第二章_半導(dǎo)體三極管及其電路分析

1、 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)重點(diǎn)：電路分析重點(diǎn)：電路分析難點(diǎn)：電流分配及三難點(diǎn)：電流分配及三個(gè)工作狀態(tài)個(gè)工作狀態(tài) 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)2.1.1 三極管的結(jié)構(gòu)三極管的結(jié)構(gòu)2.1 雙極型半導(dǎo)體三極管 半導(dǎo)體三極管是由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成的。在工作過(guò)程中，兩種載流子（電子和空穴）都參與導(dǎo)電，故又稱(chēng)為（Bipolar Junction Transistor），簡(jiǎn)稱(chēng)晶體管或三極管。 按制造材料分按制造材料分硅三極管鍺三極管按結(jié)構(gòu)分按結(jié)構(gòu)分NPN型型PNP型型 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射極發(fā)射極，用E或

2、e表示（Emitter）發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)基極基極，用B或b表示（Base）集電極集電極，用C或c表示（Collector）集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū) 集電結(jié)集電結(jié) 無(wú)論是NPN型或是PNP型的三極管,它們均包含: 發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū), 并相應(yīng)地引出：發(fā)射極（e)、基極(b)和集電極(c)。同時(shí),在三個(gè)區(qū)的兩兩交界處, 形成, 分別稱(chēng)為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高； 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；且面積大； 基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度

3、至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度最低。最低。管芯結(jié)構(gòu)剖面圖管芯結(jié)構(gòu)剖面圖集電結(jié) B發(fā)射結(jié)PNPCCEEB集電區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)PNP型箭頭方向表示發(fā)射結(jié)加正向電壓時(shí)的電流方向 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)2.1.2 三極管的工作原理三極管的工作原理發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏外部條件：外部條件：內(nèi)部機(jī)制：內(nèi)部機(jī)制：載流子傳輸載流子傳輸 三極管的放大原理歸結(jié)為：三極管的放大原理歸結(jié)為： 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) 發(fā)射結(jié)加正偏時(shí)，從發(fā)射區(qū)發(fā)射結(jié)加正偏時(shí)，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴(kuò)散，進(jìn)將有大量的電子向基區(qū)擴(kuò)散，進(jìn)入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃入基區(qū)

4、的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復(fù)合的機(jī)會(huì)較少。又因度低，被復(fù)合的機(jī)會(huì)較少。又因基區(qū)很薄，在集電結(jié)反偏電壓的基區(qū)很薄，在集電結(jié)反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時(shí)間作用下，電子在基區(qū)停留的時(shí)間很短，很快就運(yùn)動(dòng)到了集電結(jié)的很短，很快就運(yùn)動(dòng)到了集電結(jié)的邊上，進(jìn)入集電結(jié)的結(jié)電場(chǎng)區(qū)域，邊上，進(jìn)入集電結(jié)的結(jié)電場(chǎng)區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電被集電極所收集，形成集電極電流流I ICECE。 從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，但其數(shù)量小，形成的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，但其數(shù)量小，形成的電流為電流為I IBEBE。這是因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的。這是因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的摻雜濃度。摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的

5、摻雜濃度?；鶇^(qū)和集電區(qū)的少子在集電結(jié)的作用下，基區(qū)和集電區(qū)的少子在集電結(jié)的作用下，產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，形成電流產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，形成電流I ICBOCBO EB ECNNPECB ICE ICBO IBE以以 NPN型三極管的放大狀態(tài)為例來(lái)說(shuō)明三極管內(nèi)部的電流關(guān)系型三極管的放大狀態(tài)為例來(lái)說(shuō)明三極管內(nèi)部的電流關(guān)系 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) EB ECNNPECB ICE ICBO IBE IB IE ICBECEIICECBOCIIICBOBEBIIIBECEEIII(1)(2)(3)(4)(2)+(3):CBEIII由由(1)得得:BECEII上式代入（上式代入（2）式：）式：BECBOC

6、III由由(3)得得:CBOBBEIII代入上式：代入上式：CBOBCIII)1 (CBOBII BCII動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà) 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)2. 電流分配關(guān)系電流分配關(guān)系（1 1）三個(gè)電極電流總關(guān)系）三個(gè)電極電流總關(guān)系 實(shí)驗(yàn)表明IC比IB大數(shù)十至數(shù)百倍。IB雖然很小，但對(duì)IC有控制作用，IC隨IB的改變而改變，即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化，表明基極電流對(duì)集電極具有小量控制大量的作用，這就是三極管的電流放大作用三極管的電流放大作用。的關(guān)系與)2(BCII 稱(chēng)為共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)：將集電極電流與基極電流的變化量之比, 定義為共發(fā)射極交流電流放大系數(shù):BCII

7、一般認(rèn)為：IE=IB+ IC 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 集電結(jié)正偏不利于集電區(qū)收集電子，三極管失去了IB對(duì)IC的控制能力，IC主要受UCE的控制。 理論上，把UCE=UBE（UBC=0）時(shí)管子的狀態(tài)稱(chēng)為臨界飽和狀態(tài)臨界飽和狀態(tài)。 工程上，取UCES=0.3V。 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 各電極的電流近似為0。 實(shí)際上，當(dāng)UBE00）；集）；集電結(jié)收集電子，使基區(qū)復(fù)合減少，電結(jié)收集電子，使基區(qū)復(fù)合減少，達(dá)到相同的達(dá)到相同的I IB B需要更大需要更大u uBEBE，表現(xiàn)為表現(xiàn)為特性曲線右移。特性曲線右移。(1) (1) 當(dāng)當(dāng)u uCECE=0V=0V時(shí)，相

8、當(dāng)于時(shí)，相當(dāng)于C C和和E E短接，短接，表現(xiàn)為表現(xiàn)為PNPN結(jié)的正向伏安特性曲線。結(jié)的正向伏安特性曲線。1. 1. 共射電路輸入特性曲線共射電路輸入特性曲線2.1.3 三極管的伏安特性三極管的伏安特性 當(dāng)u不變時(shí), 輸入回路中的電流i與電壓u之間的關(guān)系曲線, 即 ：iBuBE0UCE 1V0V 0.5V 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)飽和區(qū)：飽和區(qū)：IC明顯受明顯受uCE控制控制，該區(qū)，該區(qū)域內(nèi)，一般域內(nèi)，一般uCE0.7V(硅管硅管)。即。即發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏（uBucuE）。iC=f(uCE) iB=const輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域

9、截止區(qū)：截止區(qū)：IC接近零，接近零，該區(qū)域?yàn)樵搮^(qū)域?yàn)閕B=0的的曲線下方。發(fā)射結(jié)反偏曲線下方。發(fā)射結(jié)反偏（uBuBuE）。2. 2. 共射電路輸出特性曲線共射電路輸出特性曲線臨界飽和線臨界飽和線當(dāng)i不變時(shí), 輸出回路中的電流i與電壓u之間的關(guān)系曲線, 即: 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)解題思路：解題思路：對(duì)對(duì)NPN型三極管型三極管uBuBuE （且且uBEuD（on）放放大區(qū)；大區(qū)； uBuCuE （且且uBEuD（on ）飽和區(qū)飽和區(qū)。對(duì)對(duì)PNP型三極管：型三極管：uEuBuC （且且uEBuD（on）放放大區(qū)；大區(qū)； uEuCuB （且且uBEuD（on ）飽和區(qū)飽和區(qū)。放大放大

10、截止截止飽和飽和放大放大截止截止 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)解題思路：解題思路：電位居中的為電位居中的為B；與；與B電位相差電位相差0.7V或或0.20.3V的電的電極為極為E;剩下的電極為剩下的電極為C。三個(gè)電極中，三個(gè)電極中，C電位最高為電位最高為NPN型三極管；型三極管；E電位最電位最高為高為PNP型三極管。型三極管。B與與E的電位相差的電位相差0.6 0.8 V為硅材料；電位相差為硅材料；電位相差0.2 0.3 V為鍺材料。為鍺材料。 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)對(duì)（對(duì)（a）圖：）圖：解題思路：解題思路：電流最大的電極為電流最大的電極為E ；電流；電流最小的電極為

11、最小的電極為 B;剩下的電極剩下的電極為為C。10001. 01BCII電流從電流從E流出為流出為NPN型三極管；電流從型三極管；電流從E流入為流入為PNP型三極管。型三極管。對(duì)（對(duì)（b）圖：）圖：4904. 096. 1BCIIBECB CE 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)2.1.4 三極管的主要參數(shù)三極管的主要參數(shù) ( (1)1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) = =I IC C / / I IB B V VCECE= =constconst1. 1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) = IC/ IB vCE=const(2) 共

12、發(fā)射極交流電流放大系數(shù)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) = =I IC C/ /I IE E V VCBCB=const=const (4) (4) 共基極交流電流放大系數(shù)共基極交流電流放大系數(shù) = = I IC C/ / I IE E V VCBCB=const=const當(dāng)當(dāng)BJTBJT工作于放大區(qū)時(shí)工作于放大區(qū)時(shí)， 、 ，可以不加區(qū)，可以不加區(qū)分；并且分；并且 。1(3) (3) 共基極直流電流放大系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù) 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) (2) 集射間反向飽和電流集射間反向飽和電流ICEO 基極開(kāi)基極開(kāi)路時(shí)，晶體管的穿透電路時(shí)，

13、晶體管的穿透電流。流。 (1) 集基間反向飽和電流集基間反向飽和電流ICBO 發(fā)射極開(kāi)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流。飽和電流。 2. 極間反向電流極間反向電流ICEO=（1+ ）ICBO+bce-VCCICEOuA+bce-uAIe=0VCCICBOICBO、ICEO均隨溫度的上升而增大，均隨溫度的上升而增大，反映了三極管的溫度穩(wěn)定性。反映了三極管的溫度穩(wěn)定性。 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)(1) 集電極最大允許電流集電極最大允許電流ICM(2) 集電極最大允許功率損耗集電極最大允許功率損耗PCM注意：任何時(shí)候晶體管功耗注意：任何時(shí)候晶體管功耗 P PC C=

14、 = i iC Cu uCE CE 3. 極限參數(shù)極限參數(shù) V(BR)CBO發(fā)射極開(kāi)路時(shí)的集電結(jié)反向擊穿電壓發(fā)射極開(kāi)路時(shí)的集電結(jié)反向擊穿電壓 V(BR) EBO集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓 V(BR)CEO基極開(kāi)路時(shí)集射間的擊穿電壓，它與穿透電流基極開(kāi)路時(shí)集射間的擊穿電壓，它與穿透電流直接聯(lián)系直接聯(lián)系幾個(gè)擊穿電壓有如下關(guān)系幾個(gè)擊穿電壓有如下關(guān)系 : : V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR) EBO(3) 反向擊穿電壓反向擊穿電壓使使 明顯下降明顯下降2/3的的iC即為即為ICM硅最高硅最高150，鍺，鍺75, 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) 極

15、限參數(shù)決定晶體管是否能安全工作。極限參數(shù)決定晶體管是否能安全工作。 由由P PCMCM、 I ICMCM和和V V(BR)CEO(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定晶在輸出特性曲線上可以確定晶體管安全工作區(qū)。體管安全工作區(qū)。(4) 晶體管安全工作區(qū)晶體管安全工作區(qū)輸出特性曲線上的過(guò)損耗區(qū)和擊穿區(qū)輸出特性曲線上的過(guò)損耗區(qū)和擊穿區(qū) 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) 2.2.1 放大電路的組成原理放大電路的組成原理三極管放三極管放大電路有大電路有三種形式三種形式共射放大器共射放大器共基放大器共基放大器共集放大器共集放大器以共射放以共射放大器為例大器為例講解工作講解工作原理原理 電子電路CAD

16、集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)2.2.1 共射共射放大電路的組成原理放大電路的組成原理放大元件放大元件iC= iB，工作在放大區(qū)，工作在放大區(qū)，要保證集電結(jié)反要保證集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。偏，發(fā)射結(jié)正偏。uiuo輸入輸入輸出輸出參考點(diǎn)參考點(diǎn)RB+ECEBRCC1C2T 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)集電極電源，集電極電源，為電路提供能為電路提供能量。并保證集量。并保證集電結(jié)反偏。電結(jié)反偏。RB+ECEBRCC1C2T集電極電阻，集電極電阻，將變化的電流將變化的電流轉(zhuǎn)變?yōu)樽兓霓D(zhuǎn)變?yōu)樽兓碾妷?。電壓?；鶚O電源與基極電源與基極電阻基極電阻作用：作用：使發(fā)射使發(fā)射結(jié)正偏，并提結(jié)正偏，并提供適當(dāng)?shù)撵o

17、態(tài)供適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn)。工作點(diǎn)。 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)耦合電容：耦合電容：通交隔直，有極性。通交隔直，有極性。大小為大小為10 F50 F作用：作用：隔離隔離輸入輸出與輸入輸出與電路直流的電路直流的聯(lián)系，同時(shí)聯(lián)系，同時(shí)能使信號(hào)順能使信號(hào)順利輸入輸出。利輸入輸出。RB+ECEBRCC1C2T 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)可以省去可以省去電路改進(jìn)：采用單電源供電電路改進(jìn)：采用單電源供電RB+ECEBRCC1C2T單電源供電電路單電源供電電路+ECRCC1C2TRB 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)2.2.2 三極管基本電路基本工作原理及其分析方法 電子電路CAD集成

18、電子技術(shù)集成電子技術(shù)1. 放大電路的放大電路的靜態(tài)靜態(tài) 靜態(tài)：靜態(tài)：輸入信號(hào)為零（輸入信號(hào)為零（v vi i= 0 = 0 或或 i ii i= 0= 0）時(shí)，）時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)，也稱(chēng)放大電路的工作狀態(tài)，也稱(chēng)直流工作狀態(tài)直流工作狀態(tài)。 電路處于靜態(tài)時(shí)，三極管各電極的電壓、電流在特電路處于靜態(tài)時(shí)，三極管各電極的電壓、電流在特性曲線上確定為一點(diǎn)，稱(chēng)為性曲線上確定為一點(diǎn)，稱(chēng)為靜態(tài)工作點(diǎn)靜態(tài)工作點(diǎn)，常稱(chēng)為，常稱(chēng)為Q點(diǎn)。一點(diǎn)。一般用般用IB、 IC、和、和VCE （或（或IBQ、ICQ、和、和VCEQ ）表示。）表示。 直流通路直流通路 共射極放大電路共射極放大電路輸入信號(hào)為零（輸入信號(hào)為零（v

19、vi i接地）；電容開(kāi)路接地）；電容開(kāi)路靜態(tài)等效電路靜態(tài)等效電路2.2.2 三極管基本電路基本工作原理及其分析方法 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)2 三極管直流電路的分析三極管直流電路的分析1、畫(huà)出放大電路的直流、畫(huà)出放大電路的直流通路通路將交流電壓源將交流電壓源短路，將電容短路，將電容開(kāi)路。開(kāi)路。直流通路的畫(huà)法：直流通路的畫(huà)法：開(kāi)路開(kāi)路Rb+VCCRCC1C2RL開(kāi)路開(kāi)路 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)3、確定靜態(tài)（直流）工作點(diǎn)、確定靜態(tài)（直流）工作點(diǎn)bBECCBQRUUI：VUBE7 . 0取VUBE2 . 0取：BQCQII 根據(jù)三極管各極電流關(guān)系, 可求出靜態(tài)工作點(diǎn)的集

20、電極電流ICQ：再根據(jù)集電極輸出回路可求出UCEQRb+VCCRCIBUBERb+VCCRCICQUCEQcCCCCEQRIUU 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)VUmAIAmAICEQCQBQ63212204. 05040040. 02807 . 012 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)圖解法求靜態(tài)工作點(diǎn)的步驟:(1)由基極回路求出IBQ。(2)在輸出特性曲線所在坐標(biāo)中, 按直流負(fù)載線方程UCE=UCC-ICRc, 作出直流負(fù)載線。(3) 找出iB=IBQ這一條輸出特性曲線, 與直流負(fù)載線的交點(diǎn)即為靜態(tài)工作點(diǎn)（ Q點(diǎn)）。讀出Q點(diǎn)坐標(biāo)的電流、電壓值即為所求。UCCICUCECCCR

21、UQIBUCEIC靜態(tài)工作靜態(tài)工作點(diǎn)點(diǎn) 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù) 【例例2】如圖如圖2 - 5(a)所示電路所示電路, 已知已知Rb=280k, Rc=3k, UCC=12V, 三極管的輸出特性曲線如圖三極管的輸出特性曲線如圖2 - 5(b)所示所示, 試用圖解法確定靜態(tài)工作點(diǎn)。（硅管）試用圖解法確定靜態(tài)工作點(diǎn)。（硅管） 圖圖2 5 例例 2 電路圖電路圖 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)解解 首先寫(xiě)出直流負(fù)載方程首先寫(xiě)出直流負(fù)載方程, 并作出直流負(fù)載線并作出直流負(fù)載線: CCCCCERiUu.,4312, 0;,12, 0即得直流負(fù)載線連接這兩點(diǎn)點(diǎn)得點(diǎn)得NmARUiuMV

22、UuicCCCCECCCEC然后然后, 由基極輸入回路由基極輸入回路, 計(jì)算計(jì)算IBQAmARUUIbBECCBQ4004. 0102807 . 0123直流負(fù)載線與直流負(fù)載線與iB=IBQ=40A這一條特性曲線的交點(diǎn)這一條特性曲線的交點(diǎn), 即為即為Q點(diǎn)點(diǎn), 從圖上查出從圖上查出IBQ=40 A, ICQ=2mA, UCEQ=6V, 與例與例1結(jié)果一致。結(jié)果一致。 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)UCE /VUCE /VICEO40AQQIB = 02040AIB = 020606080123321溫度對(duì)三極管輸出特性的影響溫度對(duì)三極管輸出特性的影響 25 Co60 CoICEO溫度升高

23、引起溫度升高引起 ICEO 和和 增加增加 UBERBVCC IB =固定不變，固定不變，在基本交流放大電路中，在基本交流放大電路中，而而 IC = IB + ICEO ，所以溫度升高時(shí)將引起所以溫度升高時(shí)將引起IC 增加。增加。工作點(diǎn)上移，工作點(diǎn)上移，靠近飽和區(qū)。靠近飽和區(qū)。IC / mAIC / mA4 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)（1 1）穩(wěn)定工作點(diǎn)原理）穩(wěn)定工作點(diǎn)原理 目標(biāo)：溫度變化時(shí)，使目標(biāo)：溫度變化時(shí)，使IC維持恒定。維持恒定。 如果溫度變化時(shí)，如果溫度變化時(shí)，b點(diǎn)電點(diǎn)電位能基本不變位能基本不變，則可實(shí)現(xiàn)靜，則可實(shí)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)

24、的穩(wěn)定。態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定。T 穩(wěn)定原理：穩(wěn)定原理： IC IE VE 、VB不變不變 VBE IB IC （反饋控制）（反饋控制）1. 基極分壓式射極偏置電路基極分壓式射極偏置電路(a) 原理電路原理電路 (b) 直流通路直流通路 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)b點(diǎn)電位基本不變的條件點(diǎn)電位基本不變的條件：I1 IBQ ，CCb2b1b2BQVRRRV 此時(shí)，此時(shí)，VBQ與溫度無(wú)關(guān)與溫度無(wú)關(guān)VBQ VBEQ一般取一般取 I1 =(510)IBQ ， VBQ =35V 1. 基極分壓式射極偏置電路基極分壓式射極偏置電路（1 1）穩(wěn)定工作點(diǎn)原理）穩(wěn)定工作點(diǎn)原理電路靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的原因有：電路靜

25、態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的原因有：1、RE的直流負(fù)反饋?zhàn)鞯闹绷髫?fù)反饋?zhàn)饔糜?2、UBQ在溫度變化時(shí)基本不變?cè)跍囟茸兓瘯r(shí)基本不變 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)1. 基極分壓式射極偏置電路基極分壓式射極偏置電路（2 2）放大電路指標(biāo)分析）放大電路指標(biāo)分析靜態(tài)工作點(diǎn)靜態(tài)工作點(diǎn)CCb2b1b2BQVRRRV eBEQBQEQCQRVVII )(ecCQCCeEQcCQCCCEQRRIVRIRIVV IICQBQ 不再先求不再先求IBQBQCEQCQEQEQIVIIVV,BQ 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)要求：（要求：（1）計(jì)算靜態(tài)值）計(jì)算靜態(tài)值 IB 、 IC 和和 UCE ；C1 = C2

26、= 20F ,三極管的三極管的 = 50。RB2 = 10K , RC =4K , RE =2.2K , RL =4K , CE = 100F ,例：在例：在分壓式偏置電路中，分壓式偏置電路中，已知：已知：VCC =12V，RB1= 30K , UCEBRCICRB1IBVCCIERB2RE 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)解：解：（1）可用估算法求靜態(tài)值）可用估算法求靜態(tài)值VB =VCCRB1RB2RB2+= 121030+10= 3V VIC IE=VBUBERE=3 0.62.2= 1.09 mAIB= =IC 1.0950= 21.8 AUCE = VCCICRCICRE= 121.09(4+2.2)=5.24V直流通路直流通路BRCICRB1IBVCCIERB2RE 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)2. 放大電路的放大電路的動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài) 動(dòng)態(tài)：動(dòng)態(tài)：輸入信號(hào)不為零時(shí)，放大電路的工作輸入信號(hào)不為零時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)，也稱(chēng)狀態(tài)，也稱(chēng)交流工作狀態(tài)交流工作狀態(tài)。交流通路交流通路 共射極放大電路共射極放大電路電容短路，直流量為零，電容短路，直流量為零，V VCCCC成為交流地成為交流地動(dòng)態(tài)等效電路動(dòng)態(tài)等效電路icvce+- 電子電路CAD集成電子技術(shù)集成電子技術(shù)對(duì)交流信號(hào)對(duì)交