微電子器件課程復(fù)習(xí)題

1、1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為（）和（）。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側(cè)帶（負(fù)）電荷，N區(qū)一側(cè)帶（正）電荷。內(nèi)建電場的方向是從（N）區(qū)指向（P）區(qū)。發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng)，空穴向P區(qū)，電子向N區(qū)3、當(dāng)采用耗盡近似時(shí)，N型耗盡區(qū)中的泊松方程為（）。由此方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場的斜率越（大）。4、PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘區(qū)的長度就越（小），內(nèi)建電場的最大值就越（大），內(nèi)建電勢(shì)Vbi就越（大），反向飽和電流I0就越（?。㏄20，勢(shì)壘電容CT就越（ 大 ），雪崩擊穿電壓就越（?。?、硅突變結(jié)內(nèi)建電勢(shì)Vbi可表為（）P9

2、，在室溫下的典型值為（0.8）伏特。6、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（減小），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（降低）。7、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（增大），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（提高）。8、在P型中性區(qū)與耗盡區(qū)的邊界上，少子濃度np與外加電壓V之間的關(guān)系可表示為（）P18。若P型區(qū)的摻雜濃度，外加電壓V = 0.52V，則P型區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度np為（）。9、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度比該處的平衡少子濃度（大）；當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度比該處的平衡少子濃度（?。?。10、PN結(jié)的正向電流由（空穴擴(kuò)散）電流、（電子

3、擴(kuò)散）電流和（勢(shì)壘區(qū)復(fù)合）電流三部分所組成。11、PN結(jié)的正向電流很大，是因?yàn)檎螂娏鞯碾姾蓙碓词牵ǘ嘧樱?；PN結(jié)的反向電流很小，是因?yàn)榉聪螂娏鞯碾姾蓙碓词牵ㄉ僮樱?2、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，由N區(qū)注入P區(qū)的非平衡電子一邊向前擴(kuò)散，一邊（復(fù)合）。每經(jīng)過一個(gè)擴(kuò)散長度的距離，非平衡電子濃度降到原來的（e分之一）。13、PN結(jié)擴(kuò)散電流的表達(dá)式為（）。這個(gè)表達(dá)式在正向電壓下可簡化為（），在反向電壓下可簡化為（）。14、在PN結(jié)的正向電流中，當(dāng)電壓較低時(shí)，以（勢(shì)壘區(qū)復(fù)合）電流為主；當(dāng)電壓較高時(shí)，以（擴(kuò)散）電流為主。15、薄基區(qū)二極管是指PN結(jié)的某一個(gè)或兩個(gè)中性區(qū)的長度小于（該區(qū)的少子擴(kuò)散長度）。在

4、薄基區(qū)二極管中，少子濃度的分布近似為（線性分布）。16、小注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（非平衡少子）濃度遠(yuǎn)小于該區(qū)的（平衡多子）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（非平衡）多子濃度可以忽略。17、大注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（非平衡少子）濃度遠(yuǎn)大于該區(qū)的（平衡多子）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（平衡）多子濃度可以忽略。18、勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（微分）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（ 大 ）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（ 小 ）。P4419、擴(kuò)散電容反映的是PN結(jié)的（非平衡載流子）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴(kuò)散電容就越（大）；少子壽命越

5、長，則擴(kuò)散電容就越（大）。P5120、在PN結(jié)開關(guān)管中，在外加電壓從正向變?yōu)榉聪蚝蟮囊欢螘r(shí)間內(nèi)，會(huì)出現(xiàn)一個(gè)較大的反向電流。引起這個(gè)電流的原因是存儲(chǔ)在（N）區(qū)中的（非平衡載流子）電荷。這個(gè)電荷的消失途徑有兩條，即（反向電流的抽?。┖停ㄉ僮幼陨淼膹?fù)合）。21、從器件本身的角度，提高開關(guān)管的開關(guān)速度的主要措施是（降低少子壽命）和（加快反向復(fù)合）。（減薄輕摻雜區(qū)的厚度）22、PN結(jié)的擊穿有三種機(jī)理，它們分別是（雪崩擊穿）、（齊納擊穿）和（熱擊穿）。23、PN結(jié)的摻雜濃度越高，雪崩擊穿電壓就越（?。?；結(jié)深越淺，雪崩擊穿電壓就越（?。?。24、雪崩擊穿和齊納擊穿的條件分別是（）和（）。P4125、晶體管的基

6、區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指（基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子）電流與（從發(fā)射結(jié)剛注入基區(qū)的少子）電流之比。P67由于少子在渡越基區(qū)的過程中會(huì)發(fā)生（復(fù)合），從而使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)（小于1）。為了提高基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度（遠(yuǎn)小于）基區(qū)少子擴(kuò)散長度。26、晶體管中的少子在渡越（基區(qū)）的過程中會(huì)發(fā)生（復(fù)合），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（小）。27、晶體管的注入效率是指（從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子）電流與（總的發(fā)射極）電流之比。P69為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（發(fā)射）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（基）區(qū)摻雜濃度。28、晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（正）偏、集電結(jié)（零）偏時(shí)的（集電極）電流與（發(fā)射極）電流

7、之比。29、晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)是指（發(fā)射）結(jié)正偏、（集電）結(jié)零偏時(shí)的（集電極）電流與（基極）電流之比。30、在設(shè)計(jì)與制造晶體管時(shí)，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（減?。┗鶇^(qū)寬度，（降低）基區(qū)摻雜濃度。31、某長方形薄層材料的方塊電阻為100，長度和寬度分別為和，則其長度方向和寬度方向上的電阻分別為（）和（）。若要獲得1K的電阻，則該材料的長度應(yīng)改變?yōu)椋ǎ?2、在緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)（內(nèi)建電場），它對(duì)少子在基區(qū)中的運(yùn)動(dòng)起到（加速）的作用，使少子的基區(qū)渡越時(shí)間（減?。?。33、小電流時(shí)會(huì)（減?。?。這是由于小電流時(shí)，發(fā)射極電流中（勢(shì)壘區(qū)復(fù)合電流）的比例增大，使注入效率

8、下降。34、發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)是指當(dāng)發(fā)射區(qū)摻雜濃度太高時(shí)，不但不能提高（注入效率），反而會(huì)使其（下降）。造成發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)的原因是（發(fā)射區(qū)禁帶變窄）和（俄歇復(fù)合增強(qiáng)）。P7635、在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中，發(fā)射區(qū)的禁帶寬度（大）于基區(qū)的禁帶寬度，從而使異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的（注入效率）大于同質(zhì)結(jié)雙極晶體管的。P7936、當(dāng)晶體管處于放大區(qū)時(shí)，理想情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏的增加而（不變）。但實(shí)際情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏增加而（增加），這稱為（基區(qū)寬度調(diào)變）效應(yīng)。P8337、當(dāng)集電結(jié)反偏增加時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會(huì)（變寬），使基區(qū)寬度（變窄），從而使集電極電流（增大），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（即厄爾

9、利效應(yīng)）。P8338、IES是指（集電結(jié)）短路、（發(fā)射）結(jié)反偏時(shí)的（發(fā)射）極電流。39、ICS是指（發(fā)射結(jié)）短路、（集電結(jié)）反偏時(shí)的（集電）極電流。41、ICBO是指（發(fā)射）極開路、（集電）結(jié)反偏時(shí)的（集電）極電流。41、ICEO是指（基）極開路、（集電）結(jié)反偏時(shí)的（集電）極電流。42、IEBO是指（集電極）極開路、（發(fā)射）結(jié)反偏時(shí)的（發(fā)射）極電流。43、BVCBO是指（發(fā)射）極開路、（集電）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VCB。44、BVCEO是指（基）極開路、（集電）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VCE。45、BVEBO是指（集電）極開路、（發(fā)射）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VEB。46、基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增加到

10、使耗盡區(qū)將（基區(qū)）全部占據(jù)時(shí)，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（增加）基區(qū)寬度、（提高）基區(qū)摻雜濃度。P9047、比較各擊穿電壓的大小時(shí)可知，BVCBO（大于）BVCEO ，BVCBO（遠(yuǎn)大于）BVEBO。48、要降低基極電阻，應(yīng)當(dāng)（提高）基區(qū)摻雜濃度，（提高）基區(qū)寬度。49、無源基區(qū)重?fù)诫s的目的是（為了降低體電阻）。50、發(fā)射極增量電阻re的表達(dá)式是（）。室溫下當(dāng)發(fā)射極電流為1mA時(shí)，re =（）。51、隨著信號(hào)頻率的提高，晶體管的、的幅度會(huì)（下降），相角會(huì)（滯后）。52、在高頻下，基區(qū)渡越時(shí)間對(duì)晶體管有三個(gè)作用，它們是：（復(fù)合損失使小于 10* 小于 1）、（時(shí)間延遲使相位滯

11、后）和（渡越時(shí)間的分散使|*|減?。?。53、基區(qū)渡越時(shí)間是指（從發(fā)射結(jié)渡越到集電結(jié)所需要的平均時(shí)間）。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時(shí)，基區(qū)渡越時(shí)間增大到原來的（2）倍。54、晶體管的共基極電流放大系數(shù)隨頻率的（增加）而下降。當(dāng)晶體管的下降到（）時(shí)的頻率，稱為的截止頻率，記為（）。55、晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)隨頻率的（增加）而下降。當(dāng)晶體管的下降到時(shí)的頻率，稱為的（截止頻率），記為（）。56、當(dāng)時(shí)，頻率每加倍，晶體管的降到原來的（一半）；最大功率增益降到原來的（四分之一）。57、當(dāng)（電流放大系數(shù)）降到1時(shí)的頻率稱為特征頻率。當(dāng)（晶體管最大功率）降到1時(shí)的頻率稱為最高振蕩頻率。58、當(dāng)降到（1）時(shí)的頻率稱

12、為特征頻率。當(dāng)降到（1）時(shí)的頻率稱為最高振蕩頻率。59、晶體管的高頻優(yōu)值M是（功率增益）與（帶寬）的乘積。60、晶體管的高頻小信號(hào)等效電路與直流小信號(hào)等效電路相比，增加了三個(gè)元件，它們是（集電結(jié)勢(shì)壘電容）、（發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容）和（發(fā)射結(jié)擴(kuò)散電容）。61、對(duì)于頻率不是特別高的一般高頻管，中以（）為主，這時(shí)提高特征頻率的主要措施是（減小基區(qū)寬度）。62、為了提高晶體管的最高振蕩頻率 ，應(yīng)當(dāng)使特征頻率（增大），基極電阻（降低），集電結(jié)勢(shì)壘電容（降低）。63、對(duì)高頻晶體管結(jié)構(gòu)上的基本要求是：（尺寸?。?、（結(jié)深淺）、（線條細(xì)）和（非工作基區(qū)重?fù)诫s）。64、N溝道MOSFET的襯底是（P）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏

13、區(qū)是（N）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（電子）。65、P溝道MOSFET的襯底是（N）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（P）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（空穴）。66、當(dāng)時(shí)，柵下的硅表面發(fā)生（強(qiáng)反型），形成連通（源）區(qū)和（漏）區(qū)的導(dǎo)電溝道，在的作用下產(chǎn)生漏極電流。67、N溝道MOSFET中，越大，則溝道中的電子就越（多），溝道電阻就越（?。?，漏極電流就越（大）。68、在N溝道MOSFET中，的稱為增強(qiáng)型，當(dāng)時(shí)MOSFET處于（截止）狀態(tài)；的稱為耗盡型，當(dāng)時(shí)MOSFET處于（導(dǎo)通）狀態(tài)。69、由于柵氧化層中通常帶（正）電荷，所以（P）型區(qū)比（N）型區(qū)更容易發(fā)生反型。70、要提高N溝道MOSFET的閾電壓VT

14、，應(yīng)使襯底摻雜濃度NA（增大），使柵氧化層厚度Tox（減?。?1、N溝道MOSFET飽和漏源電壓的表達(dá)式是（）。當(dāng)時(shí)，MOSFET進(jìn)入（ 飽和）區(qū)，漏極電流隨的增加而（不變）。72、由于電子的遷移率比空穴的遷移率（大），所以在其它條件相同時(shí)，（N）溝道MOSFET的比（P）溝道MOSFET的大。為了使兩種MOSFET的相同，應(yīng)當(dāng)使N溝道MOSFET的溝道寬度（小于）P溝道MOSFET的。73、當(dāng)N溝道MOSFET的時(shí)，MOSFET（不）導(dǎo)電，這稱為（增強(qiáng)型）導(dǎo)電。74、對(duì)于MOSFET，當(dāng)溝道長度加倍，而其它尺寸、摻雜濃度、偏置條件等都不變時(shí)，其下列參數(shù)發(fā)生什么變化：（減?。ⅲp?。?、（增

15、大）、（減?。?。75、由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（大）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（襯底）區(qū)擴(kuò)展，使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問題（嚴(yán)重）。76、MOSFET的跨導(dǎo)gm的定義是（轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率），反映了（柵源電壓）對(duì)（漏極電流）的控制能力。77、為提高跨導(dǎo)gm的截止角頻率，應(yīng)當(dāng)（增大），（ 減?。㎜ ，（增大）VGS。78、閾電壓的短溝道效應(yīng)是指，當(dāng)溝道長度縮短時(shí)，變（減?。?。79、在長溝道MOSFET中，漏極電流的飽和是由于（溝道夾斷），而在短溝道MOSFET中，漏極電流的飽和則是由于（載流子漂移速度的飽和）。80、為了避免短溝道效

16、應(yīng)，可采用按比例縮小法則，當(dāng)MOSFET的溝道長度縮短一半時(shí)，其溝道寬度應(yīng)（增大），柵氧化層厚度應(yīng)（減?。?，源、漏區(qū)結(jié)深應(yīng)（增大），襯底摻雜濃度應(yīng)（ 增大）。二、問答題1、簡要敘述PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成過程。在PN結(jié)中,由于自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和內(nèi)電場導(dǎo)致的漂移運(yùn)動(dòng),使PN結(jié)中間的部位(P區(qū)和N區(qū)交界面)產(chǎn)生一個(gè)很薄的電荷區(qū)2、什么叫耗盡近似？什么叫中性近似？空間電荷區(qū)的自由載流子已完全擴(kuò)散掉，即完全耗盡，電離雜質(zhì)構(gòu)成空間電荷區(qū)內(nèi)電荷的唯一來源；耗盡區(qū)以外區(qū)域中的多子濃度仍等于電離雜質(zhì)濃度，因此這部分區(qū)域保持了完全的電中性。3、什么叫突變結(jié)？什么叫單邊突變結(jié)？什么叫線性緩變結(jié)？分別畫出上述各種P

17、N結(jié)的雜質(zhì)濃度分布圖、內(nèi)建電場分布圖和外加正向電壓及反向電壓時(shí)的少子濃度分布圖。當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)從受主雜質(zhì)突變?yōu)槭┲麟s質(zhì)時(shí)，稱為突變結(jié)。如果一邊的摻雜濃度遠(yuǎn)大于另一邊，則p-n結(jié)勢(shì)壘區(qū)主要是在輕摻雜一邊，這種突變結(jié)即稱為單邊突變結(jié)。在一定條件下，假設(shè)冶金結(jié)附近的雜質(zhì)濃度是隨距離進(jìn)行線性變化的，這稱為線性緩變結(jié)。4、PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)的寬度與哪些因素有關(guān)？摻雜濃度和溫度5、寫出PN結(jié)反向飽和電流I0的表達(dá)式，并對(duì)影響I0的各種因素進(jìn)行討論。=J0*A,主要取決于半導(dǎo)體材的種類、摻雜濃度和溫度。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，則反向飽和電流越小，鍺的J0最大，硅次之，砷化鎵的最小;摻雜濃度越高，J0越小；溫度

18、越高，J0越大。6、PN結(jié)的正向電流由正向擴(kuò)散電流和勢(shì)壘區(qū)復(fù)合電流組成。試分別說明這兩種電流隨外加正向電壓的增加而變化的規(guī)律。當(dāng)正向電壓較小時(shí)以什么電流為主？當(dāng)正向電壓較大時(shí)以什么電流為主？7、什么是小注入條件？什么是大注入條件？寫出小注入條件和大注入條件下的結(jié)定律，并討論兩種情況下中性區(qū)邊界上載流子濃度隨外加電壓的變化規(guī)律。所謂大注入，就是注入到半導(dǎo)體中的非平衡少數(shù)載流子濃度接近或者超過原來的平衡多數(shù)載流子濃度（摻雜濃度）時(shí)的一種情況。所謂小注入就是注入的非平衡少數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)小于原來的平衡多數(shù)載流子濃度（摻雜濃度）的狀態(tài)。8、在工程實(shí)際中，一般采用什么方法來計(jì)算PN結(jié)的雪崩擊穿電壓？9、簡

19、要敘述PN結(jié)勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的形成機(jī)理及特點(diǎn)。勢(shì)壘電容：勢(shì)壘區(qū)是積累空間電荷的區(qū)域，當(dāng)電壓變化時(shí)，就會(huì)引起積累在勢(shì)壘區(qū)的空間電荷的變化，這樣所表現(xiàn)出的電容是勢(shì)壘電容。 擴(kuò)散電容：為了形成正向電流（擴(kuò)散電流），注入P 區(qū)的少子（電子）在P 區(qū)有濃度差，越靠近PN結(jié)濃度越大，即在P 區(qū)有電子的積累。同理，在N區(qū)有空穴的積累。正向電流大，積累的電荷多。這樣所產(chǎn)生的電容就是擴(kuò)散電容CD。10、當(dāng)把PN結(jié)作為開關(guān)使用時(shí)，在直流特性和瞬態(tài)特性這兩方面，PN結(jié)與理想開關(guān)相比有哪些差距？引起PN結(jié)反向恢復(fù)過程的主要原因是什么？11、畫出NPN晶體管在飽和狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和倒向放大狀態(tài)時(shí)的少子分布圖。

20、畫出NPN晶體管在飽和狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和倒向放大狀態(tài)時(shí)的能帶圖。12、畫出共基極放大區(qū)晶體管中各種電流的分布圖，并說明當(dāng)輸入電流IE經(jīng)過晶體管變成輸出電流IC時(shí)，發(fā)生了哪兩種虧損？13、倒向晶體管的電流放大系數(shù)為什么小于正向晶體管的電流放大系數(shù)？14、提高基區(qū)摻雜濃度會(huì)對(duì)晶體管的各種特性，如 、等產(chǎn)生什么影響？15、減薄基區(qū)寬度會(huì)對(duì)晶體管的上述各種特性產(chǎn)生什么影響？16、先畫出雙極晶體管的理想的共發(fā)射極輸出特性曲線圖，并在圖中標(biāo)出飽和區(qū)與放大區(qū)的分界線，然后再分別畫出包括厄爾利效應(yīng)和擊穿現(xiàn)象的共發(fā)射極輸出特性曲線圖。17、畫出包括基極電阻在內(nèi)的雙極型晶體管的簡化的交流小信號(hào)等效電路。1

21、8、什么是雙極晶體管的特征頻率？寫出的表達(dá)式，并說明提高的各項(xiàng)措施。19、寫出組成雙極晶體管信號(hào)延遲時(shí)間的4個(gè)時(shí)間的表達(dá)式。其中的哪個(gè)時(shí)間與電流IE有關(guān)？這使隨IE的變化而發(fā)生怎樣的變化？20、說明特征頻率的測(cè)量方法。21、什么是雙極晶體管的最高振蕩頻率？寫出的表達(dá)式，說明提高的各項(xiàng)措施。22、畫出高頻晶體管結(jié)構(gòu)的剖面圖，并標(biāo)出圖中各部分的名稱。23、畫出MOSFET的結(jié)構(gòu)圖和輸出特性曲線圖，并簡要敘述MOSFET的工作原理。24、什么是MOSFET的閾電壓VT？寫出VT的表達(dá)式，并討論影響VT的各種因素。25、什么是MOSFET的襯底偏置效應(yīng)？26、什么是有效溝道長度調(diào)制效應(yīng)？如何抑制有效溝

22、道長度調(diào)制效應(yīng)？27、什么是MOSFET的跨導(dǎo)gm？寫出gm的表達(dá)式，并討論提高gm的措施。28、提高M(jìn)OSFET的最高工作頻率ft的措施是什么？29、什么是MOSFET的短溝道效應(yīng)？30、什么是MOSFET的按比例縮小法則？三、計(jì)算題1、某突變PN結(jié)的，試求和的值，并求當(dāng)外加0.5V正向電壓和（-0.5V）反向電壓時(shí)的和的值。2、 突變PN結(jié)的計(jì)算該P(yáng)N結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)Vbi之值。 3、有一個(gè)P溝道MOSFET的襯底摻雜濃度為，另一個(gè)N溝道MOSFET的襯底摻雜濃度為。試分別求這兩個(gè)MOSFET的襯底費(fèi)米勢(shì)，并將這兩個(gè)襯底費(fèi)米勢(shì)之和與上題的Vbi相比較。N溝道MOSFET ；P溝道MOSFET

23、4、某突變PN結(jié)的，試問Jdp是Jdn的多少倍？ 因?yàn)樗?、已知某PN結(jié)的反向飽和電流為Io =10 -12A，試分別求當(dāng)外加0.5V正向電壓和（-0.5V）反向電壓時(shí)的PN結(jié)擴(kuò)散電流。6、已知某PN結(jié)的反向飽和電流為Io =10 -11A，若以當(dāng)正向電流達(dá)到10 -2 A作為正向?qū)ǖ拈_始，試求正向?qū)妷篤F之值。若此PN結(jié)存在寄生串聯(lián)電阻rcs= 4，則在同樣的測(cè)試條件下VF 將變?yōu)槎嗌伲?、某硅單邊突變結(jié)的雪崩擊穿臨界電場，開始發(fā)生雪崩擊穿時(shí)的耗盡區(qū)寬度，求該P(yáng)N結(jié)的雪崩擊穿電壓。若對(duì)該P(yáng)N結(jié)外加的反向電壓，則其耗盡區(qū)寬度為多少？8、如果設(shè)單邊突變結(jié)的雪崩擊穿臨界電場EC與雜質(zhì)濃度無

24、關(guān)，則為了使雪崩擊穿電壓VB提高1倍，發(fā)生雪崩擊穿時(shí)的耗盡區(qū)寬度xdB應(yīng)為原來的多少倍？低摻雜區(qū)的雜質(zhì)濃度應(yīng)為原來的多少倍？9、某突變PN結(jié)的Vbi = 0.7V，當(dāng)外加-4.3V的反向電壓時(shí)測(cè)得其勢(shì)壘電容為8pF，則當(dāng)外加-19.3V的反向電壓時(shí)其勢(shì)壘電容應(yīng)為多少？10、某突變結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)Vbi = 0.7V，當(dāng)外加電壓V = 0.3V時(shí)的勢(shì)壘電容與擴(kuò)散電容分別是2pF和，試求當(dāng)外加電壓V = 0.6V時(shí)的勢(shì)壘電容與擴(kuò)散電容分別是多少？11、某均勻基區(qū)NPN晶體管的，試求此管的基區(qū)渡越時(shí)間。當(dāng)此管的基區(qū)少子電流密度JnE = 102Acm-2時(shí)，其基區(qū)少子電荷面密度QB為多少？12、某均勻基

25、區(qū)晶體管的，試求此管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)之值。若將此管的基區(qū)摻雜改為如式（3-28）的指數(shù)分布，場因子，則其變?yōu)槎嗌伲?3、某均勻基區(qū)NPN晶體管的，試求該管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)之值。又當(dāng)在該管的發(fā)射結(jié)上加0.6V的正向電壓，集電結(jié)短路時(shí)，該管的JnE和JnC各為多少？14、某均勻基區(qū)晶體管的注入效率，若將其發(fā)射結(jié)改為異質(zhì)結(jié)，使基區(qū)的禁帶寬度EGB比發(fā)射區(qū)的禁帶寬度EGE小0.08eV，則其注入效率變?yōu)槎嗌?？若要使其仍?.98，則其有源基區(qū)方塊電阻可以減小到原來的多少？15、某雙極型晶體管的，基區(qū)渡越時(shí)間=109 s ,當(dāng)IB = 0.1mA時(shí), IC = 10mA，求該管的基區(qū)少子壽命。16、某晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，注入效率，試求此管的與。當(dāng)此管的有源基區(qū)方塊電阻乘以3，其余參數(shù)均不變時(shí)，其與變?yōu)槎嗌伲?7、某雙極型晶體管當(dāng)IB1 = 0.05mA時(shí)測(cè)得IC1 = 4mA，當(dāng)IB2 = 0.06mA時(shí)測(cè)得IC2 = 5mA，試分別求此管當(dāng)IC = 4mA時(shí)的直流電流放大系數(shù)與小信號(hào)電流放大系數(shù)O 。18、某緩變基區(qū)NPN晶體管的BVCBO = 120V，試求此管的BVCEO。19、某高頻晶體管的，當(dāng)信號(hào)頻率為