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1、第七章 頻率響應(yīng)第七章第七章 頻率響應(yīng)頻率響應(yīng)7.1 頻率響應(yīng)的概念7.2 晶體管的高頻小信號(hào)模型和頻率參數(shù)7.3 運(yùn)用快速估算法分析頻率響應(yīng)的預(yù)備知識(shí)7.4 單級(jí)共射放大器的高頻響應(yīng)分析7.5 共集電路的高頻響應(yīng)7.6 共基電路的高頻響應(yīng)7.7 場(chǎng)效應(yīng)管放大器的高頻響應(yīng)7.8 放大器的低頻響應(yīng)7.9 多級(jí)放大器的頻率響應(yīng)7.10 建立時(shí)間tr與上限頻率fH的關(guān)系第七章 頻率響應(yīng)7.1 頻率響應(yīng)的基本概念頻率響應(yīng)的基本概念 一、 頻率失真頻率失真1、頻率失真、頻率失真頻率響應(yīng):描述放大器對(duì)于不同頻率電信號(hào)放大率的均勻度。待放大信號(hào)振幅頻率失真相位頻率失真第七章 頻率響應(yīng)2、線性失真和非線性失真

2、、線性失真和非線性失真線性失真和非線性失真均使輸出信號(hào)產(chǎn)生畸變。2) 結(jié)果不同結(jié)果不同 線性失真只會(huì)使各頻率分量信號(hào)的比例關(guān)系和時(shí)間關(guān)系發(fā)生變化,或?yàn)V掉某些頻率分量的信號(hào),但決不產(chǎn)生輸入信號(hào)中所沒有的新的頻率分量信號(hào)。而非線性失真產(chǎn)生新的頻率分量。1) 起因不同起因不同 線性電抗元件 線性失真, 非線性元件非線性失真第七章 頻率響應(yīng)L 半功率點(diǎn)半功率點(diǎn) H中頻區(qū)低頻區(qū)高頻區(qū)0.707| AuI|AuI|理想幅頻特性實(shí)際幅頻特性|Au(j )|fLffHBW3dB0阻容耦合放大器幅頻響應(yīng) 二、 實(shí)際的頻率特性及通頻帶定義實(shí)際的頻率特性及通頻帶定義低頻區(qū):耦合電容和旁路電容,使增益下降高頻區(qū):極間

3、電容、負(fù)載電容、分布電容等使增益下降|Au(jw)|AuI|0.707|AuI|0fHf集成運(yùn)放的幅頻特性 HuIuIfABWABWG第七章 頻率響應(yīng)7.2 晶體管的高頻小信號(hào)模型和頻率參數(shù)晶體管的高頻小信號(hào)模型和頻率參數(shù)一、晶體管的高頻等效電路一、晶體管的高頻等效電路 發(fā)射結(jié)正偏,擴(kuò)散電容為主,記為Cbe;集電結(jié)反偏,勢(shì)壘電容為主,記為Cbc。Ib.rbbrbebCbeUbe.CbcUbegmrceIc.ecb第七章 頻率響應(yīng)二、晶體管的高頻參數(shù)二、晶體管的高頻參數(shù)1、 共射短路電流放大系數(shù)(j)及其上限頻率f由于電容C be的影響,值將是頻率的函數(shù)。 bebmecbcIUgIIj短路、de

4、f)(eeboeooQbebbcQbecmrrruiiiuig1)1 ( ebebebbebebbebCrjrICjrIU 1)1(ffjjCrjjoebebo11 1)(第七章 頻率響應(yīng)ffffjjoarctan)(1)()(2 |(j)|的頻率特性如圖: 的上限頻率))( 21jCrfebeb第七章 頻率響應(yīng)2、特征頻率fT特征頻率 fT: |(j)| 下降到 1 所對(duì)應(yīng)的頻率。2()11 (/)12 oTTToeb ejffffffrC為獲得高頻下較大的電流增益,fT3 fmax 3、共基短路電流放大系數(shù)(j)及f0000()()1()1/(1) , , 1Tjjjjfff 第七章 頻率

5、響應(yīng)例7.2.1 由器件手冊(cè)知3DG6的特征頻率fT=300MHz,已知工作點(diǎn)處電流ICQ=2mA,求發(fā)射結(jié)電容 的值,另一晶體管的fT=1GHz,ICQ=2mA,求發(fā)射結(jié)電容 的值,2226132112.2 pF2 112.2 pF2 TTeEQCQb eeTb eeTUUmVrIImACr fCr f解:ebCebC第七章 頻率響應(yīng)7.4單級(jí)共射放大器的高頻響應(yīng)分析單級(jí)共射放大器的高頻響應(yīng)分析一、共射放大器的高頻小信號(hào)等效電路一、共射放大器的高頻小信號(hào)等效電路共射放大器及其高頻小信號(hào)等效電路(設(shè)RB1RB2Rs) 跨接在輸入輸出間第七章 頻率響應(yīng)二、密勒定理及高頻等效電路的單向化模型二、密

6、勒定理及高頻等效電路的單向化模型 密勒定理密勒定理:網(wǎng)絡(luò)的等效變換關(guān)系,將跨接在網(wǎng)絡(luò)輸入與輸出端的阻抗分別等效為并接在輸入端與輸出端的阻抗。11221212221121, 111ZuuuAUUUUZZZZZUUUUUIAIAUZ第七章 頻率響應(yīng)共射電路的等效參數(shù)計(jì)算1c2021c111, 1(1)1111()1, () (1)(1) bub euMuuuMb euuumLMb cb cb euMb cubmLib eMZZZj CAj CAj CAZZAAj Cj CAUAUAg RCCCUUACCACg RCCCC c(1)(), b emLbb eb esb eSb bssssb bb e

7、sbeg R CrrRrRrUUURrrRr第七章 頻率響應(yīng)共射放大器單向化模型進(jìn)一步等效第七章 頻率響應(yīng)三、高頻增益表達(dá)式及上限頻率三、高頻增益表達(dá)式及上限頻率1(), 1ouIsb coLusuIsmLssbesbeHUArRAjAg RURrRrj 上限角頻率 11 2111HisHHCRf2(), ()180arctan()1() arctan()uIsouHHHAfAjjfffff 第七章 頻率響應(yīng)單級(jí)共射放大器的幅頻特性和相頻特性如圖: 在半功率點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的附加相移為-45,而當(dāng)頻率 f 10 fH 以后,附加相移趨向于最大值( -90)。 第七章 頻率響應(yīng)四、頻率特性的波特圖近似表

8、示法四、頻率特性的波特圖近似表示法用對(duì)數(shù)表示的放大器增益20lg()()20lg ()1() ( )11usuIsHuIsuIsuHHAjdBAdBjAAAjH ssj第七章 頻率響應(yīng)五 負(fù)載電容和分布電容對(duì)高頻響應(yīng)的影響負(fù)載電容和分布電容對(duì)高頻響應(yīng)的影響 等效2H22 11()(), 1oceCLLuIsosHoLHRrRRRAUjUjR Cj第七章 頻率響應(yīng)1212()(1)(1)11 ouIsussHHHHsioLUAAjUjjR CR C2212111HHH總上限頻率為:計(jì)入Ci、CL影響的高頻源增益為:第七章 頻率響應(yīng)六、結(jié)果討論六、結(jié)果討論設(shè)計(jì)寬帶放大器的依據(jù):2、關(guān)于信號(hào)源內(nèi)阻R

9、s 信號(hào)源的內(nèi)阻盡可能的小。3、關(guān)于集電極負(fù)載電阻RC的選擇原則 RC應(yīng)兼顧 AUI 和 fH 的要求。1、選擇晶體管的依據(jù) 選擇Cbc小而fT高的晶體管作寬帶放大管。4、關(guān)于負(fù)載電容CL 設(shè)法減小負(fù)載電容CL和分布電容。第七章 頻率響應(yīng)7.5 共集電路的高頻響應(yīng)共集電路的高頻響應(yīng) 共集電路的高頻響應(yīng)比共射好,即 f H(CC) f H(CE)一、一、 Cbc的影響的影響 Cbc:無(wú)密勒倍增效應(yīng)。且Cbc很小(零點(diǎn)幾幾pF),若Rs及rbb較小, Cbc對(duì)高頻響應(yīng)的影響就很小。 第七章 頻率響應(yīng)二、二、C be的影響的影響C be對(duì)高頻的影響很小。 Cbe :跨接輸入輸出端的電容,輸入端等效電

10、容CM為)1 (uebMACCebMCC結(jié)論:共集電路的 fH1 可接近管子的特征頻率 fT 。三、三、CL的影響的影響 CQsssbesoImVRrRrRR26111若Rs較小,電流ICQ較大,則Ro可以很小。時(shí)常數(shù)RoCL很小,fH2 很高。共集電路有很強(qiáng)的承受容性負(fù)載的能力。第七章 頻率響應(yīng)7.6 共基電路的高頻響應(yīng)共基電路的高頻響應(yīng)一、一、C be的影響的影響 若忽略rbb的影響,則接于輸入端,輸入電容Ci= Cbe ,且與Cb c無(wú)關(guān),遠(yuǎn)小于共射電路的輸入電容。且輸入電阻Rire=26mV/ICQ很小,故輸入回路的時(shí)常數(shù)很小, fH1很高。理論分析的結(jié)果fH1fT。 第七章 頻率響應(yīng)

11、二、二、C bc及及CL的影響的影響)(21)(212LcboMcboHCCRCCRf 如果忽略rbb的影響,則 Cbc直接接到輸出端,無(wú)密勒倍增效應(yīng)。輸出端總電容為Cbc +CL。輸出回路時(shí)常數(shù)為Ro(Cbc + CL),輸出回路決定的fH2為 共基與共射一樣,承受容性負(fù)載的能力較差,對(duì)于純電阻電路,共基電路的高頻特性非常好。第七章 頻率響應(yīng)三、三、CECB級(jí)聯(lián)的高頻響應(yīng)級(jí)聯(lián)的高頻響應(yīng)CECB:放大倍數(shù)為單級(jí)共射放大倍數(shù),共基起電流接續(xù)器的作用,但改善了高頻性能。CB的輸入電阻很小,減少了共射電路的等效輸入電容,有利于提高共射放大器的fH,因此廣泛用于集成寬帶電路。第七章 頻率響應(yīng)7.7 場(chǎng)

12、效應(yīng)管放大器的高頻響應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管放大器的高頻響應(yīng) 一、場(chǎng)效應(yīng)管的高頻小信號(hào)等效電路場(chǎng)效應(yīng)管的高頻小信號(hào)等效電路第七章 頻率響應(yīng)二、場(chǎng)效應(yīng)管放大器的高頻響應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管放大器的高頻響應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管共源及其等效電路 第七章 頻率響應(yīng)Cgd:跨接在輸入輸出端的電容。將Cgd分別等效到輸入端(用CM表示)和輸出端(用CM表示) 。其中:(1), MgdmLMgdCCg RCC12()(1)(1)(1)(1)omLuIsussiLLHHUg RAAjUj R Cj R Cjj第七章 頻率響應(yīng)2212111212HHHHf總的上限頻率: 總結(jié): (2) 、fH高和AuIs大是一對(duì)矛盾,所以在選擇RD時(shí)要兼顧fH和A

13、uIs的要求。 (3)、由于Ci(=Cgs+CM)的存在,希望有恒壓源激勵(lì),即要求源電阻Rs小。 總的上限頻率: (1)、要提高fH,必須選擇Cgs ,Cgd ,Cds小的管子。第七章 頻率響應(yīng)7.8 放大器的低頻響應(yīng)放大器的低頻響應(yīng)在低頻區(qū),電容C1、C2、CE呈現(xiàn)的阻抗增大,其分壓作用不可忽視,導(dǎo)致低頻放大倍數(shù)的下降。第七章 頻率響應(yīng)一、一、C1對(duì)低頻特性的影響對(duì)低頻特性的影響sousUUjA)(1211arctan180/_)(11LoLuIsLuIsAjA中頻區(qū)源增益)(besebLmuIsrRrRgA低頻增益模值)(()(1)21LuIsuIsAjA下限角頻率)()(11CrRbes

14、L低頻增益相角)(arctan180)(1Loj)(低頻響應(yīng)的附加相移1arctan)(Lj第七章 頻率響應(yīng)低頻增益的幅頻特性和相頻特性如圖:C1、CE:使放大器的低頻響應(yīng)下降,其下限角頻率L 1反比于時(shí)常數(shù)(Rs+rbe)C。當(dāng)=L1時(shí),附加相移為+45,其最大附加相移為+90。第七章 頻率響應(yīng)二、二、C2對(duì)低頻響應(yīng)的影響對(duì)低頻響應(yīng)的影響在考慮C2的影響時(shí),忽略C1、CE對(duì)低頻響應(yīng)的作用得低頻等效電路如圖:2()1ouIsusLsb euIsmLsbeUAAjUjrAg RRr C2引入的下限角頻率)(122LCLRRC第七章 頻率響應(yīng)三、三、CE對(duì)低頻響應(yīng)的影響對(duì)低頻響應(yīng)的影響CE引入的下

15、限角頻率為:L3L31 |11 beSoEeEoEerRRRrCRCr,為減小wL3,一般選擇CEC1(約1030倍)。四、總的下限角頻率為四、總的下限角頻率為L(zhǎng)3L2L1L第七章 頻率響應(yīng)五、討論五、討論 (1) C1、E、C2越大,下限頻率越低,低頻失真越小,附加相移也將會(huì)減小。 (2) CE等效到基極回路時(shí)要除以(1+),故若CE對(duì)L1的影響與C1相同,需要求取CE =(1+)C1,所以其取值往往比C1要大得多。 (3) 工作點(diǎn)越低,輸入阻抗越大,對(duì)改善低頻響應(yīng)有好處。 (4) RC,RL越大,對(duì)低頻響應(yīng)也有好處。 (5) C1、CE、C2使放大器具有高通特性,在下限頻率點(diǎn)處,附加相移為

16、正值,輸出電壓超前輸入電壓。第七章 頻率響應(yīng)|AuIs| 45 45|Au(j)|0LH(a)(b)|AuIs|2 45 90)(j0 45 90阻容耦合放大器完整的頻率響應(yīng) 第七章 頻率響應(yīng)7.9 多級(jí)放大器的頻率響應(yīng)多級(jí)放大器的頻率響應(yīng)多級(jí)級(jí)聯(lián)放大器的增益)()()()()(121 nkukunuuujAjAjAjAjA12112120lg()20lg()20lg()20lg()20lg()()()()()uuuunnukknkkkAjAjAjAjAjjjjj 對(duì)數(shù)幅頻特性為各級(jí)對(duì)數(shù)幅頻特性之和,總相移等于各級(jí)相移之和。第七章 頻率響應(yīng)設(shè)單級(jí)放大器的增益:121122221212()111

17、()1 () 1 () 1 () ()arctan()arctan()arctan()uIuIuIuHHHnuIuHHHnHHHnAAAAjjjjAAjj kuIkukjAjA1)(多級(jí)放大器的增益:|AuI|=|AuI1|AuI2|AuIn|為多級(jí)放大器中頻增益。第七章 頻率響應(yīng)令2)(uIHuAjA222121/n1222121 () 1 () 1 () 2121111HHHHHHnHHHHHn總的下限角頻率為:22121LnLLL 結(jié)論:結(jié)論: 1、多級(jí)放大器的通頻帶變窄。2、各級(jí)的通頻帶比總的通頻帶要寬。3、總的上限頻率基本取決于最低的一級(jí)。第七章 頻率響應(yīng)7.10 建立時(shí)間建立時(shí)間tr與上限頻率與上限頻率fH

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