)與導(dǎo)體間的邊界條件111111222222/tantan/tnntnnEEDEED 介質(zhì)介質(zhì)1 1111E導(dǎo)體n 特例:場量只有法向分量,即特例:場量只有法向分量,即1= 2 =0110nstDE注:媒質(zhì)注:媒質(zhì)1 1為介質(zhì),媒質(zhì)為介質(zhì),媒質(zhì)2 2為導(dǎo)體為導(dǎo)體電磁場與波電磁場與波 設(shè)設(shè)P1和和P2是介質(zhì)分界面兩側(cè)緊貼界面的相鄰兩點(diǎn),其電位分是介質(zhì)分界面兩側(cè)緊貼界面的相鄰兩點(diǎn),其電位分別為別為?1和和? 2 若介質(zhì)分界面上無自由電荷,即若介質(zhì)分
21、界面上無自由電荷,即 導(dǎo)體表面上電位的邊界條件:導(dǎo)體表面上電位的邊界條件:常數(shù),常數(shù),12ff2121Snnff0s2121nnffSnf f 靜電位靜電位的邊界條件的邊界條件由由 和和1f媒質(zhì)媒質(zhì)2媒質(zhì)媒質(zhì)121l2fABDC當(dāng)兩點(diǎn)間距離當(dāng)兩點(diǎn)間距離l0時(shí)時(shí),C與與D趨于同一趨于同一點(diǎn),取作電位參考點(diǎn)點(diǎn),取作電位參考點(diǎn)電磁場與波電磁場與波24 例例 3.5 無限長同軸線內(nèi)外導(dǎo)體半徑分別為無限長同軸線內(nèi)外導(dǎo)體半徑分別為a,b,外導(dǎo)體接地,內(nèi)外導(dǎo)體接地,內(nèi)導(dǎo)體電位為導(dǎo)體電位為U,內(nèi)外導(dǎo)體間部分填充介電常數(shù)為,內(nèi)外導(dǎo)體間部分填充介電常數(shù)為1的介質(zhì),其余部的介質(zhì),其余部分介電常數(shù)為分介電常數(shù)為2 ,
22、(a)圖中二介質(zhì)層分界面半徑為圖中二介質(zhì)層分界面半徑為c;(b)圖圖 扇形區(qū)域填充扇形區(qū)域填充1介質(zhì)。求內(nèi)外導(dǎo)體間的電場強(qiáng)度及內(nèi)外導(dǎo)體表面線介質(zhì)。求內(nèi)外導(dǎo)體間的電場強(qiáng)度及內(nèi)外導(dǎo)體表面線電荷密度電荷密度解解: (a) 利用高斯定理可得利用高斯定理可得不難看出,上述條件滿足分界面不難看出,上述條件滿足分界面=c處邊界條件:處邊界條件:l1011111,22llDDE 12ddcbacUEE abc12U當(dāng)當(dāng)ac:當(dāng)當(dāng)cb:22222,22llDDE 12nnDD(a)圖圖1211lnln2lcbac=?l電磁場與波電磁場與波25故將故將 用用U表示后得表示后得l12211lnlnlUcbac111
23、221,lnlnlnlnUUEEcbcbacac內(nèi)導(dǎo)體表面處為內(nèi)導(dǎo)體表面處為 ,外導(dǎo)體內(nèi)表面為,外導(dǎo)體內(nèi)表面為 。對外總電荷為。對外總電荷為0,可見外導(dǎo)體起了屏蔽作用??梢娡鈱?dǎo)體起了屏蔽作用。l-l電磁場與波電磁場與波ab2U11(b)圖圖(b) 利用高斯定理可得利用高斯定理可得11111111 1,llDDE 當(dāng)當(dāng)102222122lDE 當(dāng)當(dāng)12111 1dlnblabUEa 從而得從而得1lnUEba2212dln2blabUEa 從而得從而得2lnUEba2212lD此結(jié)果表明,此結(jié)果表明, 處邊界條件成立處邊界條件成立12ttEE10,由前面二等式又得由前面二等式又得121 1122
24、,lnlnllUUbbaa 電磁場與波電磁場與波273.5 靜電場的邊值問題,惟一性定理靜電場的邊值問題,惟一性定理3.5.1 3.5.1 靜電場的邊值問題靜電場的邊值問題邊值問題:在給定的邊界條件下,求解邊值問題:在給定的邊界條件下,求解位函數(shù)的泊松方程或位函數(shù)的泊松方程或 拉普拉斯方程拉普拉斯方程分布型問題分布型問題給定場源分布,給定場源分布,求任意點(diǎn)場強(qiáng)或求任意點(diǎn)場強(qiáng)或位函數(shù)位函數(shù)邊值型問題邊值型問題給定邊界條件,給定邊界條件,求任意點(diǎn)位函數(shù)求任意點(diǎn)位函數(shù)或場強(qiáng)或場強(qiáng)靜態(tài)場問題靜態(tài)場問題第一類邊界條第一類邊界條件,狄利克雷件,狄利克雷問題問題第二類邊界條第二類邊界條件,諾伊曼問件,諾伊曼
25、問題題第三類第三類邊界條件邊界條件一、二類邊界條一、二類邊界條件的線性組合,件的線性組合,即即111|()Sf Sf、222|()SfSnf已知場域邊界已知場域邊界上各點(diǎn)電位的上各點(diǎn)電位的法向?qū)?shù)法向?qū)?shù)2|( )SfSnf已知場域邊界上各點(diǎn)電位值已知場域邊界上各點(diǎn)電位值1|( )Sf Sf電磁場與波電磁場與波28 自然邊界條件自然邊界條件 (無界空間)(無界空間) 周期邊界條件周期邊界條件 銜接條件銜接條件不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件,如不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件,如121f2frS2ff(2 )fffflimrrf有限值211221,-=snnffff電磁場與波電磁場與波29例:例:(第一類
26、邊值問題)(第一類邊值問題)0Ubaoxy0Ubaoxy0 xf0 xf(第三類邊值問題)(第三類邊值問題)例:例:22220 xyff(0, )0, ( , )0ya yff0( ,0)0, ( , )xx bUff22220 xyff00,0 xx axxff0( ,0)0, ( , )xx bUff電磁場與波電磁場與波30邊值型問邊值型問題解法題解法計(jì)算法計(jì)算法實(shí)驗(yàn)法實(shí)驗(yàn)法圖解法圖解法解析法解析法數(shù)值法數(shù)值法有限差分法有限差分法有限元法有限元法邊界元法邊界元法矩量法矩量法鏡像法鏡像法分離變量法分離變量法復(fù)變函數(shù)法復(fù)變函數(shù)法格林函數(shù)法格林函數(shù)法電磁場與波電磁場與波313.5.2 惟一性定理
27、惟一性定理惟一性定理的重要意義惟一性定理的重要意義給出了靜態(tài)場邊值問題具有惟一解的條件給出了靜態(tài)場邊值問題具有惟一解的條件為靜態(tài)場邊值問題的各種求解方法為靜態(tài)場邊值問題的各種求解方法( (試探解、解析解、數(shù)試探解、解析解、數(shù)值解等)提供了理論依據(jù)值解等)提供了理論依據(jù)為求解結(jié)果的正確性提供了判據(jù)為求解結(jié)果的正確性提供了判據(jù)惟一性定理的表述惟一性定理的表述在場域在場域V 的邊界面的邊界面S上給定上給定 或或 的值,則空間中的場就惟的值,則空間中的場就惟一地確定了。一地確定了。 fnf靜電場邊值問題歸結(jié)于在給定邊界條件下靜電場邊值問題歸結(jié)于在給定邊界條件下求解泊松方程和拉求解泊松方程和拉普拉斯方程
28、普拉斯方程的問題。那么,在什么條件下方程的解是惟一的的問題。那么,在什么條件下方程的解是惟一的呢?呢? 也就是說,也就是說,滿足邊界條件的泊松方程或拉普拉斯方程的解是滿足邊界條件的泊松方程或拉普拉斯方程的解是惟一的,惟一的,這就是這就是靜電場惟一性定理靜電場惟一性定理。電磁場與波電磁場與波32非均勻感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電位很難求非均勻感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電位很難求解,能否用等效電荷的電位替代?解,能否用等效電荷的電位替代?1. 問題問題u接地導(dǎo)體板附近有接地導(dǎo)體板附近有一個(gè)點(diǎn)電荷,上半空一個(gè)點(diǎn)電荷,上半空間的電位?間的電位?q qqq非均勻感應(yīng)電荷非均勻感應(yīng)電荷等效電荷等效電荷 3.6 鏡像法鏡像法q q
29、u點(diǎn)電荷在空間中的點(diǎn)電荷在空間中的電位?電位?04qaf電磁場與波電磁場與波33 接地導(dǎo)體球附近有一個(gè)點(diǎn)電荷,如圖。接地導(dǎo)體球附近有一個(gè)點(diǎn)電荷,如圖。q q非均勻感應(yīng)電荷非均勻感應(yīng)電荷qq等效電荷等效電荷問題:這種等效電荷是否存在?問題:這種等效電荷是否存在? 這種等效是否合理?這種等效是否合理?非均勻感應(yīng)電荷產(chǎn)生的非均勻感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電位很難求解,能否用電位很難求解,能否用等效電荷的電位替代等效電荷的電位替代電磁場與波電磁場與波342. 鏡像法原理鏡像法原理 用用位于場域邊界外位于場域邊界外虛設(shè)的較簡單的虛設(shè)的較簡單的鏡像電荷鏡像電荷分布來分布來等效替代等效替代該該邊界上未知的較為復(fù)雜的電荷
30、分布邊界上未知的較為復(fù)雜的電荷分布,從而將原含該邊界的非均,從而將原含該邊界的非均勻媒質(zhì)空間變換成無限大單一均勻媒質(zhì)的空間,使分析計(jì)算過程勻媒質(zhì)空間變換成無限大單一均勻媒質(zhì)的空間,使分析計(jì)算過程得以明顯簡化的一種間接求解法。得以明顯簡化的一種間接求解法。 在導(dǎo)體形狀、幾何尺寸、帶電狀況和媒質(zhì)幾何結(jié)構(gòu)、特性不在導(dǎo)體形狀、幾何尺寸、帶電狀況和媒質(zhì)幾何結(jié)構(gòu)、特性不變的前提條件下,根據(jù)惟一性定理,變的前提條件下,根據(jù)惟一性定理,只要找出的解答滿足在同一只要找出的解答滿足在同一泛定方程下問題所給定的邊界條件,那就是該問題的解答,并且泛定方程下問題所給定的邊界條件,那就是該問題的解答,并且是惟一的解答是惟
31、一的解答。鏡像法正是巧妙地應(yīng)用了這一基本原理、面向多。鏡像法正是巧妙地應(yīng)用了這一基本原理、面向多種典型結(jié)構(gòu)的工程電磁場問題所構(gòu)成的一種有效的解析求解法。種典型結(jié)構(gòu)的工程電磁場問題所構(gòu)成的一種有效的解析求解法。3. 鏡像法的理論基礎(chǔ)鏡像法的理論基礎(chǔ)解的惟一性定理解的惟一性定理電磁場與波電磁場與波35 鏡像電荷的鏡像電荷的個(gè)數(shù)個(gè)數(shù)、位置位置及其及其電量電量大小大小“三要素三要素” ;4. 鏡像法應(yīng)用的鏡像法應(yīng)用的關(guān)鍵點(diǎn)關(guān)鍵點(diǎn)5. 確定鏡像電荷的兩條原則確定鏡像電荷的兩條原則等效求解的等效求解的“有效場域有效場域”。鏡像電荷的確定鏡像電荷的確定鏡鏡像電荷必須位于所求解的場區(qū)域以外的空間中;像電荷必須
32、位于所求解的場區(qū)域以外的空間中;鏡鏡像電荷的像電荷的個(gè)數(shù)個(gè)數(shù)、位置位置及及電荷量電荷量的大小以滿足所求解的場的大小以滿足所求解的場 區(qū)域的邊界條件來確定。區(qū)域的邊界條件來確定。電磁場與波電磁場與波361. 點(diǎn)電荷對無限大接地導(dǎo)體平面的鏡像點(diǎn)電荷對無限大接地導(dǎo)體平面的鏡像滿足原問題的邊界條件,所得的結(jié)果是正確的。滿足原問題的邊界條件,所得的結(jié)果是正確的。3.6.1 接地導(dǎo)體平面附近的點(diǎn)(線)電荷接地導(dǎo)體平面附近的點(diǎn)(線)電荷鏡像電荷鏡像電荷電位函數(shù)電位函數(shù)q qhhq 有效區(qū)域有效區(qū)域RR q qh,qq hh 11()04qzRR()RRfz00q=-q求此電荷在上半空間的場?求此電荷在上半空
33、間的場?44qqRRf邊界條件:邊界條件:z = 0時(shí),時(shí),f f=0P P(x,y,z)(x,y,z)P P0 0電磁場與波電磁場與波37上半空間上半空間( ( z0 )的電位函數(shù))的電位函數(shù)q qh 導(dǎo)體平面上的導(dǎo)體平面上的感應(yīng)電荷密度感應(yīng)電荷密度為為導(dǎo)體平面上的導(dǎo)體平面上的總感應(yīng)電荷總感應(yīng)電荷為為22222211( , , )4()()qx y zxyzhxyzhf(0)z Snf 2223 2d dd2()iSSqhx yQSxyh 222 3 200d d2()qhqh f 可見可見,鏡像電荷鏡像電荷 代替了導(dǎo)體表面所有感應(yīng)電荷對上半空間代替了導(dǎo)體表面所有感應(yīng)電荷對上半空間的作用。的
34、作用。q 求此電荷在上求此電荷在上半空間的電場強(qiáng)半空間的電場強(qiáng)度?度?導(dǎo)體平面上的總感應(yīng)電荷為多少?導(dǎo)體平面上的總感應(yīng)電荷為多少?222 3 22 ()qhxyh 2121Snnff0zzf 電磁場與波電磁場與波383.6.2. 導(dǎo)體劈間的點(diǎn)電荷導(dǎo)體劈間的點(diǎn)電荷 如圖所示,兩個(gè)相互垂直相連的半無限大接地導(dǎo)體平板,點(diǎn)如圖所示,兩個(gè)相互垂直相連的半無限大接地導(dǎo)體平板,點(diǎn)電荷電荷q 位于位于(d1, d2 )處。處。 顯然,顯然,q1 對平面對平面 2 以及以及q2 對平對平面面 1 均不能滿足邊界條件。均不能滿足邊界條件。對于平面對于平面1,有鏡像電荷,有鏡像電荷q1=q,位于,位于(d1, d2
35、 )對于平面對于平面2,有鏡像電荷,有鏡像電荷q2=q,位于,位于( d1, d2 ) 只有在只有在(d1, d2 )處處再設(shè)置一再設(shè)置一鏡像電荷鏡像電荷q3 = q,所有邊界條件才能,所有邊界條件才能得到滿足。得到滿足。電位函數(shù)電位函數(shù)q d1d212RR1R2R3q1d1d2d2q2d1q3d2d11231111()4qRRRR = /2 電磁場與波電磁場與波39導(dǎo)體劈間的點(diǎn)電荷在區(qū)間產(chǎn)生的電位?導(dǎo)體劈間的點(diǎn)電荷在區(qū)間產(chǎn)生的電位?4321011114rrrrqf222222122222223412,1212,12rxyz rxyzrxyz rxyz電磁場與波電磁場與波403xBCq2134
36、56qqqqq導(dǎo)體劈間的點(diǎn)電荷在區(qū)間產(chǎn)生的電位?導(dǎo)體劈間的點(diǎn)電荷在區(qū)間產(chǎn)生的電位?電磁場與波電磁場與波413xBCq213456qqqqq 輪流找出鏡像電荷及鏡輪流找出鏡像電荷及鏡像電荷的鏡像,直到最后像電荷的鏡像,直到最后的鏡像電荷與原電荷重合的鏡像電荷與原電荷重合為止。為止。,鏡像電荷的總數(shù)是對12 nNn只有只有n為整數(shù)時(shí),最后鏡像才能和原電荷重合;為整數(shù)時(shí),最后鏡像才能和原電荷重合;導(dǎo)體交角內(nèi)任一點(diǎn)的電場就等于導(dǎo)體交角內(nèi)任一點(diǎn)的電場就等于N個(gè)鏡像電荷與個(gè)鏡像電荷與原電荷在該點(diǎn)產(chǎn)生場的總和。原電荷在該點(diǎn)產(chǎn)生場的總和??梢娍梢?,; 1N,; 53N,注意注意:; 32N,q12電磁場與波電
37、磁場與波42例 真空中,電量為 的點(diǎn)電荷位于點(diǎn) 處, 平面是一個(gè)無限大的接地導(dǎo)體板。求 軸上電位為 的點(diǎn)的坐標(biāo);計(jì)算該點(diǎn)的電場強(qiáng)度。C1)1 ,0 ,0(PxOyzV410解: 根據(jù)鏡像法可知上半空間的電位由406101111410),0 ,0(zzz可解得mz67.11)(1)(1421212222220hzyxhzyxqmz45.02電磁場與波電磁場與波43 當(dāng) 時(shí), 軸上的電場強(qiáng)度z1z) 1(1) 1(1410), 0 , 0(2206zzzzeE將 代入,得mz67.11) 167. 1 (1) 167. 1 (1410), 0 , 0(22061zzeEmz45.02將 代入,得當(dāng)
38、 時(shí), 軸上的電場強(qiáng)度z1z) 1(1) 1(1410), 0 , 0(2206zzzzeE) 145. 0(1) 145. 0(1410), 0 , 0(22062zzeE電磁場與波電磁場與波 鏡像法小結(jié)鏡像法小結(jié)* * 鏡像法的理論基礎(chǔ)是鏡像法的理論基礎(chǔ)是靜電場惟一性定理靜電場惟一性定理;* * 鏡像法的實(shí)質(zhì)是用鏡像法的實(shí)質(zhì)是用虛設(shè)的鏡像電荷替代邊界上感應(yīng)電虛設(shè)的鏡像電荷替代邊界上感應(yīng)電荷荷的分布,使計(jì)算場域?yàn)闊o限大均勻介質(zhì);的分布,使計(jì)算場域?yàn)闊o限大均勻介質(zhì);* * 鏡像法的關(guān)鍵是鏡像法的關(guān)鍵是確定鏡像電荷的個(gè)數(shù)、位置及大小確定鏡像電荷的個(gè)數(shù)、位置及大?。?* * 應(yīng)用鏡像法解題時(shí),應(yīng)用
39、鏡像法解題時(shí),注意:鏡像電荷只能放在待求注意:鏡像電荷只能放在待求場域以外的區(qū)域。場域以外的區(qū)域。疊加時(shí),要注意場的適用區(qū)域,它只疊加時(shí),要注意場的適用區(qū)域,它只對該區(qū)域等效。對該區(qū)域等效。電磁場與波電磁場與波453.7 分離變量法分離變量法 分離變量法是求解邊值問題的一種經(jīng)典方法分離變量法是求解邊值問題的一種經(jīng)典方法分離變量法的理論依據(jù)是惟一性定理分離變量法的理論依據(jù)是惟一性定理采用正交坐標(biāo)系可用分離變量法得出拉普拉斯方程或波動(dòng)采用正交坐標(biāo)系可用分離變量法得出拉普拉斯方程或波動(dòng)方程的通解方程的通解只有當(dāng)場域邊界與正交坐標(biāo)面重合只有當(dāng)場域邊界與正交坐標(biāo)面重合( (或平行或平行) )時(shí),才可確定
40、時(shí),才可確定積分常數(shù),從而得到邊值問題的特解積分常數(shù),從而得到邊值問題的特解電磁場與波電磁場與波4646解題的一般步驟:解題的一般步驟:(a)(a)根據(jù)邊界形狀選定坐標(biāo)系,寫出對應(yīng)的邊值問題(微分方根據(jù)邊界形狀選定坐標(biāo)系,寫出對應(yīng)的邊值問題(微分方程和邊界條件);程和邊界條件);(b)(b)分離變量,將一個(gè)偏微分方程分離成幾個(gè)常微分方程分離變量,將一個(gè)偏微分方程分離成幾個(gè)常微分方程, ,并并得出通解表達(dá)式;得出通解表達(dá)式;(c)(c)利用給定的邊界條件確定待定常數(shù),最終得到電位函數(shù)利用給定的邊界條件確定待定常數(shù),最終得到電位函數(shù)的特解。的特解。直角坐標(biāo)系直角坐標(biāo)系二維問題二維問題電磁場與波電磁
41、場與波47在直角坐標(biāo)系中,位函數(shù)的拉普拉斯方程在直角坐標(biāo)系中,位函數(shù)的拉普拉斯方程3.7.1 直角坐標(biāo)系中的分離變量法直角坐標(biāo)系中的分離變量法設(shè)設(shè)將其代入拉普拉斯方程,得將其代入拉普拉斯方程,得兩邊同除以兩邊同除以X(x) Y(y) ,有,有22220 xyff( , )( ) ( )x yX x Y yf2222d( )d( )( )( )0ddX xY yY yX xxy22221d( )1d( )0( )d( )dX xY yX xxY yy可得可得0122dxXdXx對于二維問題,位函數(shù)與對于二維問題,位函數(shù)與z無關(guān),則拉普拉斯方程為無關(guān),則拉普拉斯方程為2222222=0 xyzff
42、ff電磁場與波電磁場與波于是有于是有2221xkdxXdX2221ykdyYdY022yxkk注:注:寫為如下形式寫為如下形式2220 ( )xd Xk Xadx2220 ( )yd Yk Ybdy二者中一個(gè)為正值,另一個(gè)為負(fù)值,二者中一個(gè)為正值,另一個(gè)為負(fù)值,22,xyk k,xyk k二者中一個(gè)為實(shí)數(shù),另一個(gè)為虛數(shù)。二者中一個(gè)為實(shí)數(shù),另一個(gè)為虛數(shù)。電磁場與波電磁場與波(a)式具有一對共軛虛根式具有一對共軛虛根 ;(b)式具有一對反號(hào)實(shí)根式具有一對反號(hào)實(shí)根 。xjkxkY(y)CekxyDekxyC1chkxyD1shkxy11( )cossinxxjk xjk xxxX xAeBeAk x
43、Bk x2220 ( )xd Xk Xadx2220 ( )yd Yk Ybdy當(dāng)當(dāng) 時(shí)時(shí)000( )( )X xXxA xB000( )( )Y yY yC yD220 xykk當(dāng)當(dāng)當(dāng)當(dāng)2220,0 xyxkkk 2220,0yxykkk 11( )chshyyk xk xyyX xAeBeAk xBk xY(y)CejkyyDejkyyC1coskyyD1sinkyy無界區(qū)域無界區(qū)域有界區(qū)域有界區(qū)域(a)式具有一對反號(hào)實(shí)根式具有一對反號(hào)實(shí)根 ;(b)式具有一對共軛虛根式具有一對共軛虛根 。yjkyk電磁場與波電磁場與波50將所有可能的將所有可能的 f f (x,y)線性線性疊加起來,則得到
44、位函數(shù)的通解,即疊加起來,則得到位函數(shù)的通解,即通解中的待定系數(shù)由給定的邊界條件確定。通解中的待定系數(shù)由給定的邊界條件確定。00001( , )()()(cossin)(chsh)nnnnnnnnnx yA xBC yDAk xBk x Ck yDk yf(方程: )直角坐標(biāo)系中解的形式的選擇直角坐標(biāo)系中解的形式的選擇0222XkdxXdx電磁場與波電磁場與波51 例例3.6 一一矩形區(qū)域四壁的邊界條件如圖所示。求(矩形區(qū)域四壁的邊界條件如圖所示。求(a) a) 區(qū)域中區(qū)域中的電位函數(shù),(的電位函數(shù),(b b)區(qū)域中電場強(qiáng)度及)區(qū)域中電場強(qiáng)度及y=by=b壁上的面電荷密度。壁上的面電荷密度。
45、解:位函數(shù)滿足的方程和邊界條解:位函數(shù)滿足的方程和邊界條件為件為故故位函數(shù)的通解應(yīng)取為位函數(shù)的通解應(yīng)取為0=0( ,0)0, ( , )020, ( , )sinxxx bya yUxbffff0fbaoxy0sin(2/ )Uy bf0 xf00001( , )()()(chsh)(cossin)nnnnnnnnnx yA xBC yDAk xBk x Ck yDk yf22220 xyff電磁場與波電磁場與波52確定待定系數(shù)確定待定系數(shù)00,0nDCsin0nk b nnkb00,sin0nnCDk b( ,0)0 xf( , )0 x bf0001( , )()(chsh)sinnnnnnnnx yA xB C yAk xBk x Dk yf1( , )(chsh)sinnnnnnnnx yAxBx Dybbbf0001()(chsh)cos0nnnnnnnA xB DAk xBk x Ck y0001()(chsh)sin0nnnn
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