半導(dǎo)體三極管R

1、半導(dǎo)體三極管R五、五、 穩(wěn)壓二極管及應(yīng)用穩(wěn)壓二極管及應(yīng)用穩(wěn)壓管的符號(hào)穩(wěn)壓管的符號(hào)3. 3. 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓條件穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓條件必須工作在反向擊穿狀態(tài)；必須工作在反向擊穿狀態(tài)；流過(guò)穩(wěn)壓管的電流在流過(guò)穩(wěn)壓管的電流在I IZ Z和和I IZMZM之間之間 ?！?】?jī)?nèi)容內(nèi)容回顧回顧1.3.1 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型晶體管的結(jié)構(gòu)和類型基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)發(fā)射極發(fā)射極基極基極集電極集電極bec【 】?jī)?nèi)容內(nèi)容回顧回顧1.3 雙極型晶體管雙極型晶體管PNP型型注意：注意：NPN型與型與PNP型三極管型三極管符號(hào)的區(qū)別符號(hào)的區(qū)別【 】?jī)?nèi)容內(nèi)容回顧回顧NPN型型發(fā)射極箭頭的方向發(fā)射極

2、箭頭的方向?yàn)闉樯錁O射極電流的方向電流的方向CiEiBiCiEiBi1.3.2 晶體管的電流放大作用晶體管的電流放大作用 晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。 【 】?jī)?nèi)容內(nèi)容回顧回顧1. 發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE2. 擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流極電流IB3.集電結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流集電結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流IC一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)一、晶體管內(nèi)部載流

3、子的運(yùn)動(dòng)二、晶體管的電流分配關(guān)系二、晶體管的電流分配關(guān)系BCEIIIBEBCI)1(III1.3.3 晶體管的共射特性曲線晶體管的共射特性曲線UCEIC+-UBEIB+- 實(shí)驗(yàn)線路實(shí)驗(yàn)線路mA AVVRBECEBRC1. 1. 輸入特性輸入特性IB( A)UBE(V)204060800.40.8導(dǎo)通電壓：導(dǎo)通電壓： 硅管硅管(0.7V) UBE 0.60.8V,鍺管鍺管(0.2V) UBE 0.10.3V。開啟電壓：開啟電壓：硅管硅管0.5V，鍺管鍺管0.1V。常數(shù)CEUBEBufi|UCE增大，特性曲線右移；當(dāng)增大，特性曲線右移；當(dāng)UCE1V后，曲線基本不變化后，曲線基本不變化IC(mA )

4、1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此區(qū)域此區(qū)域(截止區(qū)截止區(qū)) IB=0, IC=ICEO0,UBE0 UCEUBEIC只與只與IB有關(guān)，有關(guān)，IC= IB發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此區(qū)域此區(qū)域(飽和區(qū)飽和區(qū)) ：UCE UBE,集電結(jié)正偏，集電結(jié)正偏， IBIC，UCES 0.3VUCES臨界飽和線臨界飽和線發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn)輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn): : 放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)

5、反偏。放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 電流關(guān)系：電流關(guān)系： I IC C= = I IB B , , 且且 I IC C = = I IB B 電壓關(guān)系：電壓關(guān)系： （NPN)NPN) （PNPPNP）CBEUUUEBCUUU(3) 截止區(qū)：截止區(qū)： UBE I IC C 電壓關(guān)系：電壓關(guān)系： （NPN)NPN) （PNP)PNP) UCES 0.3V 0.3VECUUUBBCEUUU1.3.4 晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)一、直流參數(shù)二、交流參數(shù)二、交流參數(shù)1. 共射直流電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù)BCBCEOCIIIII2. 共基直流電流放大系數(shù)共基直流電流放大系數(shù)E

6、CII1. 1. 共射交流電流放大系數(shù)共射交流電流放大系數(shù)= = =常數(shù)常數(shù) CEUBCii2. 2. 共基交流電流放大系數(shù)共基交流電流放大系數(shù) = = =常數(shù)常數(shù) CBUECii通常認(rèn)為：通常認(rèn)為： ，三、極限參數(shù)三、極限參數(shù)1. 最大集電極耗散功率最大集電極耗散功率PCM3. 特征頻率特征頻率fT ： 使使的數(shù)值下降到的數(shù)值下降到1的信號(hào)頻率的信號(hào)頻率。2. 最大集電極集電極電流最大集電極集電極電流ICM3. 極間反向擊穿電壓極間反向擊穿電壓1.3.5 溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響一、溫度對(duì)一、溫度對(duì)I ICBO的影響的影響溫度升高時(shí)，溫度升高時(shí)， I ICBO

7、增大。增大。二、溫度對(duì)輸入特性的影響二、溫度對(duì)輸入特性的影響三、溫度對(duì)輸出特性的影響三、溫度對(duì)輸出特性的影響溫度升高時(shí)，溫度升高時(shí)，特性曲線上特性曲線上移移溫度升高時(shí)，溫度升高時(shí)， 特性曲線左移特性曲線左移0.7V4V00.7V0.3V0 0 4V00.7V0 4V【例【例1 】判斷以下三極管的工作狀態(tài)?！颗袛嘁韵氯龢O管的工作狀態(tài)。放大放大飽和飽和截止截止倒置倒置【例【例3】測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所】測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子，并分別說(shuō)明它們是硅管還是示。在圓圈中畫出管子，并分別說(shuō)明它們是硅管還是鍺管。鍺管。解題思路解題思路(1)三極管處于放大

8、狀態(tài)三極管處于放大狀態(tài)(2)確定基極和發(fā)射極確定基極和發(fā)射極(3)確定三極管為硅管還是鍺管確定三極管為硅管還是鍺管(4)確定為何種類型確定為何種類型作業(yè)：作業(yè)：P70 1.9【例【例3】測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子，并分別說(shuō)明它們是硅管還是鍺管。在圓圈中畫出管子，并分別說(shuō)明它們是硅管還是鍺管。硅管硅管硅管鍺管鍺管鍺管總結(jié)：總結(jié)： 1、掌握三極管的電流分配關(guān)系。、掌握三極管的電流分配關(guān)系。 2、掌握三極管的外特性曲線。、掌握三極管的外特性曲線。 3、掌握三極管三種工作狀態(tài)的電壓、掌握三極管三種工作狀態(tài)的電壓 和電流關(guān)系及

9、工作狀態(tài)的判別。和電流關(guān)系及工作狀態(tài)的判別。作業(yè)：習(xí)題作業(yè)：習(xí)題P70 1.9 場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩種場(chǎng)效應(yīng)管有兩種:1.4 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管 ( FET )1.4.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理 N溝道溝道漏極漏極D源極源極S柵極柵極G一、結(jié)構(gòu)和工作原理一、結(jié)構(gòu)和工作原理P溝道溝道漏極D源極S柵極G二、工作原理二、工作原理 1. 1. U UDSDS0 0，U UGS

10、GS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響對(duì)導(dǎo)電溝道的影響 溝道變窄，溝道變窄，當(dāng)當(dāng) 增大到一定增大到一定值，耗盡層閉合。值，耗盡層閉合。 - 夾斷電壓夾斷電壓 GSUGSU)(offGSUiD2 2、當(dāng)、當(dāng)U UGS(off)GS(off) U UGSGS0,00時(shí)，時(shí)，U UDSDS i iD D 耗盡層的寬度不耗盡層的寬度不同。同。 當(dāng)當(dāng)U UDSDS U UGS(off)GS(off)出出現(xiàn)預(yù)夾斷，如果現(xiàn)預(yù)夾斷，如果U UDSDS 夾斷區(qū)加長(zhǎng)，夾斷區(qū)加長(zhǎng)， i iD D不變。不變。綜上所述綜上所述:在在u uDSDS u uGSGS-U-UGS(off)GS(off)的的情況下情況下, 對(duì)應(yīng)于不同的對(duì)應(yīng)于不

11、同的U UGSGS ，d - s間等效成不同間等效成不同阻值的電阻。阻值的電阻。當(dāng)當(dāng)u uDSDS使使u uGDGD = u= uGS(off)GS(off)時(shí)，時(shí)，d - s之間預(yù)夾斷。之間預(yù)夾斷。當(dāng)當(dāng)u uDSDS使使u uGDGD uVGS(th) N ， MOS 管導(dǎo)通。管導(dǎo)通。與與 PNP 三極管相似，三極管相似， PMOS 管為電壓控制管為電壓控制器件，當(dāng)器件，當(dāng) Vgs00時(shí)，時(shí)，iD0 0。 當(dāng)當(dāng)U UDSDS0 0 且且U UGSGS00時(shí)，時(shí)，iG0,0,形成形成耗盡耗盡層。層。 U UGSGS 形成反型層形成反型層導(dǎo)電溝道，此時(shí)的導(dǎo)電溝道，此時(shí)的U UGSGS稱為開啟電壓

12、稱為開啟電壓U UGS(th)GS(th) 。耗盡層耗盡層導(dǎo)電溝道的形成導(dǎo)電溝道的形成反型層反型層四、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線四、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線 1.1.輸出特性曲線輸出特性曲線 常數(shù)GSUDSD)u(fiDi 三、特性曲線三、特性曲線 1、輸出特性曲線、輸出特性曲線夾斷區(qū)夾斷區(qū) 三、特性曲線三、特性曲線 1、輸出特性曲線、輸出特性曲線可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) 三、特性曲線三、特性曲線 1、輸出特性曲線、輸出特性曲線 恒流區(qū)恒流區(qū)（飽和區(qū)）（飽和區(qū)）2 2、轉(zhuǎn)移特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線 常數(shù)DSUGSD)u(fi2)th(GSGSODD1UuIiODI)th(GSU：開啟電壓開啟電壓五、場(chǎng)效應(yīng)管分類五、場(chǎng)效應(yīng)管分類結(jié)型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的分類場(chǎng)效應(yīng)管的分類MOSMOS型型場(chǎng)場(chǎng)效應(yīng)管效應(yīng)管增強(qiáng)型增強(qiáng)型耗盡型耗盡型N溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道P溝道溝道六、場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及特性曲線六、場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及特性曲線輸出特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線符號(hào)類型P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線轉(zhuǎn)