第二章1晶體管ppt課件

1、第二章第二章雙極型晶體管及雙極型晶體管及其放大電路其放大電路模擬電路：對模擬量進行處理的電模擬電路：對模擬量進行處理的電路，最基本的處理是放大。路，最基本的處理是放大。放大：輸入為小信號，有源元件控放大：輸入為小信號，有源元件控制電源使負載獲得大信號，并保持制電源使負載獲得大信號，并保持線性關系。線性關系。有源元件：能夠控制能量的元件。有源元件：能夠控制能量的元件。電路的基本形式及它們之間的聯(lián)系電路的基本形式及它們之間的聯(lián)系抽樣數(shù)據(jù)電路抽樣數(shù)據(jù)電路模擬電路模擬電路數(shù)字電路數(shù)字電路抽樣電路抽樣電路編碼器編碼器濾波器濾波器解碼器解碼器模擬信號輸入模擬信號輸入模擬信號輸出模擬信號輸出抽樣信號抽樣信號

2、數(shù)字信號數(shù)字信號雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)。特性曲線和主要參數(shù)。雙極型模擬集成電路中常用的基雙極型模擬集成電路中常用的基本單元電路的組成、工作原理、本單元電路的組成、工作原理、性能指標和分析計算方法：性能指標和分析計算方法：三種基本組態(tài)放大電路三種基本組態(tài)放大電路電流源電路電流源電路差放電路差放電路功率放大電路功率放大電路多級放大電路多級放大電路內(nèi)容提要內(nèi)容提要雙極型晶體三極管，簡稱晶體管，雙極型晶體三極管，簡稱晶體管，常稱三極管，具有三個電極。常稱三極管，具有三個電極。稱為雙極型的原因：參與導電的稱為雙極型的原因：參與導電的有空穴和電子兩種

3、載流子。有空穴和電子兩種載流子。由于由兩個由于由兩個PNPN結(jié)構(gòu)成，所以稱為結(jié)構(gòu)成，所以稱為雙極型晶體管。雙極型晶體管。特點：具有對信號進行放大的作用特點：具有對信號進行放大的作用從結(jié)構(gòu)來看，可以分為從結(jié)構(gòu)來看，可以分為NPNNPN與與PNPPNP兩種類型，其工作原理類似。兩種類型，其工作原理類似。分類：按材料，按頻率，按功率。分類：按材料，按頻率，按功率。概概 述述 e b c三極管示意圖三極管示意圖2.1.1 工作原理工作原理集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)N NP PN N集電極集電極C C基極基極B B發(fā)射極發(fā)射極E E薄薄高摻雜濃度高摻雜濃度與基區(qū)的接與基區(qū)的接觸面積較大觸面積較大集

4、電結(jié)集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)NPN型三極管的結(jié)構(gòu)型三極管的結(jié)構(gòu)NPN管的電路符號管的電路符號2.1.1 工作工作原理原理一一. .結(jié)構(gòu)特點結(jié)構(gòu)特點P PN NP P集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電極集電極C C基極基極B B發(fā)射極發(fā)射極E E集電結(jié)集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)PNP型三極管的結(jié)構(gòu)型三極管的結(jié)構(gòu)PNP管的電路符號管的電路符號一一. .結(jié)構(gòu)特點結(jié)構(gòu)特點2.1.1 工作工作原理原理集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)N NP PN N集電極集電極C C基極基極B B發(fā)射極發(fā)射極E E薄薄高摻雜濃度高摻雜濃度與基區(qū)的接與基區(qū)的接觸面積較大觸面積較大集電結(jié)集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)從組成結(jié)從組成結(jié)構(gòu)上來看，構(gòu)上

5、來看，三極管由三極管由兩個背靠兩個背靠背的背的PNPN結(jié)結(jié)構(gòu)成構(gòu)成那么，能那么，能否反過來否反過來用兩個用兩個PNPN結(jié)或者二結(jié)或者二極管構(gòu)成極管構(gòu)成三極管？三極管？2.1.1 工作工作原理原理一一. .結(jié)構(gòu)特點結(jié)構(gòu)特點 內(nèi)部：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高；基區(qū)很薄且雜內(nèi)部：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高；基區(qū)很薄且雜質(zhì)濃度很低；集電區(qū)面積大。質(zhì)濃度很低；集電區(qū)面積大。 外部：發(fā)射結(jié)加正向電壓；集電結(jié)加反向外部：發(fā)射結(jié)加正向電壓；集電結(jié)加反向電壓。電壓。二二. .放大狀態(tài)工作條件放大狀態(tài)工作條件2.1.1 工作工作原理原理0Bn0Cp0Ep0000,EBECpnppxEW0BWCW發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)N基區(qū)基區(qū)P集電區(qū)集電區(qū)N

6、( )Epx( )Bnx( )CpxEiEpiEniEEnEpiiiEnEpiiCniCBOICiCCnCBOiiI1.1.發(fā)射過程發(fā)射過程2.2.復合和擴復合和擴散過程散過程3.3.收集過程收集過程2.1.1 工作工作原理原理二二. .內(nèi)部載流子的運動內(nèi)部載流子的運動NNP1發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電流發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電流 IEN。進入進入P區(qū)區(qū)的電子少的電子少部分與基部分與基區(qū)的空穴區(qū)的空穴復合，形復合，形成電流成電流IBN ，多，多數(shù)擴散到數(shù)擴散到集電結(jié)。集電結(jié)。發(fā)射結(jié)正發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射偏，發(fā)射區(qū)電子不區(qū)電子不斷向基區(qū)斷向基區(qū)擴散，形擴散，形成發(fā)射極成發(fā)射極電流電流IEN。2基區(qū)部分電子空穴復合

7、，形成復合電流基區(qū)部分電子空穴復合，形成復合電流 IBN。3大量基區(qū)的非平衡少子大量基區(qū)的非平衡少子電子被集電區(qū)收集，形成電流電子被集電區(qū)收集，形成電流 ICN。電流電流分配分配 以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子(自由自由電子和空穴電子和空穴)參與導電，故稱為雙極型三極管。參與導電，故稱為雙極型三極管?；蚧駼JT (Bipolar Junction Transistor)。 二二. .內(nèi)部載流子的運動內(nèi)部載流子的運動2.1.1 工作工作原理原理EnBnECEpEpnIIIIII CBEIII 則則有有CnCCBOIIIBBpBOnECIIII 載流子載流子三三. .

8、電流分配電流分配2.1.1 工作工作原理原理晶體管的正向控制作用是通過載流晶體管的正向控制作用是通過載流子的運動過程而實現(xiàn)的：發(fā)射結(jié)正子的運動過程而實現(xiàn)的：發(fā)射結(jié)正偏電壓控制偏電壓控制 ( (和和 ) )， ( (其中其中 ) )通過注入、擴散、收集而轉(zhuǎn)化為通過注入、擴散、收集而轉(zhuǎn)化為 ，正是這種正向控制作用使晶體管具正是這種正向控制作用使晶體管具有了放大作用。有了放大作用。EIBIEnIEICI2.1.1 工作工作原理原理四四. .三種基本連接方法三種基本連接方法共基極接法，基極作為公共電極，用共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示。表示。2.1.1 工作工作原理原理共發(fā)射極接法，發(fā)射極作

9、為公共電極，用共發(fā)射極接法，發(fā)射極作為公共電極，用CE表示。表示。四四. .三種基本連接方法三種基本連接方法2.1.1 工作工作原理原理共集電極接法，集電極作為公共電極，用共集電極接法，集電極作為公共電極，用CC表示。表示。四四. .三種基本連接方法三種基本連接方法公共端公共端CCnCBOIIICECBOIII2.1.1 工作工作原理原理五五. .電流傳輸關系電流傳輸關系1、共基電流放大系數(shù)、共基電流放大系數(shù)CnCnEnEIIII 共基極直流電共基極直流電流放大系數(shù)流放大系數(shù)共基極直流電共基極直流電流傳輸方程流傳輸方程CCnCBOIIICECBOIII2.1.1 工作工作原理原理五五. .電流

10、傳輸關系電流傳輸關系1、共基電流放大系數(shù)、共基電流放大系數(shù)CnCnEnEIIII 共基極直流電共基極直流電流傳輸方程流傳輸方程通常通常CCBOIICEII 只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關，只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關，而與外加電壓無關，一般取值為而與外加電壓無關，一般取值為0.95-0.990.95-0.99公共端公共端ECBIII111CBCBOIII1CECBOIII：穿透電流：穿透電流(1)CEOCBOII：共發(fā)射極直流電流放大系：共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)，一般為幾十幾百。數(shù)，一般為幾十幾百。BCEOII忽略忽略 后，后，CEOICBII2.1.1 工作工作原理原理五五. .電流傳

11、輸關系電流傳輸關系2、共射電流放大系數(shù)、共射電流放大系數(shù)公共端公共端ECBIII(1)EBCEOIIICBCEOIII共集電極電流傳輸方共集電極電流傳輸方程。程。無論哪種連接方式，輸入電流對無論哪種連接方式，輸入電流對輸出電流皆有控制作用，這是能輸出電流皆有控制作用，這是能夠?qū)崿F(xiàn)信號放大的機理。夠?qū)崿F(xiàn)信號放大的機理。五五. .電流傳輸關系電流傳輸關系3、共集電流放大系數(shù)、共集電流放大系數(shù)2.1.1 工作工作原理原理1 通通常常BEII)1( 三極管的電流放大作用三極管的電流放大作用cbeEIBICIECBIII,BCECEIII II0.042.35BCImAImA 2.1.1 工作工作原理原

12、理三極管各極電流關系示例三極管各極電流關系示例共射交流電流放大系數(shù)共射交流電流放大系數(shù) BCii 在在近近似似分分析析中中，可可認認為為 靜態(tài)特性曲線：指各極電壓與電靜態(tài)特性曲線：指各極電壓與電流之間的關系曲線。是晶體管內(nèi)流之間的關系曲線。是晶體管內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，故也部載流子運動的外部表現(xiàn)，故也稱外部特性。稱外部特性。對于不同的組態(tài)對于不同的組態(tài)( (共集、共基、共集、共基、共射共射) )來說，均可以有：來說，均可以有：用于描述輸入電壓與電流關系的輸用于描述輸入電壓與電流關系的輸入特性曲線入特性曲線( (族族) )。用于描述輸出電壓與電流關系的輸用于描述輸出電壓與電流關系的輸出特性曲

13、線出特性曲線( (族族) )。特性曲線具有一定的離散性。特性曲線具有一定的離散性。2.1.1 晶體管的靜態(tài)特性曲線晶體管的靜態(tài)特性曲線當維持當維持 恒定恒定( (作作為參變量為參變量) )時，基極時，基極電流電流 ( (輸入電流輸入電流) )隨隨 ( (輸入電壓輸入電壓) )的變化曲線稱為共的變化曲線稱為共發(fā)射極輸入特性曲發(fā)射極輸入特性曲線線CEvBiBEv()CEBBEvif v常數(shù)當當 取不同的值時，可以畫出一族取不同的值時，可以畫出一族輸入特性曲線。輸入特性曲線。CEv2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線一一. .共射輸入特性曲線共射輸入特性曲線實驗線路實驗線路 IC mA

14、 A V VCE VBE RB IB VC VB V RC 輸出特性輸出特性集電結(jié)進入反偏狀態(tài)，開集電結(jié)進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，基區(qū)復合減始收集電子，基區(qū)復合減小。特性曲線右移小。特性曲線右移(0)CEv若()CEBEvv若輸入電路相當于兩個并聯(lián)輸入電路相當于兩個并聯(lián)的的PNPN結(jié)結(jié)0CEvVCEBEvv2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線一一. .共射輸入特性曲線共射輸入特性曲線理想情況理想情況vCE 1V輸入特性輸入特性iB(A)vBE(V)204060800.40.8工作壓降：工作壓降： 硅管硅管vBE0.60.7V,鍺管鍺管vBE0.20.3V。vCE=0VvCE =

15、0.5V 死區(qū)電死區(qū)電壓，硅管壓，硅管0.5V，鍺，鍺管管0.2V。2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線10CEvV1CEvV0CEvV0CEvVCEBEvv一一. .共射輸入特性曲線共射輸入特性曲線產(chǎn)生區(qū)別的原因在于基區(qū)調(diào)寬效應產(chǎn)生區(qū)別的原因在于基區(qū)調(diào)寬效應,vCE,vCE增大，復合減小，增大，復合減小，iBiB減小。減小。2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線產(chǎn)生區(qū)別的原因在于基區(qū)調(diào)寬效應產(chǎn)生區(qū)別的原因在于基區(qū)調(diào)寬效應,vCE,vCE增大，復合減小，增大，復合減小，iBiB減小。減小。10CEvV1CEvV0CEvV一一. .共射輸入特性曲線共射輸入特性曲線()B

16、ECCEvif v常數(shù)以輸入電壓以輸入電壓 或或電流電流 為參變量，為參變量，集電極電流集電極電流 ( (輸輸出電流出電流) )隨隨 ( (輸輸出電壓出電壓) )的變化曲線的變化曲線為共發(fā)射極輸出特為共發(fā)射極輸出特性曲線性曲線BEvCEvBiCi以輸入電壓為以輸入電壓為參變量時：參變量時：()BCCEiif v常數(shù)以輸入電流為以輸入電流為參變量時：參變量時：2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線二二. .共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線輸出特性輸出特性iC(mA )1234vCE(V)36912iB=020A40A60A80A100

17、A此區(qū)域此區(qū)域滿足滿足iC=iB稱為稱為線性區(qū)線性區(qū)放大放大區(qū)）。區(qū)）。當當vCE大于大于一定的數(shù)值一定的數(shù)值時，時，iC只與只與iB有關，有關，iC=iB。試驗電路試驗電路特點特點二二. .共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線iC(mA )1234vCE(V)36912iB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中此區(qū)域中vCEvBE,集電結(jié)集電結(jié)正偏，正偏，iBiC， vCE較小較小,稱為飽和稱為飽和區(qū)。區(qū)。例3特點特點2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線二二. .共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線vCE=vBE2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線iC(mA )12

18、34vCE(V)36912iB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中此區(qū)域中 : iB0,iCICEO,vBEiC，vCE0.3V (3) 截止區(qū)：截止區(qū)： vBE 死區(qū)電壓，死區(qū)電壓， iB0 ， iCICEO 0 輸出特性輸出特性即：即： , 且且 IC = IBCBii 2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線二二. .共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線二二. .共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線考慮到基區(qū)寬度調(diào)制效應和集電結(jié)反向考慮到基區(qū)寬度調(diào)制效應和集電結(jié)反向擊穿效應，輸出特性如下：擊穿效應，輸出特性如下：ACEQAceC

19、QCQVVVrII 2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線二二. .共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線輸出特性斜率的倒數(shù)為晶體管的輸出輸出特性斜率的倒數(shù)為晶體管的輸出電阻：電阻：Ci關于關于 和和 的關系的關系關于晶體管的反向應關于晶體管的反向應用用二二. .共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線2.1.2晶體晶體管的管的靜態(tài)靜態(tài)特性特性曲線曲線與二極管的伏安特性曲線類似，如果與二極管的伏安特性曲線類似，如果保持輸入電流不變，當溫度升高時，保持輸入電流不變，當溫度升高時，晶體管的輸入特性曲線左移。晶體管的輸入特性曲線左移。2.1.3 溫度對晶體管特性的影響溫度對晶體管特性的影響(v)iB(

20、A)1008060402000.4 0.7 vBE0o10o不同溫度下的輸入特性曲線不同溫度下的輸入特性曲線100oBBEBEB()TCivvi不不變變，將將減減小小。不不變變， 將將增增大大。與二極管伏安特性曲線類似，溫度與二極管伏安特性曲線類似，溫度升高時，反向飽和電流和反向穿透升高時，反向飽和電流和反向穿透電流亦升高。電流亦升高。溫度升高時，溫度升高時， 值增大值增大. .2.1.3 溫度對晶體管特性的影響溫度對晶體管特性的影響30A20A10A 25度；度； 45度度iB相同相同不同溫度下的輸出特性曲線不同溫度下的輸出特性曲線CEO )(ICT（mA）iCVCE 0A1、共發(fā)射極、共發(fā)

21、射極常數(shù)常數(shù) CEvBCBCEOCIIIII 直流電流放大倍數(shù)直流電流放大倍數(shù)2.1.4 晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)一一. .電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)交流短路電流放大系數(shù)交流短路電流放大系數(shù)CECBvii 常常數(shù)數(shù) 2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)1、共發(fā)射極、共發(fā)射極一一. .電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)0CECBVII 手冊中常用手冊中常用hfehfe表示。表示。例：例：VCE=6V時：時：iB = 40 A, iC =1.5 mA； iB = 60 A, iC =2.3 mA。_11.537.50.04CBii CBii2.31.5400.060.04 在以后的計算中，一般作

22、近似處理：在以后的計算中，一般作近似處理： =_22.338.30.06CBii 2、共基極、共基極ECECBOCIIIII CBCEvii 常常數(shù)數(shù) CEOCBCIIII 直流電流放大倍數(shù)直流電流放大倍數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)CBOCECIIII 2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)一一. .電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)0CBCEvii111、集電極、集電極基極反向電流：基極反向電流：ICBO發(fā)射極開路時的集電結(jié)反向漂移電流，發(fā)射極開路時的集電結(jié)反向漂移電流，一般很小。一般很小。2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)二二. .極間反向電流極間反向電流CRCCVACBOI2、集

23、電極、集電極發(fā)射極電流發(fā)射極電流ICEO硅管比鍺管的反向電硅管比鍺管的反向電流小，故溫度穩(wěn)定性流小，故溫度穩(wěn)定性比鍺管好。比鍺管好?；鶚O開路時的集電極電流?；鶚O開路時的集電極電流。 ICEO=（1+ ICBO 即輸出特性曲線即輸出特性曲線IB=0那條曲線所對那條曲線所對應的應的Y坐標的數(shù)值。坐標的數(shù)值。 ICEO也稱為集電極也稱為集電極發(fā)射極間穿透電流。發(fā)射極間穿透電流。ICEO2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)二二. .極間反向電流極間反向電流CRCCVACBOIBRBBVAEBOICRCCVACEOI3、發(fā)射極、發(fā)射極基極反向電流基極反向電流IEBO集電極開路時的發(fā)射結(jié)反向飽和電流

24、。集電極開路時的發(fā)射結(jié)反向飽和電流。2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)二二. .極間反向電流極間反向電流CCVACBOIBRBBVAEBOICRCCVACEOI1、集電極最大允許電流、集電極最大允許電流 ICM三極管工作時不允許超過的最大集電極電流，三極管工作時不允許超過的最大集電極電流，如果超過，不但會使其性能變壞，而且可能如果超過，不但會使其性能變壞，而且可能損壞管子。損壞管子。2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)三三. .極限參數(shù)極限參數(shù)一般取一般取下降至最高值的下降至最高值的2/32/3時所對應的集時所對應的集電極電流為電極電流為ICMICM。2、反向擊穿電壓、反向擊穿電

25、壓V(BRCBO 發(fā)射極開路時的集電極基極間的反向擊穿電發(fā)射極開路時的集電極基極間的反向擊穿電壓。一般比較高，從幾十伏到幾千伏不等。壓。一般比較高，從幾十伏到幾千伏不等。2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)三三. .極限參數(shù)極限參數(shù) V （BR） CEO 基極開路時的集電極發(fā)射極間的擊穿基極開路時的集電極發(fā)射極間的擊穿電壓。比電壓。比V(BRCBO低。低。2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)三三. .極限參數(shù)極限參數(shù)2、反向擊穿電壓、反向擊穿電壓 V （BREBO 集電極開路時的發(fā)射極基極間的反向集電極開路時的發(fā)射極基極間的反向擊穿電壓。該電壓一般比較低，約擊穿電壓。該電壓一般比較

26、低，約510V左右。左右。2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)三三. .極限參數(shù)極限參數(shù)2、反向擊穿電壓、反向擊穿電壓CBOCEXCESCERCEOVVVVV 基射間接反基射間接反偏壓偏壓基射間短接基射間短接基射間接電基射間接電阻阻基射間開路基射間開路射極開路射極開路各擊穿電壓的關系各擊穿電壓的關系3、最大集電極允許功耗、最大集電極允許功耗 PCMPCM = iCvCE；與散熱條件有關。硅管的最高結(jié)溫小于與散熱條件有關。硅管的最高結(jié)溫小于150C，一般工作在低于，一般工作在低于80度以內(nèi)。度以內(nèi)。2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)三三. .極限參數(shù)極限參數(shù)晶體管的安全工作范圍由以

27、上三者共晶體管的安全工作范圍由以上三者共同決定。同決定。iCvCEiCvCE=PCMICMV(BR)CEO安全工作區(qū)安全工作區(qū)三極管的安全工作范圍三極管的安全工作范圍過壓區(qū)過壓區(qū)過功率區(qū)過功率區(qū)過流區(qū)過流區(qū)2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)三三. .極限參數(shù)極限參數(shù)2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)四四. .高頻參數(shù)高頻參數(shù)1ff 、 截截止止頻頻率率和和 截截止止頻頻率率使使 和和 下降為下降為 和和 時時的頻率的頻率 和和 稱為晶體管的共基截稱為晶體管的共基截止頻率和共射截止頻率。止頻率和共射截止頻率。0/2ff|0/2 交流工作時，由于存在結(jié)電容，所以交流工作時，由于存在

28、結(jié)電容，所以頻率愈高，電流放大倍數(shù)頻率愈高，電流放大倍數(shù)愈小，當愈小，當 =1時時的輸入信號頻率即的輸入信號頻率即fT 。2、特征頻率、特征頻率fT2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)四四. .高頻參數(shù)高頻參數(shù)請自行閱讀課本請自行閱讀課本2.1.4晶體晶體管的管的主要主要參數(shù)參數(shù)五五. .硅管與鍺管的比較硅管與鍺管的比較單個元件的參數(shù)精度不高，且受溫單個元件的參數(shù)精度不高，且受溫度影響較大，但參數(shù)對稱性及溫度對度影響較大，但參數(shù)對稱性及溫度對稱性較好。批量間差異較大。稱性較好。批量間差異較大。集成電路工藝制造出的電阻阻值受集成電路工藝制造出的電阻阻值受限，應盡量避免使用高阻值電阻。常限，

29、應盡量避免使用高阻值電阻。常使用有源器件代替電阻，特別是大電使用有源器件代替電阻，特別是大電阻。阻。不適于制造幾十皮法以上的電容，不適于制造幾十皮法以上的電容，電路中應盡量避免采用或少用電容。電路中應盡量避免采用或少用電容。無電感元件。無電感元件。寄生參量影響嚴重。寄生參量影響嚴重。2.1.5 集成電路中元器件的特點集成電路中元器件的特點例題例題1、由電極電位判斷三極管的工作狀態(tài)。、由電極電位判斷三極管的工作狀態(tài)。 在電路中，測得下述在電路中，測得下述6組三極管三個極的電位：組三極管三個極的電位： 1NPN管：管：(1) 1V 0.3V 3V (2) 0.3V 0.7V 1V (3) 2V 5

30、V 1V e c b 解：解： (1) b1V;e 0.3V ;c 3V (硅管，放大）硅管，放大） (2) e0.3V c0.7V b1V (硅管，飽和硅管，飽和) (3) e2V c5V b1V (硅管硅管,截止）截止） (鍺管鍺管,截止）截止）（ NPN管管 ，c極電位高于極電位高于e極，否則反向應用極，否則反向應用,很很小小)2PNP管：管：(1) -0.2V 0V -0.1V (2) -3V -0.2V 0V (3) 1V 1.2V -2V e c b 解：解： (1) b -0.2V e 0V c -0.1V鍺管鍺管 飽和）飽和） (2) c -3V b -0.2V e0V （鍺管（鍺管 放大）放大）(3) b 1V e 1.2V c -2V （鍺管（鍺管 放大）放大）（ PNP管管 ，c極電位低于極電位低于e極，否則反向應用極，否則反向應用,很很小小)2、晶體管三個電極的電流方向如圖、晶體管三個電極的電流方向如圖2。知：知：I1=-1.2mA, I2=-0.03mA，I3=1.23mA。確定晶體管類型、標出各電極并近似確定確定晶體管類型、標出各電極并近似確定及及。解：解：b、c極的電流方向總是一致的，極的電流方向總是一致的， 是是e極，管子是極，管子是PNP型，型， c,