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1、內(nèi)容目錄 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark11 o Current Document .公司介紹4 HYPERLINK l bookmark13 o Current Document 公司人員情況4 HYPERLINK l bookmark15 o Current Document 股權(quán)結(jié)構(gòu)6 HYPERLINK l bookmark17 o Current Document 公司業(yè)務(wù)情況6模塊化生產(chǎn)提升效率,少數(shù)客戶依賴性降低6以銷定產(chǎn)靈活度較高,技術(shù)附加值提高設(shè)備毛利率8研發(fā)投入逐年增長(zhǎng),產(chǎn)品獲業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可8 HYPERLINK l bookmark19
2、 o Current Document 公司財(cái)務(wù)情況9營(yíng)收快速增長(zhǎng),盈利能力持續(xù)增強(qiáng)9經(jīng)營(yíng)性現(xiàn)金流恢復(fù)正值,資產(chǎn)結(jié)構(gòu)改善9 HYPERLINK l bookmark21 o Current Document .高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)10 HYPERLINK l bookmark0 o Current Document .行業(yè)市場(chǎng)容量及競(jìng)爭(zhēng)格局12 HYPERLINK l bookmark2 o Current Document 半導(dǎo)體市場(chǎng)空間廣闊,國(guó)產(chǎn)代替勢(shì)在必行12 HYPERLINK l bookmark4 o Current Document 設(shè)備決定芯片制造基礎(chǔ),MOCVD設(shè)備反映LE
3、D產(chǎn)能12 HYPERLINK l bookmark9 o Current Document .行業(yè)同水平公司比照15圖表目錄圖1:中微半導(dǎo)體開展歷程4圖2 :中微半導(dǎo)體股權(quán)結(jié)構(gòu)6圖3 :刻蝕設(shè)備生產(chǎn)工藝流程6圖4 : MOCVD設(shè)備生產(chǎn)工藝流程6圖5 :中微半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入及增速/億元9圖6 :中微半導(dǎo)體凈利潤(rùn)及增速/億元9圖7 :中微半導(dǎo)體經(jīng)營(yíng)性現(xiàn)金流及增速/億元10圖8 :中微半導(dǎo)體流動(dòng)比率與速動(dòng)比率10圖9 :中微半導(dǎo)體存貨與應(yīng)收票據(jù)及應(yīng)收賬款/億元11圖10 :中微半導(dǎo)體員工人數(shù)及支付員工薪酬/億元11圖11 :中國(guó)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)規(guī)模12圖12 :半導(dǎo)體設(shè)備支撐芯片制造產(chǎn)業(yè)13圖1
4、3 :全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額/億美元13圖14 :集成電路設(shè)備銷售額占比13圖15 :晶圓制造設(shè)備銷售額占比13圖16 :國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額/億元14圖17 :中國(guó)LED行業(yè)產(chǎn)值/億元14表1 :公司人員任職情況5表2 : 2018年員工專業(yè)結(jié)構(gòu)/人5表3 :中微半導(dǎo)體銷售模式(萬元)7合計(jì)資料來源:招股說明書,100,156.18表12 :募集資金時(shí)間周期和時(shí)間進(jìn)度序號(hào)工程名稱高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)項(xiàng) 目技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級(jí)工程時(shí)間周期和時(shí)間進(jìn)度本工程建設(shè)期為2年零6個(gè) 月,分如下五個(gè)階段工作實(shí) 施:第一階段為研究與設(shè)計(jì)階 段,歷時(shí)3個(gè)月,主要是完 成工程可行性研究及規(guī)劃、 初步設(shè)計(jì)、施工圖
5、設(shè)計(jì); 第二階段為廠房改建和裝 修階段,歷時(shí)6個(gè)月,主要 工作為生產(chǎn)車間生產(chǎn)設(shè)施 及配套生產(chǎn)設(shè)施的改建、 裝修;彘士階段為設(shè)備采購(gòu)階段, 歷時(shí)9個(gè)月,主要是設(shè)備采 購(gòu)、施工安裝,以及軟件采 購(gòu)及安裝、調(diào)試等; 第四階段為人員招聘及培 訓(xùn)階段,主要是生產(chǎn)人員及 相關(guān)崗位人員招聘,可與第 三階段同時(shí)進(jìn)行; 第五階段為設(shè)備調(diào)試、試產(chǎn) 階段,歷時(shí)12個(gè)月,主要 是工程投產(chǎn)準(zhǔn)備、工程試運(yùn) 營(yíng)投產(chǎn)等。易工程建1期2年,計(jì)劃分 三個(gè)階段實(shí)施完成,計(jì)劃進(jìn) 度安排如下:第一階段為工程施工階段, 本階段主要任務(wù)是研發(fā)中 心裝修及實(shí)驗(yàn)室等配套工 程施工,歷時(shí)6個(gè)月。第二階段為設(shè)備采購(gòu)及施 工安裝階段,本階段的主要
6、工作是進(jìn)行公用系統(tǒng)安裝, 空調(diào);鍬裝修,各輸配系統(tǒng) 工藝管道的安裝;此外本階 將完成I頁(yè)目設(shè)備的采購(gòu)、招投標(biāo)等相關(guān)工作,歷時(shí)1 年。第三階段為設(shè)備調(diào)試、試運(yùn) 行階段,本階段是在施工全 部完畢后,進(jìn)行設(shè)備調(diào)試、 單機(jī)設(shè)備驗(yàn)證、系統(tǒng)調(diào)試及 系統(tǒng)驗(yàn)證,歷時(shí)6個(gè)月。資料來源:招股說明書,補(bǔ)充流動(dòng)資金提高資金利用率。為進(jìn)一步優(yōu)化財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu),滿足現(xiàn)有研發(fā)投入和生產(chǎn)銷售的 資金需求,擬將局部募集資金用于補(bǔ)充其他與主營(yíng)業(yè)務(wù)相關(guān)的營(yíng)運(yùn)資金。補(bǔ)充流動(dòng)資金可 以降低公司的財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn),提高公司的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。圖9:中微半導(dǎo)體存貨與應(yīng)收票據(jù)及應(yīng)收賬款/億元圖1。:中微半導(dǎo)體員工人數(shù)及支付員工薪酬/億元資料來源:招股說明書,資
7、料來源:招股說明書,3.行業(yè)市場(chǎng)容量及競(jìng)爭(zhēng)格局半導(dǎo)體市場(chǎng)空間廣闊,國(guó)產(chǎn)代替勢(shì)在必行云計(jì)算、5G迅速開展,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)空間巨大。半導(dǎo)體行業(yè)是是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ) 支撐。根據(jù)國(guó)際貨幣基金組織測(cè)算,每1美元半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)值可帶動(dòng)相關(guān)電子信息產(chǎn)業(yè) 10美元產(chǎn)值,并帶來100美元的GDP。中國(guó)已成為了全球最大的電子產(chǎn)品消費(fèi)市場(chǎng)。根 據(jù)IC Insights統(tǒng)計(jì),從2013年到2018年僅中國(guó)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)規(guī)模就從820億美元 擴(kuò)大至1,550億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為13.5與。未來隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、 物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步開展,中國(guó)將成為全球 半導(dǎo)
8、體最具活力和開展前景的市場(chǎng)區(qū)域。從供給端分析,比照巨大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)規(guī)模較小,2018年自 給率約為15%。不斷擴(kuò)大的中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模嚴(yán)重依賴于進(jìn)口,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率 過低,進(jìn)口替代的空間巨大。圖11:中國(guó)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)規(guī)模資料來源:招股說明書,設(shè)備決定芯片制造基礎(chǔ),MOCVD設(shè)備反映LED產(chǎn)能半導(dǎo)體設(shè)備價(jià)值含量高。半導(dǎo)體設(shè)備價(jià)值普遍較高,一條制造先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)線投資 中設(shè)備價(jià)值約占總投資規(guī)模的75%以上,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的開展衍生出巨大的設(shè)備需求市場(chǎng)。根據(jù) SEMI統(tǒng)計(jì),全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從2013年的約318億美元增長(zhǎng)至2018年的預(yù)估621 億美元,年
9、均復(fù)合增長(zhǎng)率約為14.33% ,高于同期全球半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模的增速。圖12 :半導(dǎo)體設(shè)備支撐芯片制造產(chǎn)業(yè)軟件,網(wǎng)絡(luò),電商,傳媒,大數(shù)據(jù)等應(yīng)用軟件,網(wǎng)絡(luò),電商,傳媒,大數(shù)據(jù)等應(yīng)用年產(chǎn)值幾十萬億美元電子系統(tǒng)公司的業(yè)務(wù)半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)%年產(chǎn)值幾千億美元74年產(chǎn)值幾萬億莢元港一年產(chǎn)值兒百億美元資料來源:招股說明書,國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)已形成壟斷格局。根據(jù)VLSI Research統(tǒng)計(jì),2018年全球半導(dǎo)體設(shè) 備系統(tǒng)及服務(wù)銷售額為621億美元,其中前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商,由于起步較早,憑 借資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢(shì),占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)65%的市場(chǎng)份額。 其中,阿斯麥在光刻機(jī)設(shè)備方
10、面形成寡頭壟斷。應(yīng)用材料、東京電子和泛林半導(dǎo)體是提供 等離子體刻蝕和薄膜沉積等工藝設(shè)備的三強(qiáng)。目前刻蝕設(shè)備、光??诒∧こ练e設(shè)備分別占 晶圓制造設(shè)備價(jià)值量約24%、23%和18%。圖13 :全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額/億美元資料來源:招股說明書,圖14 :集成電路設(shè)備銷售額占比圖15 :晶圓制造設(shè)備銷售額占比晶圓制造設(shè)備封裝設(shè)備測(cè)試設(shè)備其他設(shè)備13%光刻機(jī)薄膜沉積設(shè)備CMP/外表處理/清潔檢測(cè)設(shè)備其他沉積設(shè)備刻蝕設(shè)備13資料來源:招股說明書,資料來源:招股說明書,表13 :全球五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商資料來源:招股說明書,排名公司市占率12應(yīng)用材料17.27%阿斯麥15.74%3東京電子13.45%4泛林
11、半導(dǎo)體13.40%5科天半導(dǎo)體5.19%合計(jì)65.05%超高的研發(fā)本錢和技術(shù)難度限制了中國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的開展。歐美等國(guó)為了阻止中國(guó) 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,一直對(duì)該領(lǐng)域?qū)嵤┘夹g(shù)封鎖。2016年,中微半導(dǎo)體獲國(guó)家集成電路產(chǎn) 業(yè)基金4.8億元的投資,成功成為中國(guó)芯片制造領(lǐng)域的國(guó)家隊(duì)。這凸顯了國(guó)家對(duì)中微半導(dǎo) 體在中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的貢獻(xiàn)和地位的認(rèn)可。圖16 :國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額/億元資料來源:招股說明書,MOCVD設(shè)備是衡量LED產(chǎn)能的直觀指標(biāo)。MOCVD設(shè)備作為L(zhǎng)ED制造中最重要的設(shè)備, 其采購(gòu)金額一般占LED生產(chǎn)線總投入的一半以上。2015年至2017年中國(guó)MOCVD設(shè)備 保有量從1,222臺(tái)增
12、長(zhǎng)至1,718臺(tái),年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)18%。中微MOCVD極高的生產(chǎn)效率為它帶來了顯著的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。伴隨著LED逐漸取代白熾燈, 燈泡價(jià)格下降,這也意味著LED制造商能夠獲得的利潤(rùn)更緊縮。在這樣的情況下,設(shè)備制 造商提高生產(chǎn)效率就顯得尤為重要。中微的MOCVD設(shè)備可以以并行或串行模式運(yùn)行,減 少了交叉污染。這是高性能的LED芯片所必需的。圖17 :中國(guó)LED行業(yè)產(chǎn)值/億元資料來源:招股說明書,4.行業(yè)同水平公司比照公司已建立完整的半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)線,積極擴(kuò)張產(chǎn)能可以充提供受行業(yè)高度景氣帶來的紅 利。公司客戶渠道穩(wěn)定,有利于提升公司整體盈利水平。2016年、2017年、2018年?duì)I業(yè) 收分別到達(dá)16.
13、10億元、9.72億元、16.39億元,凈利潤(rùn)分別到達(dá)了-2.39億元、0.30 億元、0.91億元。我們將公司與行業(yè)同水平公司進(jìn)行了比擬,其比照情況如下:表14 :可比行業(yè)公司EPS、PE比照資料來源:wind ,公司名稱2018EPS2019EPS2020EPS2018PE2019PE2020PE北方華創(chuàng)0.370.830.1074.7285.3858.77中微半導(dǎo)體0.20表15 :公司毛利率與競(jìng)爭(zhēng)公司比照公司名稱2016 年2017 年2018 年北方華創(chuàng)39.73%36.59%-中微半導(dǎo)體42.52%38.59%35.50%歡迎關(guān)注公眾號(hào)六微信搜一搜Q冷眼看A股|六微信搜一搜Q冷眼看
14、A股|資料來源:招股說明書,報(bào)告存在問題或需求其他報(bào)告加微信文檔出現(xiàn)排版、亂碼等問題,可加上面微信,憑 下載記錄,獲取PDF版本表4 : 表5 : 表6 : 表7 : 表8 : 表9 : 表10表11 表12表13 表14 表15 TOC o 1-5 h z 中微半導(dǎo)體主要客戶7中微半導(dǎo)體設(shè)備收入構(gòu)成/萬元7中微半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)銷量(腔)8中微半導(dǎo)體設(shè)備毛利率8中微半導(dǎo)體研發(fā)投入(萬元)8中微半導(dǎo)體主要產(chǎn)品9:可比公司毛利率9:募集資金投資方向/萬元10:募集資金時(shí)間周期和時(shí)間進(jìn)度11:全球五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商14:可比彳亍業(yè)公司EPS、 PE又寸比15:公司毛利率與競(jìng)爭(zhēng)公司比照15.公司介紹中微
15、公司是一家高端半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備公司,是我國(guó)集成電路設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。公 司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,通過向全球集成電路和LED芯片制造商提供 極具競(jìng)爭(zhēng)力的高端設(shè)備和高質(zhì)量服務(wù)。中微公司聚焦用于離子體刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備 和MOCVD設(shè)備等集成電路制造關(guān)鍵設(shè)備。中微半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品包括刻蝕機(jī)和MOCVD設(shè)備。其中刻蝕機(jī)有等離子體刻蝕機(jī)和硅通孔 刻蝕機(jī)兩種。等離子體刻蝕設(shè)備主要用于芯片制造環(huán)節(jié),而硅通孔刻蝕設(shè)備是芯片封裝的 重要設(shè)備之一。刻蝕機(jī)按照前段光刻機(jī)描繪的線路對(duì)晶片進(jìn)行更深入的微觀雕刻。自 2004年成立伊始,中微公司首先開發(fā)甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo D-R
16、IE ,到目 前為止已成功開發(fā)了雙反響臺(tái)Primo D.RIE、雙反響臺(tái)Primo AD-RIE和單反響臺(tái)Primo SSC AD-RIE三代刻蝕設(shè)備,涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7 納米和5納米微觀器件的眾多刻蝕應(yīng)用。2012年中微公司開發(fā)電感性等離子體刻蝕設(shè)備, 到目前為止已成功開發(fā)單反響臺(tái)Primo nanova刻蝕設(shè)備,并同時(shí)開發(fā)雙反響臺(tái)電感性等離子 體刻蝕設(shè)備,主要涵蓋14納米以下微觀器件的刻蝕應(yīng)用。中微公司還針對(duì)集成電路先進(jìn)封 裝和MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)開展的市場(chǎng)需求,開發(fā)了廣泛應(yīng)用于這些領(lǐng)域的電感性等離子體深 硅刻蝕設(shè)備。中微的MOCVD設(shè)備是LE
17、D芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備。它的數(shù)量甚至被認(rèn)為是衡量LED行業(yè) 產(chǎn)能的指標(biāo)。薄膜沉積設(shè)備方面,2010年中微公司開始開發(fā)用于LED器件加工中最關(guān)鍵 的設(shè)備MOCVD設(shè)備。公司已開發(fā)了三代MOCVD設(shè)備,該設(shè)備是一種高端薄膜沉積 設(shè)備,主要用于藍(lán)綠光LED和功率器件等生產(chǎn)加工,包括第一代設(shè)備Prismo D-Blues第 二代設(shè)備Prismo A7及第三代更大尺寸設(shè)備。圖1:中微半導(dǎo)體開展歷程2004年2007年2010 年2011 年中微有限設(shè)立首臺(tái)CCP刻蝕設(shè) 備產(chǎn)品Primo D-RIE研制成功首臺(tái)深硅刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功CCP刻館設(shè)各產(chǎn) nnPrinio AD-RIE 刻蝕設(shè)備冊(cè)制成 功201
18、6年末2017年初百臺(tái)ICP刻蝕設(shè)備 立品 Primo nanova 研制成功2016年初2013 年2012年首價(jià)VOC設(shè)備產(chǎn) 品研制成功CCP亥IJ蝕設(shè)品 品 Primo SSC AD- RIE刻蝕設(shè)備研制 成功首臺(tái)MOCVD i殳 備產(chǎn)品Prismo D-Blue研制成功2017年2018年至今MOCVD設(shè)備產(chǎn) 品Prismo A7初步 研制成功中微公司第100臺(tái) MOCVD Prismo A7反響腔付運(yùn)用 程碑改進(jìn) Primo AD- RIE并進(jìn)入5nni上產(chǎn)線繼續(xù)引領(lǐng)國(guó)內(nèi)半 導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù) 的開展資料來源:招股說明書,公司人員情況公司現(xiàn)有董事11名,其中獨(dú)立董事4名。公司現(xiàn)有監(jiān)事3名
19、。表1:公司人員任職情況資料來源:招股說明書,序號(hào)姓名類別董事會(huì)(11人)1尹志堯董事長(zhǎng)、總經(jīng)埋2沈偉國(guó)董事3朱民董事4楊征帆董事5張亮董事6陳立武董事7杜志游董事長(zhǎng)、副總經(jīng)埋8陳大同獨(dú)董事9陳世敏獨(dú)立董事10孔偉獨(dú)立董事11張衛(wèi)獨(dú)立量事監(jiān)事會(huì)(3人)1余峰監(jiān)事會(huì)主席2俞信華監(jiān)事3王志軍先生監(jiān)事高級(jí)管理人員(6人)1尹志堯董事長(zhǎng)、總經(jīng)埋2杜志游董事長(zhǎng)、副總經(jīng)埋3朱新萍副總經(jīng)理4倪圖強(qiáng)副總經(jīng)理5陳偉文副總經(jīng)理、財(cái)務(wù)負(fù)責(zé)人6文1曉宇董事會(huì)秘書核心技術(shù)人員(6人)1尹志堯董事長(zhǎng)、總經(jīng)埋2杜志游董事長(zhǎng)、副總經(jīng)埋3倪圖強(qiáng)副總經(jīng)理4麥?zhǔn)肆x副總裁5楊偉副總裁6李天笑副總裁2018年,公司總?cè)藬?shù)為653人,其
20、中主要以研發(fā)人員為主,占比36.75%,其次為工程技 術(shù)人員,占比21.5曳表2 : 2018年員工專業(yè)結(jié)構(gòu)/人資料來源:招股說明書,類別人數(shù)占員工總數(shù)的比例研發(fā)人員24036.75%工程技術(shù)人員14121.59%管理人員12118.53%銷售人員497.50%生產(chǎn)人員426.43%其他609.19%合計(jì)653100.00%股權(quán)結(jié)構(gòu)公司股權(quán)結(jié)構(gòu)中,中微亞洲占比為5.15% , Primrose占比為4.07%。圖2:中微半導(dǎo)體股權(quán)結(jié)構(gòu)境外境內(nèi)上海創(chuàng)投巽套投資南昌智微苣都投資悅松投資國(guó)開創(chuàng)新創(chuàng)橙投資和諧錦弘上海自貿(mào)區(qū)基金亮榜投資君邦投資協(xié)套控股國(guó)投投資浦東新興橙色海岸自貿(mào)區(qū)三期基金茂流投資勵(lì)微投
21、資苴徽投資20.02%1939%6.37%5.48%4.69%1.09%2.74%2.66%2.46%1.89%1.88%1.64%1.61%1.39%1.32%0.85%0.81%0.81%0.41% 0.05%中微公司資料來源:招股說明書,公司業(yè)務(wù)情況模塊化生產(chǎn)提升效率,少數(shù)客戶依賴性降低 刻蝕設(shè)備生產(chǎn)工藝流程公司刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)工藝流程主要包括小型模組組裝、反響腔體組裝、傳送模組組裝、系 統(tǒng)集成、終測(cè)及工藝調(diào)試、分拆及裝箱等步驟,具體如下:圖3 :刻蝕設(shè)備生產(chǎn)工藝流程資料來源:招股說明書,公司MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)采用模塊化生產(chǎn)模式。與刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)相比,模塊化生產(chǎn)模式 將系統(tǒng)集成、終測(cè)及工
22、藝調(diào)試移植到客戶端進(jìn)行,增加了獨(dú)立的反響腔體測(cè)試和傳送模組 測(cè)試,從而大大縮短了產(chǎn)品組裝周期。具體情況如下:圖4 : MOCVD設(shè)備生產(chǎn)工藝流程資料來源:招股說明書,資料來源:招股說明書, 銷售模式:公司采用直銷為主,代理銷售為輔的銷售模式。其中,在2018年,直銷的占比高達(dá)卵.97。表3:中微半導(dǎo)體銷售模式(萬元)2018 年2017 年2016 年金額占比金額占比金額占比直銷163,878.4699.97%97,075.9399.88%59,574.9297.74%代理商銷售50.370.03%116.130.12%1,377.922.26%合計(jì)163,928.83100.00%97,19
23、2.06100.00%60,952.84100.00%資料來源:招股說明書,公司逐漸減少依賴少數(shù)客戶的情況。公司每年前五名客戶包括臺(tái)積電、中芯國(guó)際、海力士、 華力微電子、聯(lián)華電子、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三安光電、華燦光電、乾照光電、壬蒯光電等。2016年、 2017年和2018年,公司向前五名客戶合計(jì)銷售額占當(dāng)期銷售總額的比例分別為 85.74%, 74.52%和60.55% ,占比逐年降低。公司不存在向單個(gè)客戶銷售比例超過公司當(dāng) 年銷售總額50%。表4:中微半導(dǎo)體主要客戶 類別刻蝕設(shè)備MOCVD設(shè)備資料來源:招股說明書,客戶類別集成電路制造商、半導(dǎo)體封測(cè)廠商LED芯片、功率器件制造商重要客戶代表臺(tái)積電、
24、中芯國(guó)際、聯(lián)華電子、華力微電子、海力士、長(zhǎng)江存 儲(chǔ)、華邦電子、晶方科技、格電、乾照光電刻蝕和MOCVD設(shè)備貢獻(xiàn)主要收入。公司專用設(shè)備主要為刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備。報(bào)告 期各期,公司2016-2018年刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備的合計(jì)銷售收入分別為48,803.93萬 元82,580.62萬元和139,767.14萬元,占專用設(shè)備銷售收入的比例分別為99.5%、99.21% 和100.0/。公司其他設(shè)備收入為VOC設(shè)備的銷售收入。表5 :中微半導(dǎo)體設(shè)備收入構(gòu)成/萬元2018 年2017 年2016 年金額占比金額占比金額占比刻蝕設(shè)備56,560.8540.47%28,896.2634.99%47
25、,036.1096.38%MOCVD83,206.2959.53%53,031.5664.22%1,557.583.19%設(shè)備 其他設(shè)備一一652.810.79%210.260.43%合計(jì) 139,767.14100.00%82,580.62100.00%48,803.93100.00%資料來源:招股說明書,1.3.2.以銷定產(chǎn)靈活度較高,技術(shù)附加值提高設(shè)備毛利率公司主要采用以銷定產(chǎn)的模式。所以產(chǎn)品的產(chǎn)量與銷量基本匹配。公司產(chǎn)能具有一定彈性, 能根據(jù)訂單情況靈活地安排人工、原材料采購(gòu)等生產(chǎn)安排。產(chǎn)量總體高于銷量主要源于大 局部機(jī)臺(tái)發(fā)出后需在客戶生產(chǎn)線上進(jìn)行安裝、調(diào)試,獲得客戶驗(yàn)收后方可確認(rèn)收入
26、。表6:中微半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)銷量(腔)產(chǎn)品工程2018 年2017 年2016 年合計(jì)產(chǎn)量(腔)955075220刻蝕設(shè)備銷量(腔)713356160產(chǎn)量(腔)1361066248漢田銷量(腔)106106106106資料來源:招股說明書,技術(shù)附加值使得刻蝕設(shè)備的毛利率更高。公司的刻蝕設(shè)備下游客戶主要是集成電路制造商、 半導(dǎo)體封測(cè)廠商,定制化程度高,綜合毛利率較高。公司的MOCVD設(shè)備的下游客戶主要是 LED芯片制造商,標(biāo)準(zhǔn)化程度相對(duì)較高,綜合毛利率相對(duì)較低。2017年公司主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利 率同比下降3.93個(gè)百分點(diǎn),主要系2017年刻蝕設(shè)備毛利率降低所致。2018年公司主營(yíng)業(yè)務(wù) 毛利率同比下降3.0
27、9個(gè)百分點(diǎn),主要系MOCVD設(shè)備毛利率下降所致。表7 :中微半導(dǎo)體設(shè)備毛利率2018 年2017 年2016 年毛利率收入占比毛利率收入占比毛利率收入占比專用設(shè)備34.91%85.29%38.23%84.99%42.92%80.07%其中:刻蝕47.52%34.51%38.37%29.74%43.13%77.17%設(shè)備MOCVD26.33%50.77%38.13%54.58%33.82%2.56%備品備件37.28%13.83%39.15%13.87%40.06%19.02%設(shè)備維護(hù)65.16%65.16%65.16%65.16%65.16%65.16%主營(yíng)業(yè)務(wù)35.50%35.50%35.5
28、0%35.50%35.50%35.50%資料來源:招股說明書,133.研發(fā)投入逐年增長(zhǎng),產(chǎn)品獲業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可公司保持大額的研發(fā)投入并逐年增長(zhǎng)。報(bào)告期各期研發(fā)投入分別為30,242.66萬元、33,043.57萬元和40,408.78萬元,占各年度營(yíng)業(yè)收入的比例分別為49碗、34.明和24.6劈。表8:中微半導(dǎo)體研友投入(方兀)工程2018年度2017年度2016年度研發(fā)投入合計(jì)40,408.7833,043.5730,242.66營(yíng)業(yè)收入163,928.8397,192.0660,952.84研發(fā)投入占比24.65%34.00%49.62%資料來源:招股說明書,中微深耕半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。中微公司的
29、等離子體刻蝕設(shè)備已廣泛應(yīng)用于國(guó)際先進(jìn)的14納 米、7納米和5納米生產(chǎn)線;公司開發(fā)的大型MOCVD設(shè)備逐步替代進(jìn)口設(shè)備。截至2018 年末,中微公司累計(jì)已有1/00多個(gè)反響臺(tái)服務(wù)于國(guó)內(nèi)外40余條先進(jìn)芯片生產(chǎn)線。公司自 主研發(fā)的MOCVD設(shè)備已被多家領(lǐng)先LED生產(chǎn)廠家使用和認(rèn)可。經(jīng)過多年的開展,公司取得了豐富的科技成果。自公司設(shè)立至2019年2月末,公司申請(qǐng)了 1,201項(xiàng)專利,其中發(fā) 明專利1,038項(xiàng),海外創(chuàng)造專利465項(xiàng);已獲授權(quán)專利951項(xiàng),其中創(chuàng)造專利800項(xiàng)。表9:中微半導(dǎo)體主要產(chǎn)品產(chǎn)品類別電容性等離子體刻蝕設(shè)備電感性等離子體刻蝕設(shè)備MOCVD設(shè)備產(chǎn)品類別電容性等離子體刻蝕設(shè)備電感性等
30、離子體刻蝕設(shè)備MOCVD設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域主要應(yīng)用于集成電路制造中氧化硅、氮化硅及低介電系數(shù)膜層等電介質(zhì)材料的刻蝕 主要應(yīng)用于在集成電路制造中單晶硅、多晶 硅等材料的刻蝕VOC設(shè)備資料來源:招股說明書,平板顯示生產(chǎn)線等工業(yè)用的空氣凈化LED外延片及功率器件生產(chǎn)公司財(cái)務(wù)情況營(yíng)收快速增長(zhǎng),盈利能力持續(xù)增強(qiáng)根據(jù)公司招股書,2018年中微營(yíng)業(yè)收入達(dá)16.39億元,同比增長(zhǎng)68.6或,凈利潤(rùn)0.91億 元,同比增長(zhǎng)203.61%。得益于半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)、全球產(chǎn)能向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移,以及公司 技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品品質(zhì)、品牌信譽(yù)度、客戶資源等方面的優(yōu)勢(shì),報(bào)告期內(nèi)公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入 保持快速增長(zhǎng)。16-18年中微的毛利率分別為42.5緋38.5細(xì)35.50騷圖5 :中微半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入及增速/億元圖5 :中微半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入及增速/億元資料來源:招股說明書,圖6:中微半導(dǎo)體凈利潤(rùn)及增速/億元150.00100.0050.000.00-50.00-100.00-150.00-20
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